(19)
(11)EP 2 273 574 A3

(12)EUROPÄISCHE PATENTANMELDUNG

(88)Veröffentlichungstag A3:
01.01.2014  Patentblatt  2014/01

(43)Veröffentlichungstag A2:
12.01.2011  Patentblatt  2011/02

(21)Anmeldenummer: 10182208.8

(22)Anmeldetag:  16.03.2001
(51)Internationale Patentklassifikation (IPC): 
H01L 33/00(2010.01)
H01L 33/40(2010.01)
H01L 33/32(2010.01)
H01L 33/42(2010.01)
(84)Benannte Vertragsstaaten:
DE FR GB

(30)Priorität: 26.05.2000 DE 10026255
26.04.2000 DE 10020464

(62)Anmeldenummer der früheren Anmeldung nach Art. 76 EPÜ:
01931364.2 / 1277241

(71)Anmelder: OSRAM Opto Semiconductors GmbH
93055 Regensburg (DE)

(72)Erfinder:
  • Bader, Stefan
    93080, Pentling - Matting (DE)
  • Hahn, Berthold
    93155, Hemau (DE)
  • Härle, Volker
    93164, Laaber (DE)
  • Lugauer, Hans-Jürgen
    93161, Sinzing (DE)
  • Mundbrod-Vangerow, Manfred
    89335, Oxenbronn (DE)

(74)Vertreter: Epping - Hermann - Fischer 
Patentanwaltsgesellschaft mbH Ridlerstrasse 55
80339 München
80339 München (DE)

  


(54)Lumineszenzdiodenchip auf der Basis von GaN und Verfahren zum Herstellen eines Lumineszenzdiodenbauelements mit einem Lumineszenzdiodenchip auf der Basis von GaN


(57) Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines Lumineszenzdiodenbauelements mit einem Lumineszenzdiodenchip auf der Basis von GaN. Dabei wird der Lumineszenzdiodenchip (1) auf eine Chipmontagefläche (12) eines LED-Gehäuses, einer Leiterbahn in einem LED-Gehäuse oder eines elektrischen Anschlussrahmens (11), mit einer bondfähigen p-Kontaktschicht (6) zur Chipmontagefläche hin aufgebracht.





Recherchenbericht












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