Verfahren zum Metallisieren von Formteilen und zur Herstellung eines abgeschlossenen Gehäuses

Abstract

 Die Erfindung schlägt vor, beim Galvanisieren eines Formteils (42) mit einer dekorativen Schicht zumindest einem Bereich (100, 102) des Formteiles (42) einen Bereich (118, 120) eines Gegenelementes (44) so gegenüberliegend anzuordnen, daß der Bereich (100, 102) des Formteils (42) und gegebenenfalls auch der Bereich (118, 120) des Gegenelements (44) nur in reduziertem Umfang mit dem dekorativen Material überzogen wird. Hierdurch kann der Übergangswiderstand z.B. zu einer elektrisch leitenden Dichtung (134) herabgesetzt und beispielsweise die Abschirmung im Verbindungsbereich der Gehäuse von Mobilfunktelefonen verbessert werden.

Beschreibung

[0001] Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Metallisieren von Formteilen, welches folgende Schritte umfaßt:

a) galvanisches Aufbringen mindestens einer elektrisch leitenden, funktionellen Zwischenschicht mit niedrigem Übergangswiderstand;

b) galvanisches Aufbringen einer dekorativen Schicht.

[0002] Das eingangs genannte Verfahren ist bei der Metallisierung von Formteilen weit verbreitet und vom Markt her bekannt. Galvanische, also metallische, dekorative Überzüge von Formteilen sind heutzutage daher besonders bevorzugt, da sie gegenüber Umwelteinflüssen unempfindlich, kratzfest und optisch ansprechend sind. Mit unterschiedlichen Verfahren sind auch verschiedene Einfärbungen der galvanischen dekorativen Schicht möglich, entsprechend dem jeweiligen Einsatzzweck. Als "Unterlage" für die im allgemeinen außen liegende galvanische dekorative Schicht dient üblicherweise eine elektrisch leitende funktionelle Zwischenschicht aus einem Material, an dem die dekorative Schicht sich bei der Elektrolyse optimal abscheidet. Typische Formteile, welche mit einer derartigen dekorativen Schicht überzogen werden, sind z. B. die Gehäuseschalen von Mobilfunktelefonen.

[0003] Aus verschiedenen Gründen kann es erforderlich sein, daß die Formteile jeweils mit einem anderen Element elektrisch leitend verbunden werden. So sind z.B. die Gehäuse von Mobilfunktelefonen üblicherweise aus zwei Halbschalen aufgebaut, welche zusammengesetzt werden. Um ein Aus- und Eintreten von elektromagnetischer Strahlung aus einem solchen Gehäuse heraus oder in ein solches Gehäuse hinein an der Verbindungsstelle zu vermeiden, wird dort eine elektromagnetische Dichtung aufgebracht, welche mit beiden Gehäuse-Halbschalen zusammenarbeitet. Dabei kann es sich z.B. um eine Dichtung aus einem mit elektrisch leitenden Bestandteilen angereicherten elastischen Material handeln, welches auf die Verbindungsstellen aufgebracht wird.

[0004] Nun wurde jedoch herausgefunden, daß die bisherige elektrisch leitende Verbindung an den Verbindungsstellen nicht optimal ist.

[0005] Die vorliegende Erfindung hat daher die Aufgabe, das eingangs genannte Verfahren so weiterzubilden, daß man mit ihm ein Formteil erhält, welches elektrisch gut leitend mit einem anderen Element verbunden werden kann.

[0006] Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß

c) während des galvanischen Aufbringens der dekorativen Schicht ein Bereich des Formteiles einem Bereich eines Gegenelementes in so geringem Abstand gegenüberliegt, daß der galvanische Auftrag der dekorativen Schicht in diesem Bereich reduziert ist.

[0007] Alternativ besteht die Lösung auch darin, daß

c) während des galvanischen Aufbringens der dekorativen Schicht an einem Bereich des Formteiles ein Bereich eines Gegenelementes so anliegt, daß der galvanische Auftrag der dekorativen Schicht in diesem Bereich reduziert ist.

