[0001] Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Selbsterregung von Eigenresonanzschwingungen
des mechanischen Schwingsystems eines Füllstandssensors mit einem elektromechanischen
Wandlersystem, das im Rückkopplungskreis einer elektronischen Verstärkerschaltung
angeordnet ist, so daß es durch die Ausgangswechselspannung der Verstärkerschaltung
zu mechanischen Schwingungen angeregt wird und zum Eingang der Verstärkerschaltung
eine Wechselspannung mit der Frequenz der mechanischen Schwingungen liefert, wobei
die Verstärkerschaltung einen Operationsverstärker mit nichtlinearer Verstärkungskennlinie
enthält, die bei kleinen Werten des Eingangssignals eine größere Verstärkung als bei
größeren Werten des Eingangssignals ergibt.
[0002] Eine Schaltungsanordnung dieser Art ist aus der EP-A-240 360 bekannt. Durch die nichtlineare
Verstärkungskennlinie wird ein Problem gelöst, das insbesondere bei mechanischen Schwingsystemen
von Füllstandssensoren auftritt. Zur Feststellung des Erreichens eines vorbestimmten
Füllstands in einem Behälter mit Hilfe eines zu Eigenresonanzschwingungen angeregten
mechanischen Schwingsystems wird die Tatsache ausgenutzt, daß die Schwingungen beim
Eintauchen des Sensors in das Füllgut infolge der starken Dämpfung aussetzen, während
das Wiedereinsetzen der Schwingungen anzeigt, daß der Füllstand unter die Einbauhöhe
des Sensors gefallen ist. Wird bei einer solchen Anwendung der Sensor im Prozeßbehälter
hohen Temperaturen ausgesetzt, so kann sich dadurch der Übertragungsfaktor des Sensors
so stark ändern, daß er nicht mehr anschwingen kann, wodurch es zu einer Fehlanzeige
des Füllstands kommt. In gleicher Weise wirken sich stark zur Ansatzbildung neigende
Füllgüter (z.B. Kalk, Mehl) aus: Bei starker Ansatzbildung kann der Sensor nicht mehr
anschwingen, so daß fälschlich angezeigt wird, daß der Sensor bedeckt ist, obwohl
er in Wirklichkeit nicht in das Füllgut eintaucht und nur mit Ansatz bedeckt ist.
Wenn zur Vermeidung dieses Problems die Verstärkung der Verstärkerschaltung erhöht
wird, wird die Fremdvibrationsempfindlichkeit zu groß. Dies bedeutet, daß bei bedecktem
Sensor Vibrationen am Behälter, die beispielsweise durch Rüttler oder vorbeiströmendes
Füllgut verursacht werden, Ausgangsspannungen der Verstärkerschaltung verursachen
können, die vortäuschen, daß der Sensor nicht bedeckt ist und Eigenresonanzschwingungen
ausführt, wobei dann fälschlicherweise ein zu niedriger Füllstand angezeigt wird.
Durch die nichtlineare Verstärkungskennlinie wird ein sicheres Anschwingen auch unter
ungünstigen Betriebsbedingungen gewährleistet und die Gefahr von Fehlanzeigen des
Schwingungszustands verringert, ohne daß die Fremdvibrationsempfindlichkeit zu groß
wird.
[0003] Bei der aus der EP-A-240 360 bekannten Schaltungsanordnung enthält der Rückkopplungskreis
des Operationsverstärkers einen nichtlinearen Widerstand mit positivem Temperaturkoeffizient
in Reihe mit einem aus einer Induktivität und einer Kapazität gebildeten Serienschwingkreis.
Die nichtlineare Verstärkerkennlinie entsteht dadurch, daß der nichtlineare Widerstand
beim Einsetzen der Schwingungen einen kleineren Widerstandswert als im stationären
Schwingungszustand hat. Da außerdem das mechanische Schwingungsgebilde in einer kapazitiven
Brücke liegt, die über eine zweite Induktivität an den Ausgang des Operationsverstärkers
angekoppelt ist, ist diese Schaltungsanordnung aufwendig, und sie enthält Schaltungselemente,
die in der üblichen Halbleiterschaltungstechnik ungern verwendet werden.
