Kapazitiver Schallwandler

Abstract

 Kapazitive Schallwandler sehr kleiner Bauart, insbesondere Mikrofone, bestehen aus mindestens zwei zusammengefügten Halbleiterchips, welche eine Membraneinheit und eine feststehende Gegenelektrodenstruktur ver­körpern und mittels bekannter Methoden der Halbleitertechnologie herge­stellt werden. Durch die sehr kleine Bauart entstehen hohe Strömungs­verluste, welche zu einem hohen Rauschen und einer geringen Empfind­lichkeit und einem schlechten Frequenzgang führen.
Der Wandler nach der Erfindung weist besonders geringe Strömungsver­luste auf, wodurch die genannten Nachteile stark vermindert werden. Er ist dadurch gekennzeichnet, daß der akustisch aktive Teil der Mem­braneinheit (1) mit mindestens einer Gegenelektrodenstruktur (3), wel­che von der Membraneinheit durch einen Luftspalt getrennt ist, ein ei­nem Feldeffekttransistor vergleichbares System bildet. Die aus halblei­tendem Grundmaterial gebildete Membraneinheit umfaßt eine akustisch ak­tive Membranfläche (2), deren der Gegenelektrodenstruktur zugewandte Sei­te (5) elektrisch leitend ist. Die Gegenelektrodenstruktur (3) besteht aus einer aus halbleitendem Grundmaterial herausgearbeiteten durch ei­ne Source-Drain-Anordnung begrenzte Kanalstrecke (8), deren geometri­sche Breitenabmessung in der Größenordnung von einem Zehntel der late­ralen Abmessung der aktiven Membranfläche liegt.

Beschreibung

[0001] Die Erfindung bezieht sich auf einen kapazitiven Schallwandler, welcher aus einer Membraneinheit und mindestens einer feststehenden Gegen­elektrodenstruktur aus halbleitenden Material besteht. Der Wandler dient als Mikrofon der Umsetzung von Schalldruckänderungen in elektri­sche Signale. Kapazitive Mikrofone nach dem bisherigen elektrostati­schen Prinzip bestehen aus einer Membran und zumindest einer festste­henden Gegenelektrode. Die Membran besitzt eine bestimmte Zugspannung, mit der die akustischen Eigenschaften der Mikrofonkapsel beeinflußt werden können. Die Gegenelektrode ist mit Kanälen und Bohrungen verse­hen, einerseits, damit die Luft aus dem vom Membran und Gegenelektrode begrenzten Luftspalt in ein Rückvolumen des Wandlers abströmen kann und andererseits, um die Dämpfungsverluste im Luftspalt zu reduzieren, die die Empfindlichkeit des Mikrofons herabsetzen und den Frequenzgang un­günstig beeinflussen. Die Signalwandlung geschieht durch Auswertung der relativen Kapazitätsänderung des Wandlers.

[0002] Die neueren Verfahren der Halbleitertechnologie erlauben die Herstel­lung von Miniaturwandlern auf mikromechanischem Wege, beispielsweise auf der Basis von Silizium. In der Literaturstelle KAPAZITITVE SILI­ZIUMSENSOREN FÜR HÖRSCHALLANWENDUNGEN, erschienen 1986 im VDI-Verlag, ISBN 3-18-14161o-9, wird der Aufbau eines Silizium-Mikrofones beschrie­ben. Dieser auf mikromechanischem Wege hergestellte Wandler besitzt die Abmessungen von ca. 1,6 x 2 x o,6 mm³. Die aktive Membranfläche besteht aus einer mit einer Metallschicht überzogenen Siliziumnitrid-Schicht, der, durch einen Luftspalt getrennt, eine ebenfalls aus Silizium herge­stellte Gegenelektrode gegenübersteht.

