[0001] Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Erzeugung von Ionenstrahlen
mit großflächigem Strahlquerschnitt.
[0002] Der erzeugte Ionenstrahl dient zur Trockenätzung von Halbleiteroberflächen. Mit zunehmender
Verkleinerung der Strukturen auf Halbleiterchips gewinnen hochauflösende Trockenätzverfahren
mit einem hohen Grad an Anisotropie und Maßhaltigkeit an Bedeutung. Das Verhältnis
von vertikaler zu lateraler Ätzrate muß so groß sein, daß die Unterätzungen der Strukturen
kleiner als die durch Lithographieprozesse bedingten Linienbreitenfehler sind. Beim
RIE-Verfahren (Reactive Ion Etching) werden zur Trockenätzung reaktive Ionen herangezogen,
die zu chemischen Reaktionen auf der Oberfläche führen. Die Ionen werden durch ein
Ätzplasma zur Verfügung gestellt, das über der Halbleiteroberfläche brennt.
[0003] Eine Weiterentwicklung des RIE-Verfahrens ist der RIBE-Prozeß (Reactive Ion Beam
Etching), bei welchem die Halbleiteroberfläche mit einem Strahl reaktiver Ionen beschossen
wird. Der Vorteil dieses Verfahrens liegt darin, daß der störende Einfluß der Ionenerzeugung
auf die Ätzreaktionen auf der Halbleiteroberfläche weitgehend ausgeschaltet wird.
Dies wird dadurch erreicht, daß die Erzeugung der Ionen und das Ätzen örtlich voneinander
getrennt ablaufen, indem die Ionen aus der Quelle heraus auf die zu ätzende Oberfläche
hin beschleunigt werden.
[0004] Voraussetzung für die Durchsetzungsfähigkeit dieses Verfahrens ist die Verfügbarkeit
einer geeigneten Ionenquelle.
[0005] Ionenquellen für unterschiedliche Anwendungsbereiche sind in der Literatur zahlreich
beschrieben. Die grundlegenden physikalischen Prinzipien werden in der Schrift: "Ionenquellen"
(Kerntechnik, 4, 1962, S. 1-7) erläutert.
[0006] In der Patentschrift US-A-30 05 931 ist eine Ionenquelle beispielsweise für die Anwendung
in einer Kernfusions-Apparatur mit magnetischen Spiegeln offenbart. Diese Ionenquelle
ist insbesondere für die Erzeugung neutraler Plasmen ausgebildet und wegen des zu
geringen Strahlenquerschnittes des Ionenstromes und der aufwendigen Konstruktion für
den RIBE-Prozeß ungeeignet.
[0007] Eine Ionenquelle zur Ionenimplantation von Metallionen wurde mit der Schrift "Vakuum
arc arrays for intense metal ion beam injectors" (Nuclear Instruments and Methods
in Physics Research, B10, 1985, S. 792-795) veröffentlicht. Diese Ionenquelle erfüllt
die Aufgabe, einen Ionenstrom zu liefern, der möglichst nur aus einer Ionensorte,
nämlich der zu implantierenden Metallionen besteht und eine hohe Ionenenergie aufweist.
Da beim RIBE-Prozeß eine Oberflächenschädigung vermieden werden muß, erweist sich
diese Quelle ebenfalls als ungeeignet.
[0008] Um eine hohe Anisotropie des Ätzprozesses zu erreichen, darf der Ionenstrahl nur
eine geringe Strahldivergenz besitzen. Er muß eine hohe Ionenstromdichte aufweisen,
um hohe Ätzraten sicherzustellen. Die Ionenenergie muß niedrig sein, um die Oberflächenschädigung
und die Oberflächentemperatur gering zu halten. Um die gesamte Oberfläche eines Wafers
strukturieren zu können, muß der Ionenstrahl einen möglichst großflächigen Strahlquerschnitt
besitzen.
