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(11) |
EP 0 584 650 B1 |
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EUROPÄISCHE PATENTSCHRIFT |
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Hinweis auf die Patenterteilung: |
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10.06.1998 Patentblatt 1998/24 |
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Anmeldetag: 11.08.1993 |
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Internationale Patentklassifikation (IPC)6: H01P 3/00 |
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Koplanarer Wellenleiter mit geringem Wellenwiderstand
Coplanar waveguide with low wave impedance
Ligne coplanaire à impédance charactéristique basse
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Benannte Vertragsstaaten: |
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DE FR GB |
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Priorität: |
26.08.1992 DE 4228349
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Veröffentlichungstag der Anmeldung: |
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02.03.1994 Patentblatt 1994/09 |
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Patentinhaber: Daimler-Benz Aktiengesellschaft |
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70546 Stuttgart (DE) |
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Erfinder: |
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- Kosslowski, Stefan, Dr.
D-89231 Neu-Ulm (DE)
- Koster, Norbert H.L., Dr.
D-52457 Aldenhoven (DE)
- Bertenburg, Ralf
D-47798 Krefeld (DE)
- Wolff, Ingo, Prof. Dr.
D-52076 Aachen (DE)
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Vertreter: Fröhling, Werner Otto, Dr. et al |
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Daimler-Benz AG,
Intellectual Property Management,
Sedanstr. 10/Gebäude 17 89077 Ulm 89077 Ulm (DE) |
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Entgegenhaltungen: :
EP-A- 0 078 187 US-A- 4 463 323
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EP-A- 0 492 357 US-A- 5 105 171
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- PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 12, no. 261 (E-636)22. Juli 1988 & JP-A-63 046 801
(NIPPON TELEGRAPH & TELEPHONE CORP.) 27. Februar 1988
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| Anmerkung: Innerhalb von neun Monaten nach der Bekanntmachung des Hinweises auf die
Erteilung des europäischen Patents kann jedermann beim Europäischen Patentamt gegen
das erteilte europäischen Patent Einspruch einlegen. Der Einspruch ist schriftlich
einzureichen und zu begründen. Er gilt erst als eingelegt, wenn die Einspruchsgebühr
entrichtet worden ist. (Art. 99(1) Europäisches Patentübereinkommen). |
[0001] Die Erfindung betrifft einen koplanaren Wellenleiter nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs
1.
[0002] Derartige Wellenleiter finden z.B. Verwendung in monolithisch integrierten Mikrowellenschaltkreisen
(MMIC), die in koplanarer Wellenleitertechnik, sogenannter CPW-Technik, hergestellt
werden.
[0003] Verglichen mit der Mikrostreifenleiter-Technik (siehe u.a. T. Hiraoka et al., IEEE
Trans. Microwave Theory Tech., Vol. MTT-37 (1989), S. 1569 bis 1575) hat die CPW-Technik
den Vorteil, daß die Leitungsstruktur auf der Vorderseite aufgebracht wird.
[0004] Deshalb entfällt das Dünnen des Substrates, die via-hole-Technik und die Rückseitenmetallisierung
des Substrates. In Verbindung mit der Realisierung von MMIC's in CPW-Technik erweist
es sich mitunter als notwendig, Koplanarleitungen mit sehr geringen Wellenwiderständen
auszulegen. Beispielsweise werden Transmissionleitungen für MMIC'S mit charakteristischen
Impedanzen von kleiner als Z
L = 30Ω benötigt. Aus feldtheoretischen Betrachtungen ist bekannt, daß die Impedanzen
von koplanaren Wellenleitern (CPW) hauptsächlich durch das Verhältnis von Steifenbreite
w zu Schlitzbreite s bestimmt wird.
[0005] Um z.B. für MMIC'S auf GaAs, deren Leitungsstrukturen typischerweise eine Metallisierungsdicke
von 3µ aufweisen, charakteristische Impedanzen von Z
L = 30Ω zu realisieren, müssen diese CPW's ein Verhältnis w/s ≈ 10 aufweisen (beispielsweise
Streifenbreite w = 50µ und Schlitzbreite s = 5µ).