[0003] Bei halbleitertechnologisch hergestellten Miniaturmikrofonen ergeben sich besondere Nachteile, die durch Dämpfungsverluste im sehr engen Luftspalt bedingt sind. Wird die Membran von einem periodischen Wech­seldruck zu Schwingungen angeregt, so bildet sich im Luftspalt eine Strömung. Der Strömungswiderstand ist jedoch umso höher, je schmaler der Luftspalt ist, da die Verluste in erster Linie durch Reibung an den Wänden zustande kommen. Der Strömungswiderstand ist außerdem frequenz­abhängig; er nimmt mit steigenden Frequenzen zu, so daß die Empfind­lichkeit zu höheren Frequenzen hin stark absinkt. Da die Dämpfungsver­luste nicht linear mit einer Spaltverengung zunehmen sondern progres­siv, so ist der negative Einfluß bei Mikrofonen der beschriebenen Art besonders hoch. Die Möglichkeit, die Gegenelektrode zu durchlöchern ist wegen ihrer geringen Größe und wegen fehlender Technologie zur Zeit nicht gegeben. Bei dem in der Literaturstelle angegebenen Mikrofon sinkt daher die Empfindlichkeit aufgrund von Luftspaltverlusten auf Werte unter -6o dB, bezogen auf 1V/Pa und der Frequenzgang ist auf ei­nige Kilohertz begrenzt.

[0004] Luftspaltdämpfungen, die zwischen Membran und Gegenelektrode auftreten, ließen sich durch Verringerung der lateralen Abmessungen der Gegenelek­trode verringern. Laterale Abmessungen sind hier die Abmessungen senk­recht zur Strömungsrichtung der Luft. Durch solche Verkleinerungen sinkt jedoch auch die Ruhekapazität des Wandlers. Die untere Grenze derselben liegt im Hinblick auf die Höhe des in einer Niederfrequenz-­Schaltung gewonnenen Signals bei etwa 1 pF. Eine Verkleinerung der Ge­genelektrodenmaße, die zu einer Verringerung des Strömungswiderstandes führen könnte, kommt daher bei dieser geringen Ruhekapazität nicht mehr in Betracht.

[0005] Die Erfindung hat sich die Aufgabe gestellt, ein mit den Mitteln der Halbleitertechnologie hergestelltes Miniaturmikrofon zu schaffen, bei welchem die aktive Fläche der Membran hinsichtlich eines guten Wirkungsgrades wie bei bisher bekannten Mikrofonen erhalten bleibt, die im Luftspalt auftretenden Dämpfungsverluste jedoch durch eine geeignete Gestaltung der Gegenelektrode so verringert werden, daß die Nachteile bisher bekannter Mikrofone vermieden werden. Diese Aufgabe wird mit den im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 angegebenen Merkmalen ge­löst.

[0006] Eine in ihren lateralen Abmessungen wesentlich verkleinerte Gegenelek­trode, die zwangsläufig auch zu geringeren Dämpfungsverlusten führt, kann verwendet werden, wenn man davon abgeht, das Ausgangssignal des Wandlers durch die relative Änderung seiner Ruhekapazität zu gewinnen. Erfindungsgemäß lassen sich daher kleinere Ruhekapazitäten verwenden, wenn man durch die Bewegungen der Membran die Eingangskapazität eines aktiven Elementes steuert.

[0007] Feldeffekttransistoren besitzen Gate-Kanal-Kapazitäten im Bereich von 1o⁻¹⁵F, also von 1/1ooo der oben beispielsweise genannten Membran-­Gegenelektrodenkapazität von 1 pF. Wird also die Drain-Kanal-Source-­Struktur eines Feldeffekttransistors einer Membran gegenüber angeord­net, so werden die Strömungsverluste aufgrund der benötigten sehr ge­ringen Abmessungen der Gegenelektrodenstruktur weitgehend eleminiert. Dieser Effekt tritt bereits auf, wenn die Breite der Gegenelektroden­struktur ungefähr ein Zehntel der Abmessungen der aktiven Membranfläche beträgt.

[0008] Ein kapazitiver Schallwandler nach der Erfindung wird anhand einer Zeichnung nachfolgend und beispielsweise beschrieben. Es zeigen

die Fig. 1 den prinzipiellen Aufbau eines nach der Erfindung arbeitenden Schallwandlers,

die Fig. 2 ein Kleinsignal-Ersatzschaltbild

die Fig. 3 ein mechanisches Ersatzschaltbild

die Fig. 4 eine Frequenzgangdarstellung

die Fig. 5 eine schematische Darstellung eines Schallwandlers nach der Erfindung

die Fig. 6 eine beispielweise Anordnung mehrerer Schallwandler auf einem Wafer.

