[0001] La présente invention a pour objet un dispositif d'affichage polychrome électroluminescent
à effet mémoire du type écran plat, utilisable dans le domaine de l'optoélectronique
pour l'affichage en couleur d'images complexes ou pour l'affichage en couleur de
caractères alphanumériques.
[0002] On dit qu'un dispositif d'affichage est à effet mémoire si sa caractéristique électro-optique
(courbe luminance-tension) présente une hystérésis. Pour une même tension située à
l'intérieur de la boucle d'hystérésis, le dispositif peut ainsi avoir deux états stables
: éteint ou allumé.
[0003] Les avantages d'un affichage à effet mémoire sont appréciables : pour afficher une
image fixe, il suffit d'appliquer simultanément et continûment à tout l'écran une
tension dite d'entretien. Cette dernière peut être un signal sinusoïdal ou en forme
de créneaux par exemple, mais surtout, la forme et la fréquence de ce signal d'entretien
peuvent être choisies indépendamment de la complexité de l'écran, notamment du nombre
de lignes de points d'affichage. Il n'y a donc en principe pas de limite à la complexité
d'un écran d'affichage à effet mémoire. Ainsi, on trouve sur le marché des écrans
à plasma bistable et à excitation alternative de 1200x1200 points image (pixels).
[0004] Par ailleurs, la technologie de l'affichage par électroluminescence en couches minces
et à couplage capacitif (en abrégé ACTFEL) est maintenant parvenue à maturité dans
l'industrie. On peut doter ces dispositifs d'un effet mémoire dit inhérent mais au
prix d'une dégradation sensible des performances électro-optiques. Une méthode plus
attrayante consiste à connecter une structure photoconductrice (PC) en série avec
une structure électroluminescente (EL) et à coupler optiquement ces deux structures.
[0005] On peut ainsi produire un effet mémoire de type extrinsèque que l'on appelle effet
mémoire PC-EL dont le principe est le suivant. Quand le dispositif est dans l'état
éteint, le matériau photoconducteur est peu conducteur et retient une partie importante
de la tension V appliquée à l'ensemble. Si l'on augmente V jusqu'à une valeur Von
telle que la tension présente aux bornes de la structure électroluminescente excède
le seuil d'électroluminescence, le dispositif PC-EL bascule dans l'état allumé. Le
matériau photoconducteur est alors éclairé par la structure électroluminescente et
passe à l'état conducteur. La tension à ses bornes chute et il en résulte une augmentation
de la tension disponible pour la structure électroluminescente. Pour éteindre un dispositif
PC-EL, il suffit de diminuer la tension totale V jusqu'à une valeur Voff inférieure
à Von : on obtient ainsi une caractéristique luminance-tension comportant une hystérésis.
[0006] Une structure PC-EL monochrome a été décrite récemment dans le document FR-A-2 574
972 et dans l'article de l'inventeur intitulé "Monolithic Thin-Film Photoconductor-ACEL
Structure with Extrinsic Memory by Optical Coupling" et publié dans IEEE Transactions
on Electron Devices, vol. ED-33, n
o 8, d'août 1986, pages 1149-1153.
[0007] Cette structure est représentée schématiquement, en coupe, sur la figure 1. Elle
comprend un substrat de verre 10 sur lequel sont déposées une électrode 12, une première
couche diélectrique 14, une couche électroluminescente 16, une seconde couche diélectrique
18, une couche photoconductrice 20, une troisième couche diélectrique 21 et enfin
une électrode 22. Les électrodes 12 et 22 sont reliées à une source de tension alternative
24. Dans cette réalisation, les couches PC et EL sont des couches minces, dont l'épaisseur
est de l'ordre du micromètre.
[0008] Une telle structure est simple à réaliser car elle ne nécessite pas d'étapes de gravure
supplémentaires. Par ailleurs, le comportement courant-tension du photoconducteur
en couche mince dans l'obscurité est fortement non-linéaire et reproductible. Les
conséquences bénéfiques en sont que l'allumage électrique du dispositif est toujours
aisé, que l'hystérésis ne dépend que faiblement de la fréquence d'excitation et que
la reproductibilité de la marge d'hystérésis d'une fabrication à l'autre est garantie.
[0009] Malheureusement cette structure électroluminescente ne permet qu'un affichage monochrome
et il n'existe pas actuellement de dispositifs d'affichage polychrome utilisant l'effet
PC-EL.
[0010] En effet, les dispositifs électroluminescents à affichage polychrome connus sont
de deux types.
[0011] La première solution explorée intensivement pour l'obtention d'écrans polychromes
consiste à développer un phosphore électroluminescent à spectre d'émission couvrant
au moins les rouge, vert et bleu et appelé phosphore "blanc", et à le combiner à une
mosaïque de filtres colorés pour réaliser les pixels d'émission rouge, verte ou bleue,
d'une manière analogue aux écrans polychromes à cristaux liquides. Cette solution
est décrite en particulier dans l'article de C. Brunel et N. Duruy, Opto, n
o 43, mars-avril 1988, p. 30-35, "La couleur dans les écrans plats électroluminescents".
Cependant, la luminance obtenue pour de tels écrans polychromes est inférieure d'un
ordre de grandeur aux niveaux requis pour les applications, du fait des performances
insuffisantes des phosphores blancs.
[0012] La seconde solution est décrite dans l'article de Brunel et Duruy ci-dessus et dans
l'article de Christopher N. King et al., "Full-color 320x240 TFEL display panel",
p.14-17, Eurodisplay, Londres 15-17 septembre 1987. Elle est représentée schématiquement,
en coupe, sur la figure 2.
[0013] Cette solution consiste à utiliser une première structure comportant un substrat
transparent 30 équipé d'une couche électroluminescente 32 qui est rendue transparente
ou semi-transparente par un choix approprié d'électrodes arrière 34, les électrodes
avant 36 étant transparentes. A cette première structure, on associe une seconde structure
dite "retournée" comportant un substrat transparent 38 équipé d'une couche électroluminescente
40 et d'électrodes 42 et 44 transparentes. La première structure a un spectre d'émission
monochrome ou bichrome, et la seconde structure un spectre d'émission monochrome
et complémentaire du spectre de la première. On obtient ainsi un dispositif d'affichage
bichrome ou trichrome.
