[0001] Die Erfindung betrifft eine elektrostatische Spritzeinrichtung nach dem Oberbegriff
des Anspruchs 1.
[0002] Derartige elektrostatische Spritzeinrichtungen für Lacke sind beispielsweise aus
"Lueger Lexikon der Technik" Band 9, L-Z, Deutsche Verlags-Anstalt Stuttgart, 1968
, S. 14 bis 16 bekannt. Zum Auftragen von Lacken werden die in einem elektrostatischen
Hochspannungsfeld auftretenden Kräfte für den Transport der Lacktröpfchen zum Werkstück
herangezogen, wobei die Zerstäubung des Lackes mechanisch oder ebenfalls mittels elektrischer
Kräfte durchgeführt wird. Dabei besteht zwischen einer negativ gepolten Elektrode
und dem positiv gepolten Werkstück eine Spannung von beispielsweise 100 bis 150 kV
und dadurch ein Feld hoher elektrischer Feldstärke. Die sich in dem Hochspannungsfeld
befindlichen Lacktröpfchen sind aufgeladen bzw. ionisiert, d.h. sie werden durch elektrische
Feldkräfte längs der Kraftlinien des Feldes bewegt. Diese Bewegung endet dann an der
Werkstückoberfläche, wo sich die Lacktröpfchen entladen und als Lackfilm das Werkstück
bedecken.
[0003] In der Halbleitertechnik und insbesondere auch in der Solartechnik müssen beispielsweise
auf Siliziumscheiben Flüssigkeiten derart aufgetragen werden, daß sich über der gesamten
Fläche ein sehr dünner und vollkommen gleichmäßiger, homogener Film bildet. Das Auftragen
dieser Flüssigkeiten, bei welchen es sich beispielsweise um Abdeck-, Dotier- oder
Antireflexlacke handelt, erfolgte bisher durch Schleuderverfahren oder durch Tauchen.
Durch diese Lackiermethoden konnten jedoch die in der Halbleitertechnik allgemein
und speziell auch in der Solartechnik an die Qualität der Lackfilme gestellten Anforderungen
nicht erfüllt werden.
[0004] Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Einrichtung zum Lackieren von Werkstücken,
insbesondere von Siliziumscheiben, zu schaffen, welche die Herstellung äußerst dünner,
vollkommen gleichmäßiger, poren- und rißfreier Lackfilme ermöglicht.
[0005] Diese Aufgabe wird bei einer gattungsgemäßen elektrostatischen Spritzeinrichtung
durch die kennzeichenden Merkmale des Anspruchs 1 gelöst.
[0006] Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß beim Auftragen von Flüssigkeiten
durch elektrostatisches Spritzen äußerst dünne und vollkommen gleichmäßige Filme erzeugt
werden können, sofern den Werkstücken während des Spritzvorganges eine periodische
Translations- und/oder Rotationsbewegung aufgeprägt wird. Die auf der Werkstückoberfläche
zunächst einzeln auftreffenden Flüssigkeitströpfchen vereinigen sich durch die periodische
Bewegung des Werkstücks sehr rasch und bilden somit innerhalb kürzester Zeit einen
zusammenhängenden, gleichmäßigen Film. Durch diese beschleunigte Filmbildung können
dann aber auch bei wesentlich geringeren Schichtdicken als bisher geschlossene und
porenfreie Filme gewährleistet werden. Außerdem wird beispielsweise beim Lackieren
von Siliziumscheiben eine Lackausbeute von über 90 % erreicht, während bei den bisher
gebräuchlichen Schleuderverfahren nur Lackausbeuten von allenfalls 30 % erreicht wurden.
Durch diese hohe Lackausbeute und die entsprechend geringe Verunreinigung der elektrostatischen
Spritzeinrichtung konnte dann auch die Wirtschaftlichkeit der Lackierung wesentlich
gesteigert werden.
[0007] Die erfindungsgemäße elektrostatische Spritzeinrichtung kann mit Vorteil überall
dort eingesetzt werden, wo auf der Oberfläche von Werkstücken sehr dünne und vollkommen
gleichmäßige, homogene Filme erzeugt werden sollen. Neben dem Auftragen von Lacken
sind dabei als weitere Einsatzgebiete das Auftragen von Klebem, von Kunstharzen oder
von Schmierstoffen zu nennen.
[0008] Gemäß einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung ist den Werkstücken durch die Bewegungseinrichtung
eine periodische Translationsbewegung in Auftragsrichtung der Flüssigkeit aufprägbar.
Eine derartige senkrecht zur Werkstückoberfläche ausgerichtete periodische Translationsbewegung
hat sich im Hinblick auf die Beschleunigung der Filmbildung als besonders günstig
herausgestellt.
