(19)
(11) EP 0 320 738 A3

(12) EUROPÄISCHE PATENTANMELDUNG

(88) Veröffentlichungstag A3:
06.02.1991  Patentblatt  1991/06

(43) Veröffentlichungstag A2:
21.06.1989  Patentblatt  1989/25

(21) Anmeldenummer: 88120263.4

(22) Anmeldetag:  05.12.1988
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC)4H01L 29/743, H03K 17/08, H01L 29/06, H01L 29/91
(84) Benannte Vertragsstaaten:
AT CH DE FR GB IT LI SE

(30) Priorität: 17.12.1987 DE 3742895

(71) Anmelder: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
D-80333 München (DE)

(72) Erfinder:
  • Voss, Peter, Dr. Ing.
    D-8000 München 81 (DE)


(56) Entgegenhaltungen: : 
   
       


    (54) Überkopfzündfester Thyristor


    (57) Thyristoren können beim Überkopfzünden zerstört werden. Die Erfindung sieht deshalb vor, einen überkopfzündfesten Thy­ristor zu bilden. Der erfindungsgemäße überkopfzündfeste Thyristor weist einen Bereich (2) auf, der im Vergleich zum übrigen Halbleiterkörper eine geringere Durchbruchsspannung hat. Dieser Bereich (2) ist mit einer Hilfselektrode (11) ver­sehen und ist vom übrigen Halbleiterkörper (1) durch einen Graben (12) so getrennt, daß sich beim Einsatz des Lawinen­durchbruchs in Blockierrichtung eine Spannung größer 0,5 V gegenüber der ersten Emitterelektrode (8) aufbauen kann, ohne daß der Thyristor zündet. Die Hilfselektrode (11) ist über einen Widerstand (13) mit der ersten Emitterelektrode (8) des Thyristors verbunden. Außerdem ist zwischen der Hilfselektro­de (11) und der Steuerelektrode (10) ein Kippelement geschal­tet, das bei einem vorbestimmten Spannungsabfall am Widerstand (13) durchschaltet und den Zündvorgang des Thyristors einlei­tet.







    Recherchenbericht