[0014] La structure bichrome est obtenue par juxtaposition de deux matériaux électroluminescents
monochromes émettant des couleurs différentes (rouge et vert par exemple) gravés.
[0015] La commande des deux structures est faite de façon séparée mais simultanée comme
décrit dans l'article SID 86 Digest, p. 25-28 de W.A. Barrow et al., "Multicolor
TFEL Display and Exerciser".
[0016] Dans ce dispositif, la luminance est beaucoup trop faible pour les applications envisagées
et les tensions et courants électriques utilisés sont relativement élevés.
[0017] Par ailleurs, l'utilisation d'un dispositif d'affichage monochrome du type PC-EL
sous un éclairement ambiant intense peut entraîner une dégradation sensible de l'hystérésis
PC-EL. En effet, l'éclairement par une source externe intense de la couche photoconductrice
peut provoquer une diminution de la tension aux bornes de cette dernière et donc un
abaissement de la tension d'allumage. En pratique, cela conduit à un allumage accidentel
de certains pixels normalement éteints.
[0018] L'invention a donc pour objet un dispositif d'affichage polychrome électroluminescent
à effet mémoire permettant notamment de remédier à ces inconvénients.
[0019] Le dispositif d'affichage polychrome de l'invention comprend une première structure
comprenant un premier substrat transparent, équipé d'une première couche électroluminescente
intercalée entre un premier système d'électrodes transparentes et un second système
d'électrodes, connectés à des moyens électriques permettant l'excitation de certaines
zones de la première couche électroluminescente, se caractérisant en ce qu'il comprend
en outre une seconde structure comportant un second substrat équipé d'une seconde
couche électroluminescente et d'une couche photoconductrice empilées l'une sur l'autre
et recouvrant toute la surface de l'affichage, l'ensemble de ces deux couches étant
intercalé entre un troisième système d'électrodes et un quatrième système d'électrodes
transparentes, connectés à des moyens électriques permettant l'excitation de certaines
zones de la seconde couche électroluminescente, les premier et second substrats constituant
les faces opposées du dispositif, et en ce que la première couche électroluminescente
présente un spectre d'émission monochrome ou bichrome et la seconde couche électroluminescente
présente un spectre d'émission essentiellement monochrome et comprenant une composante
chromatique complémentaire de la ou des couleurs d'émission de la première couche
électroluminescente.
[0020] L'utilisation d'une seconde structure bichrome permet un affichage trichrome. Par
structure bichrome, il faut comprendre une structure comportant deux maté riaux électroluminescents
monochromes différents que l'on peut exciter indépendamment l'un de l'autre.
[0021] Ces matériaux peuvent être juxtaposés, comme décrit dans les articles de Brunel et
King cités précédemment, ou bien superposés comme décrit dans l'article de Brunel.
[0022] Le dispositif d'affichage de l'invention bénéficie alors de tous les avantages associés
à l'effet mémoire PCEL : forte luminance, faible consommation, basses tensions et
faibles courants commutés. L'originalité du dispositif tient à ce que l'on profite
de cette structure à "double substrat" pour insérer avantageusement un filtre optique
qui a pour rôle d'une part de conférer une bonne pureté chromatique à l'émission El
de la seconde structure et d'autre part de protéger la couche PC des émissions provenant
de la première structure, qui sont quasi-intégralement bloquées par ce filtre et de
l'éclairement ambiant, partiellement bloqué. On diminue ainsi l'influence de l'éclairage
ambiant et des pixels allumés de la première structure sur l'hystérésis PC-El des
pixels de la seconde structure.
[0023] Le filtre optique est choisi de manière à éliminer au mieux tout recouvrement du
spectre d'émission de la couche El du second substrat et du spectre d'émission de
la (ou des) couche(s) El du premier substrat. Il peut être un filtre passe bande,
un filtre passe bas ou un filtre passe haut. En outre, il peut être placé entre les
deux structures ou intégré à la première ou seconde structure. Afin de limiter au
mieux l'influence de la première couche El ainsi que celle de l'éclairage ambiant,
sur le matériau photoconducteur, ce dernier présente un spectre de sensibilité contenu
en majeure partie dans le domaine spectral bloqué par le filtre.
[0024] Le filtre optique peut être un filtre inter férentiel. Ces filtres permettent d'obtenir
des spectres passe bas, passe haut et passe bande avec des longueurs d'onde de coupure
quelconques. En outre, ils présentent une transition spectrale brutale de l'état passant
à l'état bloquant ainsi qu'une grande stabilité chimique et thermique. En revanche,
ces filtres sont souvent coûteux. Aussi, lorsque cela est possible, on utilise plutôt
des verres colorés ou des filtres organiques.
[0025] Les filtres organiques sont en particulier ceux utilisés pour les écrans polychromes
à cristaux liquides tels que les couches de polymère (ou gélatine) chargé avec des
colorants ou des pigments organiques ; les couches de polyimide avec colorants ; les
pigments ou colorants organiques évaporés sous vide : pérylène (rouge), phtalocyanine
de plomb (bleu), phtalocyanine de cuivre (vert), quinacridone (magenta), isoindolinone
(jaune) ; les pigments électrodéposés.
[0026] De façon avantageuse, les première et seconde couches électroluminescentes sont intercalées
respectivement entre deux couches d'isolant. En outre, une autre couche d'isolant
est éventuellement prévue entre la couche photoconductrice et le système d'électrodes
en regard.