[0009] Der prinzipielle Aufbau eines kapazitiven Schallwandlers nach der Er­findung, im folgenden FET-Mikrofon genannt, ist in der Fig. 1 darge­stellt. Eine beispielsweise mit Aluminium metallisierte Membran befin­det sich, getrennt durch einen Luftspalt d_L über einer Drain-Kanal-­Source-Struktur, die im folgenden Gegenelektrodenstruktur genannt wird. Die Kanalzone dieser Struktur ist mit einer Oxid-Schutzschicht überzo­gen. Ein schwach p-dotiertes Siliziumsubstrat bildet die Kanalzone L, die stark n-dotierten Elektroden bilden Drain und Source des FETs. Es handelt sich hier beispielsweise um einen N-Kanal-Anreicherungstyp. Die Spannung U_GS, angelegt zwischen der Membran und dem Source-Anschluß be­stimmt den Arbeitspunkt des Feldeffekttransistors.

[0010] Das FET-Mikrofon wird zweckmäßigerweise in einer Source-Schaltung be­trieben. Diese ist in der Figur 3 ebenso dargestellt, wie das dazugehö­rigende Kleinsignal-Ersatzschaltbild. Die Betriebsspannung U_B wird dem Mikrofon über den Drain-Widerstand R_d zugeführt, der auf dem die Gegen­elektrode bildenden Chip gleich integriert werden kann. Am Drain-­Anschluß wird die Mikrofonausgangsspannung U_a abgegriffen; die Membran ist gegenüber Source mit der Spannung U_GS vorgespannt. In der darge­stellten Kleinsignalersatzschaltung der Fig. 3 wird die Stromquelle mit der mechanisch-elektrischen Steilheit S_me durch die Membranauslenkung X gesteuert. Der eingeprägte Strom erzeugt im Drain-Widerstand R_d einen Spannungsabfall, der der Ausgangsspannung U_a entspricht.

[0011] Zur Berechnung von Frequenzgang und Empfindlichkeit des FET-Mikrofons wird das in Abb. 2 gezeigte mechanische Ersatzschaltbild zugrunde ge­legt. R_S(w) und M_S(w) stellen die Strahlungsimpedanz Z_mS der Membran dar, M_M die Masse und C_M die Nachgiebigkeit der Membran, die mit der Schnelle v_m schwingt. Das rückwärtige Luftvolumen wird durch die Nach­giebigkeit C_V repräsentiert. Die Eingangskraft K = p x A setzt sich aus der Membranfläche A und dem vor der Membran herrschenden Wechseldruck p zusammen.

[0012] Aufgrund der Frequenzabhängigkeit der Strahlungsimpedanz müssen für das Ersatzschaltbild zwei Gültigkeitsbereiche unterschieden werden. Unter­halb von etwa 155 kHz gilt für die Strahlungsimpedanz Z_mS:
Z_mS= R_S+jwM_S,
mit R_S = 2,245 x 1o⁻¹⁶kg sec x w² und M_S = 3,163 x 1o⁻¹⁰kg.

[0013] Oberhalb 155 kHz ergibt sich für die Strahlungsimpedanz:
Z_mS = R_S+jwM_S,
mit R_S = 2,84o x 1o⁻⁴kg/sec und M_S = (24o,5 kg/sec²) / w².

[0014] Die Membranelemente dynamische Masse M_M und Nachgiebigkeit C_M haben die Werte:
M_M = 7,384 x 1o⁻¹⁰ kg und
C_M = 1/3oT (Zugspannung T in N/m im Bereich 2o...2oo N/m).

[0015] Für die Nachgiebigkeit des rückwärtigen Luftvolumens V gilt:
C_V = V/ρ_OC²A_eff²·

[0016] Als effektive Querschnittsfläche A_eff wird die Membranfläche angesetzt, A_eff = a². Das Volumen ergibt sich durch die Waferdicke, die die Rück­volumenhöhe darstellt. Sie beträgt 28o um. Somit folgt für C_V:
C_V = 2,866 x 1o⁻³ sec²/kg.

[0017] Masse, Nachgiebigkeit und Reibungsverluste der Luft im Luftspalt können vernachlässigt werden, da die Breite des Luftspaltes, der Breite der Drain-Kanal-Source-Struktur entsprechend wesentlich kleiner ist als die lateralen Abmessungen der Membran und der Öffnungen des Rückvolumens.