[0008] Den erfindungsgemäßen Lösungen lag die Erkenntnis zugrunde, daß trotz der an sich guten Leitfähigkeit einiger dekorativer Schichten deren Übergangswiderstand zu einem anderen leitenden Material, wie z. B. einer elektromagnetischen Dichtung, relativ hoch ist (im Bereich einiger tausend Milliohm). In einem nächsten Schritt wurde erkannt, daß der Übergangswiderstand von einer üblichen elektrisch leitenden funktionellen Zwischenschicht zu einem anderen elektrisch leitenden Material deutlich geringer ist und nur noch im Bereich von einigen Milliohm liegt. Es schien somit günstig, beim Metallisieren des Formteils einen Bereich zu erzeugen, in dem die dekorative Schicht entweder vollkommen unterbrochen oder deren Dicke zumindest stark reduziert ist.

[0009] Zur Lösung dieses Problems wurde auf eine Eigenschaft bestimmter zur Bildung dekorativer Schichten verwendeter Materialien zurückgegriffen, welche ansonsten eher als störend empfunden wird: der schlechte sogenannte "Umgriff" bei der galvanischen Abscheidung. Darunter wird die Eigenschaft dieser Materialien verstanden, sich beim Galvanisieren an schlecht zugänglichen Stellen, z.B. in engen Bohrungen etc., oder an vollständig abgedeckten Stellen schlechter als an frei zugänglichen Stellen oder sich dort überhaupt nicht niederzuschlagen. Wird nun, wie erfindungsgemäß vorgesehen ist, während des galvanischen Aufbringens der dekorativen Schicht einem Bereich des Formteiles ein Bereich eines Gegenelementes in sehr geringem Abstand gegenüberliegend oder an diesem anliegend angeordnet, erfolgt in diesem Bereich aufgrund des schlechten Umgriffes die Galvanisierung mit der dekorativen Schicht nicht oder nur in gegenüber dem anderen Bereich erheblich reduzierter Weise.

[0010] In diesem Bereich ist nach dem Metallisieren des Formteiles die dekorative Schicht also entweder gar nicht vorhanden oder zumindest in ihrer Dicke stark reduziert. Somit liegt an dieser Stelle die übliche elektrisch leitende und funktionelle Zwischenschicht frei, welche einen viel geringeren Übergangswiderstand zu anderen leitfähigen Materialien bereitstellt.

[0011] Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in Unteransprüchen angegeben.

[0012] Ein typisches Beispiel für ein Material, welches den erforderlichen schlechten Umgriff aufweist, ist Chrom. Gemäß Anspruch 3 sind daher chromhaltige dekorative Schichten besonders bevorzugt.

[0013] Besonders ökonomisch arbeitet das erfindungsgemäße Verfahren nach Anspruch 4 dann, wenn es sich bei dem Gegenelement ebenfalls um ein Formteil handelt.

[0014] Gemäß Anspruch 5 handelt es sich bei den einander gegenüberliegenden Bereichen um zueinander komplementär geformte Bereiche. Dies ermöglicht es, während des Galvanisierens einen gleichbleibend geringen Abstand zwischen den Bereichen sicherzustellen und somit eine gleichmäßig reduzierte Galvanisierung durch die dekorative Schicht in diesem Bereich zu erzielen.

[0015] Besonders bevorzugt ist die Weiterbildung nach Anspruch 6, wonach die Zwischenschicht Nickel umfaßt. Nickel hat den Vorteil, daß dekorative galvanische Schichten sehr gut aufgalvanisiert werden können. Andererseits ist der Übergangswiderstand von Nickel zu anderen Materialien relativ gering und die Korrosions- und Oxidationsbeständigkeit relativ hoch.

[0016] Immer häufiger kommen heute auch Formteile zum Einsatz, welche, wie in Anspruch 7 angegeben, aus Kunststoff sind.

[0017] Bei solchen Kunststoff-Formteilen muß jedoch gemäß Anspruch 8 das Verfahren vor dem Aufbringen der Zwischenschicht folgende Schritte umfassen:

a) chemisches Aufbringen einer ersten metallischen, vorzugsweise kupferhaltigen Basisschicht; und

b) galvanisches Aufbringen einer zweiten metallischen, vorzugsweise kupferhaltigen Basisschicht.

[0018] Diese Vorgehensweise ist notwendig, um die elektrisch leitende Basis auf diesen Formteilen zu schaffen, welche für die Galvanisierung zur Herstellung der funktionellen Zwischenschicht und der dekorativen Schicht notwendig ist.

[0019] Vorteilhaft kann es gemäß Anspruch 9 jedoch auch sein, wenn die Formteile aus Metall, vorzugsweise aus Magnesium, sind.

