[0001] La présente invention a pour objet un procédé d'encapsulation de composants semi-conducteurs,
notamment de composants de grande complexité et les composants encapsulés obtenus.
[0002] L'encapsulation de composants semi-conducteurs de grande complexité est un élément
important de la fabrication des circuits intégrés dans la mesure où les techniques
utilisées sont souvent coûteuses, notamment si la production envisagée ne porte pas
sur des séries suffisantes. Ceci est par exemple le cas de la technique de report
de pastilles sur support-film dite TAB.
[0003] Le principal problème posé est la réalisation des connexions permettant de relier
les circuits intégrés avec l'extérieur, dans la mesure où l'on recherche à augmenter
le nombre de connexions possibles en réduisant au maximum la taille du composant unitaire
fabriqué. Or ce sont les nécessaires connexions avec l'extérieur qui exigent le plus
de place, car on ne sait pas les réduire aux dimensions de celles qui sont mises en
oeuvre à l'intérieur des circuits intégrés qu'elles desservent.
[0004] En effet, si l'on reporte les pastilles par soudage sur un réseau métallique de connexion
réalisé à partir d'une feuille métallique, les contraintes mécaniques de tenue du
réseau avant soudage limitent la réduction des dimensions des pattes de connexion.
[0005] Si par contre il est possible de réaliser un réseau de connexion de très petites
dimensions sur un substrat par différentes techniques usuelles en microélectronique,
telles que dépôt sélectif à travers un masque, ou photolithographie additive ou éventuellement
soustractive si le substrat a été préalablement revêtu d'une couche métallique, on
ne sait pas séparer le réseau de connexion du substrat isolant qui le porte et l'on
ne peut donc utiliser le réseau de connexion ainsi formé sauf à placer les connexions
du même côté que la pastille, ce qui n'est pas le but recherché.
[0006] La présente invention a donc pour objet un procédé d'encapsu- lation de composants
semi-conducteurs et notamment de composants de grande complexité permettant la production
de composants encapsulés ayant un réseau de connexion de très petites dimensions.
[0007] Selon une caractéristique de l'invention les connexions destinées à relier chaque
composant avec l'extérieur sont réalisées sous forme d'un réseau métallique disposé
sur une couche conductrice d'alliage à bas point de fusion qui recouvre un substrat
métallique temporaire, après mise en place et, raccordement de chaque composant puis
immobilisation au moyen d'une résine durcissable, le retrait du substrat temporaire
par fusion de la couche d'alliage met à jour les faces des zones des connexions qui
sont destinées à la mise en liaison électrique et/ou thermique des composants avec
l'extérieur.
[0008] De plus les composants encapsulés, selon le procédé objet de l'invention, qui comportent
chacun au moins une pastille immobilisée dans une résine durcie avec ses fils de liaison
à des zones de connexion métalliques et coplanaires destinées à assurer sa mise en
liaison avec l'extérieur, comportent également un substrat métallique temporaire de
protection lié aux zones métalliques de connexion par une couche d'alliage à bas point
de fusion dont la fusion permet de retirer le substrat temporaire et de mettre à jour
les faces des zones de connexion qui sont destinées à la mise en liaison électrique
et/ou thermique avec l'extérieur.
La figure 1 présente une vue en arraché partiel d'un composant réalisé selon l'invention.
La figure 2 présente une vue d'un ensemble substrat temporaire, couche d'alliage,
couche métallique correspondant à une étape intermédiaire du procédé d'encapsulation
de composants selon l'invention.
La figure 3 présente une vue d'un ensemble selon la figure 2 d'une pastille montée
et raccordée correspondant à une étape ultérieure du procédé d'encapsulation selon
l'invention.
La figure 4 présente une vue de dessous d'un composant encapsulé selon l'invention.
La figure 5 présente une vue de dessous d'un composant encapsulé selon une variante
de l'invention.
