(19)
(11) EP 0 377 445 A3

(12) EUROPÄISCHE PATENTANMELDUNG

(88) Veröffentlichungstag A3:
03.07.1991  Patentblatt  1991/27

(43) Veröffentlichungstag A2:
11.07.1990  Patentblatt  1990/28

(21) Anmeldenummer: 90100045.5

(22) Anmeldetag:  02.01.1990
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC)5H01J 27/10, H01J 37/08
(84) Benannte Vertragsstaaten:
DE FR GB IT NL

(30) Priorität: 05.01.1989 DE 3900252

(71) Anmelder: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.
D-80636 München (DE)

(72) Erfinder:
  • Janes, Joachim, Dr.
    D-1000 Berlin 42 (DE)


(56) Entgegenhaltungen: : 
   
       


    (54) Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung von Ionenstrahlen mit grossflächigem Strahlquerschnitt


    (57) Beschrieben wird ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Erzeugung von Ionenstrahlen mit großflächigem Strahlquer­schnitt. Ein Ionenstrahl, der zur Trockenätzung bei der Herstellung mikroelektronischer Bauelemente verwendet wird, muß eine hohe Strahlqualität aufweisen (kleine Divergenz, wenig Verunreinigungen, hohe Stromdichte).
    Bei bekannten großflächigen Ionenstrahlquellen werden die Ionen mit Hilfe von Gittern aus dem Plasma extrahiert. Die Verwendung des Gitters wirkt sich wegen des Feldverlaufes an den Gitterpunkten störend auf die Strahlqualität aus.
    Das erfindungsgemäße Verfahren kommt völlig ohne Gitter aus, die Ionen werden mit Hilfe von Metallzylindern (5) be­schleunigt. Dabei gewährleistet eine gepulste Erzeugung der Ionen und eine gepulste Beschleunigung, daß die Ionen nur dann durch Felder beschleunigt werden, wenn sie sich in Bereichen bewegen, in denen ein nahezu homogenes Feld herrscht. Durch die damit erreichte hohe Strahlqualität eignet sich der Ionenstrahl zur Herstellung kleinster Strukturen im Sub-µ-Bereich.







    Recherchenbericht