[0020] In Anspruch 10 ist ein Abstand zwischen den Bereichen während des galvanischen Aufbringens der dekorativen Schicht angegeben, welcher sich in der Praxis als optimal bewährt hat. Er sollte zwischen 0 und 5 mm liegen.

[0021] Besonders geeignet ist das Verfahren gemäß Anspruch 11 für komplexe Formteile, vorzugsweise für Gehäuseschalen von Mobilfunktelefonen. Eine komplexe Formgebung im Bereich der einander gegenüberliegenden Bereiche verschlechtert den Umgriff und verbessert so das gewünschte Ergebnis.

[0022] Gemäß Anspruch 12 wird der Abstand zwischen den Bereichen während der Galvanisierung dahingehend variiert, daß er während des galvanischen Aufbringens der Zwischenschicht größer ist als während des Aufbringens der dekorativen Schicht. Hierdurch wird sichergestellt, daß die Zwischenschicht auch in diesen Bereichen im erforderlichen Umfang abgeschieden wird.

[0023] Die vorliegende Erfindung betrifft auch ein Verfahren zur Herstellung eines abgeschlossenen Gehäuses aus mindestens zwei Gehäuseteilen mit einer den Spalt zwischen den Gehäuseteilen abdichtenden elektrisch leitenden Dichtung, wobei die Gehäuseteile galvanisiert werden.

[0024] Dieses Verfahren soll so verbessert werden, daß das Innere des Gehäuses besser als bisher gegen elektromagnetische Strahlung abgeschirmt ist.

[0025] Dies wird erfindungsgemäß dadurch erreicht, daß die Galvanisierung der Gehäuseteile durch ein Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12 erfolgt, wobei auf die Bereiche, in denen die Abscheidung der dekorativen Schicht reduziert ist, die elektrisch leitende Dichtung aufgebracht wird.

[0026] Ein solchermaßen hergestelltes Gehäuse weist Basisabschnitte auf, auf denen die elektrisch leitende Dichtung mit sehr geringem Übergangswiderstand angeordnet ist, wodurch eine gute Abschirmung gegenüber elektromagnetischer Strahlung erzielt wird.

[0027] Nun wird die Erfindung mit Bezug auf die beiliegende Zeichnung im Detail beschrieben. In dieser zeigen:

Figur 1:

eine schematische Darstellung eines Ausschnittes aus einer Galvanisierungsanlage;

Figur 2:

einen schematisierten Detailausschnitt aus Figur 1;

Figur 3:

eine teilweise gebrochene Schnittansicht entlang der Linie III-III von Figur 2; und

Figur 4:

einen Schnitt durch einen Verbindungsbereich eines abgeschlossenen Gehäuses.

[0028] In Figur 1 ist eine Galvanisierungsanlage insgesamt mit dem Bezugszeichen 10 versehen. Diese umfaßt einen kontinuierlich arbeitenden Förderer 12, dessen genaues Förderprinzip hier nicht näher interessiert. Die Galvanisierungsanlage 10 umfaßt ferner zwei mit einem Elektrolyt gefüllte Tauchbecken 14 und 16. Die zu galvanisierenden Elemente sind in Figur 1 nur schematisch dargestellt und mit dem Bezugszeichen 18 versehen. Sie hängen über eine nur schematisch dargestellte Aufhängung 17 am Förderer 12.

[0029] Der Förderer 12 ist so ausgebildet, daß die zu galvanisierenden Elemente durch die Bewegung des Förderers 12 in Richtung des Pfeiles 20 zunächst in den Elektrolyten im Tauchbecken 14 vollständig eintauchen. Bei dem in diesem enthaltenen Elektrolyt handelt es sich vorzugsweise um einen nickelhaltigen Elektrolyt 22, mit dem eine funktionelle Zwischenschicht gebildet wird. Anschließend werden die zu galvanisierenden Elemente 18 aus dem nickelhaltigen Elektrolyt 22 herausgehoben und in einen im Tauchbecken 16 vorhandenen Elektrolyt 24 zur Herstellung einer dekorativen äußeren Schicht vollständig abgesenkt. Der Elektrolyt 24 ist im vorliegenden Ausführungsbeispiel chromhaltig. Ein dazwischengeschaltetes Spülbad ist in der Zeichnung aus Übersichtlichkeitsgründen weggelassen. Nach Durchlaufen des chromhaltigen Elektrolyten 24 im Tauchbecken 16 werden die zu galvanisierenden Elemente 18 aus dem chromhaltigen Elektrolyt 24 wieder herausgehoben. Vor und nach den beiden in Figur 1 dargestellten Tauchbecken 14, 16 können weitere (nicht dargestellte) Tauchbecken angeordnet sein, in denen die zu galvanisierenden Elemente chemisch oder galvanisch beschichtet oder bearbeitet werden.