[0018] Die Rückwirkung des elektrischen Teils des FET-Mikrofons auf seine me­chanischen Eigenschaften entfällt, da die Membran das elektrische Feld im Luftspalt durch die Vorspannung U_GS niederohmig treibt. Bei herkömm­lichen Kondensatormikrofonen in Niederfrequenzschaltung kann jedoch die Wirkung der angeschlossenen Schaltung auf das mechanische Verhalten des Wandlers nicht vernachlässigt werden. Eingangswiderstand und -kapazität des Vorverstärkers erzeugen eine Dämpfung und eine transformierte "elektrische" Nachgiebigkeit, die in das Schwingungsverhalten der Mem­bran und damit in das Verhalten des gesamten Wandlers eingehen.

[0019] Für die mechanische Impedanz Z_m folgt:
Z_m= K/v_m= Z_mS+jwM_M+1/jwC_ges,
wobei C_ges= (1/C_M+1/C_V)⁻¹.

[0020] Mit v_m= jwx und Membranfläche A folgt:
U_a=-S_mexR_D=-S_meR_DV_m/jw = -S_meR_DpA/jwZ_m.

[0021] Für die Mikrofonemepfindlichkeit M_e und ihren Freuquenzgang folgt daraus:
^Me = U_a/p = -S_meR_DA/jwZ_m
= -S_meR_DAC_gesx 1/(1-w²M_MC_ges+jwZ_mSC_ges)

[0022] Man erkennt, daß die Mikrofonempfindlichkeit proportional mit der me­chanisch-elektrischen Steilheit S_me und dem Drainwiderstand R_D an­steigt. Diese lassen sich jedoch nicht beliebig vergrößern, da die ver­fügbare Höhe der Betriebsspannung U_B und die maximal einstellbare elektrische Membranvorspannung U_GS (Durchschlagfeldstärke im Kanal) Obergrenzen darstellen. Eine große Gesamtnachgiebigkeit C_ges bedingt eine "weiche" Membran (hohe Nachgiebigkeit C_M) und ein großes Rückvolu­men (C_V). Auch hier sind gewisse Grenzen gesetzt. Die kleine Membran­fläche A von Subminiaturwandlern stellt ein inhärentes Problem dar.

[0023] Eine grafische Darstellung der Abhängigkeit der Empfindlichkeit M_e von der Frequenz zeigt die Abb. 4 für verschiedene mechanische Membranspan­nungen und Rückvolumina.

[0024] Eine zweckmäßige Ausführungsform eines kapazitiven Schallwandlers nach der Erfindung wird anhand der Fig. 5 beschrieben. Das FET-Mikrofon be­steht aus zwei Chips, von denen der obere als Membraneinheit 1 die Mem­bran 2 trägt und der untere als Gegenelektrodenstruktur 3 die Drain-Ka­nal-Source-Struktur 8 des FETs trägt. Die Membran 2 besteht aus einer 15o nm starken Schicht 4 aus Siliziumnitrid, deren mechanische Span­nungseigenschaften durch Ionenimplantationen während des Herstellungs­prozesses beeinflußt werden können. Die Membran 2 wird von einem Stütz­rahmen 2.1 gehalten, welcher die Membran wallförmig umgibt und aus dem halbleitenden Grundmaterial, vorzugsweise Silizium besteht. Sie ist auf ihrer Unterseite mit einer 1oo nm-starken Aluminiumschicht 5 bedampft. Diese Bedampfung stellt das Gate des FETs dar. In dem unteren Chip wer­den durch Plasmaätzen zwei wannenförmige Gruben 6 und 7 eingebracht, die das Rückvolumen des Mikrofons bilden. Zwischen den Gruben befindet sich ein 8oµm-breiter Steg 8, der die Drain-Kanal-Source-Struktur 9, 1o und 11 des FETs trägt. Der Abstand des Kanals 1o zur Aluminium­schicht der Membran 5 beträgt 2 µm. Auf der Gegenelektrodenstruktur 3 sind ferner drei nicht weiter im einzelnen dargestellte Anschlußpads 11 für Drainkontakt, Sourcekontakt und die Aluminiumschicht der Membran, welche den Gate-Kontakt darstellt, angebracht. Eine Ausgleichsbohrung für den statischen Luftdruck befindet sich im Siliziumoxid-Rand 12 des Gegenelektrodenchips, sofern die Mikrofonkapsel als Druckwandler mit akustisch abgeschlossenen Volumen arbeiten soll.

