Vorrichtung und Verfahren zum Stranggiessen von Metallen

Abstract

 Eine Vorrichtung zum berührungslosen, vertikal abwärts ge­richteten Stranggiessen von Metallen im elektromagnetischen Wechselfeld, mit einem Induktor (1) und einem elektrisch leitenden, nicht-ferromagnetischen, nach unten sich ver­jüngenden Schirm (2) weist in einem vertikalen Abstand (9) zu diesem einen elektrisch leitenden, nicht-ferromagneti­schen, nach oben sich verjüngenden Gegenschirm (5) auf, wo­bei der Abstand (9) mindestens 2 mm und höchstens die Höhe des Induktors (1) beträgt.
In einem Stranggiessverfahren, welches diese Vorrichtung einsetzt, wird die Schmelzezirkulation im flüssigen Kopf des Gussstranges (4) zumindest in der stationären Giess­phase verringert.
Das Verfahren eignet sich insbesondere zum Stranggiessen von Aluminiumlegierungen mit einem Magnesiumgehalt von min­destens 2 %.

Beschreibung

[0001] Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum berührungslo­sen, vertikal abwärts gerichteten Stranggiessen von Metal­len im elektromagnetischen Wechselfeld, mit einem Induktor, einem Kühlmittelkasten mit einer Vorrichtung zur Zuleitung eines Kühlmittels auf die Oberfläche des Gussstranges und einem elektrisch leitenden, nicht-ferromagnetischen, nach unten sich verjüngenden Schirm oberhalb der durch die tiefstliegenden Induktorunterkanten definierten Ebene.

[0002] Zudem liegt im Rahmen der Erfindung ein Verfahren zum be­rührungslosen, vertikal abwärts gerichteten Stranggiessen von Metallen in einer solchen Vorrichtung, sowie eine An­wendung dieses Verfahrens.

[0003] Bei derartigen elektromagnetischen Stranggiessanlagen wird Metallschmelze auf einen innerhalb einer Induktorschleife angebrachten Anfahrboden gegossen. Der Anfahrboden wird mit vorgegebener Geschwindigkeit gesenkt. Hochfrequenter Wech­selstrom im Induktor erzeugt ein elektromagnetisches Kraft­feld, welches die eingeführte Metallschmelze innerhalb des Induktors horizontal in einer Form begrenzt, welche im we­sentlichen durch die Innenkonturen der Induktorschleife be­stimmt wird. Durch Beaufschlagung mit einem Kühlmittel, beispielsweise Wasser, erfolgt eine rasche Erstarrung der oberflächennahen Schicht des sinkenden Stranges. Innerhalb der Induktorschleife ist zur Anpassung der magnetischen Feldstärke an den metallostatischen Druck im flüssigen Teil des Gussstranges der beispielsweise aus rostfreiem Stahl bestehende Schirm, ebenfalls als Schleife ausgebildet, an­gebracht.

[0004] Ein wesentlicher Vorteil der elektromagnetischen gegenüber den konventionellen Stranggiessanlagen besteht in der we­sentlich gleichmässiger ausgebildeten Oberfläche des Guss­stranges, welche frei von Kaltlauf, Ausschwitzungen und Oberflächenseigerungen ist, so dass sich eine Ueberfräsung derselben in den meisten Fällen erübrigt.