[0027] Conformément à l'invention, tous les systèmes d'électrodes connus pour l'affichage
peuvent être utilisés. En particulier, pour chaque structure, l'un des systèmes d'électrodes
peut être constitué d'électrodes point et l'autre système constitué d'une électrode
commune. De façon avantageuse, les systèmes d'électrodes sont constitués chacun de
bandes conductrices parallèles entre elles, les bandes conductrices du premier système
étant croisées par rapport aux bandes conductrices du second système et les bandes
conductrices du troisième système étant croisées avec celles du quatrième système.
[0028] En outre, le dispositif de l'invention peut fonctionner en réflexion ou en transmission.
[0029] Suivant le type de fonctionnement utilisé et la configuration exacte des systèmes
d'électrodes, les second et troisième systèmes d'électrodes peuvent être transparents,
opaques ou réfléchissants.
[0030] Pour assurer la bistabilité de la seconde structure du type PC-El, il est souhaitable
que le recouvrement du spectre d'émission de la seconde couche électroluminescente
et du spectre de sensibilité de la couche photoconductrice soit maximal.
[0031] Aussi, la seconde couche électroluminescente présente avantageusement un spectre
d'émission assez large de façon à couvrir une partie du spectre visible non bloqué,
pour l'affichage et une partie importante du spectre de sensibilité du matériau photoconducteur
dans la partie du spectre lumineux filtrée pour l'effet PC-El.
[0032] En revanche, le ou les matériaux électroluminescents du premier substrat présentent
plutôt un spectre d'émission à raies. Pour un affichage respectivement bichrome et
trichrome, ce ou ces matériaux présentent une ou deux raies dans le domaine visible
non bloqué par le filtre.
[0033] Comme matériau à spectre d'émission large bande déterminé, on peut citer le ZnS:Mn²⁺
de bande d'émission relativement étroite et située dans le jaune et l'orange ; le
CaS:Eu²⁺ à dominante rouge ; le SrS:Eu²⁺ à dominante allant du rouge à l'orange ;
le CaS:Ce³⁺ à dominante allant du vert à l'orange ; le SrS:Ce³⁺ à dominante allant
du bleu au vert.
[0034] Comme matériau électroluminescent à large bande pour lequel le spectre d'émission
peut être modifié en fonction du filtre optique et du matériau photoconducteur utilisés,
on peut citer Ca
xSr
1-xS:Eu²⁺ avec x allant de 0 à 1, la dominante pour x=1 étant le rouge et pour x=0, l'orange
; ca
xSr
1-xS:Ce³⁺ avec x allant de 1 à 0, x=1 correspondant à une dominante verte et x=0 à une
dominante bleue. Il est aussi possible de mélanger deux activateurs luminophores dans
une même matrice pour adapter la bande large d'émission du matériau électroluminescent
; le spectre obtenu est alors une combinaison des spectres élémentaires des deux
activateurs ; comme exemples, on peut citer SrS:Eu²⁺,Ce³⁺ ; CaS:Eu²⁺,Ce³⁺ ; SrS:Ce³⁺,Pr³⁺.
[0035] Comme matériaux électroluminescents à plusieurs bandes étroites ou raies utilisables
dans l'invention, on peut citer ZnS:Sm³⁺ à dominante rouge ; ZnS:Tb³⁺ à une dominante
verte et une dominante verte-bleue ; ZnS:Tm³⁺ à dominante bleue et proche infrarouge
(780 nm) ; SrS:Pr³⁺ à deux dominantes, une dans le rouge, une dans le bleu-vert. On
peut aussi utiliser des alliages tels que Zn
xSr
1-xS:Tb³⁺ ; Zn
xCa
1-xS:Tb³⁺ ; Sr
xCa
1-xS:Tb³⁺ avec x allant de 0 à 1.
[0036] Il est possible de modifier le spectre d'émission à raies de certains matériaux
électroluminescents en utilisant plusieurs activateurs dans une même matrice tels
que ZnS : Sm³⁺, Tb³⁺.
[0037] Pour de plus amples informations sur la forme des spectres des matériaux électroluminescents
donnés ci-dessus, on peut se référer à l'articlé de Shosaku Tanaka et al. SID-88 Digest.
293-296 "Bright-white-light electroluminescent devices with new phosphor thin-films
based on SrS ; à l'article de Hiroshi Kobayashi "Recent Development of Multi-color
Thin-Film Electroluminescence Research", abstract n
o 1231, p. 1712-1713, Extended Abstracts of Electrochemical Society Meeting, vol. 87-2,
du 18-23 octobre 1987 ; à l'article de Shosaku Tanaka "Color electroluminescence in
alkaline-earth sulfide thin-films", Journal of Luminescence 40 & 41 (1988), p. 20-23.
[0038] Les matériaux photoconducteurs les plus utilisés pour les structures PC-El sont
CdS
xSe
1-x, a-Si
1-xC
x:H avec 0<x<1, CdS, CdSe et a-Si:H. Ces matériaux présentent des spectres de sensibilité
relativement étroits.
[0039] Avantageusement, on utilise des matériaux PC à spectre de sensibilité ajustable tel
que CdS
xSe
1-x et a-Si
1-xC
x:H.
[0040] Pour de plus amples renseignements sur la fabrication et sur les propriétés du silicium
amorphe hydrogéné et carboné, on peut se référer au document FR-A-2 105 777 déposé
au nom de l'inventeur.
[0041] Ce matériau est déposé de préférence par la technique de dépôt chimique en phase
vapeur assisté par plasma (PECVD), basse puissance (de l'ordre de 0,1 W/cm²). Pour
de plus amples détails sur la méthode de dépôt du a-Si
1-xC
x:H, on peut se référer à l'article de M.P. Schmidt et al., Philosophical Magazine
B, 1985, vol. 51, n
o 6, p. 581-589, "Influence of carbon incorporation in amorphous hydrogenated silicon".
[0042] Pour de plus amples détails sur les spectres de sensibilité des matériaux CdS
xSe
1-x, on peut se référer au document de Robert et al., Journal of Applied Physics, vol.
48, n
o 7, Juillet 1977, p. 3162-3164, "II-VI solid-solution films by spray pyrolysis".
