(19)
(11)EP 0 219 639 A3

(12)EUROPÄISCHE PATENTANMELDUNG

(88)Veröffentlichungstag A3:
22.03.1989  Patentblatt  1989/12

(43)Veröffentlichungstag A2:
29.04.1987  Patentblatt  1987/18

(21)Anmeldenummer: 86111319.9

(22)Anmeldetag:  16.08.1986
(51)Internationale Patentklassifikation (IPC)4H05K 9/00
(84)Benannte Vertragsstaaten:
AT CH DE LI NL

(30)Priorität: 23.10.1985 DE 3537669

(71)Anmelder: ROBERT BOSCH GMBH
70442 Stuttgart (DE)

(72)Erfinder:
  • Meissner, Udo, Dipl.-Ing.
    D-1000 Berlin 37 (DE)

(74)Vertreter: Schmidt, Hans-Ekhardt (DE) 
Forckenbeckstrasse 9-13
D-14199 Berlin
D-14199 Berlin (DE)


(56)Entgegenhaltungen: : 
  
      


    (54)Hochfrequenzdichtes Gehäuse


    (57) Es wird ein hochfrequenzdichtes Gehäuse vorgeschlagen, das aus zwei identisch geformten Gehäuseschalen (11, 12) zusammengesetzt ist. Die Gehäuseschalen sind an ihren einander zugekehrten Rändern mit einem umlaufenden Flansch (13) versehen, der rechtwinklig zur Ebene des Flansches ausgerichtete Zungen (14, 16) aufweist. Zahl und Ab­stände der Zungen sind derart gewählt, daß die Zungen (14) der einen Gehäuseschale (11) bei zusammengesteckten Gehäuseschalen in die Lücken (15) zwischen die Zungen (16) der anderen Gehäuseschale (12) passen. Abschließend werden die Zungen derart umgenietet, daß sie sich auf dem Flansch der jeweils anderen Gehäuseschale abstützen. Im einfachsten Fall werden nur die Zungen der einen Gehäuseschale (12) umgenietet bzw. umgebördelt.







    Recherchenbericht