[0030] In den Tauchbecken 14 bzw. 16 sind Elektroden 26 bzw. 28 angeordnet, an denen eine positive Spannung +U anliegt. Die zu galvanisierenden Elemente 18 sind in üblicher Weise über die Aufhängung 17 und einen nicht näher dargestellten Gleitkontakt mit einer Kontaktschiene 30 elektrisch verbunden, an der eine negative Spannung -U anliegt. Auf diese Weise bilden die zu galvanisierenden Elemente eine Kathode, an der sich, wenn sie sich im Elektrolyt 22 oder 24 befinden, Nickel bzw. Chrom abscheidet.

[0031] Zur detaillierten Erläuterung der Aufhängung 17 wird nun auf die Figuren 2 und 3 verwiesen. Die nachfolgend als "Streben" bezeichneten Komponenten sind in Figur 2 der Übersichtlichkeit wegen schematisch als einfache Striche dargestellt.

[0032] Die Aufhängung 17 umfaßt zwei obere Haltestreben 32, 34 und einen Haltekäfig 36, welcher über die Haltestreben 32, 34 mit dem Förderer verbunden ist. In dem Haltekäfig 36 sind die zu galvanisierenden Elemente 18, nämlich zwei Gehäusehalbschalen 38, 40 eines Mobilfunktelefons, in noch zu beschreibender Art und Weise aufgenommen.

[0033] Der Haltekäfig 36 besteht aus zwei Halbelementen 42 bzw. 44. Das in den Figuren 2 und 3 linke Halbelement 42 ist folgendermaßen aufgebaut: Zwei parallel zueinander und in den Figuren 2 und 3 vertikal verlaufende Längsstreben 46, 48 sind an ihren oberen und unteren Enden jeweils durch zu ihnen senkrecht verlaufende Verbindungsstreben 50 bzw. 52 miteinander fest verbunden, so daß ein rechteckiger Rahmen gebildet wird. Der Abstand zwischen den Längsstreben 46 und 48, das heißt die Länge der Verbindungsstreben 50 und 52, entspricht dabei exakt dem horizontalen Abstand zwischen zwei Paaren von Stufenbohrungen in der Gehäusehalbschale 38, welche in Figur 2 gar nicht und von denen in Figur 3 nur die in der Ebene der Längsstrebe 46 liegenden Stufenbohrungen mit den Bezugszeichen 54 und 56 sichtbar sind. Auf die Stufenbohrungen 54 und 56 wird weiter unten nochmals genauer eingegangen.

[0034] An die Längsstreben 46 und 48 sind in rechtem Winkel insgesamt vier Haltezapfen angeformt, von denen in den Figuren 2 und 3 nur jene mit den Bezugszeichen 58 und 60 sichtbar sind. Der Abstand zwischen den oberen und unteren Haltezapfen 58 und 60 entspricht genau dem vertikalen Abstand zwischen den Stufenbohrungen 54 und 56. Die Haltezapfen 58 und 60 sind an ihrem dem Längsgurt 46 bzw. 58 abgewandten Ende gestuft ausgebildet, so daß jeweils ein Absatz 62 bzw. 64 und eine Nase 63 bzw. 65 gebildet wird.

[0035] Am oberen und am unteren Ende der Längsstreben 46 und 48 des linken Halbelements 42 sind in einem rechten Winkel zu den Längsstreben 46 und 48 und zu den Verbindungsstreben 50 und 52 zum anderen Halbelement 44 hin zeigende Verbindungsstege 66 angeformt. In der der jeweiligen Längsstrebe 46 bzw. 48 abgewandten Stirnfläche weisen die Verbindungsstege 66 jeweils ein Sackloch 68 auf.

