Global Patent Index - EP 3958301 A1

EP 3958301 A1 20220223 - POWER MODULE COMPRISING AT LEAST ONE POWER SEMICONDUCTOR AND A SUBSTRATE

Title (en)

POWER MODULE COMPRISING AT LEAST ONE POWER SEMICONDUCTOR AND A SUBSTRATE

Title (de)

LEISTUNGSMODUL MIT MINDESTENS EINEM LEISTUNGSHALBLEITER UND EINEM SUBSTRAT

Title (fr)

MODULE DE PUISSANCE POURVU D'AU MOINS UN SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE ET D'UN SUBSTRAT

Publication

EP 3958301 A1 20220223 (DE)

Application

EP 20192063 A 20200821

Priority

EP 20192063 A 20200821

Abstract (en)

[origin: WO2022037835A1] The invention relates to a power module (2) comprising at least one power semiconductor (6) and a substrate (8). The aim of the invention is to provide a power module (2) which is more compact, more economical and more flexible to produce compared with the prior art. This aim is achieved, according to the invention, in that the substrate (8) has, at least on a side facing the power semiconductor (6), a substrate metallisation (12, 14) which is in particular structured, wherein: the at least one power semiconductor (6) is integrally connected to the substrate metallisation (12, 14); a housing (4) is connected to the substrate (8) in such a way that the at least one power semiconductor (6) is at least partially surrounded by the housing (4); and the housing (4) is made of a dielectric material and has a metallisation (24) at least on one surface (20, 22).

Abstract (de)

Die Erfindung betrifft ein Leistungsmodul (2) mit mindestens einem Leistungshalbleiter (6) und einem Substrat (8). Um ein Leistungsmodul (2) anzugeben, welches, im Vergleich zum Stand der Technik, kompakter, kostengünstiger und flexibler zu fertigen ist, wird vorgeschlagen, dass das Substrat (8) zumindest auf einer dem Leistungshalbleiter (6) zugewandten Seite eine, insbesondere strukturierte, Substratmetallisierung (12, 14) aufweist, wobei der mindestens eine Leistungshalbleiter (6) stoffschlüssig mit der Substratmetallisierung (12, 14) verbunden ist, wobei ein Gehäuse (4) derartig mit dem Substrat (8) verbunden ist, dass der mindestens eine Leistungshalbleiter (6) zumindest teilweise vom Gehäuse (4) umgeben ist, wobei das Gehäuse (4) aus einem dielektrischen Werkstoff hergestellt ist und zumindest auf einer Oberfläche (20, 22) eine Metallisierung (24) aufweist.

IPC 8 full level

H01L 23/053 (2006.01)

CPC (source: EP)

H01L 23/053 (2013.01); H01L 23/3735 (2013.01); H01L 23/49833 (2013.01); H01L 24/72 (2013.01); H01L 24/73 (2013.01); H01L 24/29 (2013.01); H01L 24/32 (2013.01); H01L 2224/291 (2013.01); H01L 2224/32227 (2013.01); H01L 2224/32238 (2013.01); H01L 2224/3303 (2013.01); H01L 2224/73251 (2013.01); H01L 2224/8384 (2013.01)

Citation (search report)

Designated contracting state (EPC)

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DOCDB simple family (publication)

EP 3958301 A1 20220223; WO 2022037835 A1 20220224

DOCDB simple family (application)

EP 20192063 A 20200821; EP 2021068306 W 20210702