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<ep-patent-document id="EP83401658B1" file="EP83401658NWB1.xml" lang="fr" country="EP" doc-number="0103504" kind="B1" date-publ="19870121" status="n" dtd-version="ep-patent-document-v1-1">
<SDOBI lang="fr"><B000><eptags><B001EP>....CHDE......GB..ITLI............................</B001EP><B005EP>J</B005EP><B007EP>DIM360   - Ver 2.5 (21 Aug 1997)
 2100000/1 2100000/2</B007EP></eptags></B000><B100><B110>0103504</B110><B120><B121>FASCICULE DE BREVET EUROPEEN</B121></B120><B130>B1</B130><B140><date>19870121</date></B140><B190>EP</B190></B100><B200><B210>83401658.6</B210><B220><date>19830812</date></B220><B240></B240><B250>fr</B250><B251EP>fr</B251EP><B260>fr</B260></B200><B300><B310>8215327</B310><B320><date>19820910</date></B320><B330><ctry>FR</ctry></B330></B300><B400><B405><date>19870121</date><bnum>198704</bnum></B405><B430><date>19840321</date><bnum>198412</bnum></B430><B450><date>19870121</date><bnum>198704</bnum></B450><B451EP><date>19860320</date></B451EP></B400><B500><B510><B516>4</B516><B511> 4G 05F   3/18   A</B511></B510><B540><B541>de</B541><B542>Stromreglervorrichtung mit Ballasttransistor ausgerüstet mit einem zusätzlichen Transistor zum Begrenzen des Verlustleistungsmittelwertes im Ballasttransistor</B542><B541>en</B541><B542>Current regulator apparatus with ballast transistor provided with a supplemental transistor to limit the average power dissipation of the ballast transistor</B542><B541>fr</B541><B542>Montage régulateur de courant à transistor ballast muni d'un transistor accessoire destiné à limiter la puissance moyenne dissipée dans le transistor ballast</B542></B540><B560></B560></B500><B700><B710><B711><snm>TELEMECANIQUE</snm><iid>00375912</iid><syn>288801-02-03-04-05-06-07</syn><adr><str>43-45 boulevard Franklin Roosevelt</str><city>92504 Rueil Malmaison Cedex</city><ctry>FR</ctry></adr></B711></B710><B720><B721><snm>Macias, Jean-Marc</snm><adr><str>44, rue Jean Bouillaud</str><city>F-16340 l'Isle d'Espagnac</city><ctry>FR</ctry></adr></B721></B720><B740><B741><snm>Marquer, Francis</snm><iid>00017160</iid><adr><str>35, avenue Victor Hugo
Résidence Chamfleury</str><city>F-78180 Voisins-le-Bretonneux</city><ctry>FR</ctry></adr></B741></B740></B700><B800><B840><ctry>CH</ctry><ctry>DE</ctry><ctry>GB</ctry><ctry>IT</ctry><ctry>LI</ctry></B840><B880><date>19840321</date><bnum>198412</bnum></B880></B800></SDOBI><!-- EPO <DP n="1"> --><!-- EPO <DP n="2"> -->
<description id="desc" lang="fr">
<p id="p0001" num="0001">L'invention a pour objet un montage régulateur de courant à transistor ballast muni d'un transistor accessoire destiné à limiter la puissance dissipée dans le transistor ballast. Dans un dispositif traditionnel générateur de courant comportant un transistor « ballast de régulation, lorsque la tension d'alimentation est une tension alternative redressée, la puissance dissipée dans le transistor ballast, donc l'échauffement subi par celui-ci, sont proportionnels à la valeur de crête de la tension d'alimentation et cet échauffement peut donc devenir excessif lorsque ladite tension prend des valeurs relativement élevées, supérieures à 100 volts par exemple.</p>
<p id="p0002" num="0002">Un premier objet de l'invention est un montage régulateur de courant à transistor ballast exempt de cet inconvénient et dans lequel le transistor ballast exempt de cet inconvénient et dans lequel le transistor ballast est protégé, par suppression du courant qui le traverse dès que la tension d'alimentation dépasse une certaine valeur de crête.</p>
<p id="p0003" num="0003">Suivant un premier aspect de l'invention, ce résultat est obtenu grâce à un montage comportant un transistor ballast dont la base est polarisée par un circuit de référence comprenant une diode de Zener et alimenté à partir de la source d'alimentation alternative redressée, caractérisé par un transistor auxiliaire connecté en série avec le transistor ballast et dont la base est polarisée par un diviseur de tension branché entre les deux bornes de la source d'alimentation.</p>