[0009] Le composant semi-conducteur présenté à la figure 1 comporte classiquement une pastille
ou puce de silicium 1, reliée par des fils conducteurs de liaisons 2, tels 2A, 2B,
2C, 2D, 2E à un réseau de zones métalliques de connexion 3, tels 3A, 3B, 3C, 3D, 3E,
qui assurent la mise en liaison électrique des circuits contenus dans la pastille
1 avec l'extérieur du composant. Dans l'exemple présenté une zone métallique 4 préférablement
coplanaire avec les zones de connexion 3 assure la mise en liaison thermique de la
pastille 1 avec l'extérieur, pour l'évacuation des calories engendrées par le fonctionnement.
[0010] La pastille, les fils de liaison 2 et les zones de connexion 3 sont recouvertes par
une résine 5 durcie qui assure un isolement électrique et l'immobilisation des fils
2 et de la pastille 1 entre eux et par rapport aux zones de connexion 3 et 4.
[0011] La face de ces zones de connexion 3 et 4 destinée à assurer leur connexion avec des
liaisons non figurées desservant des circuits extérieurs non figurés, est soudée à
une couche conductrice d'alliage à bas point de fusion 6 recouvrant un substrat métallique
7, dit temporaire, assurant une protection des zones de connexion contre les détériorations
et les pollutions avant utilisation du composant. La fusion de la couche d'alliage
6 permet le retrait du substrat temporaire 7 ce qui assure la mise à jour des faces
des zones de connexion 3 et 4 servant à raccorder le composant avec l'extérieur.
[0012] Selon l'invention le procédé d'encapsulation est le suivant. En premier lieu on réalise
une mince couche conductrice d'alliage à bas point de fusion 6 sur un substrat métallique
7 normalement conducteur.
[0013] Le substrat est composé par exemple d'une classique tôle et l'alliage est par exemple
du type étain-plomb permettant le soudage et l'étamage des métaux sur lequel on le
dépose. Ce dépôt d'alliage peut être effectué par tout moyen approprié, c'est par
exemple un dépôt électrolytique d'épaisseur suffisante pour éviter la création d'alliage
ternaire du type étain-plomb-cuivre à température de fusion relativement élevée lors
de l'étape suivante de constitution des zones de connexion métallique, on choisira
par exemple une épaisseur minimale de l'ordre de dix à trente microns.
[0014] Cette première étape n'est pas nécessairement directement suivie par les étapes suivantes
dans la mesure où il est envisageable d'utiliser des plaques ou un ruban métallique
préalablement recouverts d'alliage à bas point de fusion.
[0015] En second lieu on réalise les zones de connexion métallique 3 et 4 sous forme d'un
réseau qui est disposé sur la couche d'alliage 6 (figure 2).
[0016] Plusieurs techniques sont possibles, une première d'entre elles consiste à utiliser
une feuille métallique prédécoupée comportant les différentes zones de connexion 3
et 4 reliées entre elles par des liaisons temporaires non figurées ici que l'on retire
après soudage des zones de connexion sur la couche d'alliage. Cette solution permet
de réduire notablement la surface occupée par les zones de connexion d'une pastille
dans la mesure où l'on peut bénéficier des liaisons temporaires lors du soudage des
zones de connexion 3 et 4 sur la couche d'alliage 6 pour résister aux contraintes
mécaniques qui seront ensuite supportées par la résine durcie englobant la composant
obtenu.
[0017] Selon une variante de l'invention le métal destiné à former le réseau métallique
de connexion est déposé sur la couche d'alliage 6 portée par le substrat 7. Le réseau
est par exemple obtenu par dépôt sélectif, à travers un masque, d'un métal tel que
du cuivre ou du nickel ou par enlèvement sélectif d'un dépôt métallique uniforme global
selon notamment les techniques de photolithographie. Le résultat obtenu est un réseau
métallique disposé préférablement selon un motif répétitif régulier tel que ceux présentés
aux figures 4 et 5, permettant la réalisation simultanée et/ou en continu de composants
encapsulés selon l'invention. L'épaisseur et les dimensions des plots que constituent
les différentes zones de connexion 3 et 4 ainsi que leur écartement sont choisis en
fonction des contraintes électriques usuelles, sans qu'interviennent les contraintes
mécaniques introduites par l'emploi de réseaux réalisée à partir de feuilles prédécoupées
puisque les plots ainsi obtenus sont assujettis au substrat temporaire 7 par la couche
d'alliage qui a servi de base à leur réalisation.