[0043] De préférence, on utilise du a-Si
1-xC
x:H avec 0≦x≦1 et mieux 0≦x≦0,5. En effet, ce matériau photoconducteur présente un
certain nombre d'avantages. En particulier, il présente une chute de sensibilité du
côté des grandes longueurs d'onde (c'est-à-dire du côté des faibles énergies) correspondant
à une baisse d'absorption optique (associée à la bande interdite optique). (On rappelle
que λ(nm)=1240/E(eV)).
[0044] Une caractéristique du spectre de photoconductivité de ce matériau est l'énergie
E
04 (en eV) pour laquelle le coefficient d'absorption vaut 10⁴cm⁻¹. Cette énergie E
04 peut être ajustée en jouant sur la teneur x en carbone dans la couche PC, au moyen
de la teneur en méthane dans le mélange gazeux méthane-silane utilisé pour la fabrication
de ce matériau photoconducteur, autrement dit C= [CH₄]/ [CH₄+SiH₄].
[0045] Du côté des courtes longueurs d'onde (énergies élevées), la sensibilité du matériau
photoconducteur chute aussi car le rayonnement est absorbé dans les toutes premières
couches de la couche photoconductrice et la photoconduction, recherchée dans la direction
normale au plan des couches (excitation électrique transversale), est empêchée car
le coeur du matériau photoconducteur n'est pas exposé au rayonnement d'excitation.
[0046] Le spectre de photosensibilité résultant du a-Si
1-xC
x, pour une couche d'épaisseur d'1 micromètre, est un pic large dont la largeur à mi-hauteur
est de 50 nanomètres environ et dont le maximum est à E
04. La largeur à mi-hauteur correspond à la distance séparant les seuils de coupure
bas et haut du matériau PC.
[0047] D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description
qui va suivre, donnée à titre illustratif et non limitatif, en référence aux figures
3 à 9 annexées, les figures 1 et 2 ayant déjà été décrites.
[0048] La figure 3 représente schématiquement un mode de réalisation du dispositif d'affichage
conforme à l'invention.
[0049] Les figures 4 à 6 donnent l'allure des spectres de sensibilité (I
PC) et d'émission (I
El) que doivent posséder respectivement les couches photoconductrice et électroluminescentes
ainsi que le spectre de transmission du filtre optique du dispositif de la figure
3.
[0050] Les figures 7 à 9 représentent des variantes de réalisation du dispositif conforme
à l'invention.
[0051] Sur la figure 3, le dispositif conforme à l'invention comporte une première structure
50 comportant un substrat isolant transparent 52 généralement en verre constituant
l'une des faces du dispositif. Ce substrat 52 est pourvu sur sa face interne d'un
premier système d'électrodes constituées de bandes conductrices 54, parallèles entre
elles et constituées d'un matériau transparent tel que l'ITO.
[0052] Sur ces électrodes 54, on trouve une première couche électroluminescente 56 recouvrant
toute la surface de l'affichage, constituée de deux matériaux El monochromes différents
56a et 56b juxtaposés pour assurer un affichage trichrome. Ces matériaux 56a et 56b
sont choisis parmi les matériaux El à raies cités précédemment et ont une épaisseur
comprise entre 0,5 et 2 micromètres (typiquement 700 nm). Pour un affichage bichrome
on utilise un unique matériau électroluminescent (figures 7 à 9).
[0053] Sur cette couche El 56, on trouve un second système d'électrodes constituées de bandes
conductrices 58 parallèles entre elles. Ces électrodes 58 sont disposées perpendiculairement
aux électrodes 54 et sont réalisées en un matériau transparent, ITO en particulier.
[0054] Les matériaux 56a et 56b se présentent sous forme de bandes parallèles aux bandes
conductrices 58, définies par gravure selon la méthode dite de "phosphor patterning",
les bandes 56a alternant avec les bandes 56b. Ils peuvent être utilisés comme représenté
sur la figure 3 ou bien associés à une ou plusieurs couches diélectriques comme représenté
sur la figure 1 ou dans le document FR-A-2 574 972. Autrement dit, la couche 56 est
prise en sandwich entre deux couches diélectriques (14, 18).
[0055] A cette première structure 50, on associe une seconde structure 60 dite retournée
comportant un substrat isolant éventuellement transparent 62, en particulier en verre,
constituant la seconde face du disposi tif d'affichage. Cette seconde structure 60
comporte un système d'électrodes constituées de bandes conductrices 64, parallèles
entre elles, appelé troisième système d'électrodes. Ces bandes conductrices 64 sont
en général réfléchissantes et réalisées en aluminium. Ces électrodes 64 sont disposéeS
Sur une couche photoconductrice 66 en a-Si
1-xC
x:H, avec 0≦x≦1, de 1 micromètre d'épaisseur recouvrant une structure électroluminescente
constituée d'une seule couche émettrice 68, comme représenté sur la figure 3, ou associée
à une ou plusieurs couches diélectriques : une couche diélectrique (14) entre la couche
68 et les électrodes 70, une couche diélectrique (18) entre la couche 68 et la couche
PC 66 et éventuellement une couche diélectrique (21) entre la couche PC et les électrodes
64. La structure électroluminescente 68 et la couche photoconducrice 66 recouvrent
toute la surface d'affichage.
[0056] Le matériau électroluminescent de la couche 68 est un matériau à spectre d'émission
large tel que l'un de ceux cités précédemment ; son épaisseur est comprise entre 0,5
et 2 micromètres (typiquement 700 nm).
[0057] Les couches diélectriques 14, 18, 21 éventuellement associées aux matériaux El peuvent
être réalisées en l'un des matériaux choisis parmi Si₃N₄, SiO₂, SiO
xN
y, Ta₂O₅ et avoir une épaisseur de 200 nm.
[0058] En vue d'une simplification des dessins et de la description correspondante, la suite
du texte ne portera que sur l'utilisation de couches électroluminescentes 56 et 68
seules bien que de préférence, ces couches sont intercalées entre deux couches d'isolant.
