(19)
(11) EP 0 354 150 A1

(12) DEMANDE DE BREVET EUROPEEN

(43) Date de publication:
07.02.1990  Bulletin  1990/06

(21) Numéro de dépôt: 89440068.8

(22) Date de dépôt:  10.07.1989
(51) Int. Cl.5E04B 1/70
(84) Etats contractants désignés:
BE CH DE ES GB IT LI

(30) Priorité: 11.07.1988 FR 8809628

(71) Demandeur: Stumpp, Bernard
F-67100 Strasbourg (FR)

(72) Inventeur:
  • Stumpp, Bernard
    F-67100 Strasbourg (FR)

(74) Mandataire: Nuss, Pierre et al
10, rue Jacques Kablé
67080 Strasbourg Cédex
67080 Strasbourg Cédex (FR)


(56) Documents cités: : 
   
       


    (54) Dispositif contre les remontées capillaires d'humidité pour l'assèchement des murs


    (57) La présente invention a pour objet un dispositif contre les remontées capillaires d'humidité pour l'assè­chement des murs.
    Dispositif caractérisé en ce qu'il comporte avantageusement au moins quatre selfs (1, 2, 3, 4) reliées respectivement à au moins quatre condensateurs (5, 6, 7, 8) et disposées en deux paires de selfs (1, 2) et (3, 4) com­portant chacune une self interne (1, 3) et une self externe (2, 4), chaque self interne (1, 3) étant reliée électrique­ment, d'une part, par ses deux extrémités au condensateur (5, 7) correspondant et, d'autre part, par une extrémité à la self externe correspondante (2, 4), ces selfs externes (2, 4) étant, en outre, reliées chacune par leurs deux extrémités à un dipôle (9, 10) rayonnant correspondant, qui est lui-même relié électriquement par ses deux pôles au condensateur (6, 8) correspondant, chaque self externe (2, 4) étant ainsi également reliée électriquement à chaque condensateur (6, 8), l'ensemble des quatre circuits oscillants parallèles (1, 2, 5, 6) et (3, 4, 7, 8) ainsi formés et associés aux dipôles rayonnants (9, 10) créant un contre-champ déphasé électriquement par rapport aux champs initiaux de stimulation électromagnétique, de façon à annuler l'effet de pompage de l'eau vers le haut des murs.




    Description


    [0001] La présente invention a pour objet un dispositif contre les remontées capillaires d'humidité pour l'assèche­ment des murs, comportant des circuits oscillants parallè­les, à savoir des selfs et des condensateurs électriques montés sur des supports isolants et reliés parallèlement entre eux, l'ensemble étant logé dans un coffret de protection perméable aux champs électromagnétiques.

    [0002] On sait que les murs des bâtiments subissent souvent à leur partie inférieure, près du sol, des désordres qui ont pour cause l'humidité. Cette cause peut avoir plusieurs origines, à savoir notamment des infiltrations latérales, un manque d'étanchéité, un problème de condensa­tion, ou un problème de remontées capillaires d'humidité dans le mur.

    [0003] En effet, le phénomène de l'humidité montante par capillarité est le suivant : un mur subissant des désordres dus à l'humidité est chargé positivement à sa partie infé­rieure humide, et négativement à sa partie supérieure sèche (au-dessus de la frange d'humidité). Ces deux zones aux charges électriques opposées donnent alors naissance à un champ électrique naturel qui exerce une force d'attraction sur les molécules d'eau en direction du haut du mur. Ce phénomène est appelé "poussée osmotique". Cette poussée osmotique varie suivant la nature des matériaux constitutifs des murs.

    [0004] Cependant, on a constaté que dans les remontées capillaires intervenait non seulement la nature des maté­riaux, mais aussi d'autres facteurs liés à la présence des champs de stimulation électromagnétiques.

    [0005] Ces champs sont des courants alternatifs émis sous forme d'ondes telluriques et provoqués par l'eau en mouve­ment dans le sol (nappes phréatiques, sources, cours d'eau souterrains), la présence de failles géologiques, de glissements de terrain mettant en contact des couches de sol de nature différente.