[0018] Il est donc possible d'utiliser les techniques usuelles en microélectronique pour
réaliser un réseau de connexion de taille minimle pour chaque pastille 1 sur le substrat
temporaire 7 recouvert d'alliage.
[0019] On effectue ensuite la mise en place des pastilles 1 sur leurs zones 4 respectives
et leur raccordement électrique aux zones de connexion 3 correspondantes par des fils
de liaison 2 telle la pastille 1 sur la zone 4 et avec les zones 3A, 3B... via les
fils de liaisons 2A, 2B... ainsi que le montre la figure 3. Les moyens utilisés sont
ceux habituellement mis en oeuvre pour le positionnement et le raccordement de pastilles
sur un substrat isolant doté de zones de connexion.
[0020] L'enrobage de chaque composant s'effectue au moyen d'une résine durcissable 5 coulée
ou moulée recouvrant la pastille 1, les fils de liaison 2 et-les zones de connexion
3 est également réalisé de manière classique. Le durcissement de cette résine par
refroidissement ou polymérisation permet d'assujettir les uns aux autres les différents
éléments 1, 2, 3 et 4 de chaque composant.
[0021] Après durcissement de la résine 5 la fusion de la couche d'alliage 6 par simple chauffage
à relativement basse température permet d'éliminer le substrat métallique temporaire
7 qui a permis la réalisation d'un réseau métallique de connexion de faibles dimensions.
[0022] Le retrait du substrat temporaire 7 qui peut s'effectuer soit en fin de procédé de
production des composants, soit ultérieurement lors de la mise en oeuvre des composants
permet de mettre à jour les faces des zones de connexion 3 et 4 qui sont destinées
à la mise en liaison électrique et/ou thermique avec l'extérieur.
[0023] Le retrait du substrat temporaire 7 juste avant mise en oeuvre présente l'avantage
d'assurer la protection contre les détériorations par choc ou frottement et contre
les pollutions des zones sur lesquelles les contacts avec l'extérieur seront établis.
[0024] la fusion de la couche d'alliage laisse de plus subsister un film d'étamage sur les
faces à nu des zones de connexion, ce qui permet d'éviter une opération d'étamage
normalement nécessaire au soudage des liaisons venant de l'extérieur non figurés ici.
[0025] Ainsi qu'amorcé sur les dessins des figures 2 et 3 généralement on réalise bien entendu
simultanément une pluralité de composants et le réseau métallique de connexion présente
un motif répétitif régulier préférablement matriciel dans lequel des plots de diffusion
thermique 4 dont les dimensions correspondent à celles des pastilles 1 sont respectivement
entourés par des zones satellites de connexion 3. Chaque composant est séparé des
autres après enrobage dans la résine et durcissement de cette dernière, par sciage
ou sectionnement, soit avant soit après retrait du substrat temporaire..
[0026] La figure 4 présente une vue d'un tel composant unitaire dont les zones de connexion
3 et 4 ont été mise à nu.
[0027] Selon une variante de l'invention, on réalise le réseau métallique de connexion selon
un motif régulier composé de plots identiques disposés matriciellement, ainsi que
présenté à la figure 5. La zone de diffusion thermique disposée sous la pastille est
alors composée d'une pluralité de plots 3 représentés en grisé qui sont identiques
au plot de connexion électrique 3 qui les entourent.
[0028] Ceci permet d'utiliser le même motif pour différents composants, ce qui présente
un intérêt certain s'il est nécessaire de réaliser des petites séries de composants
dont les pastilles sont différentes.
1/ Procédé d'encapsulation de composants semi-conducteurs et notamment de composants
de grande complexité, caractérisé en ce que l'on réalise les zones de connexions (3,
4) destinées à relier chaque composant avec l'extérieur sous forme d'un réseau métallique
qui est disposé sur une couche conductrice d'alliage à bas point de fusion (6) recouvrant
elle même un substrat métallique temporaire (7), en ce qu'après mise en place et raccordement
de chaque pastille de composant (1) puis immobilisation au moyen d'une résine durcissable
(5), on fait fondre la couche d'alliage (6) après durcissage de la résine (5), ce
qui permet de retirer le substrat temporaire (7) et de mettre à jour les faces des
zones de connexions (3 et 4) qui sont destinées à la mise en liaison électrique et/ou
thermique des composants ainsi encapsulés, avec l'extérieur.