[0059] Sous la couche électroluminescente 68, on trouve un système d'électrodes, appelé
quatrième système, constitué de bandes conductrices 70 parallèles entre elles et constituées
en un matériau transparent ITO par exemple, les électrodes 70 sont disposées perpendiculairement
aux électrodes 64.
[0060] Dans ce mode de réalisation, les électrodes 54 et 64 sont parallèles et en coïncidence.
De même, les électrodes 58 et 70 sont parallèles et en coïncidence.
[0061] Conformément à l'invention, un filtre optique 72 est prévu entre l'observateur et
la seconde couche électroluminescente 68. Dans le mode de réalisation de la figure
3, le filtre optique 72 est placé entre les deux structures 50 et 60 mais pourrait
être intégré à la structure 60 comme on le verra ultérieurement ou à la structure
50.
[0062] Ce filtre 72 permet un filtrage efficace de la lumière produite par la première couche
El 56 et de l'intensité lumineuse de l'éclairage ambiant (lampe 73 par exemple).
[0063] Un espaceur isolant périphérique 74 assure la cohésion de l'ensemble du dispositif.
Chaque structure 50 et 60 du dispositif conforme à l'invention fonctionne comme les
dispositifs polychromes de l'art antérieur et en particulier en utilisant des circuits
périphériques de commande respectivement 75 et 77 du genre de ceux utilisés dans les
écrans plats à cristaux liquides ; ces circuits 75, 77 délivrent des signaux alternatifs
appropriés et sont connectés aux électrodes respectivement 54-58 et 64-70 ; l'amplitude
0-crête est de 150 à 300 volts (typiquement de 230 volts).
[0064] Le principe de la commande électrique du dispositif à deux substrats de l'invention
est le même que pour les dispositifs de l'art antérieur.
[0065] Dans une première méthode représentée sur la figure 3, on commande les deux structures
matricielles indépendamment l'une de l'autre, chacune étant alors considérée comme
un écran matriciel El conventionnel autonome avec sa propre électronique de commande.
Précisons toutefois que si la première structure est vraiment classique, la seconde
structure est un écran PC-El à mémoire dont la méthode de commande, un peu particulière,
est décrite par exemple dans le document FR-A-2 615 644 de C. Brunel et P. Thioulouse.
Par exemple, la fréquence d'oscillation des signaux de commande est de 1 kHz.
[0066] Lorsque les réseaux d'électrodes 58 et 70, sont parallèles comme sur la figure 3,
on peut utiliser une deuxième méthode qui consiste à connecter chaque électrode 58
à une électrode 70, (celle en vis-à-vis ou la plus proche) par au moins une extrémité
et à utiliser alors un circuit de commande commun à ces deux électrodes 58 et 70.
[0067] Sur la partie a de la figure 4, on a représenté le spectre d'émission de la première
couche électroluminescente (El₁) ; cette couche El₁ est constituée de deux matériaux
monochromes différents du type à raies pour un affichage trichrome. Sur la partie
b de cette figure, on a représenté le spectre d'émission du matériau électroluminescent
(El₂) de la seconde structure 60 ; ce matériau est du type à large bande. Sur la partie
c de la figure 4, on a représenté le spectre de transmission du filtre optique (F)
et celui de l'éclairage ambiant ; la courbe 78 correspond à un filtre passe bas et
la courbe 80 à un filtre passe bande. Sur la partie d, on a représenté le spectre
de sensibilité du matériau photoconducteur (PC).
[0068] Ces spectres donnent les variations de l'intensité lumineuse (I) donnée en unité
arbitraire en fonction de la longueur d'onde, donnée en nanomètres.
[0069] Conformément à l'invention, le spectre d'émission filtré du matériau El₂ est complémentaire
de celui de la couche El₁, c'est-à-dire que ces deux spectres ont une zone de recouvrement
minimal. Dans le cas représenté, la couche El₁ pour un affichage trichrome comporte
des matériaux électroluminescents correspondants respectivement aux deux raies 79,
81 ; la raie 89 est, selon l'invention, située en dehors du spectre d'émission du
matériau El₂. Pour un affichage bichrome, la couche El₁ ne comporterait qu'un seul
matériau et donc qu'une seule raie (la raie 81 en particulier).
[0070] Conformément à l'invention, le filtre passe bas 78 ou passe bande 80 comprend une
longueur d'onde de coupure λ₀ au-dessus de laquelle l'émission du matériau El₂ et
la lumière ambiante sont bloquées et au-dessous de laquelle l'émission El₂ et la
lumière ambiante représentée par le spectre 82 sont transmises. λ₀ correspond à 1/10
de la lumière transmise. De plus, le filtre passe-bas 78 ou passe-bande 80 bloque
tout le spectre d'émission de la couche El₁ ; autrement dit λ₀ est inférieur ou égal
à la longueur d'onde de coupure de la raie 79 la plus basse en longueur d'onde de
la couche El₁.
[0071] Par ailleurs, selon l'invention, le spectre de transmission du filtre est essentiellement
contenu dans le spectre d'émission utile du matériau El₂ afin de conférer une grande
pureté des couleurs.
[0072] Sur la figure 4d, on a représenté deux spectres de sensibilité du matériau photoconducteur
84 et 86, possibles. Au spectre 84 correspond une longueur d'onde de coupure basse
λ₁ et une longueur d'onde de coupure haute λ₂ et au spectre 86 correspond une longueur
d'onde de coupure basse λ
1′ et une longueur d'onde de coupure haute λ
2′. Ces longueurs d'onde de coupure sont prises pour une sensibilité à mi-hauteur du
spectre de sensibilité. λ₀₄ et λ
04′ correspondent à la longueur d'onde de sensibilité maximale.
[0073] Ces deux spectres 84, 86 de sensibilité du matériau PC sont essentiellement contenus
dans le spectre d'émission (figure 4b) du matériau El₂ et situés essentiellement
en dehors du spectre d'émission du matériau El₁ (figure 4a).
