(19) |
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(11) |
EP 1 726 063 B1 |
(12) |
EUROPÄISCHE PATENTSCHRIFT |
(45) |
Hinweis auf die Patenterteilung: |
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04.07.2007 Patentblatt 2007/27 |
(22) |
Anmeldetag: 16.03.2005 |
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(51) |
Internationale Patentklassifikation (IPC):
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(86) |
Internationale Anmeldenummer: |
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PCT/EP2005/003303 |
(87) |
Internationale Veröffentlichungsnummer: |
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WO 2005/091438 (29.09.2005 Gazette 2005/39) |
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(54) |
MIKROWELLENANTENNE FÜR IN FLIP-CHIP-TECHNOLOGIE HERGESTELLTE HALBLEITERBAUGRUPPEN
MICROWAVE ANTENNA FOR FLIP-CHIP SEMICONDUCTOR MODULES
ANTENNE A MICRO-ONDES DESTINEE A DES MODULES A SEMICONDUCTEURS A PUCES RETOURNEES
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(84) |
Benannte Vertragsstaaten: |
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AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LI LT LU MC NL PL PT RO SE SI
SK TR |
(30) |
Priorität: |
19.03.2004 DE 102004014018
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(43) |
Veröffentlichungstag der Anmeldung: |
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29.11.2006 Patentblatt 2006/48 |
(73) |
Patentinhaber: Forschungsverbund Berlin e.V. |
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12489 Berlin (DE) |
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(72) |
Erfinder: |
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- HEINRICH, Wolfgang
14129 Berlin (DE)
- TALUKDER, Prodyut
12353 Berlin (DE)
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(74) |
Vertreter: Hengelhaupt, Jürgen et al |
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Anwaltskanzlei
Gulde Hengelhaupt Ziebig & Schneider
Wallstrasse 58/59 10179 Berlin 10179 Berlin (DE) |
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Entgegenhaltungen: :
EP-A- 1 258 948
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US-A1- 2002 145 566
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- LUBECKE V M ET AL: "MICROMACHINING FOR TERAHERTZ APPLICATIONS" IEEE TRANSACTIONS ON
MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES, IEEE INC. NEW YORK, US, Bd. 46, Nr. 11, PART 2, November
1998 (1998-11), Seiten 1821-1831, XP000785371 ISSN: 0018-9480
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Anmerkung: Innerhalb von neun Monaten nach der Bekanntmachung des Hinweises auf die
Erteilung des europäischen Patents kann jedermann beim Europäischen Patentamt gegen
das erteilte europäischen Patent Einspruch einlegen. Der Einspruch ist schriftlich
einzureichen und zu begründen. Er gilt erst als eingelegt, wenn die Einspruchsgebühr
entrichtet worden ist. (Art. 99(1) Europäisches Patentübereinkommen). |
[0001] Die Erfindung betrifft eine Mikrowellenantenne für in Flip-Chip-Technologie hergestellte
Halbleiterbaugruppen mit zwei an ihrer Oberfläche metallisierten Halbleitersubstraten.
[0002] In Flip-Chip-Technologie realisierte Schaltungen sind weithin bekannt. Bei der Flip-Chip-Technologie
werden in zwei Ebenen übereinander liegende Halbleitersubstrate miteinander verbunden.
Beispielsweise kann ein Halbleiterchip mit einem Träger oder einem Grundsubstrat verbunden
werden. Zur Verbindung der beiden Schaltungseinheiten werden anstelle von Drahtbonds
sogenannte Bumps (Löt- oder hart plattierte Höcker) verwendet. Beispielsweise wird
bei sogenannten Ball Bumps ein Draht an eines der Substrate angebondet und anschließend
abgeschmolzen oder abgerissen. Dadurch entsteht eine elektrisch leitende Erhöhung
(Höcker), die sich beim Aufeinandersetzen der beiden Substrate mit einer Kontaktstelle
der gegenüberliegenden Seite, zum Beispiel durch Thermokompression, verbinden lässt.
