Global Patent Index - EP 4167294 A1

EP 4167294 A1 20230419 - DEVICE COMPRISING SPACERS HAVING LOCALIZED AIR ZONE AND METHODS FOR MAKING SAME

Title (en)

DEVICE COMPRISING SPACERS HAVING LOCALIZED AIR ZONE AND METHODS FOR MAKING SAME

Title (de)

VORRICHTUNG MIT ABSTANDSHALTERN MIT LOKALISIERTER LUFTZONE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DAVON

Title (fr)

DISPOSITIF COMPRENANT DES ESPACEURS COMPORTANT UNE ZONE D AIR LOCALISÉE ET PROCÉDÉS DE FABRICATION ASSOCIÉS

Publication

EP 4167294 A1 20230419 (FR)

Application

EP 22200891 A 20221011

Priority

FR 2110869 A 20211014

Abstract (en)

[origin: US2023120901A1] A semiconductor device made on a substrate including an active region and a non-active region at least partially surrounding the active region, a plurality of gate stacks, a part of each gate stack being on the active region, each gate stack being separated from adjacent gate stacks by a spacer by a distance e, the device being such that, for each gate stack, the part of the gate stack located on the active region has a height h2, the part of the same gate stack located on the non-active region has a height h1, and h2/e=a2 and h1/e=a1<alim where a2 is an aspect ratio such that, upon growth of the spacer material forming the spacers, an airgap is in the spacer, and a1 is an aspect ratio such that, upon growth of the spacer material forming the spacers, no airgap is in the spacer.

Abstract (fr)

Un aspect de l'invention concerne un dispositif (DI) semi-conducteur réalisé sur un substrat comprenant au moins une région active (RA) et une région non-active (RN) entourant au moins partiellement la région active (RA), une pluralité d'empilements de grille (EG), une partie de chaque empilement de grille (EG) de la pluralité d'empilements de grille (EG) étant sur la région active (RA), chaque empilement de grille (EG) étant séparé des empilements de grille (EG) adjacents au moyen d'un espaceur (ES) par une distance égale à e, le dispositif (DI) étant tel que, pour chaque empilement de grille (EG) de la pluralité d'empilements de grille (EG), la partie d'empilement de grille (EG) située sur la région active (RA) a une hauteur h<sub>2</sub>, la partie du même empilement de grille (EG) située sur la région non-active (RN) a une hauteur h<sub>1</sub> et en ce que h<sub>2</sub>/e =a<sub>2</sub> et h<sub>1</sub>/e = a<sub>1</sub> < a<sub>lim</sub> où a<sub>2</sub> est un rapport d'aspect tel que, lors de la croissance du matériau espaceur formant les espaceurs (ES), une zone d'air est dans ledit espaceur (ES), et a<sub>1</sub> est un rapport d'aspect tel que, lors de la croissance du matériau espaceur formant les espaceurs (ES), aucune zone d'air n'est dans ledit espaceur (ES).

IPC 8 full level

H01L 29/76 (2006.01); H01L 21/336 (2006.01); H01L 29/06 (2006.01); H01L 29/40 (2006.01); H01L 29/423 (2006.01); B82Y 10/00 (2011.01)

CPC (source: EP US)

H01L 21/823468 (2013.01 - US); H01L 21/84 (2013.01 - US); H01L 27/088 (2013.01 - US); H01L 27/1203 (2013.01 - US); H01L 29/0649 (2013.01 - EP); H01L 29/401 (2013.01 - EP US); H01L 29/423 (2013.01 - EP); H01L 29/66439 (2013.01 - EP); H01L 29/6656 (2013.01 - US); H01L 29/66977 (2013.01 - EP); H01L 29/7613 (2013.01 - EP); B82Y 10/00 (2013.01 - EP); H01L 21/76283 (2013.01 - US)

Citation (applicant)

Citation (search report)

Designated contracting state (EPC)

AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC ME MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

Designated extension state (EPC)

BA

Designated validation state (EPC)

KH MA MD TN

DOCDB simple family (publication)

EP 4167294 A1 20230419; FR 3128310 A1 20230421; FR 3128310 B1 20231020; US 2023120901 A1 20230420

DOCDB simple family (application)

EP 22200891 A 20221011; FR 2110869 A 20211014; US 202217966217 A 20221014