Verfahren zur Herstellung monolithisch integrierter, multifunktionaler Schaltungen

Abstract

 Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung mono­lithisch integrierter, multifunktionaler Schaltungen. Ein Schaltkreis wird im Substrat integriert und weitere mehr­schichtige Halbleiterbauelemente und die entsprechenden elektrischen Zuleitungen werden auf dem Substrat überein­ander angeordnet. Die mehrschichtigen Halbleiterbauelemente und die elektrischen Zuleitungen, werden aus einer epitak­tisch gewachsenen Halbleiterschichtenfolge hergestellt.

Beschreibung

[0001] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung multifunktionaler Schaltungen nach dem Oberbegriff des Patent­anspruchs 1.

[0002] Die Erfindung findet Verwendung bei der Herstellung von dreidimensionalen Halbleiterschaltungen. Sie eignet sich insbesondere zum Aufbau von integrierten mm-Wellenschaltun­gen und Si-Mikrowellenschaltungen (Si-MMICs).

[0003] Die Herstellung von multifunktionalen Schaltungen erfolgt bisher in zweidimensionaler integrierter oder hybrider Bauweise. Das hat den Nachteil, daß Koppelverluste zwischen den einzelnen Bauteilen der Schaltung entstehen. Die Her­stellung herkömmlicher hybrider und integrierter, multifunk­tionaler Schaltungen ist kostenintensiv, und die zweidimen­sionale Bauweise erfordert einen hohen Platzbedarf. Die Zuleitungen zwischen den in verschiedenen Ebenen angeordne­ten aktiven und/oder passiven Bauelementen bestehen aus Metallen oder Metall-Halbleiter Verbindungen.

[0004] Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfah­ren zur Herstellung multifunktionaler Schaltungen anzugeben, bei dem durch selective Epitaxie-Verfahren dreidimensionale Schaltungsanordnungen hoher Packungsdichte und mit kurzen, verlustarmen, elektrischen Zuleitungen kostengünstig herge­stellt werden.

[0005] Diese Aufgabe wird gelöst durch die im kennzeichneden Teil des Patentanspruchs 1 angegebenen Merkmale. Vorteilhafte Ausgestaltungen und/oder Weiterbildungen sind den Unteran­sprüchen zu entnehmen.

[0006] Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung einer multifunktionalen Schaltung ist von Vorteil, daß Halbleiter­bauelemente und die für ihre Steuerung und/oder Verstärkung notwendigen integrierten Schaltkreise, sowie deren elektri­sche Verbindungen aus einem gemeinsamen Substrat und einer darauf aufgewachsenen Halbleiterschichtenfolge hergestellt werden. Es entsteht eine dreidimensionale Schaltungsanord­nung, bei der eine hohe Packungsdichte von Halbleiterbauele­menten erreicht wird. Die in verschiedenen Ebenen der drei­dimensionalen Schaltung angeordneten Schaltkreise und mehr­ schichtigen Halbleiterbauelemente werden durch Kontaktschich­ten und einkristalline, vertikale Kontaktzonen elektrisch miteinander verbunden. Die Bauelementstruktur und die elek­trischen Zuleitungen werden gemeinsam in einem Epitaxiever­fahren hergestellt. Die elektrischen Zuleitungen bestehen zum Teil aus einkristallinem Halbleitermaterial. Es werden dadurch kurze, verlustarme, elektrische Verbindungen zwischen den einzelnen Halbleiterbauelementen gebildet.

[0007] Die Mehrschicht-Halbleiterbauelemente können unterschiedlich in die multifunktionale Schaltung integriert werden. Die Mehrschicht-Halbleiterbauelemente können

a) auf einer im Substrat vergrabenen, hochdotierten Halb­leiterzone,

b) auf einem Kontaktbereich eines im Substrat befindlichen aktiven oder passiven Bauelementes,

c) auf einer elektrisch leitenden Schicht der Halbleiter­schichtenfolge, die als elektrische Verbindung für die Bauelemente in verschiedenen Ebenen der dreidimensio­nalen Schaltung ausgebildet ist,
angeordnet werden.

[0008] Die in die Halbleiterschichtenfolge integrierten, vertikalen Kontaktzonen, die für die elektrischen Verbindungen zwischen den Bauelementen der multifunktionalen Schaltung notwendig sind, können ebenfalls auf

a) Kontaktbereichen von aktiven und passiven Bauelementen,

b) im Substrat vergrabenen, leitenden Halbleiterzonen,

c) elektrisch leitenden Schichten der Halbleiterschichten­folge

aufgebracht werden.

[0009] Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungsbei­spielen unter Bezugnahme auf schematische Zeichnungen näher erläutert.

[0010] Fig. 1 und Fig. 2 zeigen die Verfahrensschritte zur Her­stellung einer multifunktionalen, dreidimensionelen Schal­tung.