    [0006] Les géophysiciens ont mis en évidence que des anomalies de la constitution géologique du sous-sol peuvent se traduire par une perturbation des lignes de force mesu­rable à la surface du sol.

    [0007] Ils ont constaté que règnent au-dessus de cours d'eau souterrains, lacs souterrains, failles géologiques des anomalies du champ magnétique terrestre ainsi qu'une acti­vité électromagnétique intense dans les fréquences basses, les fréquences très hautes, les fréquences ultra-hautes et jusqu'aux micro-ondes. On constate par ailleurs, dans ces zones, d'importantes charges électriques dans l'air, dans le sol, ainsi que dans les murs des constructions.

    [0008] Dans le sol comme dans les murs, ces charges donnent naissance à des courants électriques et à des champs électriques.

    [0009] Selon ENDROS et LOTZ, les courants d'eau souter­rains chargés de sels minéraux et dotés de propriétés électrochimiques provoquent en circulant à travers les sables, graviers et failles terrestres, un courant d'élec­tricité mesurable à la surface du sol. Ce courant serait créé par la dissymétrie des charges positives et négatives des molécules d'eau, les charges négatives se fixant sur les particules du sous-sol et les charges positives, plus petites, continuant en écoulement libre.

    [0010] Le déplacement de ces courants d'eau, même à la vitesse très faible de quelques mètres à l'heure, provoquent des courants électriques mesurables.

    [0011] Lors de déplacements plus importants, il y a dégagement d'un champ électro-magnétique dans les fréquences élevées du spectre électromagnétique, fréquences très hautes, fréquences ultra-hautes et micro-ondes. Ces ondes électromagnétiques de forte intensité donnent naissance à des zones perturbées localement qui se révèlent néfastes pour les êtres vivants, et dont les effets provoquent des remontées d'eau par capillarité dans les murs.

    [0012] Le rayonnement de micro-ondes et le champ d'ondes ultra-courtes du sol se trouvent, en outre, renforcés par l'effet des perturbations électriques engendrées par le courant sur les minéraux du sol et des matériaux constituant les maçonneries.

    [0013] Ces matériaux subissent une déviation des moments magnétiques de leurs dipôles moléculaires, habituellement dirigés selon le champ magnétique terrestre.

    [0014] Lorsqu'un bâtiment est traversé par ces champs, il se forme dans les murs des charges électriques. De ces charges électriques résulte alors une force électromotrice (f.é.m.) dont la différence de potentiel est mesurable sur le mur entre le bas de celui-ci et la limite d'humidité (frange d'humidité).

    [0015] Cette force électromotrice crée à son tour un champ électrique (en courant continu), donnant naissance à une force mécanique dirigée de bas en haut. Cette force a pour effet de "pomper" les molécules d'eau vers le haut du mur jusqu'à leur niveau d'équilibre.

    [0016] C'est pour cette raison que l'on observe souvent que les remontées d'eau par capillarité sont irrégulières sur les murs (hauteur de la frange d'humidité), bien que les murs soient homogènes de par les matériaux utilisés et que la nature des sols en présence soit identique.

    [0017] Actuellement, la plupart des procédés existants utilisés pour combattre l'humidité montante par capillarité nécessitent obligatoirement des interventions manuelles et des travaux sur les murs (pose d'électrodes, de siphons atmosphériques, de plaques inox après tronçonnage à la base des murs, injection de produits chimiques).

    [0018] On a alors pensé à concevoir un dispositif dit "électro-physique" comportant simplement des selfs et des condensateurs électriques montés sur des supports isolants et reliés parallèlement entre eux, l'ensemble étant logé dans un coffret perméable aux champs électromagnétiques. Un tel dispositif est connu du document EP 0 152 510.

    [0019] Mais un tel appareil présente des difficultés importantes de mise en place, dues aux variations du champ magnétique terrestre et aux déplacements et variations des zones de stimulation électromagnétiques en fonction des horaires et des périodes de l'année.