[0003] Auf den Substraten sind üblicherweise monolithisch integrierte Schaltungen aufgebaut,
wobei die Bumps zur elektrischen Verbindung der Schaltungselemente dienen. Einzelne
Bumps können jedoch auch allein aus Gründen der Abstandshalterung der beiden Substrate
vorgesehen sein. Auch zur thermischen Ableitung werden die Bumps gern benutzt. Eine
Flip-Chip-Baugruppe kann mit einer eigenen Sende- und/oder Empfangsantenne und gegebenenfalls
mit einer eigenen Stromversorgung ausgerüstet werden, so dass autarke Sende/Empfangsbaugruppen
entstehen. Bekannt sind sogenannte Patch-Antennen, das heißt metallisierte, von der
übrigen Schaltung isolierte flächige Bereiche auf einer äußeren Oberfläche einer solchen
Baugruppe mit einer Zuleitung zur Schaltung. Die Zuleitung kann gegebenenfalls durch
eine vertikale Durchkontaktierung ("via") durch eines der Substrate realisiert werden.
[0004] Aus
DE 691 18 060 T2 ist zum Beispiel ein Mikrowellen-Radar-Sender/Empfänger in Flip-Chip-Technologie
auf der Grundlage eines monolithisch integrierten Mikrowellen-Schaltkreises (MMIC)
bekannt, der zum Senden und Empfangen eines Nahbereichs-Radarsignals mit einer solchen
Patch-Antenne ausgerüstet ist. Allgemeinere Erläuterungen zu Patch-Antennen finden
sich in
R. E. Munson, Conformed Microstrip Antennas and Microstrip Phases arrays, IEEE Transactions
on Antennas and Propagation, Vol. 22, 1975 pp. 74-78 oder in
J.-F. Zürcher, F. E. Gardiol, Broadband Patch Antennas, Boston, Artech House Inc.,
1995.
[0005] Aus
US2002/0145566A1 ist eine Antenne vom Type Halbwellendipol bekannt, welche auf einem Halbleiter-Chip
integriert ist und die den Oberbegriff des Anspruchs 1 bildet.
[0006] Die bekannten Antennen haben die Eigenschaft, dass sie eine vertikale Abstrahlung
in einem relativ großen Winkel bewirken. Für bestimmte Anwendungen ist jedoch auch
eine laterale Abstrahlung bzw. Empfang oder eine Rundum-Abstrahlung wünschenswert.
[0007] Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Mikrowellenantenne der eingangs genannten
Art anzugeben, die auch eine laterale oder eine Rundum-Abstrahlung bzw. -empfang erlaubt.
[0008] Erfindungsgemäß wird die Aufgabe gelöst durch die Merkmale des Anspruchs 1. Zweckmäßige
Ausgestaltungen sind Gegenstand der Unteransprüche.
[0009] Danach sind zwischen den an ihrer Oberfläche metallisierten Halbleitersubstraten
ein geschlossener Zug von Bumps so angeordnet, dass der Abstand der Bumps zueinander
kleiner ist als die halbe Wellenlänge des abzustrahlenden oder zu empfangenden Mikrowellen-Signals
und an mindestens einem Seitenwandpaar der Halbleitersubstrate ein offener Abstrahlschlitz
entsteht und dass zwischen den Bumps und dem Abstrahlschlitz ein mit der Schaltung
der Halbleiterbaugruppe verbundener Bump angeordnet ist, über den die Anregung der
Mikrowellenantenne erfolgt.
[0010] Es entsteht mit den Bumps eine Parallelplatten-Leitungsstruktur mit einer lateralen
Schlitzöffnung. Diese Schlitzöffnung hat eine Höhe, die der Höhe der Bumps entspricht.
[0011] Der Abstrahlschlitz hat zweckmäßig eine Länge wie etwa die halbe Wellenlänge des
abzustrahlenden oder zu empfangenden Mikrowellen-Signals. Die Höhe der Bumps sollte
wesentlich kleiner sein als die Wellenlänge des abzustrahlenden oder zu empfangenden
Mikrowellen-Signals.
[0012] Die Anordnung der Bumps zusammen mit dem Abstrahlschlitz erfolgt bevorzugt in der
Weise, dass sich im wesentlichen eine Dreieckform des Antennenraumes ergibt.
[0013] Zu Erhöhung der lateralen Richtwirkung der Mikrowellenantenne sind die Seitenwände
der Halbleitersubstrate im Bereich des Abstrahlschlitzes bevorzugt mindestens teilweise
metallisiert.
[0014] Die Mikrowellenantenne ermöglicht die Realisierung von lateral gerichtet strahlenden
Antennen mit Hilfe der gängigen planaren Aufbautechniken. Mit den bei planaren Aufbauten
üblichen Patch-Antennen war dies bisher nur in vertikaler Richtung möglich. Die Ausdehnung
der Mikrowellenantenne beträgt dabei nur eine halbe Wellenlänge. Sie ist daher besonders
für den Frequenzbereich zwischen 10 und 150 GHz geeignet und ermöglicht den Aufbau
miniaturisierter integrierter Richtstrahler.