[0009] Die bisher existierenden Quellen für großflächige Ionenstrahlen arbeiten nach dem
Kaufman-Prinzip, das beispielsweise in dem Artikel "Broad-beam ion sources. Present
status and future directions" (Journal of Vacuum Science Technology, A 4, 1986, S.
764 - 771) beschrieben ist. Bei dieser Quelle emittiert ein geheiztes Filament Elektronen,
die eine Gleichstromentladung zwischen dem als Kathode geschalteten Filament und einer
großflächigen Anode unterhalten. Die Extraktion der Ionen aus dem Plasma erfolgt über
ein oder mehrere Gitter, an welchen ein entsprechendes Potential anliegt.
[0010] Die Verwendung eines heißen Filaments ist jedoch für den Einsatz reaktiver Gase ungeeignet,
da das heiße Filament im Laufe der Zeit weggeätzt wird, wodurch die Betriebsdauer
der Quelle stark eingeschränkt ist. Einige Ionenquellen vermeiden das heiße Filament
zur Erzeugung des Plasmas. Dort werden beispielsweise Hochfrequenzentladungen oder
Mikrowellenentladungen zur Ionisation eingesetzt.
[0011] Die Extraktion der Ionen aus dem Plasma mit Hilfe von Extraktionsgittern, die auch
in der Veröffentlichung "Grid-controlled extraction of pulsed ion beams" (Journal
of Applied Physics, 59 (6), 1986, S. 1790-1798) beschrieben ist, wirkt sich störend
auf die Qualität des Ionenstrahles aus. Die komplizierten Potentiale im Nahbereich
der Gitteröffnungen führen zu unterschiedlichen Flugrichtungen der Ionen nach dem
Durchtritt durch die Gitteröffnungen. Der Ionenstrahl erhält dadurch eine "innere
Divergenz", die zwar durch hintereinander geschaltete Extraktionsgitter verringert,
jedoch nicht beseitigt werden kann. Die innere Divergenz des Ionenstrahles führt beim
Ätzprozeß zu schrägen Flanken der geätzten Strukturen und damit zu einer Herabsetzung
der Anisotropie.
[0012] Ein weiterer Nachteil der Ionenextraktion mit Hilfe eines Gitters sind Sputterprozesse
der Ionen, die auf die Gitteroberfläche treffen. Durch solche Prozesse wird der Ionenstrahl
mit Verunreinigungen angereichert.
[0013] Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Erzeugung von
Ionenstrahlen mit großflächigem Strahlquerschnitt bereitzustellen, die Ionenstrahlen
hoher Stromdichte, niedriger Ionenenergie und niedriger Strahldivergenz für die Erzeugung
kleinster Strukturen auf Halbleiteroberflächen liefern und die auf heizbare Filamente
zur Ionenerzeugung und auf Gitterelektroden zur Extraktion der Ionen verzichten.
[0014] Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß das zu ionisierende Gas mit
Hilfe eines gepulst betriebenen Molekularstrahl-Düsensystems zugeführt und in einer
gepulsten Hochspannungs-Gasentladung ionisiert wird, daß die Ionen senkrecht zur Richtung
des Molekularstrahles und senkrecht zur Richtung der Hochspannungsentladung mit synchron
gepulsten elektrischen oder magnetischen Feldern beschleunigt werden und daß das nicht
ionisierte Prozeßgas mit einer Pumpe aus dem Reaktionsraum entfernt wird.
[0015] Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen, eine Vorrichtung
zur Durchführung des Verfahrens im Nebenanspruch 6 gekennzeichnet. Da die Wahrscheinlichkeit,
daß ein Gasmolekül ionisiert wird, mit der Verweildauer zwischen den Hochspannungselektroden
steigt, erfolgt die Zuführung des Gases parallel zu den Hochspannungselektroden, um
die Ionisation des Gasstromes möglichst effektiv zu gestalten.
