PROCEDE DE REALISATION DE LASERS SEMI-CONDUCTEURS ET LASERS OBTENUS PAR LE PROCEDE - Patent 0399033

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EP 0 399 033 A1

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(43)	Date de publication:
	28.11.1990 Bulletin 1990/48

(21)	Numéro de dépôt: 90900897.0

(22)	Date de dépôt: 05.12.1989

(51)

Int. Cl.:

H01S 5/ 00^{( . )}
H01S 5/ 042^{( . )}
H01S 5/ 18^{( . )}

H01L 33/ 00^{( . )}
H01S 5/ 10^{( . )}

(86)	Numéro de dépôt:
	PCT/FR1989/000629

(87)	Numéro de publication internationale:
	WO 1990/006608 (14.06.1990 Gazette 1990/14)

(84)	Etats contractants désignés:
	DE GB NL

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Priorité:

09.12.1988 FR 19880016215

(71)	Demandeur: THOMSON-CSF
	F-75008 Paris (FR)

(72)	Inventeurs:
	WEISBUCH, Claude F-75013 Paris (FR) DE CREMOUX, Baudouin F-91400 Orsay (FR) POCHOLLE, Jean-Paul F-91290 Arpajon-la-Norville (FR)

(74)	Mandataire: Guérin, Michel, et al
	THOMSON-CSF SCPI B.P. 329 50, rue Jean-Pierre Timbaud F-92402 Courbevoie Cédex F-92402 Courbevoie Cédex (FR)

(54)	PROCEDE DE REALISATION DE LASERS SEMI-CONDUCTEURS ET LASERS OBTENUS PAR LE PROCEDE