(19) | |
| (11) | EP 2 273 574 A3 |
(12) | EUROPÄISCHE PATENTANMELDUNG |
(88) | Veröffentlichungstag A3: | | 01.01.2014 Patentblatt 2014/01 |
(43) | Veröffentlichungstag A2: | | 12.01.2011 Patentblatt 2011/02 |
(22) | Anmeldetag: 16.03.2001 |
| (51) | Internationale Patentklassifikation (IPC): |
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(84) | Benannte Vertragsstaaten: | | DE FR GB |
(30) | Priorität: | 26.05.2000 DE 10026255 26.04.2000 DE 10020464
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(62) | Anmeldenummer der früheren Anmeldung nach Art. 76 EPÜ: | | 01931364.2 / 1277241 |
(71) | Anmelder: OSRAM Opto Semiconductors GmbH | | 93055 Regensburg (DE) |
| (72) | Erfinder: | | - Bader, Stefan
93080, Pentling - Matting (DE) - Hahn, Berthold
93155, Hemau (DE) - Härle, Volker
93164, Laaber (DE) - Lugauer, Hans-Jürgen
93161, Sinzing (DE) - Mundbrod-Vangerow, Manfred
89335, Oxenbronn (DE)
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(74) | Vertreter: Epping - Hermann - Fischer | | Patentanwaltsgesellschaft mbH
Ridlerstrasse 55 80339 München 80339 München (DE) |
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(54) | Lumineszenzdiodenchip auf der Basis von GaN und Verfahren zum Herstellen eines Lumineszenzdiodenbauelements mit einem Lumineszenzdiodenchip auf der Basis von GaN |
(57) Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines Lumineszenzdiodenbauelements mit einem Lumineszenzdiodenchip auf der Basis von GaN. Dabei wird der Lumineszenzdiodenchip (1) auf eine Chipmontagefläche (12) eines LED-Gehäuses, einer Leiterbahn in einem LED-Gehäuse oder eines elektrischen Anschlussrahmens (11), mit einer bondfähigen p-Kontaktschicht (6) zur Chipmontagefläche hin aufgebracht.