[0025] Die Prozeßschritte zur Herstellung sowohl des Chips für die Membranein­heit als auch des Chips für die Gegenelektrodenstruktur sind dem in der Halbleitertechnologie bewanderten Fachmann bekannt und brauchen hier somit nicht weiter beschrieben zu werden. Um das Zusammenfügen der bei­den Halbleiterchips zu ermöglichen, wird noch auf die Siliziumoxid­schicht 12 eine Aluminiumschicht 13 aufgebracht. Die beiden Chips wer­den nun durch Erwärmung miteinander verbunden, wobei sich die gegen­überliegenden Aluminiumflächen der Membraneinheit 5 und der Gegenelek­trodenstruktur 13 miteinander verschmelzen.

[0026] Der in Fig. 5 beschriebene Wandler kann auch zu einem Gegentaktwandler erweitert werden, indem eine zweite Gegenelektrodenstruktur mit einem geeignet geformten Steg ähnlich dem Steg 8 in der durch den Wall vorge­gebenen Vertiefung der Membraneinheit 1 eingesetzt wird. In diesem Fall muß dann die Membran 2 auf beiden Seiten eine Metallisierung erhalten. Soll der Wandler in der beschriebenen Weise als Gegentaktwandler arbei­ten oder gemäß einer anderen zweckmäßigen Ausbildungsform eine Druck­gradientencharakteristik erhalten, so sind die vor beziehungsweise hin­ter der Membran liegenden Volumina über Öffnungen mit dem äußeren Schallfeld zu verbinden. In der Fig. 5 sind solche Öffnungen mit den Bezugsziffern 14 und 15 beispielsweise eingezeichnet.

[0027] Bei der beschriebenen Wandlerausführung ist zunächst in der Gegenelek­trodenstruktur für die Kanalzone das N- oder P-Kanal-Anreicherungsprin­zip verwendet worden. In vorteilhafter Weise kann jedoch auch für die Kanalzone das Verarmungsprinzip eingesetzt werden. Da hier bereits ein Arbeitspunkt in der FET-Schaltung vorgeben ist, kann hier die gesonder­te Vorspannung für das Gate entfallen, da sie in bekannterweise über einen im Source-Stromkreis eingesetzten Widerstand selbst erzeugt wer­den kann.

[0028] Wie aus den Herstellungsverfahren für integrierte Schaltungen bekannt geworden ist, werden sehr viele einander gleiche Baueinheiten auf ei­nem sogenannten Wafer gleichzeitig hergestellt und nach abgeschlossenem Herstellungsverfahren auseinandergetrennt. Bei der Herstellung von ka­pazitiven Schallwandlern nach der Erfindung ist es nun ebenfalls mög­lich, sehr viele Kleinstmikrofone auf einem Wafer herzustellen, sie aber nicht zu vereinzeln, sondern in besonders geformten Gruppen her­auszutrennen. Durch die Reihenanordnung mehrerer nebeneinanderliegender Mikrofonsysteme und deren elektrische Zusammenschaltung ist es möglich, beispielsweise ein Interferenz-Richtmikrofon zu erhalten.

[0029] Ein großer Vorteil bei einem kapazitiven Wandler nach der Erfindung liegt darin, daß einer relativ großen aktiven Membranfläche, die für einen guten akustischen Wirkungsgrad des Wandlers gefordert wird, nur ein kleiner Teil der Membranfläche einer Gegenelektrodenstruktur gegen­über liegt und somit die Strömungsverluste vernachlässigbar klein wer­den. Daraus ergibt sich ein großer linearer Übertragungsbereich bei sehr guter Empfindlichkeit, wie aus der Fig. 4 zu erkennen ist. Weiter­hin ist auch das Rauschverhalten des Wandlers außerordentlich günstig, da der durch Dämpfungen im Luftspalt hervorgerufene Rauschanteil prin­zipbedingt sehr niedrig ausfällt. Kapazitive Wandler werden zumeist in der sogenannten Niederfrequenzschaltung betrieben und benötigen daher einen Vorwiderstand, dessen thermisches Rauschen ebenfalls mit wachsen­dem Widerstandswert zunimmt. Sinkende Wandlerruhekapazitäten bei Mi­niaturmikrofonen bedingen bei gleicher unterere Grenzfrequenz jedoch größer werdende Vorwiderstände, worin bei den bisherigen Ausführungen ein unlösbares Problem bestand. Da das FET-Mikrofon keinen Vorwider­stand benötigt, ist damit ebenfalls der Rauschanteil wesentlich ver­ringert worden.

