| (19) |
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(11) |
EP 0 327 157 A3 |
| (12) |
EUROPÄISCHE PATENTANMELDUNG |
| (88) |
Veröffentlichungstag A3: |
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05.12.1990 Patentblatt 1990/49 |
| (43) |
Veröffentlichungstag A2: |
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09.08.1989 Patentblatt 1989/32 |
| (22) |
Anmeldetag: 25.01.1989 |
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| (51) |
Internationale Patentklassifikation (IPC)4: H01H 1/02 |
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| (84) |
Benannte Vertragsstaaten: |
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AT CH DE FR GB LI NL |
| (30) |
Priorität: |
01.02.1988 DE 3802869
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| (71) |
Anmelder: |
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- Philips Patentverwaltung GmbH
22335 Hamburg (DE)
DE
- Philips Electronics N.V.
5621 BA Eindhoven (NL)
CH FR GB LI NL AT
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| (72) |
Erfinder: |
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- Dimigen, Heinz, Dr.rer.nat.
D-2000 Hamburg 52 (DE)
- Hübsch, Hubertus
D-2000 Hamburg 63 (DE)
- Kobs, Klaus, Dipl.-Ing.
D-2080 Pinneberg (DE)
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| (74) |
Vertreter: Volmer, Georg, Dipl.-Ing. et al |
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Philips Patentverwaltung GmbH,
Röntgenstrasse 24
22335 Hamburg
22335 Hamburg (DE) |
| (56) |
Entgegenhaltungen: :
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| (54) |
Kontaktwerkstoff und Verfahren zu dessen Herstellung |
(57) Kontaktwerkstoff in Form einer Schicht aus Chalkogeniden von Übergangsmetallen der
Gruppen IVa bis VIa des Periodischen Systems der Elemente (PSE) auf einem Substrat,
wobei die Struktur der Schicht durch Teilchenbeschuß modifiziert ist, sowie Verfahren
zur Herstellung eines solchen Kontaktwerkstoffes.