[0011] In ein hochohmiges, einkristallines Substrat 1 aus z.B. Si wird ein Schaltkreis, der z.B. einen Bipolartransistor 3 enthält, integriert. Der Bipolartransistor 3 ist aus den in das Substrat integrierten Emitter, Basis- und Kollektorbe­reichen 91, 92, 94, 93 aufgebaut. Der Kollektorbereich 93 wird durch eine im Substrat 1 vergrabene, leitende Halblei­terzone 8 kontaktiert. Auf das Substrat 1 ist eine erste Passivierungsschicht 7 aus z.B. Fließglas aufgebracht, damit etwaige Strukturunebenheiten der Substratoberfläche einge­ebnet werden. In der ersten Passivierungsschicht 7 werden durch bekannte Foto- und Ätzprozesse Fenster geöffnet, so daß z.B. der Basisanschluß 94 des Bipolartransistors 3 und ein Teilbereich der vergrabenen, leitenden Halbleiterzone 8 freiliegen. Mit einem Epitaxie-Verfahren, insbesondere mit der Molekularstrahlepitaxie, werden ganzflächig auf der ersten Passivierungsschicht 7 und auf dem freigelegten Basisanschluß 94, sowie auf der leitenden Halbleiterzone 8 Halbleiterschichten, beispielsweise Si-Schichten, abgeschie­den. Auf dem einkristallinen Basisanschluß 94 und auf der einkristallinen, leitenden Halbleiterzone 8 entstehen ein­kristalline und auf der ersten Passivierungsschicht 7 poly­kristalline Halbleiterbereiche 2, 2a, 6 (Fig. 1a). Die Do­tierung der epitaktisch gewachsenen Halbleiterschichten muß so gewählt werden, daß einerseits der polykristalline Be­reich 6 hochohmig und andererseits die einkristallinen Be­reiche 2, 2a elektrisch leitend sind. Auf die ein- und polykristallinen Bereiche 2, 2a, 6 wird ganzflächig eine zweite Passivierungsschicht 7 aus z.B. Fließglas aufge­bracht. In der zweiten Passivierungsschicht 7a wird über dem einkristallinen Bereich 2a ein Fenster geöffnet. In den einkristallinen Bereich 2a wird z.B. As implantiert oder diffundiert (Fig. 1b). Es entsteht eine vertikale Kontakt­zone 5. In vertikaler Richtung ändert sich die Leitfähig­keit der Kontaktzone 5, entsprechend den bekannten Implanta­tions oder Diffusionsprofilen. Durch die Wahl der Implanta­tions- oder Diffusionsdosis, der ursprünglichen Dotierung der Bauelementstruktur 2a und der geometrischen Abmessungen (Höhe und Querschnitt) der Kontaktzone ist der Widerstand der Kontaktzone einstellbar.

[0012] Anschließend wird die zweite Passivierungsschicht 7a durch naßchemisches Ätzen oder Trockenätzen abgetragen. Eine elektrisch leitende Schicht 4 aus einer Metall-Halbleiter­ Verbindung, z.B. NiSi₂, wird derart aufgewachsen, daß eine geeignete elektrische Verbindung zwischen Bauelement 2 und vertikaler Kontaktzone 5 entsteht (Fig. 1c). Durch eine Wiederholung der Prozeßfolge (Fig. 1a bis 1c) werden weitere Bauelementstrukturen und vertikale Kontaktzonen übereinander gewachsen.

[0013] Eine weitere Verfahrensvariante zur Herstellung einer dreidi­mensionalen, multifunktionalen Schaltung ist in den Fig. 2a bis 2d dargestellt. Analog dem oben beschriebenen Verfahren wird auf ein Substrat 1, aus z.B. einkristallinem, hochohmi­gen Si, das eine Bipolarschaltung mit mindestens einem Bipolartransistor 3 enthält, eine erste Passivierungsschicht 7 aus z.B. Fließglas aufgebracht. Emitter-, Basis- und Kollektorbereiche 91, 94, 92, 93 des Bipolartransistors 3 sind im Substrat 1 integriert. Der Kollektorbereich 93 wird über eine im Substrat 1 vergrabene, elektrisch leitende Halbleiterzone 8 kontaktiert. Durch bekannte Foto- und Ätzverfahren wird in der ersten Passivierungsschicht 7 über dem Basisbereich 94 des Bipolartransistors 3 ein Fen­ster geöffnet. Mit z.B. der Molekularstrahlepitaxie wird auf die erste Passivierungsschicht 7 und auf den Basisbe­reich 94 eine dicke Halbleiterschicht aus beispielsweise Si gewachsen. Auf der ersten Passivierungsschicht 7 bilden sich polykristalline Bereiche 6 und auf dem einkristallinen Basisbereich 94 wächst ein einkristalline, vertikale Kon­taktzone 5 auf. Die Dotierung der vertikalen Kontaktzone 5 und der polykristallinen Bereiche 6 wird so gewählt, daß einerseits ein geeigneter Widerstand in der Kontaktzone 5 einstellbar ist und andererseits die polykristallinen Be­reiche 6 hochohmig sind (Fig. 2a).