[0036] Das in Figur 3 rechte Halbelement 44 ist zum linken Halbelement 42 analog aufgebaut: Es umfaßt zwei vertikale Längsstreben 70, 72, welche an ihren oberen und unteren Enden durch Verbindungsstreben 74 und 76 miteinander verbunden sind. An die Längsstreben 70 und 72 sind in rechtem Winkel Haltezapfen 78, 80, 82 und 84 angeformt. Diese sind an ihrem der Gehäusehalbschale 40 zugewandten Ende ebenfalls gestuft ausgebildet, so daß jeweils ein Absatz 86 bzw. 88 und Nasen 87, 89 gebildet werden (die Absätze und die Nasen der Haltezapfen 82 und 84 sind in Figur 3 nicht sichtbar). An ihren oberen und unteren Enden sind an die Längsstreben 70, 72 Verbindungsstege 90 angeformt, welche senkrecht zu den Längsstreben 70, 72 und auch senkrecht zu den Verbindungsstreben 74 und 76 stehen. An die dem Halbelement 42 zugewandte Stirnfläche der Verbindungsstege 90 ist jeweils ein Zapfen 92 angeformt, dessen Durchmesser so bemessen ist, daß er in dem Sackloch 68 des Verbindungssteges 66 des linken Halbelements 42 unter Kraftaufwand lösbar gehalten ist.

[0037] Die Haltestreben 32 und 34 sind jeweils an die Verbindungsstreben 50 bzw. 74 angeformt; sie können jedoch auch mit diesen lösbar verbunden sein. Die Elemente des Haltekäfigs 36 sind aus einem elektrisch leitenden Material hergestellt, ebenso die Haltestreben 32 und 34. Die Oberfläche der Elemente des Haltekäfigs 36 ist mit einer nichtleitenden Kunststoffschicht 94 überzogen, mit Ausnahme der Nasen 63, 65, 87 und 89.

[0038] Die in Figur 3 linke Gehäusehalbschale 38 umfaßt einen rechteckigen Boden 94, an den ein umlaufender und im wesentlichen senkrecht zum Boden 94 verlaufender Rand 96 konstanter Höhe angeformt ist. Der Rand 96 weist einen umlaufenden Bereich 98 mit größerer Wandstärke, welcher dem Boden 94 benachbart ist, und einen umlaufenden Bereich mit geringerer Wandstärke 100 auf, welcher der Kante des Randes 96 benachbart ist. Zwischen den Bereichen 98 und 100 ist eine zum Inneren der Halbschale 38 zeigende Stufe 102 gebildet (vergl. Figur 3). An den Boden 94 sind von innen her insgesamt vier Erweiterungen angeformt, von denen in Figur 3 nur die in der Schnittebene liegenden Erweiterungen 104 und 106 sichtbar sind. In diesen sind die bereits oben erwähnten Stufenbohrungen 54 und 56 vorhanden, welche auch den Boden 94 durchdringen (vergl. Figur 3). Die Stufe (ohne Bezugszeichen) zeigt dabei in Richtung Boden 94.

[0039] Die in Figur 3 rechte Gehäusehalbschale 40 ist ähnlich wie die linke Gehäusehalbschale 38 aufgebaut: Sie umfaßt einen rechteckigen Boden 112, welcher in etwa die gleichen Abmessunge wie der Boden 94 aufweist und an den ein umlaufender und senkrecht stehender Rand 114 konstanter Höhe angeformt ist. Dabei ist der dem Boden 112 benachbarte Bereich 116 des Randes 114 dicker als der dem Boden 112 abgewandte, also der Kante des Randes 114 benachbarte Bereich 118. Zwischen diesen Bereichen wird somit eine radial nach außen zeigende Stufe 120 gebildet, welche komplementär zu der Stufe 102 der linken Gehäusehalbschale 38 ist. An den Boden 112 sind von innen her ebenfalls Erweiterungen angeformt, von denen in Figur 3 nur die in der Schnittebene liegenden Erweiterungen 122 und 124 sichtbar sind. Senkrecht zum Boden 112 sind durch die Erweiterungen 122, 124 durchgehende Stufenbohrungen 126, 128 eingebracht, deren Stufen in Richtung Boden 112 zeigen.