[0015] Ein weiterer Vorteil der erfindungsgemäßen Mikrowellenantenne ist, dass auf der äußeren
Oberfläche der Baugruppe nur wenig Fläche für eine Antenne belegt werden muss.
[0016] Bei einer Anordnung von mehreren Mikrowellenantennen auf den Halbleitersubstraten
kann ein Abstrahlwinkel von bis zu 360° erreicht werden. Die Mikrowellenantenne hat
gegenüber den bisherigen Patch-Antennen außerdem den besonderen Vorteil, dass sie
gleichzeitig als Filter genutzt werden kann, da der Bump, über den die Anregung der
Mikrowellenantenne erfolgt, so positioniert werden kann, dass die Mikrowellenantenne
nur für die Resonanzfrequenz eine Impedanzanpassung aufweist.
[0017] In Kombination mit einer bzw. mehreren Patch-Antennen lässt sich mit der erfindungsgemäßen
Mikrowellenantenne vorteilhaft eine Rundum-Abstrahlung in alle Raumrichtungen erreichen.
[0018] Der Aufbau einer Baugruppe mit einer erfindungsgemäßen Mikrowellenantenne erfolgt
nach der üblichen Flip-Chip-Technologie. Die Substrate werden mit Hilfe eines koplanaren
MMIC-Prozesses (MMIC = Microwave Monolithic Integrated Circuits) hergestellt, entweder
nur als Metallisierungen oder gegebenenfalls als Schaltungen. Im Rahmen der Rückseitenprozessierung
werden zweckmäßig die Metallisierung der Seitenwände als Via-Zäune an den Rändern
sowie die benötigten elektrischen Verbindungen von Vorder- und Rückseite als Vias
realisiert. Anschließend erfolgt das Aufbringen der Bumps auf einem der Substrate
und die Vereinzelung der Wafer zu Chips sowie schließlich das Flip-Chip-Bonden der
beiden Chips (Substrate).
[0019] Mit einem Aufbau gemäß der Erfindung lassen sich Halbleiterbaugruppen herstellen
zum Beispiel für Nahfeld-Radarsysteme und andere Sensoren, Mikromodul-Etiketten sowie
alle Arten von Chipkarten und ähnlichen Systemen, auch Einwegartikel, die über eine
geringe Distanz im Gigahertzbereich kommunizieren. Eine Kombination mit den bisher
üblichen Patch-Antennen ist ebenfalls möglich, so dass sich insgesamt eine kugelförmige
Abstrahlung erreichen lässt.
[0020] Die Erfindung soll nachstehend anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert werden.
In den zugehörigen Zeichnungen zeigen
- Figur 1
- eine Seitenansicht einer Flip-Chip-Baugruppe mit einer erfindungsgemäßen Mikrowellenantenne,
- Figur 2
- eine Schnittansicht der Ebene A-A' in Figur 1 mit den erfindungsgemäßen Bump-Reihen
und einer typischen Anregungsstelle E/A,
- Figur 3
- eine Schnittansicht der Ebene B-B' in Figur 2 und
- Figur 4
- eine Darstellung gemäß Figur 2 für den Fall einer Vier-Sektoren-Antenne.
[0021] Figur 1 zeigt eine Seitenansicht einer Flip-Chip-Baugruppe mit einer erfindungsgemäßen
Mikrowellenantenne. Die Antenne wird durch die Flip-Chip-Montage zweier an der Oberfläche
metallisierter Substrate a und b realisiert (Metallisierung 1). Dabei kann es sich
auch um Halbleitersubstrate mit integrierten Schaltungen handeln. Wie bei der Flip-Chip-Technik
üblich, werden die beiden Substrate a und b mit den Oberflächen zueinander durch Bumps
2 verbunden. Es entsteht so eine Parallelplatten-Leitungsstruktur mit einer lateralen
Schlitzöffnung der Schlitzlänge d zwischen den Substraten a und b. Diese Schlitzöffnung
hat eine Höhe h, die der Höhe h der Bumps 2 entspricht. Typischerweise beträgt die
Höhe h 50...100 µm und ist damit deutlich kleiner als die Freiraumwellenlänge λ
0 für einen Frequenzbereich von 10 bis 150 GHz. Die Seitenwände 3 und 4 der Substrate
a und b sollten zur Erzielung der lateralen Richtwirkung gut leitend sein. Sie sind
deshalb mit einer Metallisierung 5 versehen, die hier als durchgehend angedeutet ist,
die aber zweckmäßig auch durch Via-Zäune am Rand der Substrate a und b realisiert
sein kann. Die gesamte Höhe des Schichtstapels d
a+d
b+h (d
a, d
b = Dicke der Substrate a, b) sollte nicht kleiner als ein Zehntel der Freiraumwellenlänge
λ
0 sein.
