[0001] La présente invention se rapporte au domaine de la mise en mémoire d'informations
sous forme binaire en vue de leur utilisation par les différents systèmes informatiques
ou vidéo qui recourent à de telles mémoires.
[0002] On connaît, d'une façon générale, les mémoires dites magnétooptiques qui sont décrites
par exemple dans les publications: "Amorphous transition metal-rare earth alloy films
for magneto optic recording". Fred E. Luborsky, General Electric Corporate Research
and development. Mat. res. soc. symp. Proc. Vol. 80, 1987, P. 375) et "Les Nouvelles
Techniques de Stockage de Données" (Pour la Science Décembre 1987, p. 64).
[0003] On commencera d'abord par rappeler le principe général connu de telles mémoires magnétooptiques
en se référant aux schémas des figures 1 et 2, cette dernière représentant le disque
magnétooptique de la figure 1 à plus grande échelle.
[0004] Le dispositif de la figure 1 comporte pour l'essentiel un disque de matière magnétooptique
2 susceptible de tourner autour de son axe vertical XY et un système de lecture/écriture
comportant une diode laser 4, un polariseur 6, un analyseur 8 et un détecteur 10.
Un miroir semi transparent 12, incliné à 45°, est interposé sur le trajet de la lumière
qui se déplace depuis la diode laser 4 jusqu'à la surface du disque magnétooptique
2. Des lentilles de focalisation 14 sont également prévues au voisinage du disque
magnéto optique 2. Ceci étant, l'écriture et la lecture du disque 2 sont faites à
l'aide de la lumière de la diode laser 4 qui est susceptible d'écrire et de lire les
données sur le support magnétique 2 effaçable et réinscriptible. A cet effet, et pour
l'écriture, une bobine de champ magnétique 16 est également prévue sous le disque
2 pour soumettre ce dernier à un champ magnétique intense d'axe vertical, c'est-à-dire
ici perpendiculaire au plan du disque 2. Le matériau magnétique constituant le disque
2 a un champ coercitif très intense à la température ambiante, mais diminuant rapidement
à haute température. Lorsque par conséquent, sous l'action du faisceau laser émis
par la diode 4, un domaine d'écriture du disque 2 est fortement chauffé, ce champ
coercitif diminue fortement dans ce domaine de sorte que le champ magnétique émis
par la bobine 16 et auquel le disque est soumis, permet de polariser magnétiquement
la partie chauffée et de donner au domaine en question une direction, perpendiculaire
à la surface du disque 2, mais de direction imposée et connue. On conçoit donc que
si l'on part d'un disque magnétooptique préalablement aimanté dans une direction uniforme,
perpendiculaire à la surface, (fig. 2) la mise en oeuvre de l'appareil schématique
de la figure 1 permette d'inscrire côte à côte des domaines magnétisés dans un sens
perpendiculaire au disque 2, mais dont l'aimantation est tantôt dirigée vers la face
inférieure et tantôt dirigée vers la face supérieure (18 et 20, fig. 2). C'est ainsi
que l'on réalise l'écriture des deux digits binaires 0 et 1 sur la surface du disque
2. Sur la figure 2, le support 22 est en verre et une couche réfléchissante 24 complète
la structure du disque à mémoire optique.
[0005] Pour la lecture de ce disque, on recourt soit à l'effet connu sous le nom d'effet
Kerr, soit à l'effet Faraday, c'est-à-dire que l'on observe chacun des domaines à
l'aide du système de lentilles 14 et de miroir semi-transparent 12 en recherchant
à l'aide de l'analyseur 8 et du détecteur 10 si le plan de polarisation auquel la
lumière incidente a été assujettie par le polariseur 6 a tourné ou non, et dans quel
sens, dans le faisceau réfléchi. En détectant ainsi les rotations du plan de polarisation
du rayonnement réfléchi sur la couche (effet Kerr) ou réfléchi après traversée de
la couche (effet Faraday), on détermine pour chaque domaine examiné s'il correspond
à l'inscription d'un digit binaire 0 ou d'un digit binaire 1.