[0016] Die Beschleunigung der Ionen muß so erfolgen, daß der Strahl eine möglichst geringe
Divergenz aufweist. Ideal ist eine Beschleunigung entlang paralleler elektrischer
Feldlinien, wie sie in einem Plattenkondensator verwirklicht sind. Bekannte Verfahren
zur Erzeugung von Ionenstrahlen versuchen diesem Ideal durch Verwendung eines Extraktionsgitters
nahezukommen, wodurch die oben beschriebenen Nachteile entstehen.
[0017] Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird die Homogenität des Beschleunigungs-Feldes
durch zeitliche Abstimmung der im Pulsbetrieb durchgeführten Verfahrensschritte 1a
bis 1c erreicht. Das Beschleunigungsfeld wird erst eingeschaltet, wenn sich die zu
beschleunigenden Ionen nicht mehr in Bereichen befinden, in welchen das Feld inhomogen
ist, sondern Bereiche durchfliegen, deren Feldlinien parallel zur Flugrichtung weisen.
[0018] Die gepulste Beschleunigung der Ionen in den hintereinander angeordneten Beschleunigungsfeldern
bewirkt, daß Ionen gleicher Masse aber mit unterschiedlichem Ladungszustand beim Auftreffen
auf die zu ätzende Oberfläche dieselbe Energie besitzen und demnach die gleichen energieabhängigen
Prozesse induzieren.
[0019] Durch Weiterbildungen des erfindungsgemäßen Verfahrens gemäß den Ansprüchen 2 und
3 werden Ladungsträger, die entweder nicht an einer Reaktion mit der Oberfläche teilgenommen
haben, oder geladene Reaktionsprodukte mit Hilfe eines Spannungspulses aus dem Bereich
der Oberfläche entfernt. Diese geladenen Teilchen können sich dann nicht mehr negativ
auf die Qualität des Ionenstrahles und auf die Reaktionsprozesse auswirken.
[0020] Um auch den negativen Einfluß von Neutralteilchen auf die Strahlqualität auszuschalten,
werden nach Anspruch 4 die neutralen Reaktionsprodukte mit Hilfe von Vakuumpumpen
aus dem Reaktionsraum entfernt. Eine Weiterbildung nach Anspruch 5 zeichnet sich dadurch
aus, daß die Entladung des Hochspannugspulses zur Plasmaerzeugung effektiv und gleichmäßig
erfolgt. Das Entladungsgas wird mit Hilfe einer Spitzenentladung oder mit Hilfe von
UV-Licht vorionisiert.
[0021] Eine besonders vorteilhafte Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens ist im Nebenanspruch
6 gekennzeichnet. Die Ionen werden in einem gepulsten elektrischen Feld beschleunigt,
das zwischen einer Potentialscheibe und einer Folge von Metallzylindern aufgebaut
wird. Bei einer weiteren Ausgestaltung nach Anspruch 7 erfolgt die Beschleunigung
der Ionen mit Hilfe von Magnetfeldern, die durch ein Spulensystem erzeugt werden.
[0022] Prinzipiell kann zur Beschleunigung der Ionen jedes Feld eingesetzt werden, das auf
die Ionen einen Impuls auszuüben vermag.
[0023] Nach Anspruch 8 wird das Blendenfeld, das eine Selektion der Moleküle nach ihrer
Flugrichtung durchführt, durch eine Schlitzblende ersetzt. Dadurch wird die Strahldivergenz
für bestimmte Anwendungen nur in einer Richtung eingeengt. Diese Variante zeichnet
sich darüber hinaus durch einfachere Justierbarkeit und billigere Herstellung aus.
Die gepulste Gaszuführung erlaubt es, den störenden Untergrundgasdruck in der Reaktionskammer
zu reduzieren. Eine Hochvakuumpumpe hält nach Anspruch 9 zwischen dem Gaszuführungsraum
und dem Reaktionsraum eine Druckdifferenz aufrecht, die am Ende der Flugstrecke des
molekularen Düsenstrahles die Teilchen fast vollständig aus dem Reaktionsraum entfernt.