[0022] Figur 2 zeigt einen Schnitt in der Ebene A-A' in Figur 1, das heißt in der Antennenebene,
Figur 3 einen Schnitt durch die Symmetrieebene B-B' in Figur 2. Die Mikrowellenantenne
besteht aus einem dreieckförmigen Hohlraum, gebildet durch die entsprechend angeordneten
Bumps 2 zwischen den beiden Substraten a und b. An der vorderen, langen Seite ist
der Hohlraum zur Abstrahlung offen (Schlitzlänge d), an den anderen beiden Seiten
ist er durch jeweils eine Reihe von Bumps 2 geschirmt. Der Abstand der Bumps 2 ist
kleiner als die halbe Freiraumwellenlänge λ
0/2. Die Schlitzlänge d muss etwa die halbe Freiraumwellenlänge λ
0/2 betragen. Die Antennenanordnung ähnelt einem Hornstrahler, wirkt aber wegen der
geringen Höhe h und den leitenden Seitenwände 3 und 4 eher als Schlitzantenne.
[0023] Die Anregung der Antenne, das heißt die Signaleinspeisung im Sende- bzw. das Ausgangstor
im Empfangsfall, erfolgt lokal zwischen den beiden Substraten a und b mit einem E/A-Bump
6. Gegebenfalls kann dieser E/A-Bump 6 direkt mit einer auf dem Substrat a und/oder
b integrierten koplanaren Frontend-Schaltung verbunden werden, was die Zuführungsverluste
minimiert. Da eine koplanare Schaltung miteinander verbundene Masseflächen aufweist
und im allgemeinen nur einen kleinen Bereich des dreieckigen Antennenraumes einnimmt,
führt dies nur zu kleinen Veränderungen im Antennenverhalten.
[0024] Die gezeigte Mikrowellenantenne arbeitet als Hohlraumresonator, der durch die Abstrahlung
bedämpft wird. Diese Eigenschaft kann zur schmalbandigen Transformation genutzt werden,
indem die Position des E/A-Bumps 6 optimiert wird. Dadurch erhält man gleichzeitig
eine Filterwirkung: Alle Frequenzen außerhalb der Resonanzfrequenz sind schlecht angepasst
und werden deshalb gedämpft. Die Resonanzfrequenz ist im wesentlichen durch die Abmessungen
des durch die Bumps 2 gebildeten Dreiecks gegeben.
[0025] Die Struktur gemäß den Figuren 1 bis 3 kann zu einer Vier-Sektorenantenne vervollständigt
werden, die, wie in Figur 4 gezeigt ist, dann einen 360°-Bereich abdeckt.
[0026] In einer konkreten Ausführungsform für eine 24 GHz-Antenne wurden die Substrate a
und b als Galliumarsenid(GaAs)-Substrat (Substrate a und b jeweils 625 µm dick) mit
Goldmetallisierung ausgeführt. Die Schlitzlänge d betrug 12,5 mm. Die leitenden Seitenwände
3, 4 wurden mit Hilfe von Via-Ketten realisiert (Durchmesser 400 µm, 1 mm Pitch (Abstand
der Mittelpunkte)). Die Bumps 2 wurden als Gold-Zinn(AuSn)-Bumps ausgeführt mit einem
Durchmesser von ca. 80 µm, die Chips wurden flip-chip-gelötet mit einer resultierenden
Höhe h von ca. 80 µm. Die Frontend-Schaltungen wurden koplanar innerhalb eines dreieckförmigen
Antennenraums angeordnet (z.B. auf dem Substrat a). Die Anregung der Antenne erfolgte
über einen E/A-Bump 6, der das Frontend mit der Metallisierung 1 auf dem Substrat
b verbindet. Der Zwischenfrequenz- oder Basisbandausgang der Frontend-Schaltungen
wurde mittels Vias zur Rückseite des Substrats a ausgeführt.