[0004] Aus der Zeitschrift "Wireless World", Band 73, Nr. 12, Dezember 1967, Seiten 594-598,
sind Dioden-Funktionsgeneratoren bekannt, die durch einen Operationsverstärker mit
in Abhängigkeit von der Signalamplitude veränderlichem Rückkopplungswiderstand gebildet
sind. Zur Erzielung des veränderlichen Rückkopplungswiderstands weist der Rückkopplungskreis
mehrere parallele Zweige auf, von denen jeder einen Widerstand in Serie mit einer
Diode enthält. Die Widerstandswerte sind so abgestuft, daß die Dioden bei unterschiedlichen
Werten des Eingangssignals leitend werden und dann jeweils den in Serie dazu liegenden
Widerstand parallel in den Rückkopplungszweig einschalten. Dadurch ergibt sich eine
Funktionskennlinie in Form eines gebrochenen Linienzugs. Diese Wirkung tritt jedoch
nur für eine der beiden Stromrichtungen ein, denn für die andere Stromrichtung sind
alle Dioden gesperrt. Um eine Wechselspannung gemäß der Funktionskennlinie zu verändern,
muß diese Wechselspannung einseitig auf das Bezugspotential festgelegt werden, so
daß sie sich nur nach einer Seite verändert. Diese bekannte Schaltungsanordnung eignet
sich daher nicht für die Selbsterregung von Eigenresonanzschwingungen des mechanischen
Schwingsystems eines Füllstandssensors durch eine zum Bezugspotential symmetrische
Wechselspannung.
[0005] Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung einer Schaltungsanordnung der eingangs angegebenen
Art von einfachem Aufbau, die nur Schaltungselemente der üblichen Halbleiterschaltungstechnik
enthält und die Selbsterregung von Eigenresonanzschwingungen des mechanischen Schwingsystems
eines Füllstandssensors durch eine zum Bezugspotential symmetrische Wechselspannung
ermöglicht.
[0006] Gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung wird diese Aufgabe dadurch gelöst,
daß der Rückkopplungskreis des Operationsverstärkers zwei in Serie geschaltete Widerstände
enthält, und daß einem der beiden Widerstände zwei Halbleiterdioden gegensinnig parallelgeschaltet
sind.
[0007] Eine zweite Ausführungsform der Erfindung besteht darin, daß der invertierende Eingang
des Operationsverstärkers durch einen Schaltungszweig, der einen Feldeffekttransistor
enthält, mit Masse verbunden ist, und daß der Strompfadwiderstand des Feldeffekttransistors
durch eine an dessen Gate-Elektrode angelegte Steuerspannung veränderlich ist, die
von der Ausgangsspannung des Operationsverstärkers abhängt.
[0008] Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele der Erfindung beschrieben, die in der Zeichnung
dargestellt sind. In der Zeichnung zeigt:
- Fig. 1
- das Blockschaltbild einer Schaltungsanordnung zur Erregung eines mechanischen Schwingsystems
zu Eigenresonanzschwingungen,
- Fig. 2
- das Schaltbild einer Ausführungsform des Eingangsverstärkers der Schaltungsanordnung
von Fig. 1,
- Fig. 3
- Diagramme zur Erläuterung der Funktionsweise des Eingangsverstärkers von Fig. 2,
- Fig. 4
- das Schaltbild einer anderen Ausführungsform des Eingangsverstärkers von Fig. 2 und
- Fig. 5
- Diagramme zur Erläuterung der Funktionsweise des Eingangsverstärkers von Fig. 4.
[0009] Fig. 1 zeigt als Beispiel für ein mechanisches Schwingsystem, das zu Schwingungen
mit der Eigenresonanzfrequenz angeregt werden soll, einen Füllstandssensor 10 mit
zwei Schwingstäben 12, 14. Die Schwingstäbe werden in gegenphasige Biegeschwingungen
versetzt, die beim Eintauchen der Stäbe in das Füllgut so stark gedämpft werden, daß
die Schwingungen aussetzen, wodurch festgestellt werden kann, daß das Füllgut einen
vorbestimmten Füllstand erreicht hat, während umgekehrt das Wiedereinsetzen der Schwingungen
anzeigt, daß der Füllstand wieder unter die zu überwachende Höhe gefallen ist. Die
Schwingstäbe, 12, 14 sind jeweils mit einem Ende an einer Membran 16 befestigt, die
am Rand in einer Halterung 18 eingespannt ist.