[0024] Die mit der Erfindung erzielten Vorteile bestehen insbesondere darin, daß der Entstehungsort
der Ionen und das Beschleunigungsgebiet räumlich voneinander getrennt sind. Dadurch
wird vermieden, daß reaktive Radikale, die bei der Gasentladung durch Fragmentation
der Muttermoleküle gebildet werden und sich störend auf den Ätzprozeß auswirken, auf
die zu ätzende Oberfläche gelangen.
[0025] Die Oberflächenreaktionen, mit deren Hilfe Strukturen auf Halbleiteroberflächen erzeugt
werden, sind nicht nur räumlich sondern auch zeitlich von der Erzeugung der Ionen
getrennt. Wenn die Ionen nach Durchlaufen der Beschleunigungsstrecke auf der Halbleiteroberfläche
auftreffen, ist die Hochspannungsentladung bereits beendet. Ein Einfluß der Hochspannungsentladung
ist damit ausgeschlossen. Da die kinetische Energie der Ionen ausschließlich durch
den Beschleunigungsvorgang bestimmt ist, kann diese Energie unabhängig vom Bildungsprozeß
der Ionen für die jeweiligen Anwendungszwecke eingestellt werden.
[0026] Der Einsatz von Metallzylindern bei der Beschleunigung der Ionen schließt Oberflächenreaktionen
wie Sputterprozesse innerhalb des Strahlquerschnittes aus. Damit wird ein Störfaktor
ausgeschaltet, der bei Verwendung von Extraktionsgittern die Qualität des Ionenstrahles
wesentlich vermindert. Die bei Extraktionsgittern notwendig auftretende Strahldivergenz
wird bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung durch geeignete Wahl der Abstände und Durchmesser
der Metallzylinder und der Höhe und Dauer der Potentialpulse, die an die Zylinder
und die Potentialplatte angelegt werden, kontrolliert.
[0027] Ein weiterer Vorteil der Erfindung ist es, daß eine Wechselwirkung von störenden
Neutralteilchen und Reaktionsprodukten mit den Ionen und den Oberflächenreaktionen
vernachlässigbar ist, da diese Teilchen durch einen Spannungspuls beziehungsweise
durch Abpumpen aus dem Bereich der Halbleiteroberfläche entfernt werden.
[0028] Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren steht eine großflächige Ionenquelle zur Verfügung
die einen Ionenstrom mit niedriger Divergenz liefert, dessen Parameter wie Ionenenergie
und Ionenstromdichte unabhängig voneinander eingestellt werden können. Er eignet sich
für RIBE-Prozesse zur Herstellung extrem kleiner Strukturen im Sub-µ-Bereich auf Halbleiteroberflächen,
wie sie beispielsweise für einen zukünftigen 64 MBit Speicher erforderlich sein werden.
[0029] Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in den Zeichnungen dargestellt und wird
im folgenden näher beschrieben.
[0030] Es zeigen:
- Fig. 1
- Horizontalschnitt der RIBE-Apparatur,
- Fig. 2
- Längsschnitt durch die RIBE-Apparatur (Schnitt AB in Fig.1),
- Fig. 3
- Schnitt durch die RIBE-Apparatur (Schnitt CD in Fig. 1),
- Fig. 4a
- Feldlinienverlauf zwischen der Potentialplatte und dem ersten Metallzylinder,
- Fig. 4b
- Feldlinienverlauf zwischen zwei Metallzylindern der Beschleunigungseinrichtung,
- Fig. 5
- Düsenfeld und Gasentladungselektroden in räumlicher Darstellung,
- Fig. 6
- Querschnitt durch Düsen- und Blendenfeld,
- Fig. 7
- Querschnitt durch Düsen- und Blendenfeld, Detail,
- Fig. 8
- Einrichtung zur Hochspannungsentladung,
- Fig. 9
- räumliche Darstellung der Beschleunigungseinrichtung.
[0031] In den Fig. 1, 2 und 3 sind die wesentlichen Komponenten einer Vorrichtung zur Durchführung
des erfindungsgemäßen Verfahrens dargestellt, wobei Fig. 2 den in Fig. 1 mit AB bezeichneten
Schnitt und Fig. 3 den mit CD bezeichneten Schnitt zeigen. Alle Komponenten sind in
einer Vakuumkammer 10 untergebracht.
