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EP 0 189 213 A2 |
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EUROPÄISCHE PATENTANMELDUNG |
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Veröffentlichungstag: |
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30.07.1986 Patentblatt 1986/31 |
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Anmeldetag: 24.01.1986 |
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Internationale Patentklassifikation (IPC)4: H04N 3/195 |
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Benannte Vertragsstaaten: |
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BE DE FR GB IT NL SE |
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Priorität: |
25.01.1985 DE 3502371
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Anmelder: Nokia Graetz Gesellschaft mit beschränkter Haftung |
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D-7530 Pforzheim (DE) |
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Erfinder: |
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- Kettner, Erich, Dr.
D-7316 Köngen (DE)
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Entgegenhaltungen: :
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Diodensplit-Zeilentransformator |
(57) Bei einem Diodensplit-Zeilen-Transformator ist vorgesehen, daß zwischen dem Fokussierungs-Siebkondensator
(K) und der Kathode der ersten Diode (D1) der Hochspannungswicklung (W) ein Widerstand
(R) vorhanden ist. Der Widerstand (R) entkoppelt den Fokussierungs-Siebkondensator
(K) von der Hochspannungswicklung (W), so daß diese besser abgestimmt werden kann.
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[0001] Die Erfindung bezieht sich auf einen Diodensplit-Zeilen--transformator gemäß dem
Oberbegriff des Anspruchs 1.
[0002] Aus der DE-OS 31 22 589 ist ein derartiger Diodensplit-Zeilentransformator bekannt,
bei dem der Fokussierungs-Siebkondensator direkt mit der Diode der Teilwicklung verbunden
ist. Es hat sich herausgestellt, daß dieser Siebkondensator durch seine Parallelschaltung
zur Wicklungskapazität einen störenden Einfluß dadurch ausübt, daß er die Frequenz
der erwünschten Oberschwingungen herabsetzt.
[0003] Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Diodensplit-Zeilentransformator anzugeben,
bei dem oie Abstimmung des Hochspannungswickels verbesssert ist.
[0004] Die Lösung dieser Aufgabe erfolgt mit den im Anspruch 1 angegebenen Mitteln. Vorteilhafte
Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen 2 bis 5 enthalten.
[0005] Die Erfindung wird nun anhand von einem in den Figuren gezeigten Ausführungsbeispiel
näher erläutert. Es zeigt:
Fig. 1 die Schaltungsanordnung des Diodensplit--Zeilentransformators und
Fig. 2 schematisch die Wicklungen des Dioden- Split--Zeilentransformators.
[0006] Der Diodensplit-Zeilentransformator weist eine Primärwicklung A mit den Anschlüssen
10 und 12 auf. Der Anschluß 12 der Primärwicklung A ist mit einem nicht dargestellten
Schalter einer Zeilenendstufe verbunden und am Anschluß 10 ist die Betriebsspannung
U
Batt verhanden. Vom Anschluß 10 ist weiterhin ein Kondensator K1 gegen Masse geschaltet.
[0007] Auf der Sekundärseite des Dioden--Zeilentransformators ist eine Hilfswicklung B mit
den Anschlüssen 5 und 6 angeordnet, welche eine Hilfsspannung mit verhältnismäßig
niedrigem Spannungswert liefert. Es konnen auch weitere Hilfswicklungen vorgesehen
sein. Die Hochspannungswicklung W auf der Sekundärseite ist in drei Teilwicklungen
W1, W2 und W3 unterteilt. Die einzelnen Teilwicklungen W1, W2 und W3 sind durch Dioden
D1 bzw. D2 miteinander verbunden. An den freien Anschluß der Teilwicklung W3 ist eine
weitere Diode D3 angeschaltet, an deren Kathode die Hochspannung U
h abgenommen werden kann. Parallel zur Serienschaltung aus der Teilwicklung W1 und
der Diode D1 sind über den Widerstand R der Fokussierungs-Siebkondensator K und drei
Widerstände einer Widerstandsanordnung angeschaltet. Die beiden äußeren Widerstände
sind einstellbar und an ihrem Schleifer kann die Fokussierungsspannung U
fo bzw. die Schirmgitterspannung Ug
2 abgenommen werden. Der mit der Teilwicklung W1 verbundene Anschluß 8 der Hochspannungswicklung
W ist mit dem Massepotential verbunden.
