(19)
(11) EP 0 329 992 A3

(12) EUROPÄISCHE PATENTANMELDUNG

(88) Veröffentlichungstag A3:
21.03.1990  Patentblatt  1990/12

(43) Veröffentlichungstag A2:
30.08.1989  Patentblatt  1989/35

(21) Anmeldenummer: 89101832.7

(22) Anmeldetag:  02.02.1989
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC)4H01L 29/743, H01L 29/06, H01L 29/10
// H01L27/06
(84) Benannte Vertragsstaaten:
CH DE FR GB IT LI SE

(30) Priorität: 25.02.1988 DE 3805999

(71) Anmelder: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
80333 München (DE)

(72) Erfinder:
  • Türkes, Peter, Dr. Dipl.-Phys.
    D-8025 Unterhaching (DE)


(56) Entgegenhaltungen: : 
   
       


    (54) Abschaltbarer Thyristor mit geringer Ansteuerleistung


    (57) Thyristor mit einem oder mehreren Basisgebieten (4a) und in diese eingebetteten Emittergebieten (5a-5c), bei dem jedem Basisgebiet (4a) ein Feldeffekttransistor eines ersten Kanal­typs (T1) randseitig zugeordnet ist, der bei Zuführung eines Zündspannungsimpules (38) einer ersten Polarität an seine Gate­elektrode (14) einen Zündstromkreis einschaltet, und bei dem den Emittergebieten (5c) jeweils Feldeffekttransistoren eines zweiten Kanaltyps (T2) zugeordnet sind, die bei Zuführung eines Löschspannungsimpulses (41) einer zweiten Polarität jeweils Emitter-Basis-Kurzschlüsse (42) wirksam schalten, die den Thyristor abschalten. Die Ansteuerung sämtlicher Feldeffekt­transistoren (T1, T2) erfolgt über einen gemeinsamen Steuerein­gang (16).







    Recherchenbericht