    [0020] En outre, il n'agit pas sur les champs électro­magnétiques dont les fréquences sont situées dans le domaine des micro-ondes, mais seulement dans une gamme de fréquences comprise entre 10 kHz et 150 MHz.

    [0021] Il n'est, par ailleurs, pas non plus équipé, en option, d'un circuit de décharge d'énergie, indispensable lorsque l'intensité des champs électromagnétiques est telle qu'elle charge et sature les circuits, ce qui peut provoquer le blocage du fonctionnement des circuits, ceci pouvant altérer totalement le fonctionnement de l'appareil, déjà au bout de 3 à 4 mois.

    [0022] Le problème posé par la présente invention con­siste donc à concevoir un dispositif capable de neutraliser efficacement et dans tous les cas les rayonnements électro­magnétiques telluriques situés dans les fréquences basses, très hautes et ultra-hautes et, en outre, les micro-ondes situées dans des gammes de fréquences jusque de l'ordre de 2 GHz, de manière à neutraliser tout effet des champs de stimulation électromagnétiques exerçant le pompage de l'eau vers le haut du mur.

    [0023] Par ailleurs, ce dispositif devra être facile à mettre en place quels que soient les variations du champ magnétique terrestre et les déplacements et variations des zones de stimulation électromagnétiques.

    [0024] Enfin, il pourra être équipé d'un circuit de décharge.

    [0025] Ce problème est résolu en ce que le dispositif contre les remontées capillaires d'humidité pour l'assè­chement, comportant des circuits oscillants parallèles, à savoir des selfs et des condensateurs électriques montés sur des supports isolants et reliés parallèlement entre eux, l'ensemble étant logé dans un coffret de protection perméable aux champs électromagnétiques, est caractérisé en ce qu'il comporte avantageusement au moins quatre selfs reliées respectivement à au moins quatre condensateurs et disposées en deux paires de selfs comportant chacune une self interne et une self externe, chaque self interne étant reliée électriquement, d'une part, par ses deux extrémités au condensateur correspondant et, d'autre part, par une extrémité à la self externe correspondante, ces selfs externes étant, en outre, reliées chacune par leurs deux extrémités à un dipôle rayonnant correspondant, qui est lui-même relié électriquement par ses deux pôles au condensateur correspondant, chaque self externe étant ainsi également reliée électriquement à chaque condensateur, l'ensemble des deux circuits oscillants parallèles ainsi formés et associés aux dipôles rayonnants créant un contre-­champ déphasé électriquement par rapport aux champs initiaux de stimulation électromagnétique, de façon à annuler l'effet de pompage de l'eau vers le haut des murs.

    [0026] L'invention sera mieux comprise grâce à la des­cription ci-après, qui se rapporte à des modes de réalisa­tion préférés, donnés à titre d'exemples non limitatifs, et expliqués avec référence aux dessins schématiques annexés, dans lesquels :

    la figure 1 est une vue de dessus et en coupe d'un premier mode de réalisation du dispositif conforme à l'in­vention ;

    la figure 2 est une vue de face et en coupe d'un dispositif conforme à l'invention représenté figure 1 ;

    la figure 3 est une vue de face et en coupe d'un second mode de réalisation du dispositif conforme à l'inven­tion ;

    la figure 4 est une vue de dessus du dispositif conforme à l'invention tel que représenté figure 1, mais hors du coffret de protection, et muni d'un circuit de décharge selon une première variante de réalisation, et

    la figure 5 est une vue de dessus du dispositif conforme à l'invention tel que représenté figure 1, mais hors du coffret de protection, et muni d'un circuit de décharge selon une seconde variante de réalisation.