[0040] Die Durchmesser der Nasen 63, 65, 87, 89 und der Bereiche der Stufenbohrungen 108, 110, 126 und 128 mit kleinerem Durchmesser sind so aufeinander abgestimmt, daß die Gehäusehalbschalen 38 und 40 auf den Nasen 63, 65, 87, 89 unter Kraftaufwand lösbar gehalten sind. Im Betriebszustand liegen die Stufen (ohne Bezugszeichen) der Stufenbohrungen 108, 110, 126 und 128 an den Absätzen 62, 64, 86 und 88 an, so daß die Gehäusehalbeschalen 38 und 40 relativ zu den Halbelementen 42, 44 des Haltekäfigs 36 in einem definierten Abstand angeordnet sind. Die Halbelemente 42 und 44 sind wiederum zueinander aufgrund der Verbindungsstege 66 und 90 in einem definierten Abstand angeordnet, so daß insgesamt die Gehäusehalbschalen 38 und 40 eine in Einbaulage definierte Lage zueinander aufweisen. Diese ist so gewählt, daß der Abstand zwischen der Kante des Bereiches 100 des Rands 96 der linken Gehäusehalbschale 38 einen geringen Abstand von der gegenüberliegenden Stufe 120 des Randes 114 der rechten Gehäusehalbschale 40 aufweist. Auch das Ende des Bereiches 118 des Randes 114 der rechten Gehäusehalbschale 40 liegt in geringem Abstand von der Stufe 102 der linken Gehäusehalbschale 38. Die oben genannten Abstände betragen vorzugsweise 1 bis 2 mm. Die Bereiche können jedoch auch aneinander anliegen oder bis ca. 5mm voneinander beabstandet sein.

[0041] Dadurch, daß die Nasen 63, 65, 87 und 89 nach außen hin nicht isoliert sind und sie an den Halbelementen 42 und 44 satt anliegen, wird eine elektrische Verbindung von der Kontaktschiene 30 über die Gleitkontakte (nicht dargestellt), die Haltestrebe 32 und 34, den Haltekäfig 36 zu den beiden Halbelementen 42 und 44 geschaffen.

[0042] Wird die in den Figuren 2 und 3 dargestellte Aufhängung 17 mit den Gehäusehalbschalen 38 und 40 entsprechend Figur 1 zunächst in das nickelhaltige Elektrolyt eingetaucht, werden aufgrund des relativ guten Umgriffes von Nickel alle freiliegenden Oberflächen der Gehäusehalbschalen 38 und 40 mit einer Nickelschicht 130 (vgl. Figur 4) überzogen. Beim in einem weiteren Schritt erfolgenden Eintauchen des Haltekäfigs 36 mit den Gehäusehalbschalen 38 und 40 in den chromhaltigen Elektrolyt 24 werden die frei zugänglichen Bereiche der Gehäusehalbschalen 38 und 40 ebenfalls mit einer Chromschicht 132 überzogen. Die jedoch nur in geringem Abstand voneinander liegenden Bereiche 100 und 120 sowie 102 und 118 der Gehäusehalbschalen 38 und 40 werden vom Chrom aufgrund seines schlechten Umgriffes jedoch nur schlecht erreicht, so daß in diesen Bereichen die Chromschicht 132 relativ dünn oder überhaupt nicht vorhanden ist.

[0043] Figur 4 zeigt ein Detail eines abgeschlossenen Gehäuses, welches aus den beiden Gehäusehalbschalen 38 und 40 zusammengesetzt ist.

[0044] Wie in Figur 4 dargestellt ist, liegt im Verbindungsbereich der beiden Gehäusehalbschalen 38 und 40 die Nickelschicht 130 frei, und auf diese freien Bereiche wurde in einem späteren Arbeitsgang z.B. eine elektromagnetische Dichtung 134 aufgebracht, welche somit mit der aufgebrachten Nickelschicht 130 in direktem Kontakt ist. Als Ergebnis liegt ein nur geringer Übergangswiderstand von der Nickelschicht 130 zur elektromagnetischen Dichtung 134 vor, und die elektromagnetische Abschirmung im Verbindungsbereich zwischen den Teilen Gehäusehalbschalen 38 und 40 ist verbessert.

[0045] Die Gehäusehalbschalen 38 und 40 im vorliegenden Ausführungsbeispiels sind aus Magnesium, auf welches die Zwischenschicht direkt aufgalavanisiert werden kann. In einem nicht dargestellten Ausführungsbeispiel sind die Gehäusehalbschalen aus Kunststoff. Damit auf diesem ein funktionelles Metall, z.B. Nickel, und ein dekoratives Metall, z.B. Chrom, galvanisch aufgetragen werden kann, muß zuvor chemisch eine Kupferschicht und im allgemeinen zusätzlich noch galvanisch eine Kupferschicht aufgebracht werden.