[0074] Pour un recouvrement maximal du spectre d'émission du matériau El₂ (figure 4b) et
du spectre de sensi bilité du matériau PC en vue d'un effet PC-El maximal, on utilise
un matériau PC à large spectre de sensibilité correspondant au spectre 84 pour lequel
λ₁ est inférieure à λ₀ et λ₂ supérieure ou égale à λ₀.
[0075] Pour une protection maximale du matériau PC par rapport à l'éclairage ambiant, on
utilise un matériau PC à spectre plus étroit que dans le cas précédent correspondant
au spectre 86 pour lequel la longueur d'onde λ
1′ est supérieure ou égale à λ₀ ; le spectre de sensibilité du matériau PC se trouve
donc totalement dans la zone bloquée par le filtre 78 ou 80.
[0076] Après filtrage, l'éclairage ambiant (spectre 82) est situé en dehors du spectre de
sensibilité 86 du matériau PC et n'affecte pas ainsi l'hystérésis de l'effet PC-El.
[0077] Sur la figure 5, on a représenté les différents spectres d'intensité lumineuse qui
doivent avoir le filtre, le matériau photoconducteur et les matériaux électroluminescents
El₁ et El₂, lors de l'utilisation d'un filtre passe haut ou passe bande comportant
une longueur d'onde de coupure λ₃ vers les grandes longueurs d'onde. Le principe est
similaire à celui illustré sur la figure 4.
[0078] Ces intensités sont données en unité arbitraire en fonction des longueurs d'onde
exprimées en nanomètres.
[0079] Sur la figure 5, la partie a représente le spectre d'émission du matériau El₁ (structure
50) du type à raies ; la partie b donne le spectre d'émission El₂ à large bande du
matériau (structure 60) ; la partie c donne le spectre de transmission du filtre optique
(F) (courbes 88, 90) et celui de l'éclairage ambiant (courbe 90) : la courbe 88 correspond
à un filtre passe haut et la courbe 90 à un filtre passe bande. Enfin, sur la partie
d de la figure 5, on a représenté les deux spectres possibles de sensibilité du matériau
PC.
[0080] Dans ce mode de réalisation, ce sont la lumière ambiante (courbe 90) et l'émission
du matériau El₂ (figure 5a) située dans les longueurs d'onde inférieures à la longueur
d'onde de coupure λ₃ du filtre qui sont bloquées et celles situées au-dessus de λ₃
qui sont transmises. En outre, le spectre de transmission du filtre est situé totalement
en dehors du spectre d'émission du matériau El₁ et en majeure partie dans le spectre
El₂.
[0081] Sur la figure 5d, les deux spectres de sensibilité 96 et 94 du matériau photoconducteur
sont contenus essentiellement dans le spectre d'émission du matériau El₂ pour assurer
l'effet PC-El.
[0082] Comme précédemment, on utilise un matériau PC ayant le spectre 94 pour un recouvrement
maximal de ce spectre avec le spectre d'émission du matériau El₂. Dans ce cas, on
a λ₁≦λ₃≦λ₂. Pour une protection maximale du matériau PC par rapport à l'éclairage
ambiant, on utilise un matériau PC ayant le spectre 96 pour lequel λ′₂ est égale
ou inférieure à λ₃. λ₁, λ′₁, λ₂, λ′₂ ont les mêmes significations que précédemment
(figure 4d).
[0083] Sur la figure 6, on a représenté une autre solution possible pour les différents
spectres d'intensité lumineuse pour les matériaux El₁ et El₂, PC et le filtre. Les
parties a et b de la figure 6 donnent respectivement les spectres d'émission des matériaux
El₁ et El₂ ; la partie c donne le spectre de transmission du filtre et la partie d
les différents spectres de sensibilité possibles pour le matériau PC.
[0084] Dans ce mode de réalisation, les deux raies d'émission du matériau El₁ sont situées
de part et d'autre du spectre d'émission du matériau El₁ ; la raie 98 est située
dans la gamme de longueurs d'onde inférieure à celles du spectre El₂ et la raie 100
est située dans la gamme de longueur d'onde supérieure à celles du spectre El₂.
[0085] Le spectre de transmission du filtre (figure 6c) est ici entièrement contenu dans
le spectre d'émission du matériau El₂.
[0086] Le matériau PC a soit le spectre de sensibilité 102 entièrement situé dans le spectre
de transmission du filtre pour favoriser l'effet PC-El, soit le spectre 104 ou 106
pour une protection maximale du matériau PC par rapport à l'éclairage ambiant.
[0087] Les différentes couches constituant le dispositif d'affichage de l'invention peuvent
être agencées de différentes façons comme cela apparaît sur les figures 7 à 9.
[0088] En particulier, le filtre optique 72 peut être intégré à la structure PC-El 60 ;
par exemple, il peut être inséré entre les électrodes 72 et la couche électroluminescente
68, comme représenté sur la figure 7.
[0089] Dans le cas d'une structure électroluminescente complexe à plusieurs couches diélectriques
(figure 1), le filtre optique peut constituer l'une de ces couches diélectriques ou
bien être intercalé entre l'une de ces couches diélectriques et la couche électroluminescente.
[0090] Il est aussi possible, comme représenté sur les figures 8 et 9, de modifier !a configuration
des électrodes.
[0091] Dans le mode de réalisation de la figure 8, les électrodes avant 158 et 170 ce chacune
des deux structures ne sont plus en coïncidence comme sur la figure 3 mais décalées
et en particulier disposées en alternance. Il est ainsi possible d'utiliser des électrodes
158 non plus transparentes mais réfléchissantes et en particulier en aluminium.
[0092] Cet arrangement offre l'avantage d'une luminance plus élevée que celle du dispositif
de la figure 3. En outre, aucune émission de la première couche El 56 ne peut plus
atteindre et perturber la couche photoconductrice 66 de la structure 60. Aussi, l'utilisation
d'un filtre optique dans ce mode de réalisation n'est plus nécessaire.
