| (19) |
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(11) |
EP 0 394 739 A3 |
| (12) |
EUROPÄISCHE PATENTANMELDUNG |
| (88) |
Veröffentlichungstag A3: |
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03.04.1991 Patentblatt 1991/14 |
| (43) |
Veröffentlichungstag A2: |
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31.10.1990 Patentblatt 1990/44 |
| (22) |
Anmeldetag: 10.04.1990 |
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| (84) |
Benannte Vertragsstaaten: |
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BE CH DE ES FR GB IT LI NL SE |
| (30) |
Priorität: |
24.04.1989 DE 3913466
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| (71) |
Anmelder: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
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D-80333 München (DE) |
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| (72) |
Erfinder: |
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- Ahne, Hellmut, Dr.
D-8551 Röttenbach (DE)
- Leuschner, Rainer, Dr. rer. nat.
D-8521 Grossenseebach (DE)
- Sezi, Recai, Dr.-Ing.
D-8551 Röttenbach (DE)
- Sebald, Michael, Dr. rer. nat.
D-8521 Hessdorf (DE)
- Birkle, Siegfried, Dr. rer. nat.
D-8552 Höchstadt (DE)
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| (56) |
Entgegenhaltungen: :
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Verfahren zur masshaltigen Strukturübertragung mit einem Zweilagenresist |
(57) Es wird ein Verfahren zur lithographischen Strukturübertragung mit einem Zweilagenresistsystem
vorgeschlagen, bei dem der Bottomresist in den zwischen einer Topresiststruktur frei
gelegten Bereichen durch chemische Behandlung mit einem in flüssiger Phase vorliegenden
Agens gegenüber einem Trockenätzverfahren ätzresistent gemacht wird. Vorzugsweise
durch Sylilierung wird so in den freigelegten Bereichen des Bottomresists eine Ätzmaske
für den anschließenden Trockenätzprozeß erzeugt, in dem ein negatives Bild der Topresiststruktur
entsteht. Über verschiedene Parameter der chemischen Behandlung wird das Verfahren
so gesteuert, daß ein exakter 1:1-Strukturübertragung von der Maske auf den Wafer
erzeugt wird.