[0010] Zur Erzeugung der Eigenresonanzschwingungen des mechanischen Schwingsystems 10 ist
mit der Membran 16 ein elektromechanisches Wandlersystem 20 verbunden, daß einen Sendewandler
22 und einen Empfangswandler 24 aufweist. Der Sendewandler 22 ist an den Ausgang einer
Verstärkerschaltung 30 angeschlossen und so ausgebildet, daß er eine von der Verstärkerschaltung
30 gelieferte elektrische Wechselspannung (bzw. einen elektrischen Wechselstrom) in
eine mechanische Schwingung umsetzt, die auf die Membran 16 und auf die Schwingstäbe
12, 14 übertragen wird. Der Empfangswandler 24 ist mit dem Eingang der Verstärkerschaltung
30 verbunden und so ausgebildet, daß er die mechanische Schwingung des Schwingsystems
10 in eine elektrische Wechselspannung der gleichen Frequenz umsetzt. Diese Eingangswechselspannung
wird von der Verstärkerschaltung verstärkt, und die dadurch erhaltene verstärkte Ausgangswechselspannung
der gleichen Frequenz wird an den Sendewandler 22 angelegt. Es ist unmittelbar zu
erkennen, daß das mechanische Schwingsystem auf diese Weise in einem selbsterregenden
Rückkopplungskreis der Verstärkerschaltung 30 liegt, in welchem es das frequenzbestimmende
Glied bildet, so daß es zu Schwingungen mit seiner Eigenresonanzfrequenz angeregt
wird.
[0011] Die elektromechanischen Wandler 22, 24 können von beliebiger, an sich bekannter Art
sein, beispielsweise elektromagnetische oder elektrodynamische Wandler mit Spulen,
magnetostriktive Wandler, piezoelektrische Wandler oder dergleichen. Bei dem beschriebenen
Ausführungsbeispiel ist angenommen, daß es sich um piezoelektrische Wandler handelt,
die in bekannter Weise einen zwischen zwei Elektroden angeordneten Piezokristall enthalten,
der eine Formänderung erfährt, wenn eine elektrische Spannung an die beiden Elektroden
angelegt wird, und der umgekehrt bei einer mechanisch erzwungenen Formänderung eine
elektrische Spannung zwischen den beiden Elektroden erzeugt. Der Sendewandler 22 und
der Empfangswandler 24 können daher von gleicher Bauart sein.
[0012] Die Verstärkerschaltung 30 enthält einen Eingangsverstärker 32, dessen Eingangsklemmen
mit den beiden Elektroden des Empfangswandlers 24 verbunden sind, ein an den Ausgang
des Eingangsverstärkers 32 angeschlossenes Bandfilter 34 und einen Endverstärker 36,
an dessen Ausgangsklemmen die beiden Elektroden des Sendewandlers 22 angeschlossen
sind. Das Bandfilter 34 ist auf die zu erregende Eigenresonanzfrequenz des elektromechanischen
Schwingsystems 10 abgestimmt, so daß die elektrische Wechselspannung mit dieser Frequenz
selektiv verstärkt wird. Hierbei kann es sich um die Frequenz der Grundschwingung
oder auch um die Frequenz einer Oberschwingung der Eigenresonanz des mechanischen
Schwingsytems 10 handeln.
[0013] Die Besonderheit der Verstärkerschaltung 30 besteht darin, daß ihre Verstärkungskennlinie
in Abhängigkeit von der Größe des Eingangssignals derart nichtlinear ist, daß die
Verstärkung bei kleinen Amplituden des Eingangssignals größer als bei großen Amplituden
ist. Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel wird diese nichtlineare Verstärkungskennlinie
der Verstärkerschaltung 30 dadurch erreicht, daß der Eingangsverstärker 32 mit nichtlinearer
Verstärkung ausgebildet ist.