[0032] Eine Gasleitung 15 ist mit einem Reservoir des Prozeßgases verbunden. Eine handelsübliche
Einspritzdüse 14, wie sie beispielsweise für Motoren eingesetzt wird, erlaubt eine
gepulste Gaszufuhr bei einem Gasdruck von einigen bar. Mit Hilfe eines Düsen- 13 und
eines Blendenfeldes 12 wird der Gasstrom zwischen die Elektroden 1 der Hochspannungs-Entladungsvorrichtung
geleitet. Mit einem kurzen Hochspannungspuls (ca. 10 nsec) wird durch Gasentladung
ein Plasma erzeugt. Damit die Entladung des Hochspannungspulses zu einer gleichmäßigen
und effektiven Plasmaerzeugung führt, wird das Gas vorionisiert, beispielsweise durch
Einkopplung einer HF-Strahlung über HF-Elektroden 3.
[0033] Um die Ionen aus dem Bereich ihrer Entstehung abzuziehen, wird etwa 50 nsec später
für eine Zeitdauer von einer µsec eine Extraktionsspannung von beispielsweise -100
V zwischen der Potentialscheibe 4 und dem ersten Metallzylinder angelegt (negative
Spannung am Metallzylinder). Wenn die Ionen den ersten Zylinder erreicht haben, wird
an den zweiten Zylinder für ca. 20 nsec eine Spannung von -150 V angelegt. In dieser
Zeit durchfliegen die Ionen die Zone homogener Feldverteilung zwischen den Metallzylindern.
Die anderen Potentiale betragen 0 V. Weitere 50 nsec später wird für 50 nsec an den
zweiten Metallzylinder eine Spannung von -150 V und an den dritten eine Spannung von
-200 V angelegt, um die Ionen in Richtung der Probe 7 weiter zu beschleunigen. Die
genannten Zahlenwerte dienen nur als Beispiele und stellen keine Einschränkung dar.
Die tatsächlich zu wählenden Werte hängen von der zu beschleunigenden Ionensorte und
der Ausführung der Beschleunigungseinrichtung ab.
[0034] Die Schaltzeiten und Pulslängen müssen so gewählt werden, daß die elektrischen Felder
nur dann eingeschaltet sind, wenn sich die Ionen in Bereichen bewegen, in denen die
Feldverteilung annähernd homogen ist. Die Feldverteilung zwischen der Potentialplatte
4 und dem ersten Metallzylinder ist in Fig. 4a, die zwischen zwei Metallzylindern
in Fig. 4b dargestellt. Nur in den Bereichen 24 unmittelbar an der Potentialplatte
und den Bereichen 25 zwischen den Zylindern, ist die Feldverteilung annähernd homogen.
Der Beschleunigungsvorgang muß demnach auf diese Bereiche beschränkt werden. Die beschleunigten
Ionen treffen anschließend auf die Oberfläche der Probe 7 und stehen dort für Ätzprozesse
zur Verfügung.
[0035] Geladene Reaktionsprodukte, die zur Verunreinigung des Ionenstrahles führen, werden
durch ein elektrisches Feld, das zwischen den halbkreisförmigen Elektroden 6 erzeugt
wird, aus dem Bereich der Oberfläche entfernt.
[0036] Fig. 5 zeigt die Hochspannungs-Entladungseinrichtung und das Düsenfeld 13 in räumlicher
Darstellung, Fig. 6 das Düsenfeld und das Blendenfeld 12 im Detail, Fig. 7a eine Düse
und Fig. 7b eine Blende (Abschäler). Das Düsenfeld 13 weist viele Düsenöffnungen 16
mit einem Querschnitt von etwa 50 µm bis 100 µm auf, die in einer Reihe angeordnet
sind. Den Düsenöffnungen gegenüber liegen die Öffnungen 18 des Blendenfeldes. Aus
den kleinen Düsenöffnungen expandiert das Gas in den evakuierten Raum, wobei ein stark
gerichteter Strahl entsteht. Die im Abstand von einigen mm hinter den Düsenöffnungen
angeordneten Blenden 12 blenden Moleküle aus dem Strahl, deren Flugrichtung einen
zu großen Winkel zur Strahlachse einnehmen. Dies führt zu einer Einengung der Molekularstrahldivergenz.