[0005] Weitere Ausgestaltungen solcher elektromagnetischer Strang­giesskokillen dienen der allfälligen Korrektur von Plan­heitsfehlern und mangelhaften Erstarrungsbedingungen. Bei­spielsweise beschreibt die DE-C-2 848 808 eine Kokille, welche durch spezielle Formgebung des Induktors eine Konka­vität bei breiten Walzbarren verhindert. Die EP-B-0 015 870 schlägt eine feine Regulierung des Kühlmittel-Auftreffwin­kels und -Auftreffbereichs durch eine kontrollierte Umlen­kung des Kühlmittelstrahls vor, um damit die Erstarrungsbe­dingungen den verschiedenen Giesslegierungen und Giessge­schwindigkeiten optimal anpassen zu können. In der EP-B-­062 606 ist zur Vermeidung einer konvexen Wölbung des Strangfusses durch nicht-stationäre Kühlbedingungen in der Angiessphase eine parallel zur Gussstrangachse bewegbare Ablenkfläche mit Ausnehmungen vorgesehen, welche zumindest in der Angiessphase in die Bahn des Kühlmittels eingescho­ben wird. Die EP-B-0 082 810 beschreibt eine weitere Metho­de zur Verminderung der bei zu schroffer Abkühlung des Stranges auftretenden Wölbung des Strangfusses. Dabei wird dem Kühlmittel zumindest während der Angiessphase eine Sub­ stanz beigemischt, die beim Auftreffen auf die heisse Strangoberfläche ein Gas als Zersetzungsprodukt abgibt, welches dort einen den Wärmeabfluss vermindernden Isolier­film bildet.

[0006] In der EP-B-0 109 357 wird der Aufbau einer elektromagneti­schen Stranggusskokille beschrieben, welche auf verschie­dene Gussquerschnitte eingestellt werden kann, ohne die Massgenauigkeit der Gusskontur zu beeinträchtigen.

[0007] Das vom Induktor ausgehende elektromagnetische Kraftfeld regt im flüssigen Kopf des Gussstranges eine Schmelzezir­kulation an, welche u.a. Ablösungen der Oxidhaut bewirken kann. In diesbezüglich empfindlichen Fällen führt dies zu einer Beeinträchtigung der Erstarrungsbedingungen und der Schmelzequalität im Bereich der erstarrenden Strangober­fläche, welche sich beispielsweise in einer Anhäufung von Oxideinschlüssen, in Längsfalten sowie in solchen Oberflä­chenfehlern äussert, welche erst beim weiterverarbeiteten Material in Form von Oberflächenschiefer, looper lines und ähnlichem hervortreten. Bei derartigen Giesssträngen muss die Oberfläche meist überfräst werden, wodurch die gene­rellen Vorzüge des elektromagnetischen Giessens nicht voll ausgenützt werden können.

[0008] Der Erfindung liegt angesichts dieser Gegebenheiten die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung der eingangs genannten Gattung zu schaffen, mittels welcher die Oberflächenquali­tät des Giessstranges und der daraus hergestellten Produkte verbessert, sowie insbesondere die Schmelzezirkulation im flüssigen Kopf des Gussstranges vermindert werden kann.

[0009] Weiter soll ein Verfahren geschaffen werden, welches beim berührungslosen, vertikal abwärts gerichteten Stranggiessen von Metallen die Oberflächenqualität verbessert.

[0010] In bezug auf die Vorrichtung wird die Aufgabe erfindungsge­mäss dadurch gelöst, dass ein elektrisch leitender, nicht-­ferromagnetischer, nach oben sich verjüngender Gegenschirm in Giessrichtung in einem Abstand zum Schirm angeordnet ist, welcher mindestens 2 mm und höchstens die Höhe des In­duktors beträgt. Schirm-Gegenschirm-Abstände von mehr als der Induktorhöhe tragen nichts zur gewünschten Wirkung bei. Abstände von weniger als 2 mm behindern die generelle Funktion der Stranggiessanlage. Der Gegenschirm ist gegen die übrigen Tele der Stranggiessanlage elektrisch isoliert anzubringen.

[0011] Während des Giessvorganges werden innerhalb des Gegen­schirms durch das Magnetfeld des Induktors Wirbelströme in­duziert, sofern der Gegenschirm um den Gussstrang eine elektrisch leitende geschlossene Schleife bildet. In einer anderen zweckmässigen Ausführung wird der Gegenschirm als nicht-geschlossene Schleife um den Gussstrang angeordnet und die offenen Enden an einer Wechselstromquelle ange­schlossen. Die Gegenschirmschleife kann hierbei auch in mehrere nicht in Verbindung stehende Abschnitte unterteilt sein, welche einzeln mit ihren Enden an Wechselstromquellen angeschlossen sind. Das von diesen Strömen ausgehende elektromagnetische Wechselfeld erzeugt in Zusammenwirkung mit dem vom Induktor ausgehenden Wechselfeld flüssigen Kopf des Gussstranges den Wirbelkräften entgegengesetzte Kräfte. Damit verringern sie die Intensität der Schmelze­ zirkulation.