[0014] Fig. 2 zeigt eine Ausführungsform des Eingangsverstärkers 32, die mit besonders einfachen
Mitteln die gewünschte nichtlineare Verstärkungskennlinie ergibt. Der Eingangsverstärker
32 ist als Differenzverstärker mit einem Operationsverstärker 40 ausgebildet. Die
beiden Eingänge des Operationsverstärkers 40 sind über gleiche Widerstände 41, 42
des Widerstandswerts R₁ mit den beiden Elektroden des Empfangswandlers 24 verbunden,
so daß die Spannung zwischen diesen Elektroden die Eingangsspannung U
e des Differenzverstärkers bildet. In dem vom Ausgang zum invertierenden Eingang führenden
Rückkopplungszweig des Operationsverstärkers 40 liegen zwei Widerstände 43, 44 mit
den Widerstandswerten R₂ bzw. R₃ in Serie, und zwei weitere Widerstände 45, 46 mit
den gleichen Widerstandswerten R₂ bzw. R₃ sind in Serie zwischen dem nichtinvertierenden
Eingang des Operationsverstärkers 40 und Masse angeschlossen. Dem Widerstand 44 sind
zwei Halbleiterdioden 47, 48 gegensinnig parallelgeschaltet, und in entsprechender
Weise sind zwei weitere Halbleiterdioden 49, 50 dem Widerstand 46 gegensinnig parallelgeschaltet.
[0015] Der in Fig. 2 dargestellte Differenzverstärker ergibt die folgende Wirkungsweise:
Wenn das mechanische Schwingsystem 10 beim Einschalten des Geräts in Ruhe ist, gibt
der Empfangswandler 24 zunächst nur sehr kleine Spannungen ab, die durch leichte Fremdvibrationen,
thermisches Rauschen und ähnliche Störeffekte verursacht werden. Diese kleinen Spannungen
werden vom Differenz-Eingangsverstärker 32 verstärkt. Solange wie die dadurch erzeugte
Ausgangsspannung U
a des Differenz-Eingangsverstärkers so klein ist, daß die Spannungsabfälle an den Widerständen
44 und 46 kleiner sind als die Durchlaßspannung der Halbleiterdioden 47, 48, 49, 50
(die bei Silicium-Dioden etwa 0,6 V beträgt), sperren die Halbleiterdioden in beiden
Richtungen, und die Widerstände 44 und 46 sind voll wirksam. Für so kleine Eingangssignale
beträgt der Verstärkungsfaktor V des Differenz-Eingangsverstärkers 32

Diejenigen Komponenten der Ausgangsspannung U
a, deren Frequenzen im Durchlaßbereich des Bandfilters 34 liegen, gelangen zum Endverstärker
36, von dem sie mit linearer Verstärkung weiter verstärkt werden. Die so verstärkten
Signalkomponenten werden vom Sendewandler 22 in mechanische Schwingungen umgewandelt,
die das mechanische Schwingsystem 10 zu einer Eigenresonanzschwingung anregen. Diese
Eigenresonanzschwingung wird vom Empfangswandler 24 in eine elektrische Wechselspannung
umgesetzt, die dem Eingang des Differenz-Eingangsverstärkers 32 zugeführt und von
diesem in der zuvor beschriebenen Weise verstärkt wird. Auf diese Weise schaukeln
sich die Schwingungen des mechanischen Schwingsystems 10 auf.
[0016] Wenn bei diesem Einschwingvorgang die Spannung U
a am Ausgang des Differenz-Eingangsverstärkers 32 so groß wird, daß die Spannungsabfälle
an den Widerständen 44 und 46 größer als die Durchlaßspannung der Halbleiterdioden
47, 48 bzw. 49, 50 wird, werden die Halbleiterdioden durchlässig, so daß sie die Widerstände
44 und 46 kurzschließen. Der Verstärkungsfaktor V des Differenz-Eingangsverstärkers
32 beträgt dann

Das Diagramm A von Fig. 3 zeigt diese Abhängigkeit des Verstärkungsfaktors V von der
Spannung, und das Diagramm B von Fig. 3 zeigt den dadurch erzielten Zusammenhang zwischen
der Eingangsspannung U
e und der Ausgangsspannung U
a des Eingangs-Differenzverstärkers 32. Bei Werten der Eingangsspannung U
e, die kleiner als ein Wert U
e1 sind, ist die Ausgangsspannung U
a durch den konstanten Verstärkungsfaktor V₁ bestimmt, so daß sie mit verhältnismäßig
großer Steilheit der Eingangsspannung U
e proportional ist. In diesem Bereich besitzt die Verstärkerschaltung 30 eine große
Eingangsempfindlichkeit, so daß selbst bei schwachen Störeffekten sowie bei temperaturbedingten
Änderungen des Übertragungsfaktors und bei Ansatzbildungen an den Schwingstäben 12,
14 ein sicheres Anschwingen gewährleistet ist.