Wenn für bestimmte Anwendungen die Molekularstrahldivergenz in Richtung der Hochspannungsentladung
nicht eingeengt werden soll, wird das Blendenfeld durch eine schmale Schlitzblende
ersetzt.
[0037] Die gepulste Gaszufuhr ist mit der gepulsten Hochspannungsentladung so synchronisiert,
daß nur dann ein gerichteter Teilchenstrahl erzeugt wird, wenn auch die Hochspannungsentladung
gezündet wird. Die Einrichtung zur Hochspannungsentladung ist in Fig. 8 abgebildet.
Die gegenüberliegend angeordneten Elektroden 1 (z. B. aus Edelstahl), die an einer
Teflonhalterung 2 befestigt sind, sind mit einem Lade- bzw. einem Entladekreis verbunden.
Im Entladekreis wird ein Kondensator C1 über eine Hochspannungsversorgung HV aufgeladen.
Durch Schließen des Schalters S wird die gespeicherte Energie auf einen Ladekondensator
C2 übertragen. Als Schalter dient ein Thyratron, das auf Durchlaß schaltet, wenn ein
Triggerpuls, der mit der gepulsten Molekularstrahldüse 14 synchronisiert ist, auf
das Gitter des Tyratrons S gelegt wird. Die Ladung des Kondensators C2 fließt anschließend
auf die Elektroden 1 und die Hochspannungsentladung zündet. Bei dem hier beschriebenen
Ausführungsbeispiel wird das einströmende Gas mit Hilfe einer Metallspitze 23 durch
Spitzenionisation vorionisiert, um eine effektive und gleichmäßige Entladung zwischen
den Elektroden 1 zu gewährleisten.
[0038] Bei einer nicht näher ausgeführten Weiterbildung der Erfindung wird das Gas durch
Photoionisation, z.B. mit einem Excimerlaser oder mit einer UV-Lampe, oder durch eine
Hochfrequenzentladung vorionisiert. Dadurch wird verhindert, daß die an der Metallspitze
auftretenden Sputterprozesse zu einer Verunreinigung des Ionenstrahls führen. In Fig.
9 sind die Entladungseinrichtung mit den Elektroden 1 und der Teflonhalterung 2, die
Beschleunigungseinrichtung mit der Potentialplatte 4, den Metallzylindern 5, die Probe
7 und die Absaugelektroden 6 für geladene Teilchen räumlich dargestellt.
1. Verfahren zur Erzeugung von Ionenstrahlen mit großflächigem Strahlquerschnitt,
gekennzeichnet durch die Kombination folgender Merkmale
a) ein zu ionisierendes Gas wird mit Hilfe eines gepulst betriebenen Molekularstrahl-Düsensystems
(14) als Gasstrahl parallel zwischen zwei längsgestreckten Hochspannungselektroden
(1) in einen Reaktionsraum eingeleitet
b) das Gas wird in einer gepulsten Hochspannungs-Gasentladung zwischen den Hochspannungselektroden
(1) ionisiert,
c) die Ionen werden senkrecht zur Richtung des Gasstrahls und senkrecht zur Richtung
der Feldlinien der Hochspannungsentladung mit synchron gepulsten elektrischen oder
magnetischen Feldern beschleunigt,
d) das nicht ionisierte Prozeßgas wird mit einer Pumpe aus dem Reaktionsraum entfernt.
2. Verfahren zur Erzeugung von Ionenstrahlen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Ladungsträger, die nicht an einer Reaktion mit einer zu strukturierenden Oberfläche
teilgenommen haben, mit einem Spannungspuls aus dem Bereich der Oberfläche entfernt
werden.
