(19)
(11) EP 0 405 304 A3

(12) EUROPÄISCHE PATENTANMELDUNG

(88) Veröffentlichungstag A3:
03.06.1992  Patentblatt  1992/23

(43) Veröffentlichungstag A2:
02.01.1991  Patentblatt  1991/01

(21) Anmeldenummer: 90111587.3

(22) Anmeldetag:  19.06.1990
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC)5: H01C 7/00, H01C 17/12, H01C 17/08
(84) Benannte Vertragsstaaten:
DE FR GB NL

(30) Priorität: 29.06.1989 DE 3921431

(71) Anmelder: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
D-80333 München (DE)

(72) Erfinder:
  • Hoheisel, Martin, Dr.
    D-8000 München 83 (DE)
  • Mrotzek, Christine
    D-8017 Ebersberg (DE)
  • Müller, Werner
    D-8025 Unterhaching (DE)


(56) Entgegenhaltungen: : 
   
       


    (54) Dünnschichtwiderstände mit Flächenwiderstandswerten im Bereich zwischen 1M-Ohm und mehreren G-Ohm und Verfahren zu ihrer Herstellung


    (57) Aus einem transparenten, leitfähigen Oxid, insbesondere aus In­dium-Zinn-Oxid (= ITO) bestehende Dünnschichtwiderstände wei­sen Flächenwiderstandswerte zwischen 1 M-Ohm und mehreren G-Ohm auf, wenn ihre Herstellung durch Sputtern oder Aufdampfen in einer Atmosphäre mit einem erhöhten Sauerstoffpartialdruck er­folgt. Es können Dünnfilm-Widerstände aus ITO-Schichten im Be­reich von 8 M-Ohm und 40 G-Ohm realisiert werden, die für inte­grierte Schaltungen in der Großflächenelektronik Anwendung fin­den.





    Recherchenbericht