    [0027] Conformément à l'invention, le dispositif est caractérisé en ce qu'il comporte avantageusement au moins quatre selfs 1, 2, 3, 4 reliées respectivement à au moins quatre condensateurs 5, 6, 7, 8 et disposées en deux paires de selfs 1, 2 et 3, 4 comportant chacune une self interne 1, 3 et une self externe 2, 4, chaque self interne 1, 3 étant reliée électriquement, d'une part, par ses deux extrémités au condensateur 5, 7 correspondant et, d'autre part, par une extrémité à la self externe correspondante 2, 4, ces selfs externes 2, 4 étant, en outre, reliées chacune par leurs deux extrémités à un dipôle rayonnant 9, 10 correspondant, qui est lui-même relié électriquement par ses deux pôles au condensateur 6, 8 correspondant, chaque self externe 2, 4 étant ainsi également reliée électriquement à chaque con­densateur 6, 8, l'ensemble des quatre circuits oscillants parallèles 1, 2, 5, 6 et 3, 4, 7, 8 ainsi formés et associés aux dipôles rayonnants 9, 10 créant un contre-champ déphasé électriquement par rapport aux champs initiaux de stimu­lation électromagnétique, de façon à annuler l'effet de pompage de l'eau vers le haut des murs (figures 1 et 2).

    [0028] L'ensemble des circuits oscillants 1, 2, 5, 6 et 3, 4, 7, 8 est disposé dans un coffret de protection 22 perméable aux champs électromagnétiques, donc ne présentant pas de blindage électrique.

    [0029] Pour obtenir une efficacité maximale, le dispo­sitif doit être placé horizontalement et dans un endroit central de l'immeuble dont les murs sont à assécher. Il pourra être soit fixé au mur sur des consoles, soit posé sur un meuble, etc...

    [0030] Cette mise en place doit être précédée d'un diagnostic réalisé à l'aide d'appareils de mesure pour s'assurer de la présence de champs électromagnétiques.

    [0031] Le calcul de la fréquence d'oscillation des cir­cuits 1, 2, 5, 6 et 3, 4, 7, 8 dans les différentes bandes de fréquence se fait selon la formule utilisée en radio-­ technique, à savoir :

    où :
    F = Fréquence,
    L = Inductance,
    C = Capacité.

    [0032] Selon une première caractéristique de l'invention, la capacité du condensateur 6, 8 est avantageusement com­prise entre 1 et 30 pF et le nombre de spires de la self externe 2, 4 est avantageusement compris entre 1 et 2,5 spires, de manière à pouvoir neutraliser les rayonnements électromagnétiques telluriques situés au-dessus des fréquen­ces basses et très hautes, c'est-à-dire ceux des fréquences ultra-hautes, et ceux situés dans le domaine des micro-ondes jusque dans des gammes de fréquence de l'ordre de 2 GHz.

    [0033] Selon une autre caractéristique de l'invention, la capacité du condensateur 5, 7 est avantageusement comprise entre 0,5 et 7µF et le nombre de spires de la self interne 1, 3 est avantageusement compris entre 5 et 40 spires.

    [0034] Les diamètres extérieurs des selfs 1, 2, 3, 4 peuvent varier de 6 cm à plusieurs dizaines de centimètres.

    [0035] La longueur extrême des dipôles 9, 10 sera supé­rieure de l'ordre de 0,5 à 6 cm par rapport aux diamètres des selfs 1, 2, 3, 4. L'ouverture des dipôles 9, 10 aux points de liaison avec les selfs 1, 2, 3, 4 est d'au moins 2 cm.

    [0036] Comme on le voit sur la figure 1 des dessins annexés, les diamètres intérieur et extérieur de la self interne 1 sont identiques à ceux de la self interne 3 et ceux de la self externe 2 identiques à ceux de la self externe 4.

    [0037] Comme représenté figure 2 des dessins annexés, la paire de selfs 1, 2 est montée sur l'envers du support 11 de manière à être orientée vers le sol, et la paire de selfs 3, 4 est montée sur l'endroit du support 12 de manière à être orientée vers le haut, les condensateurs 5, 6, 7, 8 étant, quant à eux, toujours disposés sur l'endroit des supports 11, 12, le condensateur 5 sur le support 11 au centre des selfs 1, 2 et le condensateur 7 sur le support 12 au centre des selfs 3, 4, le condensateur 6 étant disposé au centre du dipôle 9 et le condensateur 8 étant disposé au centre du dipôle 10. Ils sont donc toujours disposés de telle manière qu'ils se trouvent au-dessus des supports 11, 12.