[0093] Par ailleurs, étant donné la luminance ponctuelle élevée du fait de l'effet PC-El,
il est possible de réduire la taille des points émages de la seconde structure 60.
Typiquement, la largeur d'une électrode 170 peut être réduite à moins de 100 micromètres
au lieu de 300 micromètres. Il n'est plus alors nécessaire d'avoir un espacement important
entre les électrodes 158 pour permettre la transmissicn de l'émission de la couche
66.
[0094] Dans le mode de réalisation de la figure 9, ce sont les électrodes arrière 264 de
la structure 60, au contact du substrat qui sont parallèles aux électrodes avant 258
de la structure 50. En conséquence, les électrodes avant 270 de la structure 60 sont
parallèles aux électrodes arrière 254 de la structure 50.
[0095] Par ailleurs, les électrodes 264 et 258 sont décalées ou disposées en alternance,
ce qui permet de choisir un matériau réfléchissant donc très bon conducteur pour
les électrodes 258. On peut donc ainsi, comme dans le mode de réalisation de la figure
8, réduire la largeur des électrodes 264 et donc des pixels. La réduction de la taille
des pixels permet de diminuer l'espacement entre les électrodes 258 et/ou d'augmenter
la définition des images obtenues sur le dispositif.
[0096] On donne ci-après différents exemples de réalisation du dispositif d'affichage conforme
à l'invention. Dans ces exemples, le matériau électroluminescent est du a-Si
1-xC
x:H avec 0≦x≦1.
Exemple 1
[0097] Cet exemple illustre la figure 4 :
a) Première structure 50 :
- matériau électroluminescent : ZnS:Tb³⁺ émetteur vert,
b) Deuxième structure 60 :
- matériau électroluminescent : SrS:Ce³⁺, émetteur bleu,
- filtre interférentiel passe bas de chez Oriel de longueur d'onde de coupure λ₀=500
nm,
- matériau photoconducteur de λ₀₄ proche de 500 nm, d'où E₀₄ voisin de 2,48 eV ; C=0,80
et x=0,20. Ce matériau correspond au spectre de sensibilité 84 sur la figure 4d.
Exemple 2
[0098] Cet exemple se différencie de l'exemple 1 par l'utilisation d'un matériau photoconducteur
ayant un spectre 86 (figure 4d). Ce matériau présente un λ′₁=500 nm, un λ₀₄=525 nm
d'où un E₀₄=2,36 eV ; C=0,70 et x=0,14.
Exemples 3 à 5
[0099] Ces exemples se différencient des exemples 1 et 2 par l'utilisation d'un matériau
électroluminescent El₁ de la structure 50 émettant dans le rouge et non plus dans
le vert.
Exemple 3 : ZnS:Sm³⁺
Exemple 4 : SrS:Eu²⁺
Exemple 5 : Cas:Eu²⁺.
[0100] Ces matériaux électroluminescents peuvent être associés au matériau PC de l'exemple
1 ou celui de l'exemple 2.
[0101] Les exemples 1-5 précédents conduisent à des affichages bichromes.
Exemples 6 à 8
[0102] Pour un affichage trichrome, il suffit d'asso cier, dans la première structure 50
et au matériau électroluminescent de l'exemple 1, émettant dans le vert, l'un des
matériaux électroluminescents des exemples 3 à 5 émettant dans le rouge. Cette association
est en fait une juxtaposition des matériaux électroluminescents comme décrit dans
l'article de C. Brunel cité précédemment et comme représenté sur la figure 3.
Exemples 9 et 10 pour un affichage trichrome
[0103] Ces exemples illustrent la figure 5.
a) Première structure 50 : deux matériaux électroluminescents juxtaposés comme dans
l'article de C. Brunel,
- ZnS:Tb³⁺, émetteur vert,
- ZnS : Tm³⁺ (exemple 9) ou SrS:Ce³⁺ (exemple 10), émetteur bleu,
b) Deuxième structure 60 :
- matériau électroluminescent : SrS:Eu²⁺, émetteur rouge,
- filtre interférentiel passe haut de chez Oriel avec λ₃=600 nm,
- matériau photoconducteur à spectre de sensibilité 94 (figure 5d) : λ₀₄=610 nm ;
E₀₄=2,03 eV ; C=0,33 et x=0,037.
Exemples 11 et 12 (affichage trichrome)
[0104] Ces exemples se différencient des exemples 9 et 10 par l'utilisation du ZnS:Sm³⁺
comme émetteur rouge dans la deuxième structure 60.
Exemples 13 à 16 (affichage trichrome)
[0105] Ces exemples se différencient des exemples 9 à 12 par l'utilisation d'un matériau
photoconducteur à spectre de sensibilité 86 (figure 4d) : λ₂=600 nm ; λ₀₄=575 nm ;
E₀₄=2,15 eV ; C=0,50 et x=0,07.
Exemples 17 et 18 (affichage trichrome)
[0106] Ces exemples illustrent la figure 6.
a) Première structure 60 : deux matériaux électroluminescents juxtaposés :
- CaS:Eu²⁺, émetteur rouge,
- Srs:Ce³⁺ (exemple 17) ou ZnS:Tm³⁺ (exemple 18), émetteur bleu,
b) Deuxième structure 50 :
- matériau électroluminescent : ZnS:Tb³⁺, émetteur vert,
- filtre interférentiel passe bande de chez Oriel de longueur d'onde de coupure basse
λ₃=510 nm et de coupure haute λ₀=575 nm,
- matériau photoconducteur à spectre de sensibilité 102 (figure 6d) : λ₀₄=550 nm
; E₀₄=2,25 eV ; C=0,61 et x=0,10.
Exemples 19 et 20 (affichage trichrome)
[0107] Ces exemples se différencient des exemples 17 et 18 par l'utilisation d'un matériau
photoconducteur ayant le spectre 106 (figure 6d) : λ₂=510 nm ; λ₀₄=485 nm ; E₀₄=2,56
eV ; C=0,83 et x=0,21.