[0012] In bezug auf das Verfahren wird die Aufgabe erfindungsge­mäss dadurch gelöst, dass in einer erfindungsgemässen Vor­richtung gegossen und zumindest in der stationären Giess­phase die Schmelzezirkulation im flüssigen Kopf des Gussstranges verringert wird.

[0013] In der Angiessphase soll die Schmelzezirkulation bevorzugt nicht wesentlich durch den Gegenschirm beeinflusst werden und der Induktor soll die Schmelze ohne spürbare Einschrän­kung durch den Gegenschirm einschliessen, in der anschlies­senden stationären Giessphase jedoch muss der Gegenschirm die zirkulationsverringernde Wirkung ausüben.

[0014] In einer besonders zweckmässigen Ausführung der Giessvor­richtung ist der Gegenschirm zur Aufnahme eines Kühlmittels mit einem Hohlraum versehen. Darin zirkulierendes Kühlmit­tel dient der Kühlung des Gegenschirms. Bevorzugt weist ein solcher Gegenschirm vom Hohlraum ausgehende, gegen die Gussstrangoberfläche gerichtete Kühlmitteldurchlässe auf. Damit kann das Kühlmittel des Gegenschirms als zusätzliche Gussstrangkühlung genutzt werden. In Abstimmung mit der üblichen, vom Kühlmittelkasten ausgehenden Gussstrangküh­lung ermöglicht dies eine optimale stufenweise Ausgestal­tung der Kühlung und trägt somit zur Verbesserung der Ober­flächenqualität bei.

[0015] In einer im Rahmen der Erfindung bevorzugten Ausführung ist die Giessvorrichtung so gestaltet, dass der Gegenschirm vertikal verstellbar und der Abstand zum oberen Schirm so­ mit veränderbar ist. In einer entsprechenden zweckmässigen Ausführung ist der Gegenschirm am Kühlmittelkasten vertikal verstellbar verankert.

[0016] Auf dem vertikal verstellbaren Gegenschirm sind an ausge­wählten Stellen dielektrische Kühlmittelflussschikanen auf­gesetzt, welche den Gegenschirm vertikal um eine höchstens dem Abstand des Schirms vom Gegenschirm entsprechende Höhe überragen. Damit kann lokal durch das Verstellen des Ge­genschirms auch die Kühlmittelzufuhr geändert werden. Die Stellen des Gegenschirms werden entsprechend derjenigen Stellen des Gussstrangumfangs gewählt, welche einen ge­ringeren Kühlbedarf aufweisen, beispielsweise die Eckbe­reiche bei Stranggussbarren mit rechteckigem Querschnitt.

[0017] Alternativ zu den Ausführungsformen mit verstellbarem Ab­stand des Gegenschirms liegt im Rahmen der Erfindung eine Vorrichtung, bei welcher der Schirm mit dem Gegenschirm über mindestens ein dielektrisches Zwischenstück starr ver­bunden ist. Dabei kann sich das Zwischenstück über den ge­samten horizontalen Umfang des Gegenschirms erstrecken und im wesentlichen nur von Kühlmitteldurchtrittsöffnungen durchbrochen sein.

[0018] Eine weitere erfindungsgemässe Lösung beinhaltet, dass der Gegenschirm um den Gussstrang eine Schleife bildet, welche nicht geschlossen ist, sondern durch elektrisch nichtlei­tende Abschnitte unterbrochen ist. Diese Abschnitte sollen kurz sein und können beispielsweise auch durch einen Luft­spalt zwischen den Gegenschirmteilen gebildet werden. Die­ser Gegenschirm ist mit beweglichen, elektrisch leitenden Kontaktelementen zu versehen, welche in der einen Lage die nichtleitenden Abschnitte elektrisch überbrücken und so die Gegenschirmschleife schliessen können. Diese überbrückenden Kontaktelemente können beispielsweise wie die in der EP-B-­109 357 beschriebenen Klemmvorrichtungen ausgestaltet sein.