    [0038] Par ailleurs, ces deux supports 11, 12 forment chacun un angle α d'environ 5° avec le plan horizontal, de manière à former entre eux un angle β d'environ 170°, per­mettant ainsi une augmentation de l'angle d'émission et de réception ϑ.

    [0039] Les condensateurs 6, 8 peuvent également être supprimés, la capacité correspondante entre les dipôles 9, 10 étant alors constituée par la capacité parasite des qua­tre circuits oscillants parallèles 1, 2, 5, 6 et 3, 4, 7, 8.

    [0040] Selon un premier mode de réalisation de l'inven­tion, et comme représenté figures 1 et 2 des dessins an­nexés, les spires des selfs 1, 2, 3, 4 et les dipôles 9, 10 sont constitués de conducteurs de cuivre ou de bandes de cuivre étamées, argentées ou dorées, disposés à même les supports 11, 12.

    [0041] Selon un second mode de réalisation de l'inven­tion, et comme représenté figure 3 des dessins annexés, les spires des selfs 1, 2, 3, 4 sont bobinées sur des supports isolants cylindriques 13, 14, 15, 16, les supports 14, 16 qui maintiennent les selfs 2, 4 étant fixés à même les supports 13, 15 qui maintiennent les selfs 1, 3 et qui sont disposés à même les supports 11, 12, les dipôles 9, 10 étant, quant à eux, constitués de fils rigides maintenus aux extrémités des selfs 2, 4.

    [0042] Les supports 13, 14, 15, 16 sont avantageusement en époxy. Les spires des selfs 1, 2, 3, 4 pourront également être en cuivre argenté.

    [0043] Quant aux fils rigides des dipôles 9, 10, ils présentent un diamètre de l'ordre de 1 mm et sont maintenus aux extrémités des selfs 2, 4, par exemple, par soudure.

    [0044] Conformément à une caractéristique supplémentaire de l'invention, les circuits oscillants parallèles 1, 2, 5, 6 et 3, 4, 7, 8 ainsi que les dipôles 9, 10 sont avantageu­sement coulés dans une résine isolante, de manière à les protéger contre l'oxydation et l'action de l'humidité. Il pourra s'agir avantageusement d'une résine époxy ou polyuré­thane.

    [0045] Selon une autre variante de réalisation de l'in­vention, le dispositif comporte, en outre, un circuit séquentiel 17 de décharge d'énergie susceptible d'écouler à la terre les charges électriques accumulées dans les circuits oscillants parallèles 1, 2, 5, 6 et 3, 4, 7, 8 durant leur fonctionnement, principalement lorsque les variations des champs électromagnétiques sont intenses.

    [0046] Ce circuit séquentiel 17 de décharge d'énergie est capable d'écouler à la terre les charges électriques accumulées dans les circuits oscillants parallèles 1, 2, 5, 6 et 3, 4, 7, 8 durant leur fonctionnement. Le temps de décharge peut varier d'une minute à une dizaine de minutes en 24 heures.

    [0047] Selon une caractéristique de l'invention, le circuit 17 comprend au moins une minuterie 18 ou un système à impulsion-temporisation 19 commandant soit directement, soit par l'intermédiaire d'au moins un relais électromécani­que ou électronique cette mise à la terre par commutation d'au moins deux contacts à fermeture 20, 21.

    [0048] Selon une première variante de réalisation, et comme représenté à la figure 4 des dessins annexés, les deux paires de selfs 1, 2 et 3, 4 sont reliées aux deux pôles du contact à fermeture 21, les connexions de ce contact à fermeture 21 pouvant se faire en un point quelconque des deux selfs 2 et 4, l'autre contact à fermeture 20 reliant les deux paires de selfs 1, 2 et 3, 4 à une prise de terre.