<p id="p0004" num="0004">Dès que la tension de polarisation de base dudit transistor auxiliaire, qui dépend de la valeur de crête de la tension d'alimentation, dépasse sa tension d'émetteur, fixée par le circuit de référence, les deux transistors sont bloqués. Toutefois, si la tension de référence est constante, le courant de crête l'est également, si bien que le courant moyen est finalement une fonction décroissante de la tension d'alimentation. Or il peut être souhaitable de rendre le courant moyen constant ou, tout au moins, de pouvoir en maîtriser la loi de variation en fonction de la tension d'alimentation.</p>
<p id="p0005" num="0005">Un autre objet de l'invention est un montage apte à obtenir un tel résultat.</p>
<p id="p0006" num="0006">A titre d'exemple d'application d'un tel montage, on peut citer l'alimentation d'un voyant lumineux à diodes électroluminescentes ; comme l'intensité lumineuse d'une telle diode est proportionnelle au courant moyen qui la traverse, on désire que celui-ci reste quasi-constant pour des tensions d'alimentation variant entre 24 et 240 volts par exemple.</p>
<p id="p0007" num="0007">Grâce à l'invention, ce résultat sera obtenu en branchant, de façon connue en soi, la ou les diodes électro-luminescentes en série dans le collecteur ou dans l'émetteur du transistor ballast.</p>
<p id="p0008" num="0008">Suivant un second aspect de l'invention, dans un montage du genre susvisé, on maîtrise la loi de variation du courant en fonction de la valeur de crête de la tension d'alimentation en agençant ledit circuit de référence pour que la tension de référence obéisse à une loi de variation prédéterminée en fonction de la valeur de crête de la tension d'alimentation. Suivant un mode d'exécution préféré, ledit circuit de référence comprend une résistance en série avec une diode de Zener et un condensateur en parallèle sur l'ensemble série ainsi constitué.</p>
<p id="p0009" num="0009">D'autres particularités, ainsi que les avantages de l'invention, apparaîtront clairement à la lumière de la description ci-après.</p>
<p id="p0010" num="0010">Au dessin annexé :
<ul id="ul0001" list-style="none">
<li>la figure 1 est un schéma de principe d'un montage conforme à un premier mode d'exécution ;</li>
<li>la figure 2 représente le courant dans la charge, en fonction du temps, dans un montage simplifié dans lequel la tension de référence est fixe ;</li>
<li>la figure 3 représente le courant dans la charge, en fonction du temps, dans le montage de la figure 1, et ;</li>
<li>la figure 4 représente une forme d'exécution préférée du montage.</li>
</ul></p>
<p id="p0011" num="0011">Les mêmes numéros de référence désignent des éléments homologues aux figures 1 et 4.</p>
<p id="p0012" num="0012">A la figure 1, on a représenté deux transistors T, T<sub>2</sub> en série entre la masse et les bornes d'une source d'alimentation alternative redressée V. La charge R est montée dans l'émetteur de T<sub>1</sub>, dont la base est polarisée par la tension aux bornes d'un circuit composé d'une diode de Zener Z en série avec une résistance R, et d'un condensateur C en parallèle. Ce circuit est alimenté par la tension V à travers une résistance R<sub>2</sub>. Du fait de la présence de la résistance R<sub>i</sub>, la tension Vc de polarisation de T<sub>l</sub> croît en même temps que la valeur de crête V et il en est par conséquent de même de la tension d'émetteur V, = V<sub>c</sub>-0,6 volt (0,6 volt étant la chute de tension base-émetteur de T, et V<sub>c</sub>, la tension aux bornes du condensateur C).</p>
<p id="p0013" num="0013">La base de T<sub>2</sub> est polarisée par un pont de résistances R<sub>3</sub> R<sub>4</sub> et, par conséquent, la tension d'émetteur V<sub>2</sub> = kV + 0,6 volt avec<maths id="math0001" num=""><img id="ib0001" file="imgb0001.tif" wi="29" he="10" img-content="math" img-format="tif" inline="no"/></maths>(0,6 volt étant la chute de tension base-émetteur de T<sub>2</sub>, qui est d'un type opposé à T<sub>1</sub>).</p>