[0006] Par rapport aux mémoires de stockage d'informations à l'aide de matériaux magnétiques
tels que Cr₂O₃, Fe₂O₃, FeNi etc.., les mémoires optiques présentent un certain nombre
de caractéristiques qui les rendent plus performantes et par conséquent plus séduisantes.
Parmi ces performances, on peut citer une capacité de stockage au moins dix fois supérieure
à celle des mémoires magnétiques, une lecture optique facile et une tête de lecture
relativement éloignée du disque (de l'ordre du millimètre par exemple) ce qui diminue
de façon considérable le risque de détérioration de la surface des mémoires qui existait
avec les mémoires magnétiques antérieures. Par ailleurs, les mémoires optiques sont
relativement insensibles aux poussières et peuvent être fabriquées sur des disques
ou des supports amovibles.
[0007] La plupart des disques ou des mémoires magnétooptiques réalisés jusqu'à ce jour font
appel à des matériaux amorphes, du type "terres rares-métaux de transition", comme
par exemple le composé Gd-Tb-Fe.
[0008] La demanderesse a trouvé qu'il était possible d'augmenter encore les performances
des mémoires magnétooptiques en utilisant comme matériau sensible des oxydes (grenats
ferrimagnétiques, hexaferrites, ferrites spinelles) à la condition toutefois qu'ils
soient déposés sur le support sous forme cristalline. Dans ces conditions, les oxydes
précédents présentent les avantages suivants:
- ils ont une très bonne résistance chimique, alors que les métalliques amorphes sont
oxydables;
- leurs propriétés magnétooptiques sont supérieures (la rotation Faraday est supérieure
à 5.10⁶ degrés de rotation par mètre de couche sensible traversée);
- On peut également les utiliser avec des longueurs d'ondes plus petites et obtenir
par conséquent une densité d'enregistrement plus grande. Il est facile, par exemple,
de travailler avec de telles mémoires à l'aide d'une lumière de longueur d'onde de
500 nanomètres.
[0009] Enfin, leur solidité n'implique pas la présence d'une couche de protection.
[0010] Bien entendu toutefois, la réalisation de telles mémoires à oxyde cristallisé dont
la température de cristallisation est très élevée (T
c > 500°C) pose le problème de la compatibilité du support qui doit, pendant le temps
de chauffage nécessaire pour réaliser la cristallisation, résister à des températures
de cet ordre.
[0011] La présente invention a précisément pour objet un procédé de préparation de telles
mémoires magnétooptiques qui permet, à l'aide de moyens simples à mettre en oeuvre,
de résoudre le problème précédent et d'utiliser, notamment, des supports en verre
ordinaire ne résistant pas à des températures élevées.
[0012] Ce procédé de préparation d'une mémoire magnétooptique comportant sur un support
(22) tel que verre, métal ou matière plastique, une couche sensible plane (21) de
matériau magnétooptique destinée à recevoir en chaque point l'inscription de l'un
des deux digits binaires 0 et 1 sous la forme de petits domaines juxtaposés et aimantés
perpendiculairement au plan de la couche, dans l'une des deux directions possibles
par rapport à celui-ci, la couche sensible (21) étant constituée par dépôt par pulvérisation
cathodique ou autre d'un oxyde magnétique choisi dans le groupe comprenant les ferrites
spinelles, les hexaferrites et les grenats ferrimagnétiques, le dépôt précédent étant
suivi d'une cristallisation de la partie amorphe à l'aide d'un recuit, se caractérise
en ce que l'on interpose entre le support (22) et la couche sensible (21) au moins
une couche réfléchissante (28) et/ou une couche constituant écran thermique (30),
et en ce que le recuit est un recuit rapide, de l'ordre de quelques secondes à une
température comprise entre 600°C et 650°C.