[0019] Als zweckmässige Art, die Wirkung des Gegenschirms im er­findungsgemässen Stranggiessverfahren zu beeinflussen, hat sich das Verändern des vertikalen Abstandes zwischen der untersten Kante des Schirms und der obersten Kante des Ge­genschirms erwiesen. Hierbei ist die Relation zwischen der Höhe des Induktors und des Schirmabstandes entscheidend. Zu guten Resultaten führt eine Einstellung des Abstandes in der Angiessphase auf mindestens die halbe und höchstens die ganze Höhe des Induktors und eine Verringerung dieses Ab­standes nach dem Uebergang in die stationäre Phase auf zwi­schen 2 mm und der halben Induktorhöhe.

[0020] Eine alternative Methode, die Wirkung des Gegenschirms im Rahmen der Erfindung zu beeinflussen, besteht darin, von einer Giessvorrichtung auszugehen, bei welcher der Gegen­schirm durch elektrisch nichtleitende Abschnitte unterbro­chen ist und welche bewegliche elektrisch leitende Kontakt­elemente aufweist, die eine Position einnehmen können, in welcher die nichtleitenden Abschnitte überbrückt und die Gegenschirmschleife geschlossen ist. In der Angiessphase ist hierbei mindestens ein Kontaktelement in der offenen Position, sodass die Schleife nicht geschlossen ist und der Gegenschirm keine vom Induktor induzierten Wirbelströme führt. In der stationären Phase sind die Kontaktelemente dann in Schliesslage zu bringen, damit der Gegenschirm seine volle Wirkung auf die Schmelzezirkulation im Kopf des Gussstranges entfaltet. Dieses Verfahren bietet die Mög­lichkeit, auf eine vertikale Verstellbarkeit der Gegen­schleife zu verzichten.

[0021] In einer bevorzugten Methode zur Beeinflussung der Gegen­schirmwirkung wird ein Gegenschirm benutzt, der eine an einer oder mehreren Stellen unterbrochene Schleife bildet. Die Enden dieser Schleifenabschnitte sind zumindest in der stationären Phase paarweise an eine Wechselstromquelle an­geschlossen, welche dieselbe Frequenz wie der Induktorstrom und das von ihm ausgehende elektromagnetische Wechselfeld aufweist. Ein derart direkt in die Gegenschirmschleife ein­gespiesener Strom ermöglicht eine optimale Einstellung der Gegenschirmwirkung auf die Schmelzezirkulation im Guss­strangkopf. Als besonders geeignet hat sich hierbei ein er­findungsgemässes Verfahren erwiesen, bei dem in der statio­nären Phase zwischen dem von der Wechselstromquelle im den Gegenschirm eingespiesenen Strom und dem im Induktor flies­senden Strom eine Phasenverschiebung von 150 bis 180° ein­gestellt wird. Die Amplitude des Gegenschirmstroms soll kleiner als die Amplitude des Induktorstroms sein.

[0022] Im Rahmen der Erfindung liegt eine Verbesserung der Guss­strangoberfläche durch eine Verfeinerung der Abkühlbeding­ungen, indem zusätzlich zum Kühlstrahl aus dem Kühlmittel­kasten die Strangoberfläche in einer tieferen Zone mit ei­nem Kühlmittel beaufschlagt wird, das aus Kühlmitteldurch­lässen des Gegenschirms austritt.

[0023] Eine bevorzugte Ausführung dieses Verfahrens liegt darin, aus dem Kühlmittelkasten eine Flüssigkeit austreten zu las­ sen, welcher -- beispielsweise wie in der EP-B-0 082 810 beschrieben -- eine Substanz beigemischt wurde, die beim Auftreffen auf die Strangoberfläche ein Gas freisetzt, bei­spielsweise Stickstoff oder Kohlendioxid, welches ein Iso­lierfilm bildet. Zur besseren Kühlung in einer tieferen Zone bricht der dort auftreffende, aus den Kühlmitteldurch­lässen des Gegenschirms strömende Kühlmittelstrahl diese Isolierschichten auf.