<p id="p0014" num="0014">Il est évident que le courant qui circule dans T,, la charge R et T<sub>2</sub>, s'annule dès que V<sub>2</sub> ≥ V<sub>1</sub>, c'est-à-dire pour<!-- EPO <DP n="3"> --><maths id="math0002" num=""><img id="ib0002" file="imgb0002.tif" wi="29" he="12" img-content="math" img-format="tif" inline="no"/></maths></p>
<p id="p0015" num="0015">Le courant de crête<maths id="math0003" num=""><img id="ib0003" file="imgb0003.tif" wi="42" he="11" img-content="math" img-format="tif" inline="no"/></maths>serait constant si V<sub>c</sub> était elle-même constante, c'est-à-dire fixée par la diode de Zener en l'absence de la résistance R<sub>1</sub> propre à l'invention. Les formes d'ondes du courant seraient alors telles que représentées à la figure 2, dans laquelle la courbe en trait plein représente le courant I pour une valeur relativement élevée de la tension d'alimentation de crête, tandis que la courbe en pointillé représente le courant 1 pour une valeur de crête relativement faible de V. On voit que, plus la valeur de crête de V est élevée, plus les pointes de courant sont de brève durée, si bien que le courant moyen décroît lorsque la valeur de crête de V croît. On notera que, dans un tel montage, même dépourvu de la résistance R<sub>1</sub> en série avec la diode de Zener, le courant 1 s'annule dès que la tension V dépasse une certaine valeur, si bien que le transistor ballast T<sub>1</sub> est protégé contre tout échauffement excessif.</p>
<p id="p0016" num="0016">La résistance R<sub>1</sub> supprime l'inconvénient d'un courant moyen décroissant en fonction de V en augmentant V<sub>c</sub> lorsque la valeur de crête de V croît. La figure 3 représente la courbe 1 (t) pour trois valeurs décroissantes de la tension d'alimentation de crête (courbes A, B et C). On voit que, lorsque la valeur de crête de V croît, les pointes de courant ont une durée de plus en plus brève, mais une amplitude de plus en plus grande. En dosant cet effet par un choix convenable de la valeur de R<sub>1</sub>, on peut aboutir à un courant moyen pratiquement constant. La dissipation dans le transistor ballast T<sub>1</sub> est faible, car les pointes de courant coïncident avec les faibles valeurs instantanées de la tension d'alimentation.</p>
<p id="p0017" num="0017">La figure 4 illustre un mode d'exécution préféré du montage. Le ballast, au lieu de comporter un tel transistor, est constitué par deux transistors T<sub>1</sub>, T'<sub>1</sub> montés en Darlington, ce qui lui confère un gain en courant important. Un petit condensateur C<sub>2</sub> est branché entre la base et le collecteur de T'<sub>1</sub> et sert à empêcher l'entrée en auto-oscillation du montage Darlington. La tension V est redressée par un pont de diodes P et une impédance non linéaire K est prévue, de façon connue en soi, pour limiter les surtensions transitoires.</p>
<p id="p0018" num="0018">La diode de Zener Z du circuit de référence est ici reliée à l'émetteur du deuxième transistor T<sub>1</sub> du montage Darlington, si bien que sa polarisation correcte est assurée même pour les faibles valeurs de la tension d'alimentation, grâce au courant important qui circule dans T<sub>1</sub>, sans qu'il soit nécessaire de donner à la résistance R<sub>2</sub> une valeur élevée qui entraînerait une dissipation importante d'énergie.</p>