Bezugszeichenliste
[0027]
- 1
- Metallisierung
- 2
- Bump
- 3
- Seitenwand
- 4
- Seitenwand
- 5
- Metallisierung
- 6
- E/A-Bump
- a, b
- Substrat
- d
- Schlitzlänge
- h
- Höhe
- da
- Dicke (des Substrats a)
- db
- Dicke (des Substrats b)
- λ0
- Freiraumwellenlänge
1. Mikrowellenantenne für in Flip-Chip-Technologie hergestellte Halbleiterbaugruppen,
mit zwei an ihrer Oberfläche metallisierten Halbleitersubstraten (a, b),
dadurch gekennzeichnet, dass die beiden Substrate durch einen geschlossenen Zug von Bumps zwischen den metallisierten
Oberflächen verbunden sind, wobei der Abstand der Bumps (2) zueinander kleiner ist
als die halbe Wellenlänge (λ0/2) des abzustrahlenden oder zu empfangenden Mikrowellen-Signals und an mindestens
einem Seitenwandpaar (3, 4) der Halbleitersubstrate (a, b) ein offener Abstrahlschlitz
entsteht und dass zwischen den Bumps (2) und dem Abstrahlschlitz ein mit der Schaltung
der Halbleiterbaugruppe verbundener Bump (6) angeordnet ist, über den die Anregung
der Mikrowellenantenne erfolgt.
2. Mikrowellenantenne nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Anordnung der Bumps (2) zusammen mit dem Abstrahlschlitz im wesentlichen eine
Dreieckform ergibt.
3. Mikrowellenantenne nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Schlitzlänge (d) des Abstrahlschlitzes etwa die halbe Wellenlänge (λ0/2) des abzustrahlenden oder zu empfangenden Mikrowellen-Signals beträgt.
4. Mikrowellenantenne nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Höhe (h) der Bumps (2) wesentlich kleiner ist als die Wellenlänge (λ0) des abzustrahlenden oder zu empfangenden Mikrowellen-Signals.
5. Mikrowellenantenne nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Bauhöhe der Halbleiterbaugruppe größer als ein Zehntel der Wellenlänge (λ0) des abzustrahlenden oder zu empfangenden Mikrowellen-Signals ist.
6. Mikrowellenantenne nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Seitenwände (3, 4) der Halbleitersubstrate im Bereich des Abstrahlschlitzes mindestens
teilweise mit einer Metallisierung (5) versehen sind.
7. Mikrowellenantenne nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Bump (6), über den die Anregung der Mikrowellenantenne erfolgt, so positioniert
ist, dass die Mikrowellenantenne bei der Resonanzfrequenz impedanzangepasst ist.
8. Mikrowellenantenne nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass auf mindestens einem der Halbleitersubstrate (a, b) im Bereich des durch die Bumps
(2) und den Abstrahlschlitz aufgemachten Antennenraumes eine monolithisch integrierte
Schaltung aufgebaut ist.
9. Mikrowellenantenne nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen den Halbleitersubstraten (a, b) Bumps (2) in einer kreuzförmigen Anordnung
eingebracht sind, so dass eine Vier-Sektoren-Antenne entsteht.
10. Mikrowellenantenne nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallisierung (5) der Seitenwände der Halbleitersubstrate durch Via-Ketten realisiert
ist.
1. Microwave antenna for semiconductor modules manufactured in flip-chip technology with
two semiconductor substrates metallized on their surface (a, b), wherein the both
substrates are connected by a closed set of bumps between the metallized surfaces
wherein the distance between the bumps (2) is less than half the wavelength (λ0/2) of the microwave signal to be radiated or to be received, and, in at least one
pair of side walls (3, 4) of the semiconductor substrates (a, b), an open radiation
slot arises, and that, between the bumps (2) and the radiation slot, a bump (6) connected
with the circuitry of the semiconductor module, is arranged, by means of which the
excitation of the microwave antenna takes place.
2. Microwave antenna according to Claim 1, wherein the arrangement of the bumps (2) together
with the radiation slot basically produces a triangular shape.
3. Microwave antenna according to Claim 1 or 2, wherein the slot length (d) of the radiation
slot amounts to approximately half the free space wavelength λ0/2 of the microwave signal to be radiated or to be received.
4. Microwave antenna according to any of the previous claims, wherein the height (h)
of the bumps (2) is significantly smaller than the wavelength λ0 of the microwave signal to be radiated or to be received.
5. Microwave antenna according to any of the previous claims, wherein the construction
height of the semiconductor module is more than one-tenth of the wavelength λ0 of the microwave signal to be radiated or to be received.