[0008] Durch den Widerstand R ist die Parallelschaltung aus Fokussierungs-Siebkondensator
K und Widerstandsanordnung von der Reihenschaltung aus der Teilwicklung W1 und der
Diode D1 entkoppelt. Der Widerstand R weist einen Wert von etwa 300 bis 400 kOhm auf.
Durch diese Entkopplung ist eine bessere Abstimmung der Hochspannungswicklung W möglich
und dadurch ergibt sich eine Verringerung des Innenwiderstandes der Hochspannungsquelle.
Die bessere Abstimmung der Hochspannungswicklung W wird durch die Verringerung der
frequenzbestimmenden Kapazität im Hochspannungswickel erreicht. Außerdem wird durch
den aus dem Widerstand R und dem Siebkondensator K gebildeten Tiefpaß die Fokussierungsspannung
besser gesiebt.
[0009] Fig. 2 zeigt die Wicklungen des Diodensplit--Zeilentransformators, welche ineinandergesteckt
und dann in ein nicht dargestelltes Isolierstoffgehäuse eingesetzt werden. Bei dem
Wickel 2 handelt es sich um die Primärwicklung A und die Hilfswicklung B. Mit 3 ist
der eine Anzahl von Wickelkammern aufweisende Spulenkörper bezeichnet, auf den die
Teilwicklungen der Hochspannungswicklung W gewickelt sind. Am Umfang des Spulenkörpers
3 sind die zwischen die Teilwicklungen der Hochspannungswicklung W geschalteten Dioden
D1 bis D3 angeordnet. Unterhalb oer Diode D1 ist der Widerstand R ebenfalls am Umfang
des Spulenkörpers 3 angeordnet, der über eine isolierte Leitung 4 mit dem Fokussierungs-Siebkondensator
K verbunden ist. Der Widerstand R kann aber auch auf dem Substrat der Widerstandsanordnung
angeordnet werden.
[0010] Bei einem Diodensplit-Zeilentransformator mit einem Ableitwiderstand B zwischen der
Kathode der Diode D3 und der Kathode der Diode D1 kann der Widerstand R auch mit diesem
Ableitwiderstand B baulich vereinigt sein.
1. Diodensplit-Zeilentransformator für Fernsehgeräte, bestehend aus wenigstens einer
Primär- und wenigstens einer aus über Dioden miteinander verbundenen Teilwicklungen
bestehende Sekundärwicklung, bei dem parallel zu einer Teilwicklung und oer zugehörigen
Diode ein Fokussierungs--Siebkondensator und eine Widerstandsanordnung geschaltet
ist, dadurch gekennzeichnet,daß der massefeme Anschluß des Fokussierungs-Siebkondensators
(K) über einen Widerstand (R) mit der Diode (D1)der Teilwicklung - (W1) verbunden
ist.
2. Diodensplit-Zeilentransformator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Widerstand (R) einen Wert von etwa 300 bis 400 kOhm
aufweist.
3. Diodensplit-Zeilentransformator nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der
Widerstand (R) zusammen mit der Widerstandsanordnung auf einem Substrat angeordnet
ist.
4. Diodensplit-Zeilentransformator nach Anspruch, dadurch gekennzeichnet, daß der
Widerstand (R) am Umfang des Spulenkörpers (3) angebracht ist
5. Diodensplit-Zeilentransformator nach Anspruch 1 mit einem Ableitwiderstand zwischen der ersten und der letzten Diode, dadurch gekennzeichnet,
daß der Widerstand (R) mit dem Ableltwidestand (B) baulich vereinigt ist.
