[0001] Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur bidirektionalen Datenübertragung
und ein danach arbeitendes elektronisches Schloßsystem, bei dem der gegenseitige Datentransfer
zwischen Schlüssel und Schloß über in ihnen vorhandene, einen Übertragungskanal bildende
Licht-Sender und -Empfänger, insbesondere im Infrarotbereich arbeitende Halbleiter-Dioden
erfolgt.
[0002] Ein nach obigem Verfahren arbeitendes elektronisches Schloßsystem ist durch die DE-OS
32 34 538 bekannt. Es ist insbesondere für Kraftfahrzeuge mit eingebauter Zentralverriegelung
bestimmt, wobei ein Kopieren des schlüsselseitigen Sendesignals durch Unbefugte dadurch
verhindert werden soll, daß nach jedem Sende- und Empfangsvorgang im Sender und Empfänger
eine neue übereinstimmende Code-Nummer eingestellt und dem Schlüssel vom rücksendenen
Schloß jeweils ein Quittierungssignal zum Weiterschalten auf den nächsten Code übermittelt
wird. Darüberhinaus kann bei einem solchen elektronischen Schlüsselsystem der in Dialogform
erfolgende Datenaustausch zwischen Schlüssel und Schloß beliebig weit getrieben werden,
so daß solche Schloßsysteme allerhöchsten Sicherheitsansprüchen zu genügen vermögen.
Bei dem bekannten elektronischen Schloßsystem ist für jede Datenübertragungsrichtung
je ein eine Infrarotlicht emittierende Fotodiode und einen das Licht empfangenden
Fototransistor enthaltender Übertragungskanal erforderlich, so daß also schlüssel-
wie auch schloßseitig je eine Fotodiode und ein Fototransistor nebst zugehörigem,
Verstärker und dgl. enthaltendem Sende- und Empfangs-Stromkreis erforderlich sind.
Die Unterbringung je eines besonderen Empfangs- und Sendestromkreises ist aber insbesondere
schlüsselseitig vom Nachteil, weil der Schlüssel wegen seiner räumlichen Abmessungen
nur begrenzte Unterbringungsmöglichkeiten bietet, es sei denn daß man ihn übermäßig
groß dimensonieren müßte.
[0003] Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur bidirektionalen Datenübertragung
in einem elektronischen Schloßsystem der eingangs erwähnten Gattung dahingehend zu
verbessern und zu vervollkommen, daß man dabei mit wesentlich geringerem Schaltungsaufwand
auskommt und die dabei insbesondere schlüsselseitg auftretenden Einbauschwierigkeiten
vermeidet. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß im wesentlichen dadurch gelöst, daß
der Datentransfer zwischen Schlüssel und Schloß in beiden Richtungen über ein- und
denselben Übertragungskanal mit entsprechendem Sender- und Empfängerwechsel vorgenommen
wird. Hiernach wird also stets der gleiche Übertragungskanal für den Datentransfer
sowohl in Richtung vom Schlüssel zum Schloß als auch in umgekehrter Richtung verwendet..
[0004] Ein nach dem erfindungsgemäßeh Verfahren arbeitendes elektronisches Schloßsystem,
dessen Schlüssel und Schloß in jeweils bekannter Weise mit je einem Mikroprozessor
sowie einem auf dessen Ein- und Ausgang abwechselnd umzuschaltenden, Verstärker sowie
InfrarotSender und -Empfänger enthaltenden Sende- und Empfangs-Stromkreis versehen
sind, ist erfindungsgemäß so gestaltet, daß im Schlüssel wie auch im Schloß jeweils
nur noch ein eine Halbleiterdiode enthaltender Stromkreis vorgesehen sind und beide
Stromkreise durch den zugehörigen Mikroprozessor gegensinnig als Sende- und Empfangskreis
umschaltbar sind. Auf diese Weise kommt man zu einer erheblichen Verringerung des
Schaltungsaufwandes und auch zu entsprechenden baulichen Vereinfachungen im Schlüssel
wie im Schloß, wobei insbesondere die schlüsselseitige .Unterbringung des abwechselnd
gleich wohl als Sender wie auch als Empfänger dienenden Stromkreises herkömmliche
Schlüssel-Abmessungen einzuhalten erlaubt.