[0013] Le moyen essentiel du procédé objet de la présente demande consiste à prévoir une
protection thermique de ce support consistant par exemple en une couche réflectrice
métallique telle que Cr, Al, ou Ti, et en une couche d'écran thermique en SiO₂. Ainsi,
l'opération de recuit rapide à une température de l'ordre de 650°C ou plus grâce à
laquelle on s'assure que la totalité des oxydes magnétiques déposés par pulvérisation
cathodique ou autres sont bien cristallisés n'a pas de conséquences néfastes sur le
support de la mémoire, même s'il est fragile thermiquement. Il est avantageux d'effectuer
ce recuit en quelques secondes à puissance modulée.
[0014] Le second moyen mis en oeuvre dans le procédé de préparation d'une mémoire magnétooptique,
objet de l'invention.
[0015] Selon l'invention, on peut encore améliorer les conditions thermiques du recuit rapide
en plaçant le matériau magnétooptique sur une platine refroidie qui constitue alors
un puits thermique susceptible d'absorber fortement une partie des calories développées
par les lampes utilisées pour le recuit.
[0016] Selon une caractéristique importante de la présente invention, les ferrites spinelles
utilisées pour constituer la couche sensible, sont de formule générale A
xB
yFe₂O₄, formule dans laquelle:
x + y = 1 et
A et B sont choisis parmi les métaux suivants: Ni, Mn, Zn, Fe, Co, Cu, Mg et Li, et
les composés substitués.
[0017] Selon une autre caractéristique du procédé, lorsque les oxydes utilisés pour la couche
sensible sont des hexaferrites, celles-ci sont de formule générale A
yA′
zB
xFe
12-xO₁₉, formule dans laquelle:
y + z = 1 et
A et A′ sont choisis parmi les composés suivants: Ba, Sr, Bi, La, Pb, Sc
B est choisi parmi les métaux suivants: Co, Mn, Ti, Zn, Al, Cu, Ga, et les composés
avec substitution du fer.
[0018] Enfin, lorsque les oxydes utilisés sont des grenats ferrimagnétiques, ils ont la
formule générale A
xB
yFe
5-zC
zO₁₂, formule dans laquelle:
x + y = 3
A est une terre rare ou l'yttrium,
B est choisi parmi le Bi et le Ca,
C est choisi parmi les métaux suivants: Al, Ga, Si, Ge, Sc, Tl.
[0019] En se référant aux figures 3 à 5, on va décrire maintenant quelques exemples de modalités
pratiques de mise en oeuvre du procédé, objet de l'invention, description qui sera
faite à titre surtout illustratif et non limitatif, les figures précédentes représentant:
- la figure 3, une couche magnétooptique sur son substrat munie d'une couche réflectrice
et d'une couche d'écran thermique;
- La figure 4, un schéma d'une installation possible pour le chauffage rapide par
lampe;
- La figure 5, un programme de recuit rapide à puissance modulée.
[0020] Sur la figure 3 on a représenté une couche magnétoopique 21 et son substrat de verre
26. Entre la couche magnétooptique 21 et le substrat 26 sont situées, conformément
à l'invention, une couche réflectrice 28 en un métal choisi par exemple parmi le chrome,
l'aluminium et le titane et en 30 une couche de silice SiO₂ constituant un écran thermique
destiné à protéger le susbtrat 26 lors de l'opération de cristallisation des oxydes
déposés.
[0021] La figure 4 représente schématiquement une installation de chauffage rapide par lampe
pour effectuer l'opération de recuit. Sur cette figure, un disque magnétooptique 2
est éclairé par une rampe de lampes chauffantes 32 et situé sur une platine 34 refroidie
par exemple par un courant d'eau et constituant un puits thermique qui permet d'absorber
au fur et à mesure les calories issues de la rampe de lampes 32 qui ont traversé le
disque magnétooptique 2.
[0022] Sur la figure 5, on a représenté un programme de recuit rapide à puissance modulée
en fonction du temps. Le temps mesuré en secondes est indiqué en abscisses et la puissance
thermique diffusée sur le disque magnétooptique est donné en ordonnées. Comme le montre
la figure, les modulations imposées à la puissance se développent par crénaux de l'ordre
de la seconde et au cours desquels cette dernière oscille de 100% à 50% de sa valeur
maximum. Une telle modulation de la puissance permet généralement d'obtenir à une
température supérieure à 500°C et le plus souvent voisine de 650°C, une cristallisation
complète dans la masse des oxydes déposés par pulvérisation cathodique sans pour autant
conduire à une destruction du support.