<p id="p0019" num="0019">Le courant de base de T'<sub>1</sub> s'écoule à travers un transistor supplémentaire T<sub>3</sub>, polarisé à travers la diode de Zener Z et une résistance R<sub>o</sub>, puis à travers une résistance R<sub>1</sub>, aux bornes de laquelle sont branchés un condensateur C<sub>1</sub> et une diode de Zener supplémentaire Z<sub>1</sub>. Le circuit R<sub>1 </sub>C fournit, comme le circuit R<sub>1</sub> C de la figure 1, une image de la tension d'alimentation ; le transistor T<sub>3</sub> étant en effet, pratiquement saturé, sa tension émetteur-base est en permanence voisine de 0,6 volt et n'intervient pas dans la variation de la tension d'émetteur T<sub>1</sub>, essentiellement fixée par la diode de Zener Z et par la chute de tension dans R<sub>1</sub>. Une résistance R<sub>5</sub>, en série avec la diode de Zener Z et la résistance R<sub>o</sub>, servent à limiter le courant qui circule dans le Darlington et dans la diode de Zener.</p>
<p id="p0020" num="0020">Pour des tensions d'alimentation proches de 24 v, la tension d'émetteur de T<sub>1</sub> est pratiquement fixée par Z. Lorsque la tension d'alimentation croît, R<sub>2</sub> intervient dans la valeur de cette tension d'émetteur, jusqu'au moment où l'influence de R<sub>1</sub> devient prépondérante.</p>
<p id="p0021" num="0021">La diode de Zener auxiliaire Z<sub>1</sub> limite la croissance de la pointe de potentiel aux bornes de C, donc sur l'émetteur de T<sub>1</sub>, pour les valeurs élevées de la tension d'alimentation et protège en même temps le condensateur C.</p>
<p id="p0022" num="0022">Une diode D<sub>1</sub> est connectée entre le point commun aux résistances R<sub>2</sub>-R<sub>4</sub> du pont diviseur et le point commun à la charge R et à l'émetteur du transistor T<sub>2</sub>. Pour les valeurs de V pour lesquelles, comme on l'a expliqué en se référant à la figure 1, le courant s'annule dans la charge R, la tension aux bornes de R<sub>o</sub> continue à monter, si bien qu'une protection du transistor T<sub>1</sub> devient nécessaire. D<sub>1</sub> assure alors, à cet effet, le passage d'un courant, qui circule à travers R, Z, R<sub>5</sub> et R<sub>1</sub>. Ce courant continue à charger le condensateur C, mais très faiblement, donc sans modifier sensiblement l'image de la tension d'alimentation.</p>
<p id="p0023" num="0023">Un tel montage assure un courant moyen pratiquement constant dans une plage de tension d'alimentation allant de 24 à 240 v, avec quatre diodes électro-luminescentes montées en série dans le collecteur de T<sub>1</sub>.</p>
<p id="p0024" num="0024">On notera que le montage Darlington pourrait être remplacé par un transistor à effet de champ. D'autres modifications pourront être envisagées sans s'écarter de l'esprit de l'invention.</p>
</description>
<claims id="claims01" lang="fr">
<claim id="c-fr-01-0001" num="">
<claim-text>1. Montage générateur d'un courant régulé comportant un organe à semi-conducteur (T<sub>I</sub>) jouant le <!-- EPO <DP n="4"> -->rôle de ballast, alimenté par une source de courant alternatif redressé (V) et polarisé par une tension de référence (diode de Zener Z), caractérisé par un organe à semi-conducteur auxiliaire (T<sub>2</sub>,) connecté en série avec l'organe à semi-conducteur ballast (T<sub>1</sub>) et polarisé par un diviseur de tension (R<sub>3</sub>-R<sub>4</sub>) branché aux bornes de ladite source.</claim-text></claim>
<claim id="c-fr-01-0002" num="">
<claim-text>2. Montage générateur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la tension de référence est fournie par un circuit (Z, R<sub>1</sub>, C) comportant des moyens (R<sub>i</sub>) d'ajouter, à une tension fixe fournie par une diode de Zener (Z), une tension fonction de la tension d'alimentation (V).</claim-text></claim>
<claim id="c-fr-01-0003" num="">
<claim-text>3. Montage générateur selon la revendication 2, caractérisé en ce que ledit circuit comprend un condensateur (C) de mémorisation de la tension de référence, tandis que lesdits moyens d'ajouter une tension fonction de la tension d'alimentation comportent une résistance (R<sub>I</sub>).</claim-text></claim>
<claim id="c-fr-01-0004" num="">
<claim-text>4. Montage générateur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit organe à semi-conducteur ballast est constitué par un montage Darlington (T'<sub>1</sub>T<sub>1</sub>).</claim-text></claim>
<claim id="c-fr-01-0005" num="">