    [0049] Selon une seconde variante de réalisation, et comme représenté à la figure 5 des dessins annexés, chaque paire de selfs 1, 2 et 3, 4 est reliée en un point quelcon­que à un pôle d'un contact à fermeture 23, 24, les deux autres pôles de ces deux contacts à fermeture 23, 24 étant reliés à une prise de terre.

    [0050] Dans les deux versions, les contacts à fermeture 20, 21 ou 23, 24 sont commandés simultanément par une minuterie 18 ou un système à impulsion-temporisation 19 mettant les circuits à la terre pendant une durée d'une à une dizaine de minutes en 24 heures.

    [0051] La liaison avec la terre se fait par l'intermé­diaire d'au moins une prise de terre indépendante de celle prévue pour la sécurité des installations électriques conformément aux normes de l'U.T.E. en vigueur.

    [0052] Bien entendu, l'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation décrits et représentés aux dessins annexés. Des modifications restent possibles, notamment du point de vue de la constitution des divers éléments, ou par substitution d'équivalents techniques, sans sortir pour autant du domaine de protection de l'invention.


    Revendications

    1. Dispositif contre les remontées capillaires d'humidité pour l'assèchement des murs, comportant des cir­cuits oscillants parallèles, à savoir des selfs et des condensateurs électriques montés sur des supports isolants et reliés parallèlement entre eux, l'ensemble étant logé dans un coffret de protection perméable aux champs électromagnétiques, dispositif caractérisé en ce qu'il comporte avantageusement au moins quatre selfs (1, 2, 3, 4) reliées respectivement à au moins quatre condensateurs (5, 6, 7, 8) et disposées en deux paires de selfs (1, 2) et (3, 4) comportant chacune une self interne (1, 3) et une self externe (2, 4), chaque self interne (1, 3) étant reliée électriquement, d'une part, par ses deux extrémités au condensateur (5, 7) correspondant et, d'autre part, par une extrémité à la self externe correspondante (2, 4), ces selfs externes (2, 4) étant, en outre, reliées chacune par leurs deux extrémités à un dipôle rayonnant (9, 10) correspondant, qui est lui-même relié électriquement par ses deux pôles au condensateur (6, 8) correspondant, chaque self externe (2, 4) étant ainsi également reliée électriquement à chaque condensateur (6, 8), l'ensemble des quatre circuits oscillants parallèles (1, 2, 5, 6) et (3, 4, 7, 8) ainsi formés et associés aux dipôles rayonnants (9, 10) créant un contrechamp déphasé électriquement par rapport aux champs initiaux de stimulation électromagnétique, de façon à annuler l'effet de pompage de l'eau vers le haut des murs.
     
    2. Dispositif selon la revendication 1, caracté­risé en ce qui la capacité du condensateur (6, 8) est avantageusement comprise entre 1 et 30 pF et en ce que le nombre de spires de la self externe (2, 4) est avantageu­sement compris entre 1 et 2,5 spires, de manière à pouvoir neutraliser les rayonnements électromagnétiques telluriques situés au-dessus des fréquences basses et très hautes, c'est-à-dire ceux des fréquences ultra-hautes, et ceux situés dans le domaine des micro-ondes jusque dans des gammes de fréquence de l'ordre de 2 GHz.
     
    3. Dispositif selon la revendication 1, caracté­risé en ce que la capacité du condensateur (5, 7) est avantageusement comprise entre 0,5 et 7 µF et en ce que le nombre de spires de la self interne (1, 3) est avantageu­sement compris entre 5 et 40 spires.
     
    4. Dispositif selon l'une quelconque des revendi­cations 1 à 3, caractérisé en ce que le diamètre extérieur de la self interne (1) est identique à celui de la self interne (3), et celui de la self externe (2) identique à celui de la self externe (4).
     
    5. Dispositif selon l'une quelconque des revendi­cations 1 à 4, caractérisé en ce que le diamètre intérieur de la self interne (1) est identique à celui de la self interne (3), et celui de la self externe (2) identique à celui de la self externe (4).
     