[0014] Anschließend wird ganzflächig auf die Kontaktzonen 5 und die polykristallinen Bereiche 6 eine zweite Passivierungsschicht 7a aufgebracht. In den polykristallinen Bereichen 6 wird ein Graben 10 geätzt, derart, daß die im Substrat 1 vergrabene, elektrisch leitende Halbleiterzone 8 teilweise freiliegt (Fig. 2b). Auf die zweite Passivierungsschicht 7a und in den Graben 10 werden Halbleiterschichten einer gewünschten Bauelementstruktur epitaktisch aufgewachsen. Auf der zweiten Passivierungsschicht 7a bilden sich die polykristallinen Bereiche 6a und im Graben 10 entsteht ein Mehrschicht-Bau­element 2 (Fig. 2c). Durch einen sogenannten Stripp-Prozeß durch Unterätzen der Passivierungsschicht 7a werden die polykristallinen Bereiche 6a und die Passivierungsschicht 7a entfernt. Eine elektrisch leitende Schicht 4 aus einer Metall-Halbleiterverbindung, z.B. NiSi₂, wird auf die poly- und einkristallinen Bereiche aufgewachsen, so daß eine elektrische Zuleitung zwischen vertikaler Kontaktzone 5 und Mehrschicht- Bauelement 2 hergestellt wird (Fig. 2d).

[0015] Durch Wiederholung der Prozeßschritte werden weitere überein­ander angeordnete Mehrschicht-Bauelemente und entsprechende Kontaktzonen und elektrische Zuleitungen hergestellt. Zur Herstellung der Halbleiterschichtenfolge eignen sich sowohl die differentielle Molekularstrahlepitaxie sowie auch selek­tive, reaktive Epitaxieverfahren, z.B. CVD (chemical vapor deposition) oder MOVPE (metal organic vapor phase epitaxy) -Verfahren

[0016] Durch geeignete Prozeßbedingungen (z.B. Unterdruck von 50 Torr bei der MOVPE) wird erreicht, daß sich keine polykri­stallinen Bereiche 6a auf der zweiten Passivierungsschicht 7a bilden, und lediglich im Graben 10 einkristalline Halb­leiterschichten aufwachsen.

[0017] Das erfindungsgemäße Verfahren wird zur Herstellung von dreidimensionalen, multifunktonalen Schaltungen verwendet, die z.B. in der gleichzeitig eingereichten Patentanmeldung mit dem internen Aktenzeichen UL 88/20a beschrieben sind.

[0018] Die Erfindung ist nicht auf die in den Ausführungsbeispielen angegebenen Halbleiterstrukturen und Halbleitermaterialien beschränkt. Das Substrat und die Halbleiterschichten für eine dreidimensionale Schaltung können aus unterschiedlichen Halbleitermaterialien hergestellt werden, z.B. aus Si, Ge, sowie aus III/V- und II/VI-Halbleiterverbindungen.

Ansprüche

1. Verfahren zur Herstellung monolithisch integrierter, multi­funktionaler Schaltungen, bestehend aus mindestens einem inte­grierten Schaltkreis (3), der in ein einkristallines Substrat (1) integriert wird, und zumindest einem mehrschichtigen Halb­leiterbauelement, dadurch gekennzeichnet,
- daß auf dem Substrat (1) eine Halbleiterschichtfolge struk­turiert gewachsen wird,
- daß in der Halbleiterschichtenfolge Mehrschicht-Bauelemente (2) und entsprechende elektrische Zuleitungen enthalten sind und eine planare, dreidimensionale Schaltungsanordnung gebildet wird, und
- daß die elektrischen Zuleitungen aus epitaktisch gewachse­nen, vertikalen Kontaktzonen (5) und leitenden Schichten (4) gebildet werden.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn­zeichnet, daß die Halbleiterschichten der Mehrschicht-Bau­elemente (2) und die einkristallinen Halbleiterbereiche (2a) gleichzeitig epitaktisch gewachsen werden (Fig. 1).

3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die einkristallinen Halbleiterbereiche (2a) durch nach­trägliche Implantations- und/oder Diffusionsverfahren als vertikale Kontaktzonen (5) eines einheitlichen Leitungstyps ausgebildet werden.

4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn­zeichnet, daß zuerst die vertikalen Kontaktzonen (5) herge­stellt werden und anschließend die Halbleiterschichten für die Mehrschicht-Bauelemente (2) selektiv epitaktisch gewach­sen werden (Fig. 2).

5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche. dadurch gekennzeichnet, daß die vertikalen Kontaktzonen (5) als nahezu widerstandslose Verbindungen zwischen den in verschiedenen Ebenen angeordneten Halbleiterbauelementen ausgebildet werden.

6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die vertikalen Kontaktzonen (5) als Widerstände ausgebildet werden.

7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die vertikalen Kontaktzonen (5) aus einkristallinem, dotiertem Halbleitermaterial herge­stellt werden.

8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrisch leitenden Schich­ten (4) aus Metall-Halbleiter-Verbindungen hergestellt werden.

Zeichnung