[0046] Im vorliegenden Ausführungsbeispiel waren die Gehäusehalbschalen 38 und 40 während der Nickel-Galvanisierung und der Chrom-Galvanisierung im gleichen Abstand zueinander angeordnet. Das Ergebnis der Nickel-Galvanisierung kann jedoch, insbesondere bei komplexen Formgebungen im Verbindungsbereich der Gehäusehalbschalen, verbessert werden, wenn der Abstand während der Nickel-Galvanisierung größer ist. So könnten z.B. die Halbelemente 42 und 44 des Haltekäfigs 36 während der Nickel-Galvanisierung noch getrennt sein, so daß die Gehäusehalbschalen 38 und 40 einzeln mit Nickel überzogen werden und die Verbindungsbereiche 100, 102, 118, 120 der Gehäusehalbschalen 38 und 40 frei zugänglich sind. Erst vor dem Galvaniseren im Elektrolyten 24 zur Herstellung der dekorativen Schicht (im obigen Ausführungsbeispiel war diese chromhaltig) könnten dann die Halbelemente 42 und 44 des Haltekäfigs 36 zusammengefügt und hierdurch der Abstand zwischen den Bereichen 100, 102, 118 und 120 auf das erforderliche Maß reduziert werden.

Ansprüche

1. Verfahren zum Metallisieren von Formteilen, welches folgende Schritte umfaßt:

a) galvanisches Aufbringen mindestens einer elektrisch leitenden, funktionellen Zwischenschicht mit geringem Übergangswiderstand; und

b) galvanisches Aufbringen einer dekorativen Schicht;
dadurch gekennzeichnet, daß

c) während des galvanischen Aufbringens der dekorativen Schicht einem Bereich (100, 102) des Formteiles (38) ein Bereich (118, 120) eines Gegenelementes (40) in so geringem Abstand gegenüberliegt, daß der galvanische Auftrag in diesem Bereich reduziert ist.

2. Verfahren zum Metallisieren von Formteilen, welches folgende Schritte umfaßt:

a) galvanisches Aufbringen mindestens einer elektrisch leitenden, funktionellen Zwischenschicht mit geringem Übergangswiderstand; und

b) galvanisches Aufbringen einer dekorativen Schicht;
dadurch gekennzeichnet, daß

c) während des galvanischen Aufbringens der dekorativen Schicht an einem Bereich (100, 102) des Formteiles (38) ein Bereich (118, 120) eines Gegenelementes (40) so anliegt, daß der galvanische Auftrag in diesem Bereich reduziert ist.

3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die dekorative Schicht Chrom umfaßt.

4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß es sich bei dem Gegenelement (40) ebenfalls um ein Formteil handelt.

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß es sich bei den einander gegenüberliegenden bzw. aneinander anliegenden Bereichen um zueinander komplementär geformte Verbindungsbereiche (100, 102, 118, 120) handelt.

6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht Nickel umfaßt.

7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Formteile aus Kunststoff sind.

8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Aufbringen der Zwischenschicht das Verfahren folgende Schritte umfaßt:

a) chemisches Aufbringen einer ersten metallischen, vorzugsweise kupferhaltigen Basisschicht; und

b) galvanisches Aufbringen einer zweiten metallischen, vorzugsweise kupferhaltigen Basisschicht.

9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Formteile (38, 40) aus Metall, vorzugsweise aus Magnesium sind.

10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand zwischen den Bereichen während des galvanischen Aufbringens der dekorativen Schicht zwischen 0 und 5 mm liegt.

11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß es sich bei den Formteilen um komplexe Formteile, vorzugsweise Gehäuseschalen (38, 40) für Mobilfunktelefone handelt.

12. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand zwischen den Bereichen während des galvanischen Aufbringens der Zwischenschicht größer ist als während des Aufbringens der dekorativen Schicht.

13. Verfahren zur Herstellung eines abgeschlossenen Gehäuses aus mindestens zwei Gehäuseteilen mit einer den Spalt zwischen den Gehäuseteilen abdichtenden leitenden Dichtung, dadurch gekennzeichnet, daß die Galvanisierung der Gehäuseteile (38, 40) durch ein Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12 erfolgt, wobei auf die Bereiche, in denen die Abscheidung der dekorativen Schicht (132) reduziert ist, die elektrisch leitende Dichtung (134) aufgebracht wird.

Zeichnung