    6. Dispositif selon l'une quelconque des revendi­cations 1 à 5, caractérisé en ce que la paire de selfs (1, 2) est montée sur l'envers du support (11) de manière à être orientée vers le sol, et en ce que la paire de selfs (3, 4) est montée sur l'endroit du support (12) de manière à être orientée vers le haut, les condensateurs (5, 6, 7, 8) étant, quant à eux, toujours disposés sur l'endroit des supports (11, 12), le condensateur (5) sur le support (11) au centre des selfs (1, 2) et le condensateur (7) sur le support (12) au centre des selfs (3, 4), le condensateur (6) étant disposé au centre du dipôle (9) et le condensateur (8) étant disposé au centre du dipôle (10).
     
    7. Dispositif selon la revendication 6, caracté­risé en ce que les deux supports (11, 12) forment chacun un angle (α) d'environ 5° avec le plan horizontal, de manière à former entre eux un angle (β) d'environ 170°, permettant ainsi une augmentation de l'angle d'émission et de réception (ϑ).
     
    8. Dispositif selon l'une quelconque des revendi­cations 1 à 7, caractérisé en ce que les condensateurs (6, 8) sont supprimés, la capacité correspondante entre les dipôles (9, 10) étant constituée par la capacité parasite des quatre circuits oscillants parallèles (1, 2, 5, 6) et (3, 4, 7, 8).
     
    9. Dispositif selon l'une quelconque des revendi­cations 1 à 8, caractérisé en ce que les spires des selfs (1, 2, 3, 4) et les dipôles (9, 10) sont constitués de conducteurs de cuivre ou de bandes de cuivre étamées, argentées ou dorées, disposés à même les supports (11, 12).
     
    10. Dispositif selon l'une quelconque des revendi­cations 1 à 8, caractérisé en ce que les spires des selfs (1, 2, 3, 4) sont bobinées sur des supports isolants cylindriques (13, 14, 15, 16), les supports (14, 16) qui maintiennent les selfs (2, 4) étant fixés à même les supports (13, 15) qui maintiennent les selfs (1, 3) et qui sont disposés à même les supports (11, 12), les dipôles (9, 10) étant, quant à eux, constitués de fils rigides maintenus aux extrémités des selfs (2, 4).
     
    11. Dispositif selon l'une quelconque des revendi­cations 1 à 10, caractérisé en ce qu'il comporte, en outre, un circuit séquentiel (17) de décharge d'énergie susceptible d'écouler à la terre les charges électriques accumulées dans les circuits oscillants parallèles (1, 2, 5, 6) et (3, 4, 7, 8) durant leur fonctionnement, principalement lorsque les variations des champs électromagnétiques sont intenses.
     
    12. Dispositif selon la revendication 11, caracté­risé en ce que le circuit (17) comprend au moins une minu­terie (18) ou un système à impulsion-temporisation (19) commandant soit directement, soit par l'intermédiaire d'au moins un relais électromécanique ou électronique cette mise à la terre par commutation d'au moins deux contacts à fermeture (20, 21).
     
    13. Dispositif selon la revendication 12, caracté­risé en ce que les deux paires de selfs (1, 2) et (3, 4) sont reliées aux deux pôles du contact à fermeture (20), les connexions de ce contact à fermeture (21) pouvant se faire en un point quelconque des deux paires de selfs (1, 2) et (3, 4), l'autre contact à fermeture (20) reliant l'une des deux paires de selfs (1, 2) et (3, 4) à une prise de terre.
     
    14. Dispositif selon la revendication 12, caracté­risé en ce que chaque paire de selfs (1, 2) et (3, 4) est reliée en un point quelconque à un pôle d'un contact à fermeture (23, 24), les deux autres pôles de ces deux contacts à fermeture (23, 24) étant reliés à une prise de terre.
     
    15. Dispositif selon l'une quelconque des revendi­cations 1 à 14, caractérisé en ce que les circuits oscil­lants parallèles (1, 2, 5, 6) et (3, 4, 7, 8) ainsi que les dipôles (9, 10) sont avantageusement coulés dans une résine isolante, de manière à les protéger contre l'oxydation et l'action de l'humidité.
     




    Dessins



















    Rapport de recherche