[0006] Außer dem physikalisch ungünstigen Verhältnis von w/s = 10 hat eine derartige Leitungsstruktur
den Nachteil, daß ein großer Chip benötigt wird, wenn Leitungen mit einer Länge von
1 = 1mm hergestellt werden sollen unter Berücksichtigung von minimalen Krümmungsradien
r
min = w + 2s. Diese Grenze für den minimalen inneren Radius der Koplanarleitung ist notwendig,
um Kopplungseffekte zu vermeiden. Die Schwierigkeit koplanare Leitungen mit charakteristischen
Impedanzen unterhalb von z
L=30Ω herzustellen, liegt darin, daß für immer kleiner werdende Impedanzen das Verhältnis
w/s drastisch ansteigt.
[0007] Eine Verwendung von zwei Koplanarleitungen, die über einen Wilkinsonkoppler verbunden
sind, in einem Mischer ist aus der EP-A2 0 078 187 bekannt. Jedoch sind die Koplanarleitungen
derart angeordnet, daß keine Wellenleiter mit Impedanzen unterhalb Z
L = 30Ω herstellbar sind.
[0008] Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde einen koplanaren Wellenleiter mit
geringem Wellenwiderstand anzugeben, der technisch einfach und zuverlässig herstellbar
ist und der einen geringen Platzbedarf erfordert.
[0009] Diese Aufgabe wird gelöst durch die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1
angegebenen Merkmale. Vorteilhafte Ausgestaltungen und/oder Weiterbildungen sind den
Unteransprüchen zu entnehmen.
[0010] Die Erfindung wird anhand eines Ausführungsbeispiels beschrieben unter Verwendung
von Zeichnungen.
[0011] In FIG. 1 ist eine Teststruktur auf einem GaAs-Substrat mit zwei parallel geschalteten
60Ω-Leitungen 1 und 2 und einer 30Ω-Leitung 4 dargestellt.
[0012] FIG. 2 zeigt einen vierstufigen monolithisch integrierten 30GHz-Verstärker auf GaAs
in Koplanartechnik, bei dem vier parallel geschaltete Koplanarleitungen P verwendet
werden.
[0013] Mit den erfindungsgemäßen Koplanarleitungen werden Wellenleiter mit geringen Wellenwiderständen
realisiert, die gleichzeitig ein geringes Verhältnis von w/s besitzen. Es werden zwei
identische Transmissionsleitungen verwendet, jede mit der gewünschten Länge, aber
mit doppelt so hoher Impedanz als wie benötigt. Luftbrücken-T-Übergänge, die aus der
Veröffentlichung Koster et al., Proc. EMC 1989, London, S. 666 bis 671 bekannt sind,
werden an den Verzweigungspunkten der beiden koplanaren Wellenleiter angebracht, um
höhere Moden zu unterdrücken. Die beiden koplanaren Leitungen besitzen z.B. eine Schlitzbreite
von s = 12µm und eine Streifenbreite von w = 10µm mit einer Impedanz von Z
L = 60Ω. Die Länge der Transmissionsleitungen beträgt z.B. 1 = 2mm. Durch die Parallelschaltung
zweier 60Ω-Leitungen in CPW-Technik kann das elektrische Verhalten einer 30Ω-Leitung
(s = 5µm, w = 50µm, 1 = 2mm) realisiert werden. Eine Teststruktur, die eine 30Ω-Koplanarleitung
4 und eine Parallelschaltung P zweier 60Ω-Leitungen 1 und 2 und einen Luftbrücken-T-Übergang
3 enthält, ist in FIG. 1 dargestellt.
[0014] In Filternetzwerken ist die Parallelschaltung von Koplanarleitungen auf Luftbrücken-Kreuz-Verzweigungen
oder allgemeine Mehrfachverzweigungen erweiterbar. FIG. 2 zeigt ein Beispiel für eine
Ka-Band GaAs-Verstärkerschaltung, die vier parallel geschaltete Koplanarleitungen
P enthält. Dieser vierstufige monolithisch integrierte Verstärker ist für Frequenzen
von 30 GHz geeignet, wobei lediglich sehr geringe Wellenwiderstände auftreten.