[0009] Es ist aber auch für die Filmbildung vorteilhaft, wenn den Werkstücken durch die
Bewegungseinrichtung eine zur Auftragsrichtung der Flüssigkeit normale periodische
Translationsbewegung aufgeprägt wird. Ferner kann dem Werkstück zur Beschleunigung
der Filmbildung durch die Bewegungseinrichtung eine Rotationsbewegung aufgeprägt werden,
deren Rotationsachse in Auftragsrichtung der Flüssigkeit und zentrisch zum elektrostatischen
Hochspannungsfeid ausgerichtet ist.
[0010] Gemäß einer besonders bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, daß
den Werkstücken durch die Bewegungseinrichtung eine Translations- und/oder Rotationsbewegung
in Form einer hochfrequenten Schwingung aufprägbar ist. Durch eine derartige hochfrequente
Schwingung kann die Vereinigung der Flüssigkeitströpfchen und die Filmbildung weiter
beschleunigt werden. Die Bewegungseinrichtung ist dann vorzugsweise als piezoelektrische
Schwingeinrichtung ausgebildet, mit welcher auf relativ einfache Weise Ultra schallschwingungen
erzeugt werden können.
[0011] Die Bewegungseinrichtung ist dann zweckmäßigerweise über einen Schwingungswandler
an eine Werkstückauflage angekoppelt. Die Schwingung kann dann mit Hilfe des Schwingungswandlers
den jeweiligen Erfordernissen entsprechend verstärkt werden.
[0012] Gemäß einer weiteren besonders bevorzugten Ausgestaftung der Erfindung ist der Schwingungswandler
an die Unterseite einer horizontal ausgerichteten Werkstückauflage angebracht. Diese
horizontale Anordnung wirkt sich insbesondere bei Werkstücken mit ebenen Oberflächen
auf die Gleichmäßigkeit des Films besonders günstig aus, da hierdurch die Vereinigung
der Lacktröpfchen begünstigt aber ein ungleichmäßiges Verfließen verhindert wird.
[0013] Weiterhin ist es zweckmäßig, wenn aus einer im Abstand zur Werkstückoberfläche angeordneten
Inertgas-Dusche eine Vielzahl von Inertgas-Strahlen auf die Werkstückoberfläche richtbar
ist. Besonders wirtschaftlich ist es dann, wenn der Inertgas-Dusche Stickstoff als
Inertgas zuführbar ist. Die Inertgas-Dusche verringert dabei eine bei manchen aufzutragenden
Flüssigkeiten bestehende Explosionsgefahr. Außerdem verhindert die Inertgas-Dusche
schädliche Einwirkungen des Luftsauerstoffs auf die Flüssigkeitströpfchen und auf
die Bildung des Films auf der Werkstückoberfläche.
[0014] Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand der Zeichnung näher
ertäutert. Es zeigen:
Figur 1 das Grundprinzip einer erfindungsgemäßen elektrostatischen Lackspritzeinrichtung,
Figur 2 eine erste Ausführungsform einer elektrostatischen Lackspritzeinrichtung in
stark vereinfachter schematischer Darstellung,
Figur 3 das Prinzip der Lackzerstäubung bei der ersten Ausführungsform nach Figur
2 und
Figur 4 eine zweite Ausführungsform einer elektrostatischen Lackspritzeinrichtung
in stark vereinfachter schematischer Darstellung.
[0015] Gemäß Figur ist das Werkstück W, bei welchem es sich um eine Siliziumscheibe handelt,
auf einer horizontal ausgerichteten Werkstückauflage Wa angeordnet. Unterhalb der
Werkstückauflage Wa befindet sich eine rein schematisch dargestellte Bewegungseinrichtung
B, welche die Aufgabe hat, der Werkstückauflage Wa und damit dem Werkstück W während
des Lackiervorganges eine periodische Translations- und/oder Rotationsbewegung aufzuprägen.
Dabei ist durch Doppelpfeile Tv und Th angedeutet, daß es sich bei der periodischen
Translationsbewegung um eine Schwingung in vertikaler Richtung bzw. um eine Schwingung
in horizontaler Richtung handeln kann, wobei auch eine Überlagerung beider Schwingungsformen
möglich ist Durch einen Pfeil R ist angedeutet, daß die Werkstückauflage Wa während
des Lackiervorganges auch um eine vertikal ausgerichtete, zentrische Rotationsachse
Ra gedreht werden kann. Bei dieser den Translationsbewegungen Tv bzw. Th ggf. überlagerten
Rotationsbewegung kann es sich um eine oszillierende Drehbewegung oder um eine kontinuierliche
Drehung handeln, wobei in letzterem Fall aber eine Umdrehung pro Lackiervorgang nicht
überschritten werden sollte.