3. Verfahren zur Erzeugung von Ionenstrahlen nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß Ladungsträger, die als Reaktionsprodukt an einer zu strukturierenden Oberfläche
entstehen, mit einem Spannungspuls aus dem Bereich der Oberfläche entfernt werden.
4. Verfahren zur Erzeugung von Ionenstrahlen nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß in der Zeitdauer zwischen zwei aufeinanderfolgenden Ionenstrahl-Pulsen neutrale
Reaktionsprodukte mit Pumpen aus dem Reaktionsraum gepumpt werden.
5. Verfahren zur Erzeugung von Ionenstrahlen nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß das Entladungsgas vorionisiert wird.
6. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, mit einem Gaszuführungsraum
mit einer Gaszuführung, einer Reaktionskammer mit einer Ionisierungseinrichtung, einer
Beschleunigungseinrichtung und einer Probenhalterung, dadurch gekennzeichnet, daß die Gaszuführung aus einer Gasleitung (15), einer Einspritzdüse (14), einem Düsenfeld
(13) und einem Blendenfeld (12) besteht, daß die Ionisierungseinrichtung aus zwei
längsgestreckten Hochspannungselektroden (1) und einem Hochspannungsschaltkreis (Fig.8)
besteht, wobei die Elektroden parallel in einem definierten Abstand zueinander auf
einer Halterung (2) aus isolierendem Material aufgebracht sind, daß die Gaszuführung
(15) und die Ionisierungseinrichtung senkrecht zueinander angeordnet sind, so daß
der zugeführte Gasstrahl parallel zwischen den längsgestreckten Hochspannungselektroden
verläuft, und daß die Beschleunigungseinrichtung aus einer Potentialscheibe (4) und
wenigstens zwei hintereinander angeordneten Metallzylindern (5) zusammengesetzt ist.
7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Beschleunigungseinrichtung aus einem Spulensystem besteht.
8. Vorrichtung nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Blendenfeld durch eine Schlitzblende ersetzt ist.
9. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem Gaszuführungsraum und dem Reaktionsraum eine Druckdifferenz aufrecht
erhalten wird.
1. Method of generating ion beams with a large beam cross-section, characterised by the
combination of the following features:
a) a gas to be ionised is introduced with the aid of a molecular jet system (14) operated
in a pulsed manner as a gas beam between two longitudinally-extended high-voltage
electrodes (1)into a reaction chamber;
b) the gas is ionised in a pulsed high-voltage gas discharge between the high-voltage
electrodes (1);
c) the ions are accelerated perpendicularly to the direction of the gas beam and perpendicularly
to the direction of the field lines of the high-voltage discharge with synchronously-pulsed
electrical or magnetic fields;
d) the non-ionised process gas is removed from the reaction chamber by a pump.
2. Method of generating ion beams according to claim 1, characterised in that charge
carriers which have not participated in a reaction with a surface to be structured,
are removed by a voltage pulse from the vicinity of the surface.
3. Method of generating ion beams according to claim 1 or 2, characterised in that charge
carriers which occur as a reaction product on a surface to be structured, are removed
by a voltage pulse from the vicinity of the surface.
4. Method of generating ion beams according to one of claims 1 to 3, characterised in
that, during the period of time between two successive ion beam pulses, neutral reaction
products are pumped out of the reaction chamber with pumps.
5. Method of generating ion beams according to one of claims 1 to 4, characterised in
that the discharge gas is pre-ionised.
6. Device for carrying out the method according to claim 1, with a gas supply chamber
with a gas supply means, a reaction chamber with an ionising device, an accelerator
device and a sample holder, characterised in that the gas supply means comprises a
gas pipe (15), an injector (14), a jet field (13) and a diaphragm field (12), in that
the ionising device comprises two longitudinally-extended high-voltage electrodes
(1) and a high-voltage circuit (Fig. 8), the electrodes being attached in parallel
at a specific distance apart on a holder (2) made of insulating material, in that
the gas supply means (15) and the ionising device are disposed perpendicularly to
one another, so that the gas beam supplied runs parallel between the longitudinally-extended
high-voltage electrodes, and in that the accelerator device is made up of a potential
disc (4) and at least two metal cylinders (5) disposed one behind the other.
