(19)
(11) EP 0 261 371 A3

(12) EUROPEAN PATENT APPLICATION

(88) Date of publication A3:
14.09.1988 Bulletin 1988/37

(43) Date of publication A2:
30.03.1988 Bulletin 1988/13

(21) Application number: 87111573

(22) Date of filing: 10.08.1987
(84) Designated Contracting States:
AT DE FR GB IT NL SE

(30) Priority: 26.09.1986 DE 3632844

(71) Applicant: Siemens Aktiengesellschaft
 ()

(72) Inventors:
  • Winnerl, Josef, Dr.
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  • Reczek, Werner
     ()
  • Pribyl, Wolfgang, Dr.
     ()

   


(54) Integrated circuit with latch-up protection circuit fabricated by complementary MOS technology


(57) Integrierte Schaltung mit "Latch-up" Schutzschaltung in komplementärer MOS Schaltungstechnik und einem Substrat­vorspannungsgenerator (16), der das p(n)-Halbleitersub­strat (1), in das eine n(p)-Wanne (2) eingefügt ist, auf eine negative (positive) Substratvorspannung legt. Zur Vermeidung von "Latch-up"-Effekten unterbricht eine elek­tronische Schutzschaltung (27) die kapazitiven Ladeströ­me des Kondensators (C) in Abhängigkeit von dem Substrat­potential, das an einem dotierten Substratvorspannungs­anschluß (18) des Halbleitersubstrats (1) entnommen wird.







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