<claim-text>5. Montage générateur selon la revendication 2, caractérisé en ce que ledit circuit de référence comprend, outre ladite diode de Zener (Z) reliée à l'émetteur du deuxième transistor (T<sub>i</sub>) du montage Darlington, un transistor supplémentaire (T<sub>3</sub>) branché entre la base du transistor T'<sub>1</sub> du montage Darlington et une borne de la source d'alimentation, en série avec ladite résistance (R<sub>1</sub>), aux bornes de laquelle est branché ledit condensateur (C), la base dudit transistor (T<sub>3</sub>) étant reliée à ladite diode de Zener (Z) à travers une résistance auxiliaire (R<sub>o</sub>).</claim-text></claim>
<claim id="c-fr-01-0006" num="">
<claim-text>6. Montage générateur selon la revendication 5, caractérisé par une diode de Zener supplémentaire (Z<sub>1</sub>) branchée aux bornes communes dudit condensateur (C) et de ladite résistance (R<sub>1</sub>).</claim-text></claim>
<claim id="c-fr-01-0007" num="">
<claim-text>7. Montage générateur selon la revendication 5 ou 6, caractérisé par une deuxième résistance auxiliaire (R<sub>5</sub>) reliant ladite résistance auxiliaire (R<sub>o</sub>) à ladite résistance (R<sub>1</sub>).</claim-text></claim>
<claim id="c-fr-01-0008" num="">
<claim-text>8. Montage générateur selon la revendication 5, 6 ou 7, caractérisé par une diode (D<sub>1</sub>) reliant le point commun aux résistances (R<sub>3</sub>-R<sub>4</sub>) dudit diviseur de tension à l'émetteur du transistor auxiliaire (T<sub>2</sub>).</claim-text></claim>
</claims>
<claims id="claims02" lang="en">
<claim id="c-en-01-0001" num="">
<claim-text>1. Device for generating a regulated current, comprising a semi-conductor member (T<sub>1</sub>) playing the role of ballast resistance, fed by a rectified a-c source (V) and biased by a reference voltage (Zener diode Z), characterized by an auxiliary semi-conductor member (T<sub>2</sub>) connected in series with the semi-conductor ballast member (T<sub>1</sub>) and biased by a voltage divider (R3-R<sub>4</sub>) connected to the terminals of said source.</claim-text></claim>
<claim id="c-en-01-0002" num="">
<claim-text>2. Regulated current generating device according to claim 1, characterized in that the reference 'voltage is provided by a circuit (Z, R<sub>1</sub>, C) comprising means (R<sub>1</sub>) for adding to a fixed voltage provided by a Zener diode (Z) a voltage which is a function of the supply voltage (V).</claim-text></claim>
<claim id="c-en-01-0003" num="">
<claim-text>3. Device according to claim 2, characterized in that said circuit comprises a capacitor (C) for storing the reference voltage, whereas said means for adding a voltage which is a function of the supply voltage comprise a resistor (R<sub>1</sub>).</claim-text></claim>
<claim id="c-en-01-0004" num="">
<claim-text>4. Device according to claim 1, characterized in that said semi-conductor ballast member is constituted by a Darlington circuit (T'<sub>1</sub>T<sub>1</sub>).</claim-text></claim>
<claim id="c-en-01-0005" num="">
<claim-text>5. Device according to claim 2, characterized in that said reference circuit comprises, further to said Zener diode (Z) connected to the emitter of the second transistor (T<sub>1</sub>) of the Darlington circuit, a supplementary transistor (T<sub>3</sub>) connected between the base of transistor (T'<sub>1</sub>) of the Darlington circuit and a terminal of the supply source, in series with said resistor (R<sub>1</sub>), at the terminals of which said capacitor (C) is connected, the base of said transistor (T<sub>3</sub>) being connected to said Zener diode (Z) via an auxiliary resistor (R<sub>o</sub>).</claim-text></claim>
<claim id="c-en-01-0006" num="">
<claim-text>6. Device according to claim 5, characterized by an additional Zener diode (Z<sub>1</sub>) connected to the common terminals of said capacitor (C) and said resistor (R<sub>1</sub>).</claim-text></claim>
<claim id="c-en-01-0007" num="">