[0005] Nach einem weiteren sehr vorteilhaften Merkmal der Erfindung können die Sende- bzw.
Empfangs-Stromkreise im Schlüssel und Schloß die gleiche Schaltung besitzen. Das bedeutet
eine weitere erhebliche Vereinfachung insbesondere auch in herstellungs- und montagemässiger
Hinsicht..
[0006] Die Halbleiterdiode kann durch einen in ihren Stromkreis eingebauten, vom Mikroprozessor
gesteuerten Umschalter (Relais) abwechselnd in Durchlaß- und Sperrichtung an Spannung
angelegt werden. Wird die Halbleiterdiode dabei in Durchlaßrichtung betrieben, so
arbeitet sie als Infrarotlicht abstrahlender Sender, wohingegen sie bei in Sperrrichtung
anliegender Spannung jeweils als Lichtempfänger in Fotodiodenschaltung arbeitet. Da
die die Spannungsumkehr bewirkenden Umschalter jedoch noch einen nicht unerheblichen
elektrischen Widerstand besitzen, muß hier noch mit vergleichsweise größeren Spannungen
gearbeitet werden, um einen ausreichenden Fotodiodenstrom zu erhalten.
[0007] Einfacher und vorteilhafter ist es daher, wenn nach einem weiteren Merkmal der Erfindung
in die Spannungszuleitung zur Halbleiterdiode ein Transistor eingebaut ist, der durch
den Ausgang des zugehörigen Mikroprozessors im Sinne der Datensendung freizugeben
ist. In diesem Fall ist ein spannungsarmer Sende- und Empfangsbetrieb beim gegenseitigem
Datenaustausch möglich.
[0008] In der Zeichnung sind zwei Ausführungsbeispiele eines elektronsichen Schloßsystems
nach der Erfindung anhand entsprechender Blockschaltbilder dargestellt, wobei
die Fig. -1 und 2 eine erste Ausführungsform und
die Fig. 3 und 4 eine zweite, noch vorteilhaftere Ausführungsform wiedergeben.
[0009] Bei dem in Fig. 1 und 2 dargestellten elektronischen Schloßsystem enthält das strichpunktiert
umrahmte Feld A die zum Schloß und das Feld B die zum entsprechenden Schlüssel gehörige
Elektronik. Das Schloß A ist mit einem Mikroprozessor 1 versehen, der über eine Steuerschaltung
2 den Schloßriegel zu sperren bzw. freizugeben erlaubt. An den Aus- und Eingang T
x D bzw. R x D des Mikroprozessors 1 ist ein zugleich zum Senden wie auch Empfangen
von zu übertragenden Daten dienender Stromkreis 3 angeschlossen, in welchem sich zwischen
den beiden gegenläufigen Umschaltern 4, 5 die Halbleiterdiode 6 sowie die zugehörigen
Widerstände 7 und 8 befinden. Die gegenläufigen Umschalter 4; 5 können, wie gestrichelt
angedeutet, durch das vom Mikroprozessor 1 gesteuerte Relais 9 betätigt bzw. umgeschaltet
werden, und zwar so, daß die Fotodiode 6 dadurch entweder in Durchlaßrichtung (Fig.
1) oder in Sperrichtung (Fig. 2) an Spannung anzulegen ist.
[0010] Der Schlüssel B ist mit einem entsprechenden Mikroprozessor 1' versehen und besitzt
im übrigen die gleiche Schaltung wie das Schloß A, also einen entsprechenden Stromkreis
3' mit darin vorhanderien Umschaltern 4', 5', der Halbleiterdiode 6
1, den Widerständen 7', 8' und dem Relais 9
1.