[0016] Der in Form einer Flüssigkeit F in einem Vorratsbehälter V untergebrachte Antireflexlack
wird über eine Leitung L einer Zerstäubungseinrichtung Z zugeführt, welche einen Nebel
von feinen Flüssigkeitströpfchen erzeugt. Ein auf verschiedene Spannungswerte einstellbarer
Hochspannungsgenerator H mit einer maximalen Spannung von beispielsweise 100 kV ist
mit seinem positiven Pol an die geerdete Werkstückauflage Wa und mit seinem negativen
Pol an die Zerstäubungseinrichtung Z und den Vorratsbehälter V angeschlossen. Hierdurch
entsteht zwischen der Zerstäubungseinrichtung Z und dem elektrisch leitend mit der
Werkstückauflage Wa verbundenen Werkstück W ein elektrostatisches Hochspannungsfeld,
entlang dessen Kraftlinien K die negativ aufgeladenen Flüssigkeitströpfchen durch
die elektrischen Feldkräfte gezielt zur Werkstückoberfläche bewegt werden. Dort entladen
sich die Flüssigkeitströpfchen und vereinigen sich zu einem zusammenhängenden Film.
Durch die mit Hilfe der Bewegungseinrichtung B dem Werkstück W aufgeprägte periodische
Bewegung wird dabei die Vereinigung der Flüssigkeitströpfchen und die Vergleichmäßigung
der Schicht stark begünstigt, so daß der Lackiervorgang rasch beendet werden kann
und ein sehr dünner und vollkommen gleichmäßiger Film über der gesamten Fläche entsteht.
[0017] Figur 2 zeigt eine erste Ausführungsform einer elektrostatischen Lackspritzeinrichtung,
bei welcher die hier mit B' bezeichnete Bewegungseinrichtung als piezoelektrische
Schwingeinrichtung ausgebildet ist, welche über einen zur Schwingungsübertragung und
Schwingungsverstärkung dienenden Schwingungswandler Sw an die Unterseite der Werkstückauflage
Wa angekoppelt ist. Die piezoelektrische Schwingeinrichtung ist an einen Uftraschallgenerator
US angeschlossen, der auf Frequenzen zwischen 20 und 100 kHz eingestellt werden kann
und dessen Zuleitungen mit einer Elektrode E der Piezokeramik und dem Schwingungswandler
Sw verbunden sind. Die piezoelektrische Schwingeinrichtung erzeugt eine in vertikaler
Richtung wirkende hochfrequente Translationsbewegung Tv. welche über den als massives
Aluminiumteil ausgebildeten Schwingungswandler Sw und die Werkstückauflage Wa auf
das Werkstück W übertragen wird.
[0018] Zur Erläuterung des Prinzips der Flüssigkeitszerstäubung in der Zerstäubungseinrichtung
Z wird zusätzlich auf die Figur 3 verwiesen. Wie dort zu erkennen ist, tropft die
über die Leitung L aus dem Vorratsbehälter V zugeführte Flüssigkeit F durch die obere
Öffnung eines sich nach unten erweiternden Trichters T und gelangt dann auf die Oberseite
einer rotierenden und horizontal ausgerichteten Scheibe S. Diese Scheibe S wird über
eine Magnetkupplung M und einen Luftmotor LM angetrieben, welcher über eine Preßluftversorgung
Pv mit variablem Druck auf 20000 bis 70000 U/min eingestellt werden kann. Die auf
der rotierenden Scheibe S auftreffenden Flüssigkeitströpfchen werden gegen die Innenwandung
des Trichters T geschleudert, welcher an den Minuspol des Hochfrequenzgenerators H
angeschlossen ist. Durch rein elektrische Kräfte aufgeladen, zerstäubt die Flüssigkeit
F dann an der unteren Kante des Trichters T, da die elektrischen Kräfte die Oberflächenkräfte
übersteigen. Die der unteren Kante des Trichters T als feiner Film zugeführte Flüssigkeitsmenge
zerfällt in einzelne kleine Flüssigkeitströpfchen, die ionisiert sind, und entlang
der Kraftlinien K des Hochspannungsfeldes zwischen der Sprühkante des Trichters T
und dem Werkstück W wandern. Die Aufladung der Flüssigkeitströpfchen ist dabei sehr
hoch, was zu einem Abscheidegrad bzw. einer Lackausbeute von weit über 90% führt.
[0019] In Figur 2 ist ferner noch eine oberhalb der Sprühkante des Trichters T angeordnete
Inertgas-Dusche ID zu erkennen, aus welcher eine Vielzahl von Inertgas-Strahlen IS
auf die Werkstückoberfläche gerichtet werden. Diese Inertgas-Dusche ID verhindert
einerseits die Gefahr einer Explosion und andererseits eine Oxydation der fein zerstäubten
Flüssigkeitströpfchen bzw. des aus diesen Flüssigkeitströpfchen gebildeten Films.
