[0001] Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Aktivierung von Titanoberflächen
für das nachfolgende Plattieren mit metallischen Oberzügen.
[0002] Bisher läßt sich Titan wegen seiner ausgeprägten Passivierungsneigung nur mit sehr
aufwendigen Vorbehandlungen mit einer selbst dann meist nicht ausreichenden Haftfestigkeit
plattieren.
[0003] Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es deshalb, ein gattungsgemäßes Verfahren
anzugeben, nach dem Titanoberflächen so vorbehandelt werden können, daß sie sowohl
für das Elektroplattieren als auch für das Stromlosplattieren bleibend aktiviert sind,
wobei es sich um ein Verfahren handeln soll, das sowohl, was die gesamt notwendige
Verfahrensdauer als auch die Durchfürung der einzelnen Verfahrensschritte anlangt,
so einfach ist, daß es sich für eine Serienanwendung eignet.
[0004] Zur Lösung dieser Aufgabe wird ein Verfahren mit den Verfahrensschritten gemäß dem
Kennzeichnungsteil des Patentanspruchs 1 vorgeschlagen.
[0005] Eine besonders nachhaltige Aktivierung ist dann erzielbar, wenn in der Lösung zur
Aktivierung der Oberfläche die Bestandteile Antimon bzw. Arsen, Fluorid und Chrom
in folgenden Molverhältnissen vorliegen:
7 * F/Sb ≧ 6
6 ≧ Cr/Sb ≧ 3
[0006] Innerhalb dieser Grenzen könnte im Rahmen eines Ausführungsbeispiels eine sehr gute
Aktivierung bei folgenden Molkonzentrationen erzielt werden:

[0007] Obwohl die Konzentration von Antimon bzw. Arsen in der Aktivierungslösung für die
erzielbaren Ergebnisse weniger von Bedeutung ist, ist vorteilhafterweise die Antimon-
bzw. Arsenkonzentration zwischen 0,1 und 2,0 Mol/1 zu wählen. Weitere vorteilhafte
Ausgestaltungen dieses Verfahrens sind in den Unteransprüchen 4 bis 6 angegeben.
[0008] Es zeigt sich, daß bei Anwendung dieses Verfahrens Metallschichten auf Titanoberflächen
besonders haftfest abgeschieden werden können, wobei Haftfestigkeiten > 70 N/mm
2 erreichbar sind. Besonders vorteilhaft bei dem erfindungsgemäßen Verfahren ist die
Tatsache, daß nach Durchführung der Verfahrensschritte die Aktivierung der Titanoberfläche
über mehrere Tage erhalten bleibt. Ein weiterer Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens
besteht darin, daß eine Wärmebehandlung zur Haftungsverbesserung nach dem Plattieren
nicht mehr erforderlich ist. Vielmehr können alle Verfahrensschritte in Temperaturbereichen
unter 60 °C durchgeführt werden, wodurch das zum selektiven Plattieren erforderliche
Abdecken mit Wachs möglich ist. Hierdurch läßt sich das selektive Plattieren ganz
erheblich vereinfachen. Schließlich besteht ein weiterer Vorteil des erfindungsgemäßen
Verfahrens darin, daß eine Wasserstoffaufnahme des Grundwerkstoffes ausgeschlossen
ist.
1. Verfahren zur Aktivierung von Titanoberflächen für das nachfolgende Plattieren
mit metallischen Überzügen, gekennzeichnet durch folgende Verfahrensschritte:
a) Naßstrahlen der Oberfläche mit feinkörnigem A1203
b) Beizen der Oberfläche mit einer fluoridhaltigen Lösung während einer Dauer von
wenigen Minuten bei Raumtemperatur,
c) Aktivieren der Oberfläche mit einer Lösung aus Chromsäure, Flußsäure, Arsen- oder
Antimonverbindungen bei Temperaturen von 35 bis 100 °C und während einer Dauer von
15 bis 50 Minuten.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Lösung zur Aktivierung
der Oberfläche die - Bestandteile Antimon bzw. Arsen, Fluorid und Chrom in folgenden
Molverhältnissen 7 ≧ F/Sb ≧ 6 6 ≧ Cr/Sb ≧ 3 aufweist.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Lösung
zur Aktivierung der Oberfläche eine Antimon- bzw. Arsenkonzentration von 0,1 ≦ Sb
≦ 2,0 Mol/1 enthält.
4. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß für die Aktivierungslösung
Arsen oder Antimon als Oxid-, Säure-, Fluorid-oder Fluorkomplex-Verbindung verwendet
wird.
5. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das fluoridhaltige
Beizmittel eine Salpetersäure/Flußsäurelösung ist.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Konzentration des Beizmittels
beträgt: 400 g/1 HN03 und 5 g/1 HF.