[0011] In der in Fig. 1 dargestellten Stellung der Umschalter 4, 5 wird die z. B. aus dem
Halbleitermaterial Galliumarsenid bestehende Halbleiterdiode 6 in Durchlaßrichtung
spannungsbeaufschlagt. Sie arbeitet infolgedessen als Infrarotsender, wobei sie das
vom Mikroprozessor 1 kommende Datensignal 10 in Richtung auf den Schlüssel B zu emittieren
vermag. Letzterer ist auf Empfang dieses Datensignals 10 dadurch eingestellt, daß
seine Fotodiode 6', da sie durch die Umschalter 4
1, 5' .in Sperrichtung an Spannung liegt, als Fotodiode wirkt und das empfangende Signal
10 an den schlüsselseitigen Mikroprozessor 1' weitergibt..Die Halbleiterdiode 6' wird
also in der in Fig. 1 dargestellten Umschalter-Stellung zu einem Strahlungsdetektor,
wobei mit zunehmender Bestrahlung ihrer Halbleiter-Sperrschicht zusätzlich freie Ladungsträger
entstehen, die ihren an sich geringen Sperrstrom beträchtlich erhöhen. Umgekehrt liegen
die Verhältnisse im Falle der Fig. 2, wo nach entsprechendem Umschalten durch die
von ihren Mikroprozessoren 1 bzw. 1
1 gesteuerten Relais 9 bzw. 9' und deren Umschalter 4, 5 bzw. 4', 5' die nunmehr in
Durchlaßrichtung an Spannung liegende Halbleiterdiode 6' zum Infrarotlicht emittierenden
Sender und die schloßseitig gelegerie, in Sperrichtung an Spannung liegende Halbleiterdiode
6 zur lichtempfangenden Fotodiode wird, die das vom Schlüssel B emittierte Datensignal
10' zu empfangen und an den schloßseitigen Mikroprozessor 1 weiterzugeben vermag..
[0012] Ein entsprechend dem Blockschaltbild nach Fig. 1 und 2 eingesetzter Analogschalter
der CMOS-Ser-ie 4053 mit drei Umschaltern ergab einen on-Widerstand eines Umschalters
von max. 240 Ohm bei einer Versorgungsspannung von 15 Volt. Dagegen betrug dieser
on-Widerstand bei einer anzustrebenden Versorgungsspannung des elektronischen Schloßsystems
von ca. 5 Volt max. 1050 Ohm. Demzufolge ergab sich eine max. Stromstärke bei im Sendebetrieb
arbeitender LED-Diode von 5 mA. Da die LED-Diode für ein einwandfreies Arbeiten aber
Stromstärken von etwa 20 - 25 mA. braucht, benötigt man für diesen Schaltungsfall
entsprechend höhere Spannungen.
[0013] Einfacher und spannungsärmer gestaltet sich dagegen der Betrieb des in Fig. 3 und
4 dargestellten elektronischen Schloßsystems, worin A und B wiederum die Schloß-und
Schlüsselseite, 1 und 1' die zugehörigen Mikroprozessoren wiedergeben. In diesem Falle
sind in die zugehörigen, wiederum schaltungsmäßig übereinstimmenden Stromkreise 3
bzw. 3' Transistoren 11 bzw. 11' eingebaut, die die Halbleiterdioden 6, 6' einfacher
zu betreiben erlauben. Zusätzlich sind hier in die Schaltkreise 3, 3' noch ein Operationsverstärker
12 mit zugehörigem Widerstand R sowie die Widerstände 13 und R
LED vorhanden.
[0014] Im Falle der Fig..3 arbeitet die im Schloß A vorhandene Schaltung im Sendebetrieb,
wobei die Halbleiterdiode 6 über den Transistor 11 in Durchlaßrichtung geschaltet
ist und daher Infrarotlicht emittiert. Die Lichtstrahlung wird dabei durch das vom
Mikroprozessor 1 dem Transistor 11 zugeführte Datensignal 10 entsprechend gesteuert.
