NOUVELLE MEMBRANE A EFFET DE CHAMP SELECTIF AUX IONS METALLIQUES OU ORGANO-METALLIQUES, PROCEDE D'APPLICATION DE CETTE MEMBRANE SUR LE TRANSISTOR - Patent 0321533

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EP 0 321 533 A1

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(43)	Date de publication:
	28.06.1989 Bulletin 1989/26

(21)	Numéro de dépôt: 88905869.0

(22)	Date de dépôt: 16.06.1988

(51)

Int. Cl.:

G01N 27/ 00^{( . )}
G01N 27/ 414^{( . )}

G01N 27/ 333^{( . )}
H01L 29/ 78^{( . )}

(86)	Numéro de dépôt:
	PCT/FR1988/000315

(87)	Numéro de publication internationale:
	WO 1988/010421 (29.12.1988 Gazette 1988/28)

(84)	Etats contractants désignés:
	AT BE CH DE GB IT LI LU NL SE

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Priorité:

18.06.1987 FR 19870008540

(71)	Demandeur: SOCIETE NATIONALE ELF AQUITAINE
	F-92400 Courbevoie (FR)

(72)	Inventeurs:
	COUPUT, Jean-Paul F-64320 Bizanos (FR) SALARDENNE, Jean F-33600 Pessac (FR)

(74)	Mandataire: Boillot, Marc
	ELF AQUITAINE Division Propriété Industrielle Tour Elf F-92078 Paris la Défense Cédex 45 F-92078 Paris la Défense Cédex 45 (FR)

(54)	NOUVELLE MEMBRANE A EFFET DE CHAMP SELECTIF AUX IONS METALLIQUES OU ORGANO-METALLIQUES, PROCEDE D'APPLICATION DE CETTE MEMBRANE SUR LE TRANSISTOR