(19)
(11) EP 0 881 865 A3

(12) EUROPÄISCHE PATENTANMELDUNG

(88) Veröffentlichungstag A3:
28.06.2000  Patentblatt  2000/26

(43) Veröffentlichungstag A2:
02.12.1998  Patentblatt  1998/49

(21) Anmeldenummer: 98109597.9

(22) Anmeldetag:  27.05.1998
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC)7H05H 1/24
(84) Benannte Vertragsstaaten:
AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE
Benannte Erstreckungsstaaten:
AL LT LV MK RO SI

(30) Priorität: 30.05.1997 DE 19722624

(71) Anmelder: JE PlasmaConsult GmbH
42285 Wuppertal (DE)

(72) Erfinder:
  • Engemann, Jürgen, Prof. Dr. Dr. h.c.
    42119 Wuppertal (DE)
  • Korzec, Darius, Dr.
    42119 Wuppertal (DE)
  • Mildner, Mark
    42283 Wuppertal (DE)

(74) Vertreter: Patentanwälte Ostriga & Sonnet 
Stresemannstrasse 6-8
42275 Wuppertal
42275 Wuppertal (DE)

   


(54) Vorrichtung zur Erzeugung einer Vielzahl von Niedertemperatur-Plasmajets


(57) Dargestellt und beschrieben ist eine Vorrichtung zur Erzeugung einer Vielzahl von Niedertemperatur-Plasmajets (5) mittels hochfrequenter Leistung unter Ausnutzung von Hohlkathodenentladungen in mindestens einer Hohlkathodenkammer (32), die von einer Hohlkathode (12) umgeben ist, die eine Einlaßöffnung (15) für ein Arbeitsgas umfaßt, mit wenigstens einer der Hohlkathode (12) benachbarten Anode (11), wobei die Hohlkathode (12) und die Anode (11) gegenüberliegende Öffnungen (6, 7) aufweisen, durch die die Plasmajets (5) von der Hohlkathodenkammer (32) in einen Prozeßraum (33) gelangen.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine derartige Vorrichtung zu schaffen, die eine homogene Disposition einer funktionalen Schicht (25) auf einem bahnförmigen und gegebenenfalls temperaturempfindlichen Substrat (24) ermöglicht.
Die Aufgabe wird dadurch gelöst, daß die Vorrichtung mehrere separate Hohlkathodenkammern (32) umfaßt und jedem Plasmajet (5) jeweils eine Hohlkathodenkammer (32) als Entladungsraum zugeordnet ist.







Recherchenbericht