Exemples 21 et 22
[0108] Ces exemples se différencient des exemples 17 et 18 par l'utilisation d'un matériau
PC ayant le spectre 104 (figure 6d) : λ₁=575 nm ; λ₀₄=600 nm ; E₀₄=2,07 eV ; C=0,40
et x=0,04.
Exemples 23 à 28 (affichage trichrome)
[0109] Dans les exemples 17 à 22, il est possible de remplacer l'émetteur vert ZnS:Tb³⁺
par du CaS:Ce³⁺.
1. Dispositif d'affichage polychrome électroluminescent comportant une première structure
(50) comprenant un premier substrat (52) transparent, équipé d'une première couche
électroluminescente (56) intercalée entre un premier système d'électrodes transparentes
(54) et un second (58) système d'électrodes, connectés à des moyens électriques (75)
permettant l'excitation de certaines zones de la première couche électroluminescente,
se caractérisant en ce qu'il comprend en outre une seconde (60) structure comportant
un second substrat (62) équipé d'une seconde couche électroluminescente (16, 68) et
d'une couche photoconductrice (20, 66) empilées l'une sur l'autre et recouvrant toute
la surface d'affichage, l'ensemble de ces deux couches étant intercalé entre un troisième
système d'électrodes (64) et un quatrième systèmes d'électrodes transparentes (70),
connectés à des moyens électriques (77) permettant l'excitation de certaines zones
de la seconde couche électroluminescente, les premier et second substrats constituant
les faces opposées du dispositif, et en ce que la première couche électroluminescente
présente un spectre d'émission monochrome ou bichrome et la seconde couche électroluminescente
présente un spectre d'émission essentiellement monochrome et comprenant une composante
chromatique complémentaire de la ou des couleurs d'émission de la première couche
électroluminescente.
2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première couche électroluminescente
est bichrome (56) et composée de deux matériaux électroluminescents monochromes différents
(56a, 56b).
3. Dispositif selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce qu'il comprend aussi
un filtre optique (72) pour bloquer totalement ou presque le spectre d'émission de
la première couche électroluminescente.
4. Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce que le matériau photoconducteur
(20, 66) est tel que son spectre de sensibilité est contenu dans la partie du spectre
bloquée par le filtre.
5. Dispositif selon la revendication 3 ou 4, caractérisé en ce que la seconde couche
électroluminescente (68) présente un spectre large bande dont une partie est bloquée
par le filtre optique (72).
6. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 3 à 5, caractérisé en ce
que le filtre est placé entre la première et seconde structures (50, 60).
7. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 3 à 5, caractérisé en ce
que le filtre est intégré dans la seconde structure (60).
8. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce
que la seconde couche électroluminescente (16) est intercalée entre une première
et une seconde (14, 18) couches diélectriques, la première couche diélectrique étant
placée au contact de la couche photoconductrice.
9. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce
qu'une couche de diélectrique (21) est prévue entre la couche photoconductrice (20)
et le système d'électrodes en regard.
10. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé er ce
que la première couche électroluminescente est intercalée entre deux couches de diélectrique.
11. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, caractérisé en ce
que les systèmes d'électrodes (54, 58, 64, 70) sont constitués chacun de bandes conductrices
parallèles entre elles, les bandes conductrices du premier et du second systèmes étant
croisées et les bandes conductrices des troisième et quatrième systèmes étant croisées.
12. Dispositif selon la revendication 11, caractérisé en ce que les bandes conductrices
du premier système (54) d'électrodes sont disposées parallèlement et en coïncidence
avec les bandes conductrices du troisième système d'électrodes (64), les premier
et troisième systèmes d'électrodes étant respectivement au contact des premier et
second substrats, et en ce que les bandes conductrices du second système d'électrodes
(58) sont disposées parallèlement et en coïncidence avec les bandes conductrices du
quatrième système d'électrodes (70), les bandes conductrices du second système d'électrodes
étant transparentes.
13. Dispositif selon la revendication 11, caractérisé en ce que les bandes conductrices
du premier système d'électrodes (54) sont disposées parallèlement et en coïncidence
avec les bandes conductrices du quatrième système d'électrodes (270), les premier
et troisième systèmes d'électrodes étant respectivement au contact des premier et
second substrats, en ce que les bandes conductrices du second système d'électrodes
(258) sont disposées parallèlement avec les bandes conductrices du troisième système
d'électrodes (264) et de façon décalée, les bandes conductrices du second système
d'électrodes étant réfléchissantes.
14. Dispositif selon la revendication 11, caractérisé en ce que les bandes conductrices
du premier système d'électrodes (54) sont disposées parallèlement et en coïncidence
avec les bandes conductrices du troisième système d'électrodes (64), les premier
et troisième systèmes d'électrodes étant respectivement au contact des premier et
second substrats, et en ce que les bandes conductrices du second système d'électrodes
(158) sont disposées parallèlement aux bandes conductrices du quatrième système d'électrodes
(170) ei de façon décalée, les bandes conductrices du second système d'électrodes
étant réfléchissantes.
15. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 14, caractérisé en ce
que le troisième système d'électrodes est réfléchissant.
16. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 15, caractérisé en ce
que le matériau photoconducteur est du silicium amorphe hydrogéné et carboné de formule
a-Si1-xCx:H avec 0≦x≦1.
17. Dispositif selon la revendication 13, caractérisé en ce que les bandes conductrices
du troisième système d'électrodes (264) sont plus étroites que les bandes conductrices
du sec>nd système d'électrodes (258).
18. Dispositif selon la revendication 14, caractérisé en ce que les bandes conductrices
du quatrième système d'électrodes (170) sont plus étroites que les bandes conductrices
ou second système d'électrodes (158).
19. Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce que la seconde couche électroluminescente
(68) présente un spectre d'émission large bande et le matériau photoconducteur (20,
66) un spectre de sensibilité tel que le recouvrement du spectre d'émission de la
seconde couche électroluminescente avec le spectre de sensibilité du matériau photoconducteur
est maximal.