[0017] Bei dem Wert U
e1 der Eingangsspannung U
e erreicht die Ausgangsspannung U
a infolge der Verstärkung mit dem Verstärkungsfaktor V₁ einen Wert U
a1, der gleich der Durchlaßspannung der Halbleiterdioden 47, 48, 49, 50 ist. Bei Werten
der Eingangsspannung U
e, die größer als der Wert U
e1 sind, hat daher der Verstärkungsfaktor V den kleineren Wert V₂, so daß die Ausgangsspannung
U
a in Abhängigkeit von der Eingangsspannung U
e weniger steil ansteigt. In diesem Bereich, in welchem keine Anschwingprobleme bestehen,
ist daher die Eingangsempfindlichkeit der Verstärkerschaltung herabgesetzt, so daß
Spannungen, die durch Störvibrationen erzeugt werden, nicht Werte erreichen können,
die eine Resonanzschwingung des mechanischen Schwingsystems 10 vortäuschen.
[0018] Wenn schließlich die Eingangsspannung U
e einen Wert U
e2 erreicht, bei welchem die Ausgangsspannung U
a den durch die Stromversorgungsspannung bedingten Höchstwert U
B hat, geht der Eingangsverstärker 32 in die Sättigung, so daß ein weiterer Anstieg
der Eingangsspannung U
e keine Erhöhung der Ausgangsspannung U
a mehr zur Folge hat.
[0019] Die geschilderten Wirkungen werden mit einem sehr geringen zusätzlichen Schaltungsaufwand
erreicht. Gegenüber einem Differenz-Eingangsverstärker mit linearer Verstärkung beschränkt
sich der Mehraufwand auf die beiden Widerstände 44, 46 und die vier Halbleiterdioden
47, 48, 49, 50.
[0020] Fig. 4 zeigt eine andere Ausführungsform des Eingangsverstärkers 32, die ebenfalls
die gewünschte nichtlineare Verstärkungskennlinie ergibt. Bei dieser Ausführungsform
besteht der Eingangsverstärker 32 aus zwei Verstärkerstufen. Die erste Verstärkerstufe
entspricht dem Eingangsverstärker von Fig. 2 mit dem einzigen Unterschied, daß die
Widerstände 44 und 46 mit den dazu gegensinnig parallelgeschalteten Halbleiterdioden
47, 48 bzw. 49, 50 fortgelassen sind. Die übrigen Bestandteile dieser Verstärkerstufe,
die denjenigen des Eingangsverstärkers von Fig. 2 entsprechen, sind mit den gleichen
Bezugszeichen wie in Fig. 2 bezeichnet. Wie in Fig. 2 sind die beiden Elektroden des
Empfangswandlers 24 über gleiche Widerstände 41, 42 des Widerstandswerts R₁ mit den
beiden Eingängen des Operationsverstärkers 40 verbunden, so daß die Spannung zwischen
diesen Elektroden die Eingangsspannung U
e des Differenzverstärkers bildet. Da nunmehr im Rückkopplungskreis des Operationsverstärkers
40 sowie in dem vom nichtinvertierenden Eingang nach Masse führenden Schaltungszweig
nur noch die unveränderlichen Widerstände 43 bzw. 45 des Widerstandswert R₂ liegen,
hat diese Verstärkerstufe den konstanten Verstärkungsfaktor

Somit wird am Ausgang des Operationsverstärkers 40 die Spannung
abgegeben.
