(19)
(11) EP 0 250 476 A1

(12)

(43) Date de publication:
07.01.1988  Bulletin  1988/01

(21) Numéro de dépôt: 86906869.0

(22) Date de dépôt:  04.12.1986
(51) Int. Cl.: 
G01N 27/ 00( . )
H01L 29/ 78( . )
G01N 27/ 414( . )
(86) Numéro de dépôt:
PCT/FR1986/000420
(87) Numéro de publication internationale:
WO 1987/003687 (18.06.1987 Gazette  1987/13)
(84) Etats contractants désignés:
AT BE CH DE GB IT LI LU NL SE

(30) Priorité: 05.12.1985 FR 19850018037

(71) Demandeur: SOCIETE NATIONALE ELF AQUITAINE
F-92400 Courbevoie (FR)

(72) Inventeurs:
  • LACOMBE, Pierre
    F-31500 Toulouse (FR)
  • MICHAUX, Bernard
    F-75015 Paris (FR)
  • COUPUT, Jean-Paul
    F-64320 Bizanos (FR)
  • MARTINEZ, Augustin
    Préserville F-31570 Lanta (FR)
  • CHAUVET, François
    F-31130 Balma-Lasbordes (FR)

(74) Mandataire: Boillot, Marc 
ELF AQUITAINE Division Propriété Industrielle Tour Elf
F-92078 Paris la Défense Cédex 45
F-92078 Paris la Défense Cédex 45 (FR)

   


(54) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP SELECTIF AUX IONS ET PROCEDE DE FABRICATION