<claim-text>7. Device according to claim 5 or 6, characterized by a second auxiliary resistor (R<sub>5</sub>) connecting said auxiliary resistor (R<sub>o</sub>) to said resistor (R<sub>I</sub>).</claim-text></claim>
<claim id="c-en-01-0008" num="">
<claim-text>8. Device according to claim 5, 6 or 7, characterized by a diode (D<sub>1</sub>) connecting the common point of the resistors (R<sub>3</sub>-R<sub>4</sub>) of said voltage divider to the emitter of the auxiliary transistor (T<sub>2</sub>).</claim-text></claim>
</claims>
<claims id="claims03" lang="de">
<claim id="c-de-01-0001" num="">
<claim-text>1. Vorrichtung zur Erzeugung von geregeltem Strom, mit einem Halbleiterorgan (T<sub>1</sub>), das die Rolle eines Ballast spielt, gespeist von einer Quelle für gleichgerichtetem Wechselstrom (V) und von einer Referenzspannung (Zenerdiode Z) polarisiert, gekennzeichnet durch ein Halbleiter-Hilfsorgan (T<sub>2</sub>, das in Reihe geschaltet ist mit dem Ballast-Halbleiterorgan (T<sub>1</sub>) und von einem, an die Klemmen besagter Stromquelle angeschlossenen Spannungsteiler (R<sub>3</sub>-R<sub>4</sub>) polarisiert wird.</claim-text></claim>
<claim id="c-de-01-0002" num="">
<claim-text>2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Referenzspannung von einer Schaltung (Z, R<sub>1</sub>, C) geliefert wird, die Mittel (R<sub>1</sub>) enthält, um einer festen, von der Zenerdiode (Z) gelieferten Spannung eine von der Versorgungsspannung (V) abhängige Spannung hinzuzufügen.</claim-text></claim><!-- EPO <DP n="5"> -->
<claim id="c-de-01-0003" num="">
<claim-text>3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass besagte Schaltung einen Kondensator (C) zur Speicherung der Referenzspannung enthält, während besagte Mittel, um eine von der Versorgungsspannung abhängige Spannung hinzuzufügen, einen Widerstand (R<sub>1</sub>) enthalten.</claim-text></claim>
<claim id="c-de-01-0004" num="">
<claim-text>4. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass besagtes Ballast-Halbleiterorgan von einer Darlingtonschaltung (T'<sub>1</sub>T<sub>1</sub>) gebildet wird.</claim-text></claim>
<claim id="c-de-01-0005" num="">
<claim-text>5. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass besagte Referenzschaltung ausser der Zenerdiode (Z), die an den Emitter des zweiten Transistors (T<sub>1</sub>) der Darlingtonschaltung angeschlossen ist, einen zusätzlichen Transistor (T<sub>3</sub>) enthält, der zwischen die Basis des Transistors (T'<sub>1</sub>) der Darlingtonschaltung und eine Klemme der Versorgungsquelle geschaltet ist, in Reihe mit besagtem Widerstand (R<sub>1</sub>), an dessen Klemmen besagter Kondensator (C) angeschlossen ist, wobei die Basis des besagten Transistors (T<sub>3</sub>) mit besagter Zenerdiode (Z) durch einen Hilfswiderstand (R<sub>o</sub>) verbunden ist.</claim-text></claim>
<claim id="c-de-01-0006" num="">
<claim-text>6. Vorrichtung nach Anspruch 5, gekennzeichnet durch eine zusätzliche Zenerdiode (Z,), die an die gemeinsamen Klemmen des besagten Kondensators (C) und des besagten Widerstandes (R<sub>1</sub>) angeschlossen ist.</claim-text></claim>
<claim id="c-de-01-0007" num="">
<claim-text>7. Vorrichtung nach Anspruch 5 oder 6, gekennzeichnet durch einen zweiten Hilfswiderstand (R<sub>5</sub>), welcher besagten Hilfswiderstand (R<sub>o</sub>) mit besagtem Widerstand (R<sub>1</sub>) verbindet.</claim-text></claim>
<claim id="c-de-01-0008" num="">
<claim-text>8. Vorrichtung nach Anspruch 5, 6 oder 7, gekennzeichnet durch eine Diode (D<sub>1</sub>), welche den gemeinsamen Punkt der Widerstände (R<sub>3</sub>-R<sub>4</sub>) des besagten Spannungsteilers mit dem Emitter des Hilfstransistors (T<sub>2</sub>) verbindet.</claim-text></claim>
</claims><!-- EPO <DP n="6"> -->
<drawings id="draw" lang="fr">
<figure id="f0001" num=""><img id="if0001" file="imgf0001.tif" wi="167" he="246" img-content="drawing" img-format="tif" inline="no"/></figure>
</drawings>
</ep-patent-document>