7. Device according to Claim 6, characterised in that the accelerator device comprises
a coil system.
8. Device according to claim 6 or 7, characterised in that the diaphragm field is replaced
by a slot diaphragm.
9. Device according to one of claims 6 to 8, characterised in that a pressure differential
is maintained between the gas supply chamber and the reaction chamber.
1. Procédé pour produire des faisceaux d'ions à grande aire de section,
caractérisé par la combinaison des caractéristiques suivantes :
a) à l'aide d'un système d'injection (14) à jet moléculaire, à fonctionnement pulsé,
un gaz à ioniser est introduit sous la forme d'un jet de gaz, parallèlement entre
deux électrodes oblongues à haute tension (1), dans une chambre de réaction,
b) le gaz est ionisé par une décharge gazeuse pulsée à haute tension entre les électrodes
à haute tension (1),
c) au moyen de champs magnétiques ou électriques pulsés de façon synchrone, les ions
sont accélérés perpendiculairement à la direction du jet de gaz et perpendiculairement
à la direction des lignes de champ de la décharge à haute tension,
d) le gaz de production non ionisé est évacué de la chambre de réaction par une pompe.
2. Procédé pour produire des faisceaux d'ions selon la revendication 1, caractérisé en ce que les porteurs de charge qui n'ont pas participé à une réaction avec une
surface à structurer, sont évacués de la région de la surface par une impulsion de
tension.
3. Procédé pour produire des faisceaux d'ions selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que les porteurs de charge qui apparaissent comme produit réactionnel sur une
surface à structurer, sont évacués de la région de la surface par une impulsion de
tension.
4. Procédé pour produire des faisceaux d'ions selon l'une quelconque des revendications
1 à 3, caractérisé en ce qu'au moyen de pompes, les produits réactionnels neutres sont pompés hors de
la chambre de réaction pendant l'intervalle de temps entre deux impulsions successives
de faisceau d'ions.
5. Procédé pour produire des faisceaux d'ions selon l'une quelconque des revendications
1 à 4, caractérisé en ce que le gaz de décharge est préionisé.
6. Dispositif pour la mise en oeuvre du procédé selon la revendication 1, avec une chambre
d'alimentation en gaz pourvue d'un dispositif d'alimentation en gaz et une chambre
de réaction pourvue d'un dispositif d'ionisation, d'un dispositif d'accélération et
d'un support d'échantillon, caractérisé en ce que le dispositif d'alimentation en gaz est constitué d'une conduite de gaz
(15), d'un injecteur (14), d'un champ de buses (13) et d'un champ de diaphragmes (12),
en ce que le dispositif d'ionisation est constitué de deux électrodes oblongues à
haute tension (1) et d'un circuit à haute tension (figure 8), les électrodes étant
disposées à un écartement défini parallèlement entre elles sur un support (2) en matériau
isolant, en ce que le dispositif d'alimentation en gaz et le dispositif d'ionisation
sont disposés perpendiculairement l'un à l'autre, de sorte que le jet de gaz alimenté
s'écoule parallèlement entre les deux électrodes oblongues à haute tension, et en
ce que le dispositif d'accélération est constitué d'un disque de potentiel (4) et
d'au moins deux cylindres métalliques (5) disposés l'un derrière l'autre.
7. Dispositif selon la revendication 6, caractérisé en ce que le dispositif d'accélération est constitué d'un système à bobine.
8. Dispositif selon la revendication 6 ou 7, caractérisé en ce que le champ de diaphragmes est remplacé par un diaphragme à fente.
9. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 6 à 8, caractérisé en ce qu'une différence de pression est maintenue entre la chambre d'alimentation
en gaz et la chambre de réaction.