(19)
(11) EP 0 352 721 A3

(12) EUROPÄISCHE PATENTANMELDUNG

(88) Veröffentlichungstag A3:
06.02.1991  Patentblatt  1991/06

(43) Veröffentlichungstag A2:
31.01.1990  Patentblatt  1990/05

(21) Anmeldenummer: 89113671.5

(22) Anmeldetag:  25.07.1989
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC)5C25D 5/00, C25D 21/10, C25D 5/04, C25D 21/12, C25D 3/66, C25D 5/34
(84) Benannte Vertragsstaaten:
DE ES FR GB IT NL

(30) Priorität: 29.07.1988 DE 3825845

(71) Anmelder: Nokia Unterhaltungselektronik (Deutschland) GmbH
D-7530 Pforzheim (DE)

(72) Erfinder:
  • Brosig, Stefan, Dr.
    D-7000 Stuttgart (DE)
  • Stoitzner, Monika
    D-7440 Nürtingen (DE)


(56) Entgegenhaltungen: : 
   
       


    (54) Verfahren zum galvanischem Metallisieren eines Substrats


    (57) Bei konventionellen Galvanisierverfahren wird das Substrat, z.B. eine mit einem halbleitenden Material beschichtete Glasplatte (1), in einem bewegten Metallsalzbad (2) metallisiert, z.B. vernickelt, wobei die Glasplatte als Kathode und eine Metallelektrode (3) als Anode geschaltet ist. Die Glasplatte wird langsam an der Metallanode vorbeigezogen
    Das Problem liegt darin, schwierig zu galvanisierende Substratmaterialien, wie z.B. ITO (Indium-Tin Oxide), mit einer genügend haftfesten Metallschicht (z.B. Nickel) zu versehen.
    Diese Problem wird dadurch gelöst, daß in das für die Metallisierung verwendete, Tenside enthaltende Nickelbad (5) von unten soviel Luft eingeblasen wird, daß sich an der Badoberfläche eine beständige Schaumschicht (8) bildet. In diese Schaumschicht taucht die Nickelanode (6) ein, an der die zu vernickelnde ITO-Glasplatte (1) langsam vorbeigezogen wird.
    Damit wird eine sehr haftfeste Nickelschicht gleichmäßiger Dicke erreicht.







    Recherchenbericht