[0021] Die zweite Verstärkerstufe enthält einen Operationsverstärker 60, dessen nichtinvertierender
Eingang an den Ausgang der ersten Verstärkerstufe angeschlossen ist, so daß die Ausgangsspannung
U
a′ der ersten Verstärkerstufe die Eingangsspannung der zweiten Verstärkerstufe bildet,
deren Ausgangsspannung U
a zugleich die Ausgangsspannung des Eingangsverstärkers 32 darstellt. In dem zum invertierenden
Eingang führenden Rückkopplungskreis des Operationsverstärkers 60 liegt ein Widerstand
61 mit dem Widerstandswert R₄. Ferner liegt zwischen dem invertierenden Eingang des
Operationsverstärkers 60 und Masse ein Schaltungszweig, der einen Widerstand 62 mit
dem Widerstandswert R₅ in Serie mit dem Strompfad eines Feldeffekttransistors 63 enthält.
Der Widerstand R
FET des Feldeffekttransistors 63 hängt von der an dessen Gate-Elektrode angelegten Steuerspannung
ab. Diese Steuerspannung wird aus der Ausgangsspannung U
a durch Gleichrichtung mittels einer Gleichrichterschaltung gewonnen, die zwei Halbleiterdioden
64, 65 und eine Glättungsschaltung mit einem Kondensator 66 parallel zu einem Widerstand
67 enthält. Somit ist der Strompfad-Widerstand R
FET des Feldeffekttransistors 63 von der Amplitude der Ausgangsspannung U
a abhängig. Dadurch ergibt sich für die zweite Verstärkerstufe der Verstärkungsfaktor

der in Abhängigkeit von dem Widerstand R
FET und somit in Abhängigkeit von der Ausgangsspannung U
a veränderlich ist.
[0022] Der Verstärkungsfaktor V
II bestimmt den Zusammenhang zwischen der Eingangsspannung U
a′ und der Ausgangsspannung U
a der zweiten Verstärkerstufe
Der aus den beiden Verstärkerstufen bestehende Eingangsverstärker 32 hat den Gesamtverstärkungsfaktor
V
G
so daß zwischen der Eingangsspannung U
e und der Ausgangsspannung U
a des Eingangsverstärkers 32 die folgende Beziehung besteht:
Die Zusammenhänge zwischen den Verstärkungsfaktoren V
I, V
II, V
G und den Spannungen U
e, U
a′, U
a sind in den Diagrammen von Fig. 5 dargestellt.
[0023] In Fig. 5 zeigt das Diagramm A den spannungsabhängigen Verlauf des Verstärkungsfaktors
V
I und das Diagramm B den dadurch erzielten Zusammenhang zwischen der Eingangsspannung
U
e und der Ausgangsspannung U
a′ der ersten Verstärkerstufe. Bis zu einem Wert U
e2 der Eingangsspannung, bei welchem die Ausgangsspannung U
a′ den Sättigungswert U
B erreicht, ist der Verstärkungsfaktor V₁ konstant, so daß die Spannung U
a′ der Eingangsspannung U
e proportional ist.
[0024] Die Diagramme C und D zeigen in entsprechender Weise die Verhältnisse für die zweite
Verstärkerstufe. Bis zu einem Wert U
a1′ der Spannung U
a′ hat der Verstärkungsfaktor V
II einen verhältnismäßig großen konstanten Wert V
II1, so daß die Ausgangsspannung U
a der Spannung U
a′ mit verhältnismäßig großer Steilheit proportional ist. Zwischen den Werten U
a1 und U
a2′ der Eingangsspannung U
a′ bzw. den entsprechenden Werten U
a1 und U
a2 der Ausgangsspannung U
a liegt der Änderungsbereich des Widerstands R
FET; demzufolge fällt der Verstärkungsfaktor V
II in diesem Bereich vom Wert V
II1 auf einen niedrigeren Wert V
II2 ab, wodurch sich in diesem Bereich der im Diagramm D dargestellte nichtlineare Zusammenhang
zwischen den Spannungen U
a′ und U
a ergibt. Zwischen dem Spannungswert U
a2′ und einem Spannungswert U
a3′, bei welchem die Ausgangsspannung U
a den Sättigungswert U
B erreicht, ändert sich der Widerstand R
FET nicht mehr, so daß in diesem Bereich der Verstärkungsfaktor V
II den konstanten niedrigeren Wert V
II2 beibehält und die Spannung U
a wieder der Spannung U
a′ proportional ist, jedoch mit wesentlich geringerer Steilheit.
