EP 4286926 A1 20231206 - METHOD FOR MANUFACTURING A PHOTONIC CHIP
Title (en)
METHOD FOR MANUFACTURING A PHOTONIC CHIP
Title (de)
VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES PHOTONISCHEN CHIPS
Title (fr)
PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PUCE PHOTONIQUE
Publication
Application
Priority
FR 2205261 A 20220601
Abstract (en)
[origin: US2023393338A1] This method comprises:before bonding a substrate to a layer of encapsulated semiconductor material in which a first part of an optical component is produced, producing indented pads inside a buried layer of silicon oxide, with each of these pads comprising an embedded face that extends parallel to an interface between the buried layer and the layer of encapsulated semiconductor material to a predetermined depth inside the buried layer, with each of the embedded faces being made of a material different from silicon oxide; thenthinning the buried layer in order to leave a residual silicon oxide layer on the layer of encapsulated semiconductor material, with this thinning comprising an operation involving thinning the buried layer, with this thinning stopping as soon as the embedded face of the pads is exposed.
Abstract (fr)
Ce procédé comporte :- avant le collage d'un substrat sur une couche de matériau semi-conducteur encapsulé dans laquelle est réalisée une première partie d'un composant optique, la réalisation (91) de plots enfoncés à l'intérieur d'une couche enterrée en oxyde de silicium, chacun de ces plots comportant une face enfouie qui s'étend parallèlement à une interface entre la couche enterrée et la couche en matériau semi-conducteur encapsulé à une profondeur prédéterminée à l'intérieur de la couche enterrée, chacune des faces enfouies étant réalisée dans un matériau différent de l'oxyde de silicium, puis- l'amincissement (128) de la couche enterrée pour laisser subsister une couche résiduelle en oxyde de silicium sur la couche en matériau semi-conducteur encapsulé, cette amincissement comportant une opération d'amincissement de la couche enterrée avec arrêt de cet amincissement dès que la face enfouie des plots est mise à nue.
IPC 8 full level
G02F 1/025 (2006.01); H01L 21/02 (2006.01)
CPC (source: EP US)
G02B 6/132 (2013.01 - US); G02B 6/136 (2013.01 - US); G02F 1/025 (2013.01 - EP); G02B 2006/12061 (2013.01 - US); G02B 2006/121 (2013.01 - US); G02B 2006/12173 (2013.01 - US); G02B 2006/12197 (2013.01 - US)
Citation (applicant)
- US 2017237229 A1 20170817 - MENEZO SYLVIE [FR]
- US 2018323575 A1 20181108 - CAËR CHARLES [CH], et al
- US 8358897 B1 20130122 - FISH GREGORY ALAN [US], et al
- EP 3264541 A1 20180103 - COMMISSARIAT L ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES [FR]
- US 2007200144 A1 20070830 - ASPAR BERNARD [FR], et al
- B. BEN BAKIR ET AL., HYBRID SI/III-V LASERS WITH ADIABATIC COUPLING, 2011
Citation (search report)
- [XA] US 2018323575 A1 20181108 - CAËR CHARLES [CH], et al
- [AD] US 2017237229 A1 20170817 - MENEZO SYLVIE [FR]
- [A] US 8358897 B1 20130122 - FISH GREGORY ALAN [US], et al
- [A] EP 3264541 A1 20180103 - COMMISSARIAT L ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES [FR]
- [A] US 2007200144 A1 20070830 - ASPAR BERNARD [FR], et al
Designated contracting state (EPC)
AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC ME MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR
Designated extension state (EPC)
BA
Designated validation state (EPC)
KH MA MD TN
DOCDB simple family (publication)
EP 4286926 A1 20231206; FR 3136317 A1 20231208; US 2023393338 A1 20231207
DOCDB simple family (application)
EP 23176231 A 20230530; FR 2205261 A 20220601; US 202318327362 A 20230601