6. Microwave antenna according to any of the previous claims, wherein the side walls
(3, 4) of the semiconductor module, in the area of the radiation slot, are at least
partially provided with metallization (5).
7. Microwave antenna according to any of the previous claims, wherein the bump (6) by
means of which the excitation of the microwave antenna takes place is positioned in
such a way that the microwave antenna exhibits an impedance adjustment for the resonance
frequency.
8. Microwave antenna according to any of the previous claims, wherein, on at least one
of the semiconductor substrates (a, b), in the vicinity of the antenna area composed
by the bumps (2) and the radiation slot, a monolithically integrated circuit is constructed.
9. Microwave antenna according to any of the previous claims, wherein, between the semiconductor
substrates (a, b), bumps (2) are arranged in the shape of a cross, so that a four-sector
antenna is created.
10. Microwave antenna according to any of the previous claims, wherein the metallization
(5) of the side walls of the semiconductor substrates is implemented by means of via
chains.
1. Antenne à micro-ondes destinée à des modules à semi-conducteurs à puces retournées,
comportant deux substrats semi-conducteurs (a, b) dont la surface est métallisée,
caractérisée en ce que les deux substrats sont reliés par une chaîne fermée de bosses disposée entre les
surfaces métallisées, l'écart entre les bosses (2) étant inférieur à la demi-longueur
d'onde (λ0/2) du signal micro-ondes à émettre ou à recevoir, et une fente de rayonnement ouverte
étant créée dans au moins une paire de parois latérales (3, 4) des substrats semi-conducteurs
(a, b), et en ce qu'une bosse (6) connectée au circuit du module à semi-conducteurs est disposée entre
les bosses (2) et la fente de rayonnement, l'excitation de l'antenne à micro-ondes
étant réalisée par ladite bosse (6).
2. Antenne à micro-ondes selon la revendication 1, caractérisée en ce que la disposition des bosses (2) et la fente de rayonnement forment, pour l'essentiel,
une forme triangulaire.
3. Antenne à micro-ondes selon la revendication 1 ou 2, caractérisée en ce que la longueur (d) de la fente de rayonnement est approximativement la demi-longueur
d'onde (λ0/2) du signal micro-ondes à émettre ou à recevoir.
4. Antenne à micro-ondes selon l'une des revendications précédentes, caractérisée en ce que la hauteur (h) des bosses (2) est très inférieure à la longueur d'onde (λ0) du signal micro-ondes à émettre ou à recevoir.
5. Antenne à micro-ondes selon l'une des revendications précédentes, caractérisée en ce que la hauteur de construction du module à semi-conducteurs est supérieure à un dixième
de la longueur d'onde (λ0) du signal micro-ondes à émettre ou à recevoir.
6. Antenne à micro-ondes selon l'une des revendications précédentes, caractérisée en ce que les parois latérales (3, 4) des substrats semi-conducteurs sont pourvues au moins
partiellement d'une métallisation (5) dans la région de la fente de rayonnement.
7. Antenne à micro-ondes selon l'une des revendications précédentes, caractérisée en ce que la bosse (6) par laquelle est réalisée l'excitation de l'antenne à micro-ondes est
positionnée de telle manière que l'antenne à micro-ondes présente une adaptation d'impédance
pour la fréquence de résonance.
8. Antenne à micro-ondes selon l'une des revendications précédentes, caractérisée en ce qu'un circuit intégré monolithique est construit sur au moins l'un des substrats semi-conducteurs
(a, b) dans la région de l'espace d'antenne créé par les bosses (2) et la fente de
rayonnement.
9. Antenne à micro-ondes selon l'une des revendications précédentes, caractérisée en ce que des bosses (2) sont introduites entre les substrats semi-conducteurs (a, b) et y
sont disposées de manière cruciforme, de sorte qu'une antenne à quatre secteurs est
réalisée.
10. Antenne à micro-ondes selon l'une des revendications précédentes, caractérisée en ce que la métallisation (5) des parois latérales des substrats semi-conducteurs est réalisée
par des chaînes de vias.
IN DER BESCHREIBUNG AUFGEFÜHRTE DOKUMENTE
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In der Beschreibung aufgeführte Patentdokumente
In der Beschreibung aufgeführte Nicht-Patentliteratur
- R. E. MUNSONConformed Microstrip Antennas and Microstrip Phases arraysIEEE Transactions on Antennas
and Propagation, 1975, vol. 22, 74-78 [0004]
- J.-F. ZÜRCHERF. E. GARDIOLBroadband Patch AntennasArtech House Inc.19950000 [0004]