[0025] Schließlich zeigt das Diagramm E den Gesamtverstärkungsfaktor V
G des Eingangsverstärkers 32, der sich aus dem Produkt der beiden Verstärkungsfaktoren
V
I und V
II ergibt, und das Diagramm F zeigt den entsprechenden Zusammenhang zwischen der Eingangsspannung
U
e und der Ausgangsspannung U
a. Es ist unmittelbar zu erkennen, daß das Diagramm F von Fig. 5 dem Diagramm B von
Fig. 3 sehr ähnlich ist. Insbesondere hat auch bei der Ausführungsform von Fig. 4
der Eingangsverstärker bei kleinen Werten der Eingangsspannung U
e einen großen Verstärkungsfaktor und demzufolge eine große Eingangsempfindlichkeit,
während bei höheren Werten der Eingangsspannung der Verstärkungsfaktor kleiner und
demzufolge die Eingangsempfindlichkeit herabgesetzt ist. Die Ausführungsform von Fig.
4 ergibt daher die gleichen vorteilhaften Wirkungen, wie sie zuvor für die Ausführungsform
von Fig. 2 erläutert worden sind.
1. Schaltungsanordnung zur Selbsterregung von Eigenresonanzschwingungen des mechanischen
Schwingsystems (10) eines Füllstandssensors mit einem elektromechanischen Wandlersystem
(20-24), das im Rückkopplungskreis einer elektronischen Verstärkerschaltung (30) angeordnet
ist, so daß es durch die Ausgangswechselspannung (Ua) der Verstärkerschaltung zu mechanischen Schwingungen angeregt wird und zum Eingang
der Verstärkerschaltung eine Wechselspannung (Ue) mit der Frequenz der mechanischen Schwingungen liefert, wobei die Verstärkerschaltung
(30) einen Operationsverstärker (40) mit nichtlinearer Verstärkungskennlinie enthält,
die bei kleinen Werten des Eingangssignals (Ue) eine größere Verstärkung als bei größeren Werten des Eingangssignals ergibt, dadurch
gekennzeichnet, daß der Rückkopplungskreid (43,44,47,48) des Operationsverstärkers
(40) zwei in Serie geschaltete Widerstände (43, 44) enthält, und daß einem (44) der
beiden Widerstände zwei Halbleiterdioden (47, 48) gegensinnig parallelgeschaltet sind.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Operationsverstärker
(40) als Differenzverstärker mit zwei in Serie zwischen dem nichtinvertierenden Eingang
und Masse angeschlossenen zusätzlichen Widerständen (45, 46) ausgebildet ist, und
daß einem der zusätzlichen Widerstände (46) zwei Halbleiterdioden (49, 50) gegensinnig
parallelgeschaltet sind.
3. Schaltungsanordnung zur Selbsterregung von Eigenresonanzschwingungen des mechanischen
Schwingsystems (10) eines Füllstandssensors mit einem elektromechanischen Wandlersystem
(20-24), das im Rückkopplungskreis einer elektronirschen Verstärkerschaltung (30)
angeordnet ist, so daß es durch die Ausgangswechselspannung (Ua) der Verstärkerschaltung zu mechanischen Schwingungen angeregt wird und zum Eingang
der Verstärkerschaltung eine Wechselspannung (Ue) mit der Frequenz der mechanischen Schwingungen liefert, wobei die Verstärkerschaltung
(30) einen operationsverstarker (60) mit nichtlinearer Verstärkungskennlinie aufweist,
die bei kleinen Werten des Eingangssignals eine größere Verstärkung als bei größeren
Werten des Eingangssignals ergibt, dadurch gekennzeichnet, daß der invertierende Eingang
des Operationsverstärkers (60) durch einen Schaltungszweig, der einen Feldeffekttransistor
(63) enthält, mit Masse verbunden ist, und daß der Strompfadwiderstand des Feldeffekttransistors
(63) durch eine an dessen Gate-Elektrode angelegte Steuerspannung veränderlich ist,
die von der Ausgangsspannung (Ua) des Operationsverstärkers (60) abhängt.
4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerspannung
durch Gleichrichtung aus der Ausgangsspannung gebildet ist.