[0024] Das erfindungsgemässe Verfahren eignet sich in besonderer Weise zum Stranggiessen von Aluminiumlegierungen mit einem Magnesiumgehalt von mindestens 2%. Insbesondere beim Gies­sen der Legierung AA 5182 hat dieses Verfahren eine ent­scheidende Verbesserung der Strangoberfläche gebracht, so­dass aus derart hergestellten Walzbarren ohne Ueberfräsung Dünnbänder zur Herstellung von Getränkedosendeckeln gefer­tigt werden können, welche den unerwünschten Oberflächen­schiefer nur in äusserst geringem Masse aufweist.

[0025] Weitere Vorteile, Merkmale und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung eines be­vorzugten Ausführungsbeispiels sowie anhand der Zeichnung; diese zeigt in

Figur 1 einen schematisierten Querschnitt durch einen Teil einer erfindungsgemässen Stranggiessvorrichtung mit Gussstrang, mit vertikal verstellbarem Gegenschirm,

Figur 2 eine schematisierte Schrägsicht auf eine erfin­dungsgemässe, rechteckige Stranggiessanlage, welche durch eine durch die Gussstrangachse verlaufende Ebene geschnitten ist,

Figur 3 einen schematisierten Querschnitt durch eine erfin­dungsgemässe Ausführungsform der Stranggiessvor­richtung mit starrer Verbindung zwischen Schirm und Gegenschirm,

Figur 4 einen schematisierten Querschnitt durch eine wei­tere Ausführungsform der erfindungsgemässen Strang­giessvorrichtung mit verstellbarem Gegenschirm mit aufgesetzter Kühlmittelflussschikane.

[0026] Die in den Figuren 1 bis 4 dargestellte elektromagnetische Stranggiessanlage weist einen Induktor 1 auf, welcher zur inneren Kühlung hohl ausgebildet ist. Der Induktor 1 ist einseitig in einen Kühlmittelkasten 3 eingebettet. In die­sem Kühlmittelkasten 3 zirkuliert die -- nicht eingezeich­nete -- Kühlflüssigkeit, welche mittels einer Vorrichtung auf die Oberfläche des Gussstranges 4 zugeleitet wird. Am Kühlmittelkasten 3 ist der Schirm 2 befestigt. Seine untere Kante liegt etwa um einen Drittel der Höhe des Induktors 1 tiefer als die obere Kante des Induktors 1. Unterhalb des Kühlkastens 3 ist ein Gegenschirm 5 angeordnet. Er ist zur Aufnahme einer -- nicht eingezeichneten -- Kühlflüssigkeit mit einem Hohlraum versehen. Das darin zirkulierende Medium kühlt den Gegenschirm 5; zusätzlich tritt es aus den Kühl­mitteldurchlässen 6, welche auf eine tiefere Zone der Ober­fläche des Gussstrangs 4 gerichtet sind. Der sich nach oben mit einem Winkel von 20° (soll: 10 bis 45°) verjüngen­de Gegenschirm 5 liegt mit seiner oberen Kante höher als die untere Kante des Induktors 1. Der in Figur 1 eingezei­chnete Abstand 9 dieser oberen Kante von der unteren Kante des Schirmes 2 beträgt etwa 45 % der Höhe des Induktors 1, welcher eine Höhe von 60 mm aufweist. Diese Konfiguration entspricht der stationären Giessphase. Der Gegenschirm 5 ist mittels einer Platte vertikal verstellbar am Kühlmit­telkasten 3 durch eine -- nicht eingezeichnete -- Veranke­rung befestigt. Der Abstand 9 kann hiermit zwischen 2 und 60 mm variiert werden. Nebst dieser, vereint die in der Figur 2 dargestellte Stranggiessanlage zwei weitere Ein­richtungen, welche der Beeinflussung der Wirkung des Gegen­schirms 5 auf den flüssigen Kopf des Gussstrangs 4 dienen. Der Gegenschirm 5 ist in der Gegend mindestens einer Anla­genecke durch eine Lücke als nichtleitenden Abschnitt 7 unterbrochen. Ein schematisiert eingezeichnetes, elektrisch leitendes Kontaktelement 8 ist am Gegenschirm 5 auf der einen Seite des Abschnitts 7 befestigt und überbrückt die­sen Abschnitt in einer Schliesslage, in welcher das Kon­taktelement 8 auf der anderen Seite des Abschnitts 7 am Ge­genschirm 5 elektrisch leitend anschliesst. Soll in der An­giessphase im Gegenschirm 5 kein induzierter Strom flies­sen, wird das Kontaktelement 8 in eine Position gebracht, welche keine Ueberbrückung des Abschnitts 7 darstellt.