Als Inertgas wird der Inertgas-Dusche ID dabei Stickstoff aus einer Stickstoffversorgung
Sv zugeführt, deren Druck auf beispielsweise 4 bar eingestellt wird.
[0020] Figur 4 zeigt eine zweite Ausführungsform einer elektrostatischen Lackspritzeinrichtung,
bei welcher wieder die im Zusammenhang mit der Figur 2 bereits erläuterte Bewegungseinrichtung
B' eingesetzt wird. Die bei dieser zweiten Ausführungsform verwendete Zerstäubungseinrichtung
Z' umfaßt eine automatische Spritzpistole Sp mit verlängertem Spritzrohr Sr mit radialer
Spritzwirkung. Der Spritzpistole Sp wird über eine erste Leitung der Lack in Form
einer Flüssigkeit F und über eine zweite Leitung die für die Zerstäubung erforderliche
Spritzluft SI zugeführt. Außerdem wird in ein das Spritzrohr Sr konzentrisch umgebendes
Rohr Ro Preßluft Pl zur zusätzlichen Regulierung des Spritzstrahles eingeleitet. Anstelle
dieser Preßluft Pl kann in das Rohr Ro aber auch ein Inertgas, insbesondere Stickstoff
eingeleitet werden, um ähnliche Wirkungen wie die in Figur 2 dargestellte Inertgas-Dusche
ID zu erzeugen. Eine um den Pistolenausgang angeordnete Ringelektrode Re ist an den
Minuspol des Hochspannungsgenerators H angeschlossen, so daß zwischen dieser Ringelektrode
Re und dem Werkstück W ein elektrostatisches Hochspannungsfeld erzeugt wird, dessen
Kraftlinien wieder mit K bezeichnet sind. Die von der Spritzpistole Sp erzeugten Flüssigkeitströpfchen
werden durch den Koronaeffekt an der Unterkante der Ringelektrode Re ionisiert und
gelangen als negativ geladene Schwebeteilchen in das eietrostatische Hochspannungsfeld,
wo sie entlang der Kraftlinien K zum Werkstück W wandern, sich dort entladen und auf
der Oberfläche einen geschlossenen, äußerst dünnen und gleichmäßigen homogenen Film
bilden.
1. Elektrostatische Spritzeinrichtung zum Auftragen von Flüssigkeiten, insbesondere
von Lacken, auf die Oberfläche von Werkstücken, wobei die Flüssigkeiten einer Zerstäubungseinrichtung
zuführbar und in einem elektrostatischen Hochspannungsfeld in Form feiner Tröpfchen
auf die Werkstückoberfläche transportierbar sind, dadurch gekennzeichnet, daß den
Werkstücken (W) durch eine Bewegungseinrichtung (B; B') eine periodische Translations-und/oder
Rotationsbewegung (Tv, Th, R) aufprägbar ist.
2. Elektrostatische Spritzeinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
den Werkstücken (W) durch die Bewegungseinrichtung (B; B') eine periodische Translationsbewegung
(Tv) in Auftragsrichtung der Flüssigkeit (F) aufprägbar ist.
3. Elektrostatische Spritzeinrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß den Werkstücken (W) durch die Bewegungseinrichtung (B) eine zur Auftragsrichtung
der Flüssigkeit (F) normale periodische Translationsbewegung (Th) aufprägbar ist
4. Elektrostatische Spritzeinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet,daß den Werkstücken (W) durch die Bewegungseinrichtung (B) eine Rotationsbewegung
(R) aufprägbar ist, deren Rotationsachse (Ra) in Auftragsrichtung der Flüssigkeit
(F) und zentrisch zum elektrostatischen Hochspannungsfeld (Hsf) ausgerichtet ist
5. Elektrostatische Spritzeinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß den Werkstücken (W) durch die Bewegungseinrichtung (B; B') eine
Translations- und/oder Rotationsbewegung (Tv, Th, R) in Form einer hochfrequenten
Schwingung aufprägbar ist.
6. Elektrostatische Spritzeinrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß
die Bewegungseinrichtung (B') als piezoelektrische Schwingeinrichtung ausgebildet
ist
7. Elektrostatische Spritzeinrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß
die Bewegungseinrichtung (B') über einen Schwingungswandler (Sw) an eine Werkstückauflage
(Wa) angekoppelt ist
8. Elektrostatische Spritzeinrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß
der Schwingungswandler (Sw) an die Unterseite einer horizontal ausgerichteten Werkstückauflage
(Wa) angebracht ist.
9. Elektrostatische Spritzeinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnetdaß aus einer im Abstand zur Werkstückoberfläche angeordneten Inertgas-Dusche
(ID) eine Vielzahl von Inertgas-Strahlen (IS) auf die Werkstückoberfläche richtbar
ist.
Elektrostatische Spritzeinrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der
Inertgas-Dusche (ID) Stickstoff als Inertgas zuführbar ist.