[0023] Selon l'invention, les disques à mémoire magnétooptique obtenus selon le procédé
précédemment décrit, peuvent le cas échéant, recevoir une couche magnétooptique sur
leurs deux faces.
[0024] En faisant varier les paramètres du recuit (puissance maximale, modulation de cette
puissance etc...) on peut faire varier dans des proportions importantes et intéressantes,
la cristallinité de la couche magnétooptique et notamment la taille des grains dans
cette couche. En effet, plus les recuits sont rapides, plus la granulométrie de cette
couche est faible, ce qui permet d'augmenter de façon importante dans certains cas
les qualités magnétooptiques de celle-ci. D'autre part, il est possible en utilisant
le procédé objet de l'invention d'obtenir des couches ayant une grande homogénéité.
[0025] A titre d'exemple, des mémoires magnétooptiques ont été fabriquées par le procédé
objet de l'invention dans les conditions suivantes:
L'opération de pulvérisation cathodique était conduite soit en courant continu, soit
en radiofréquence et les cibles étaient des disques de 100 mm de diamètre environ.
Elles étaient constituées ainsi que la couche sensible, du composé Bi₂DyGaO,₃Fe₄, ₇0₁₂. Le vide résiduel avant la pulvérisation atteignait 2.10⁻⁷ milli Torr
et l'atmosphère était composée d'argon et d'oxygène dans un rapport de 8 à 1. La puissance
de radiofréquence utilisée était de 3,8 W/cm² et la vitesse de dépôt de 0,75 micron/heure.
La température du substrat de dépôt pouvait être choisie à 300°C pour obtenir un dépôt
amorphe.
L'opération de recuit rapide a été menée à l'aide d'un four à lampes à filament de
tungstène ou à l'aide d'un faisceau laser à l'argon, le support reposant sur une plaque
refroidie jouant le rôle de puits thermique. L'impulsion lumineuse avait une puissance
modulée dans le temps selon le programme exposé sur la figure 5.
[0026] On a pu obtenir ainsi une cristallisation totale de la couche magnétooptique sans
aucune destruction du verre constituant le substrat.
1. Procédé de préparation d'une mémoire magnétooptique comportant sur un support (22)
tel que verre, métal ou matière plastique, une couche sensible plane (21) de matériau
magnétooptique destinée à recevoir en chaque point l'inscription de l'un des deux
digits binaires 0 et 1 sous la forme de petits domaines juxtaposés et aimantés perpendiculairement
au plan de la couche, dans l'une des deux directions possibles par rapport à celui-ci,
la couche sensible (21) étant constituée par dépôt par pulvérisation cathodique ou
autre d'un oxyde magnétique choisi dans le groupe comprenant les ferrites spinelles,
les hexaferrites et les grenats ferrimagnétiques, le dépôt précédent étant suivi d'une
cristallisation de la partie amorphe à l'aide d'un recuit, caractérisé en ce que l'on
interpose entre le support (22) et la couche sensible (21) au moins une couche réfléchissante
(28) et/ou une couche constituant écran thermique (30), et en ce que le recuit est
un recuit rapide, de l'ordre de quelques secondes à une température comprise entre
600°C et 650°C.
2. Procédé de préparation d'une mémoire magnétooptique selon la revendication 1, caractérisé
en ce que le recuit est un recuit rapide par lampes, la couche sensible de matériau
magnétooptique étant disposée sur une platine refroidie (34) constituant un puits
thermique pour absorber les calories.
3. Procédé de préparation d'une mémoire magnétooptique selon la revendication 2, caractérisé
en ce que le recuit rapide a lieu en quelques secondes à puissance modulée.
4. Procédé de préparation d'une mémoire magnétooptique selon l'une quelconque des revendication
1 à 4 précédentes, caractérisé en ce que la couche réfléchissante (28) de protection
du support (26) est en métal et en ce que la couche d'écran thermique est en silice.