Verfahren zur Herstellung einer einseitig gequetschten Metallhalogenidhochdruckentladungslampe und eine nach diesem Verfahren hergestellte Lampe

(19)

(11)

EP 0 219 860 A3

(12)	EUROPÄISCHE PATENTANMELDUNG

(88)	Veröffentlichungstag A3:
	03.05.1989 Patentblatt 1989/18

(43)	Veröffentlichungstag A2:
	29.04.1987 Patentblatt 1987/18

(21)	Anmeldenummer: 86114647.0

(22)	Anmeldetag: 22.10.1986

(51)	Internationale Patentklassifikation (IPC)⁴: H01J 9/32, H01J 61/36

(84)	Benannte Vertragsstaaten:
	DE FR GB IT

(30)

Priorität:

24.10.1985 DE 3537878

(71)	Anmelder: Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH
	D-81543 München (DE)

(72)	Erfinder:
	Dobrusskin, Alexander D-8028 Taufkirchen (DE) Gosslar, Achim D-8000 München 83 (DE) Heider, Jürgen, Dr. D-8000 München 90 (DE)

(56)

Entgegenhaltungen: :

(54)	Verfahren zur Herstellung einer einseitig gequetschten Metallhalogenidhochdruckentladungslampe und eine nach diesem Verfahren hergestellte Lampe

(57) Zur Erhöhung der Hochspannungsfestigkeit einer Metallhalogenidhochdruckentladungslampe weisen die aus der Quetschung der Lampe (5) herausgeführten äußeren Stromzuführungen (6) einen gegenüber den in der Quetschung (3') eingebetteten Dichtungsfolien (9) vergrößerten Abstand auf. Hierfür wird der Bereich der zukünftigen Quetschung (3') in einem ersten Arbeitsgang zu einer länglichrunden Querschnittsform vorgequetscht, wodurch die Dichtungsfolien (9) bereits in einem gegenüber einer herkömmlichen Quetschung vergrößerten Abstand angeordnet werden können. Zusätzlich sind die äußeren Stromzuführungen (6) an den Dichtungsfolien (9) in einem rechten Winkel angeschweißt. In einer ersten Ausführungsform sind die äußeren Stromzuführungen (6) aus der dem Entladungsgefäß (4') abgewandten Stirnfläche (10) der Quetschung (3') herausgeführt, wobei diese innerhalb der Quetschung (3') abgewinkelt sind. In einem weiteren Ausführungsbeispiel sind die äußeren Stromzuführungen an den schmalen Seitenflächen der Quetschung angeordnet.

Recherchenbericht