[0015] Die Erfindung ist jedoch nicht auf die im Ausführungsbeispiel angegebene Koplanarleitungen
beschränkt, sondern es kann z.B. durch Parallelschaltung von zwei identischen 40Ω-Leitungen
(auf GaAs beispielsweise Schlitzweite s = 10µm, Streifenbreite w = 35µm, Metallisierungshöhe
t = 3µm) das Verhalten einer 20Ω-Leitung realisiert werden. Eine derartige 20Ω-Leitung
ist in konventioneller CPW-Technik auf GaAs nicht mehr realisierbar.
[0016] Desweiteren ist auch die Verwendung anderer Substratmaterialien wie z.B. Si oder
InP zur Herstellung von MMIC's in CPW-Technik möglich.
1. Koplanarer Wellenleiter, insbesondere für Mikrowellenschaltungen, dadurch gekennzeichnet,
daß der koplanare Wellenleiter zwei identische Koplanarleitungen (1, 2) mit dem Wellenwiderstand
ZL enthält, und daß durch Parallelschaltung der Koplanarleitungen (1, 2) ein koplanarer
Wellenleiter mit einer charakteristischen Impedanz von ZL/2 entsteht.
2. Koplanarer Wellenleiter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß im Bereich der
Aufspaltung des Wellenleiters Luftbrücken-T-Übergänge (3) angebracht sind.
3. Koplanarer Wellenleiter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in Filternetzwerken
Luftbrücken-Kreuz-Verzweigungen an den Verzweigungspunkten des Wellenleiters angebracht
sind.
4. Koplanarer Wellenleiter nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß durch eine Parallelschaltung von zwei identischen 60Ω-Koplanarleitungen ein koplanarer
Wellenleiter mit einer charakteristischen Impedanz von 30Ω herstellbar ist.
5. Koplanarer Wellenleiter nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die parallelgeschalteten
60Ω-Koplanarleitungen eine Länge von 1 = 2mm, eine Schlitzweite s = 12µm und eine
Streifenbreite w = 10µm besitzen.
1. Coplanar waveguide, especially for microwave circuits, characterised thereby that
the coplanar waveguide comprises two identical coplanar ducts (1, 2) with the wave
impedance ZL and that through parallel connection of the coplanar ducts (1, 2) a coplanar waveguide
with a characteristic impedance of ZL/2 results.
2. Coplanar waveguide according to claim 1, characterised thereby that air bridge T-transitions
(3) are formed in the region of the division of the waveguide.
3. Coplanar waveguide according to claim 1, characterised thereby that air bridge cross
branches are formed at the branch points of the waveguide in filter networks.
4. Coplanar waveguide according to one of the preceding claims, characterised thereby
that a coplanar waveguide with a characteristic impedance of 30Ω is producible by
a parallel connection of two identical 60Ω coplanar ducts.
5. Coplanar waveguide according to claim 4, characterised thereby that the parallel-connected
60Q coplanar ducts possess a length of I = 2 millimetres, a slot width s = 12 microns
and a strip width w = 10 microns.
1. Guide d'ondes coplanaire, en particulier pour circuit micro-ondes, caractérisé en
ce que le guide d'ondes coplanaire comporte deux lignes coplanaires identiques (1,
2) d'impédance caractéristique ZL, et en ce que par montage en parallèle des lignes coplanaires (1, 2), est obtenu
un guide d'ondes coplanaire d'impédance caractéristique ZL /2.
2. Guide d'ondes coplanaire selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'à proximité
de la séparation du guide d'ondes sont disposées des transitions T à pont d'air (3).
3. Guide d'ondes coplanaire selon la revendication 1, caractérisé en ce que, dans des
réseaux de filtres, des dérivations en croix à pont d'air sont disposées aux points
de dérivation du guide d'ondes.
4. Guide d'ondes coplanaire selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé
en ce que, par un montage parallèle de deux lignes coplanaires 60Ω identiques, peut
être réalisé un guide d'ondes coplanaire d'impédance caractéristique de 30Ω.
5. Guide d'ondes coplanaire selon la revendication 4, caractérisé en ce que les lignes
coplanaires 60Ω montées en parallèle possèdent une longueur de 1 = 2 mm, une largeur
de fente s = 12µm, et une largeur de bande w = 10µm.