[0027] Zur direkten Einspeisung eines zusätzlichen Wechselstroms in die Schleife des Gegenschirms 5 ist dieser beidseitig des Abschnitts 7 mit Stromanschlüssen versehen, welche an die Wechselstromquelle 10 geschlossen werden können. Das Kontaktelement 8 befindet sich hierbei nicht in Schliess­lage.

[0028] Die Figur 3 stellt eine alternative Ausführung der in Figur 1 gezeigten Stranggiessanlage dar. Dabei ist der Gegen­schirm 5 mit dem Schirm 2 starr über ein dielektrisches Zwischenstück 11 verbunden. Dieses ist mit Kühlmitteldurch­trittsöffnungen versehen, welche längs des Gussstrangum­fangs in geeignetem Abstand angeordnet sind.

[0029] In Figur 4 ist wiederum eine Stranggiessanlage mit vertikal verstellbarem Gegenschirm 5 dargestellt. Der Querschnitt verläuft durch einen Bereich in der Nähe einer Vertikal­kante des Gussstranges 4. Auf der oberen Kante des Gegen­schirms 5 ist eine dielektrische Kühlmittelflussschikane 13 aufgesetzt. Diese deckt nach dem Uebergang in die statio­näre Giessphase den Abstand 9 zwischen dem Schirm 2 und dem Gegenschirm 5 zu drei Vierteln zu und lenkt damit einen Grossteil der aus dem Kühlkasten 3 tretenden Kühlflüssig­keit ab.

Ansprüche

1. Vorrichtung zum berührungslosen, vertikal abwärts ge­richteten Stranggiessen von Metallen im elektromagneti­schen Wechselfeld, mit einem Induktor (1), einem Kühl­mittelkasten mit einer Vorrichtung zur Zuleitung eines Kühlmittels (3) auf die Oberfläche des Gussstranges (4) und einem elektrisch leitenden, nicht-ferromagneti­schen, nach unten sich verjüngenden Schirm (2) oberhalb der durch die tiefstliegenden Unterkanten des Induktors (1) definierten Ebene,
dadurch gekennzeichnet,
dass in Giessrichtung in einem Abstand (9) zum Schirm (2) ein elektrisch leitender, nicht-ferromagnetischer, nach oben sich verjüngender Gegenschirm (5) derart an­geordnet ist, dass der Abstand (9) mindestens 2 mm und höchstens die Höhe des Induktors (1) beträgt.

2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Gegenschirm (5) zur Aufnahme eines Kühlmittels mit einem Hohlraum versehen ist.

3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Gegenschirm (5) gegen den Gussstrang (4) ge­richtete Kühlmitteldurchlässe (6) aufweist.

4. Vorrichtung nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Schirm (2) mit dem Gegenschirm (5) über mindestens ein dielektrisches Zwischenstück (11) starr verbunden ist.

5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Zwischenstück (11) sich über den gesamten horizontalen Umfang des Gegenschirms (5) erstreckt und mit Kühlmitteldurchtrittsöffnungen (12) versehen ist.

6. Vorrichtung nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Gegenschirm zur Veränderung des Abstandes (9) vertikal verstellbar ist.