2/ Procédé d'encapsulation selon la revendication 1, caractérisé en ce que le réseau
métallique (3, 4) est obtenu par découpage d'une feuille de métal et qu'il est soudé
par chauffage sur la couche d'alliage (6).
3/ Procédé d'encapsulation selon la revendication 1, caractérisé en ce que le réseau
métallique (3, 4) est obtenu à partir d'un dépôt métallique réalisé sur la couche
d'alliage (6) sélectivement ou globalement avec retrait sélectif.
4/ Procédé d'encapsulation selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte
les phases suivantes :
- dépôt de la couche d'alliage à bas point de fusion (6) sur le substrat métallique
temporaire (7),
- réalisation du dépôt métallique destiné à former le réseau de connexion, sur la
couche d'alliage (6),
- mise en place et câblage des pastilles (1) sur les zones de connexion (3, 4) du
réseau,
- recouvrement de chaque composant composé d'une pastille (1) de ses fils de liaison
(2) et de ses zones de connexion (3, 4) par moulage ou coulage d'une résine durcissable
(5),
- durcissement de la résine (5)
- dissociation du substrat temporaire (7) et de la couche métallique (3, 4) porteuse de composants par fusion de la couche d'alliage (6) ce qui met à jour
les faces, ainsi étamées, des zones de connexion (3, 4) qui sont destinées à la mise
en liaison électrique et/ou thermique des composants avec l'extérieur.
5/ Procédé d'encapsulation de composants semi-conducteurs selon la revendication 1,
caractérisé en ce que le dépôt de la couche métallique (3, 4) s'effectue selon un
motif répétitif régulier comprenant une zone centrale (4) pour la diffusion thermique
dont les dimensions correspondent à celles de la pastille (1) qu'on vient y appliquer
et des zones satellites de connexion (3) disposées autour de la zone centrale, les
différentes zones d'un motif définissant un ensemble unitaire mécaniquement séparable
par sectionnement, après mise en place de la pastille (1), raccordement des fils de
liaison (2) et durcissement de la résine d'encapsulation (5).
6/ Procédé d'encapsulation de composants semi-conducteurs selon la revendication 1,
caractérisé en ce que le dépôt de la couche métallique s'effectue selon un motif répétitif
régulier comprenant une pluralité de plots identiques (3) déposés matriciellement
de manière à permettre la création d'une zone de diffusion thermique sous chaque pastille
à l'aide de plusieurs plots (3) sur lesquels cette pastille est appliquée et à permettre
la connexion des fils de liaison (2) issus de la pastille (1) aux plots (3) entourant
cette pastille de manière à ce que l'ensemble unitaire ainsi formé soit mécaniquement
séparable par sectionnement après mise en place de la pastille, raccordement des fils
de liaison (2) et durcissement de la résine d'encapsulation (5).
7/ Procédé d'encapsulation de composants semi-conducteurs selon la revendication 1,
caractérisé en ce que l'étamage des zones de connexion avant soudage des connexions
émanant de l'extérieur est assuré par la fusion de la couche d'alliage (6) placée
entre le substrat temporaire (1) et la couche métallique lors du retrait dudit substrat.
8/ Composant semi-conducteur encapsulé comportant au moins une pastille (1) immobilisée
dans une résine durcie avec ses fils de liaison (2) à des zones métalliques coplanaires
de connexion (3) destinées à assurer sa mise en liaison avec l'extérieur, caractérisé
en ce qu'il comporte de plus un substrat métallique temporaire de protection (7) lié
aux zones métalliques coplanaires de connexion (3) par une couche d'alliage à bas
point de fusion (6), dont la fusion permet de retirer le substrat temporaire et de
mettre à jour les faces des zones de connexion qui sont destinées à la mise en liaison
électrique et/ou thermique du composant avec l'extérieur.