Da der schlüsselseitig gelegene Transistor 11' durch das vom Mikroprozessor 1' kommende
Basissignal 10" gesperrt und die Halbleiterdiode 6' somit ohne äußere Spannungsversorgung
ist, arbeitet sie als Fotodiode. Das von der schloßseitigen Halbleiterdiode 6 emittierte
Licht erzeugt somit in der schlüsselseitigen Halbleiterdiode 6' eine Fotospannung,
die im Operationsverstärker 12' verstärkt und in der nachfolgenden elektronischen
Schaltung im Mikroprozessor 1' weiter verarbeitet wird. Umgekehrt wird im Falle der
Fig. 4 beim Anlegen eines Datensignals 10' an den schlüsselseitig gelegenen Transistor
11' die schlüsselseitige Halbleiterdiode 6' zum Infrarotlicht ausstrahlenden Sender..Durch
die schloßseitig gelegene, nunmehr durch den über das Basissignal 10" gesperrten Transistor
11 zum Lichtempfänger gewordene Fotodiode 6 wird das empfangene Datensignal 10' an
den schloßseitigen Mikroprozessor 1 weitergeleitet..Durch einfaches Sperren bzw. Anlegen
eines Datensignals am Transistor 11 bzw. 11' wird somit aus der
Halbleiterdiode 6 bzw. 6' wechselweise ein Lichtsender oder -Empfänger. In allen Fällen
kommt man mit der gleichen einfachen Schaltung sowohl schlüssel- als auch schloßseitig
aus.
1. Verfahren zur bidirektionalen Datenübertragung in einem elektronischen Schloßsystem,
bei dem der gegenseitige Datentransfer zwischen Schlüssel und Schloß über in ihnen
vorhandene, einen Übertragungskanal bildende Licht- Sender und -Empfänger, insbesondere
im Infrarotbereich arbeitende Halbleiterdioden erfolgt, dadurch gekennzeichnet , daß
der Datentransfer zwischen Schlüssel (B) und Schloß (A) in beiden Richtungen über
ein- und denselben Übertragungskanal mit entsprechendem Sender- und Empfängerwechsel
vorgenommen wird.
2. Nach dem Verfahren des Anspruchs 1 arbeitendes elektronisches Schloßsystem, dessen
Schlüssel und Schloß mit je einem Mikroprozessor sowie einem auf dessen Ein- und Ausgang
abwechselnd umzuschaltenden, Verstärker sowie Infrarot-Sender und -Empfänger enthaltenden
Sende- und Empfangs-Stromkreis versehen sind, dadurch gekennzeichnet, daß im Schlüssel
(B) wie auch im Schloß (A) jeweils nur ein eine Halbleiterdiode (6 bzw. 6') enthaltender Stromkreis (3 bzw.
3') vorgesehen sind und beide Stromkreise durch den zugehörigen Mikroprozessor (1
bzw. 1') gegensinnig als Sende- und Empfangskreis umschaltbar sind.
3. Elektronisches Schloßsystem nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Sende-
bzw. Empfangs-Stromkreise (3 bzw. 3') im Schlüssel (B) und Schloß (A) die gleiche Schaltung besitzen.
4. ,Elektronisches Schloßsystem nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet , daß die Halbleiterdiode
(6, 61) durch einen in ihren Stromkreis (3, 3') eingebauten, vom Mikroprozessor (1, 1')
gesteuerten Umschalter (Relais 9 bzw. 9') abwechselnd in Durchlaß-und Sperrrichtung
an Spannung anzulegen ist (Fig. 1, 2).
5. Elektronisches Schloßsystem nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet , daß in die
Spannungszuleitung zur Halbleiterdiode (6, 6') ein Transistor (11 bzw. 11') eingebaut
ist, der durch den Ausgang des zugehörigen Mikroprozessors (1 bzw. 1') im Sinne der
Datensendung freizugeben ist (Fig. 3, 4).
6. Elektronisches Schloßsystem nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet , daß zwischen
Halbleiterdiode (6, 6') und Eingang des Mikroprozessors (1, 1') ein Operations-Verstärker
(12, 12') vorgesehen ist.