[0030] Das Rauschverhalten kann auch dadurch verbessert werden, daß mehrere auf dem Wafer gemeinsam entstandene FET-Mikrofone parallel geschaltet als eine Mikrofoneinheit betrieben werden.

Ansprüche

1. Kapazitiver Schallwandler, bestehend aus mindestens zwei zusammen­gefügten Halbleiterchips, welche eine Membraneinheit und eine feststehende Gegenelektrodenstruktur verkörpern und mittels be­kannter Methoden der Halbleitertechnologie hergestellt werden,
dadurch gekennzeichnet,
daß der akustisch aktive Teil der Membraneinheit mit mindestens einer Gegenelektrodenstruktur, welche von der Membraneinheit durch einen Luftspalt getrennt ist, ein einem Feldeffekttransistor ver­gleichbares System bildet derart, daß einerseits die aus halbleitendem Grundmaterial gebildete Mem­braneinheit eine akustisch aktive Membranfläche umfaßt, deren der Gegenelektrodenstruktur zugewandte Seite elektrisch leitend ist, und andererseits die Gegenelektrodenstruktur aus einer aus halb­leitenden Grundmaterial herausgearbeiteten, durch eine Source-­Drain-Anordnung begrenzten Kanalstrecke besteht, deren geometri­sche Breitenabmessung in der Größenordnung von einem Zehntel der lateralen Abmessung der aktiven Membranfläche liegt.

2. Kapazitiver Schallwandler nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß als Grundmaterial für die Membraneinheit und die Gegenelektro­denstruktur Silizium eingesetzt wird, und die aktive Fläche der Membraneinheit aus einer Siliziumnitrid-Schicht besteht, welche mit Aluminium bedampft und deren mechanische Spannung durch Ionen­implantation bestimmt ist.

3. Kapazitiver Schallwandler nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß nach Art eines Gegentaktwandlers beide Seiten der aktiven Fläche der Membran metallisiert sind und jeder Seite eine Gegen­elektrodenstruktur zugeordnet ist.

4. Kapazitiver Wandler nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß in der Gegenelektrodenstruktur für die Kanalzone das N- oder P-Kanal-Anreicherungsprinzip verwendet wird.

5. Kapazitiver Wandler nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß in der Gegenelektrodenstruktur für die Kanalzone das N- oder P-Kanal-Verarmungsprinzip verwendet wird.

6. Kapazitiver Wandler nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
gekennzeichnet
durch eine durch ein abgeschlossenes Volumen der Gegenelektroden­struktur bedingte Druckwandlercharakteristik.

7. Kapazitiver Wandler nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
gekennzeichnet
durch eine durch in der Gegenelektrodenstruktur außerhalb des Kanalbereichs angeordnete Öffnungen bedingte Druckgradienten­charakteristik.

8. Mehrfachwandler unter Verwendung von kapazitiven Schallwandlern nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
gekennzeichnet
durch die elektrische Zusammenschaltung mehrerer auf einem Wafer in Reihe angeordneter und gleichzeitig hergestellter Wandler zu einem Interferenz-Richtmikrofon.

9. Mehrfachwandler unter Verwendung von kapazitiven Wandlern nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
gekennzeichnet
durch die elektrische Parallelschaltung mehrerer auf einem Wafer gemeinsam herausgetrennter Wandlersysteme.

10. Kapazitiver Wandler nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß auf der Gegenelektrodenstruktur weitere, Verstärkerschaltungen bildende Bauelemente integriert sind.

Zeichnung