Global Patent Index - EP 3944410 A1

EP 3944410 A1 20220126 - HIGH FREQUENCY STRUCTURE WITH SUBSTRATE INTEGRATED WAVEGUIDE AND RECTANGULAR WAVEGUIDE

Title (en)

HIGH FREQUENCY STRUCTURE WITH SUBSTRATE INTEGRATED WAVEGUIDE AND RECTANGULAR WAVEGUIDE

Title (de)

HOCHFREQUENZ-STRUKTUR MIT SUBSTRATINTEGRIERTEM WELLENLEITER UND RECHTECK-HOHLLEITER

Title (fr)

STRUCTURE HAUTE FRÉQUENCE POURVU DE GUIDER D'ONDES INTÉGRÉ AU SUBSTRAT ET CONDUCTEUR CREUX RECTANGULAIRE

Publication

EP 3944410 A1 20220126 (DE)

Application

EP 21185769 A 20210715

Priority

DE 102020119495 A 20200723

Abstract (de)

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Hochfrequenz-Struktur, bei der ein Rechteck-Hohlleiter (2) vertikal an einen substratintegrierten Wellenleiter (1) gekoppelt ist. Der substratintegrierte Wellenleiter (1) weist im Ankoppelbereich einen zum Rechteck-Hohlleiter (2) hin offenen Hohlraum auf, der auf einer dem Rechteck-Hohlleiter (2) gegenüberliegenden Seite durch eine metallische Abdeckung (8) abgeschlossen ist. Der Ankoppelbereich zum Rechteck-Hohlleiter (2) ist so angeordnet, dass er den substratintegrierten Wellenleiter (1) in zwei Wellenleiterzweige auftrennt, die eine Einkopplung eines differentiellen Signals über ihre Enden ermöglichen, das in dem zum Rechteck-Hohlleiter (2) hin offenen Hohlraum eine Phasendifferenz im Bereich von 180° aufweist. Der Hohlraum ist in Richtung der beiden Wellenleiterzweige mit einer beidseitig gestuften Struktur zur Impedanzanpassung versehen, die durch Stufen (9) in der dem Rechteck-Hohlleiter (2) zugewandten elektrisch leitfähigen Beschichtung (4) gebildet wird. Die vorgeschlagene Hochfrequenz-Struktur ermöglicht eine Übertragung eines von einem MMIC erzeugten differentiellen Signals mit geringen Bandbreite- und Leistungsverlusten zu einer mit dem Rechteck-Hohlleiter verbundenen Antenne.

IPC 8 full level

H01P 5/12 (2006.01)

CPC (source: EP)

H01P 5/12 (2013.01)

Citation (applicant)

  • S. HANSEN ET AL.: "A W-Band Stepped Impedance Transformer Transition from SIW to RWG for Thin Single Layer Substrates with Thick Metal Cladding", PROCEEDINGS OF THE 49TH EUROPEAN MICROWAVE CONFERENCE, 2019, pages 352 - 355, XP033641799, DOI: 10.23919/EuMC.2019.8910721
  • B. WELP ET AL.: "Versatile Dual-Receiver 94-GHz FMCW Radarsystem with High Output-Power and 26-GHz Tuning Range for High Distance Applications", IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNICS, vol. 68, no. 3, 2020, pages 1195 - 1211, XP011775578, DOI: 10.1109/TMTT.2019.2955127
  • C. SCHULZ ET AL.: "A broadband circular waveguideto-microstrip transition for an 80 GHz FMCW radar system", PROCEEDINGS OF THE ASIA-PACIFIC MICROWAVE CONFERENCE, 2011, pages 391 - 394, XP032152653

Citation (search report)

  • [Y] US 2011267153 A1 20111103 - HIROTA AKIMICHI [JP], et al
  • [A] JP 2003158408 A 20030530 - ANRITSU CORP
  • [A] EP 1469548 A1 20041020 - SIEMENS MOBILE COMM SPA [IT]
  • [YD] HANSEN STEFFEN ET AL: "A W-Band Stepped Impedance Transformer Transition from SIW to RWG for Thin Single Layer Substrates with Thick Metal Cladding", 2019 49TH EUROPEAN MICROWAVE CONFERENCE (EUMC), EUROPEAN MICROWAVE ASSOCIATION (EUMA), 1 October 2019 (2019-10-01), pages 352 - 355, XP033641799, DOI: 10.23919/EUMC.2019.8910721

Designated contracting state (EPC)

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Designated extension state (EPC)

BA ME

DOCDB simple family (publication)

EP 3944410 A1 20220126; DE 102020119495 A1 20220127

DOCDB simple family (application)

EP 21185769 A 20210715; DE 102020119495 A 20200723