7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass der Gegenschirm (5) am Kühlmittelkasten (3) verti­kal verstellbar verankert ist.

8. Vorrichtung nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekenn­zeichnet, dass dem Gegenschirm (5) an ausgewählten Stellen, entsprechend den Stellen des Gussstrangumfangs mit geringerem Kühlbedarf, dielektrische Kühlmittel­flussschikanen (13) aufgesetzt sind, welche den Gegen­schirm (5) vertikal um eine höchstens dem Abstand (9) entsprechende Höhe überragen.

9. Vorrichtung nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Gegenschirm (5) um den Gussstrang (4) eine geschlossene Schleife bildet.

10. Vorrichtung nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Gegenschirm (5) um den Gussstrang (4) eine Schleife bildet, welche durch elektrisch nichtleitende Abschnitte (7) unterbrochen ist und diese durch bewegliche, elektrisch leitende Kontaktelemente (8) in einer Schliesslage überbrückt sind.

11. Vorrichtung nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Gegenschirm (5) um den Gussstrang (4) eine Schleife bildet, die an ei­ner Stelle unterbrochen ist und mit ihren offenen Enden an eine Wechselstromquelle (10) angeschlossen ist.

12. Vorrichtung nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Gegenschirm (5) um den Gussstrang (4) eine Schleife bildet, die an mehre­ren Stellen unterbrochen und dadurch in isolierte Ab­schnitte unterteilt ist, welche jeweils mit ihren Enden an Wechselstromquellen (10) angeschlossen sind.

13. Verfahren zum berührungslosen, vertikal abwärts gerich­teten Stranggiessen von Metallen, bestehend aus einer Angiess- und einer stationären Phase, dadurch gekenn­zeichnet, dass durch Giessen in einer Vorrichtung nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 12 die Schmelze­zirkulation im flüssigen Kopf des Gussstranges (4) zu­mindest in der stationären Giessphase verringert wird.

14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass bei der Angiessphase der Abstand (9) mindestens die halbe und höchstens die ganze Höhe des Induktors (1) beträgt und nach dem Uebergang in die stationäre Phase der Abstand (9) auf zwischen 2 mm und der halben Höhe des Induktors (1) verringert wird.

15. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass in der Angiessphase die Kontaktelemente (8) in einer Position stehen, welche die nichtleitenden Ab­schnitte (7) nicht überbrücken, sodass der Gegenschirm (5) in der Angiessphase um den Gussstrang (4) keine elektrisch leitend geschlossene Schleife bildet.

16. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest in der stationären Phase die Schleife des Gegenschirms (5), gegebenenfalls die isolierten Ab­schnitte des Gegenschirms (5), von einer Wechselstrom­quelle (10) direkt gespiesen wird, welche dieselbe Fre­quenz wie das vom Induktor () ausgehende elektromagne­tische Wechselfeld aufweist und deren Stromamplitude geringer als diejenige des Induktors (1) ist.

17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass in der stationären Phase zwischen dem von der Wechselstromquelle (10) in den Gegenschirm (5) einge­spiesenen Strom und dem im Induktor (1) fliessenden Strom eine Phasenverschiebung von 150 bis 180° einge­stellt wird.

18. Verfahren nach wenigstens einem der Ansprüche 13 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass der Gussstrang (4) zu­sätzlich zur Kühlung aus dem Kühlmittelkasten (3) mit einem aus den Kühlmitteldurchlässen (6) tretenden Kühl­mittel beaufschlagt wird.

19. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass beim Aufbringen des Kühlmittels aus dem Kühlmit­telkasten (3) auf die Oberfläche des Gussstrangs (4) ein Gas freigesetzt wird und daraus entstehende Iso­lierschichten durch das aus den Kühlmitteldurchlässen (6) tretende Kühlmittel aufgebrochen werden.

20. Anwendung des Verfahrens nach wenigstens einem der An­sprüche 13 bis 19 zum Stranggiessen von Aluminiumlegie­rungen mit einem Magnesiumgehalt von mindestens 2 Gew.-%.

Zeichnung