[0001] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Gussstücken gemäss Oberbegriff
von Anspruch 1, Gussformen zum Durchführen des Verfahrens sowie nach dem Verfahren
hergestellte Gussstücke.
[0002] Zum Herstellen von gegossenen Bauteilen, die - wie beispielsweise Turbinenschaufeln
von Flugzeugtriebwerken - bei hohen Temperaturen mechanisch stark beansprucht werden,
eignen sich verschiedene bekannte Nickelbasislegierungen, für die beim Giessen eine
gerichtete Erstarrung möglich ist. Beim Erstarren der Schmelze einer solchen Legierung
bilden sich dendritische Kristalle aus. Werden keine besondern Massnahmen ergriffen,
so entstehen beim Abkühlen der gegossenen Schmelze im allgemeinen an verschiedenen
Stellen Kristallkeime, die zu einem polykristallinen Erstarren führen. Durch spezielle
Anordnung von Wärmesenken und Wärmequellen sowie durch ein kontrolliertes Auslösen
der Kristallisation lässt sich eine Erstarrungsfront ausbilden, deren Ausbreitung
durch einen sogenannten "unidirektionalen" Wärmestrom lenkbar ist. Bei diesem gerichteten
Erstarren bilden sich stengelförmige Kristalle aus; mittels einer besonderen Startphase
der Erstarrung (beispielsweise mittels eines "Selektors") wird es auch möglich, das
gegossene Bauteil in Form eines Einkristalls wachsen zu lassen.
[0003] Es sind verschiedene Verfahren zur Herstellung von Gussstücken durch gerichtete oder
einkristalline Erstarrung bekannt. Gemeinsam ist diesen Verfahren, dass eine Gussform
aus keramischem Material verwendet wird, die oben und unten offen ist: oben zum Eingiessen
der Schmelze, unten zum Aufsetzen auf eine Kühlplatte, mit der die Schmelze in direkten
Kontakt kommt. Müssen relativ grosse Bauteile hergestellt werden, so ist man dazu
gezwungen, eine teure Spezialausführung einer Vakuumgiessanlage zu verwenden. Bei
einer solchen speziellen Giessanlage wird mit einer Zusatzheizung als Wärmequelle
zusammen mit der Kühlplatte als Wärmesenke der unidirektionale Wärmestrom erzeugt
und aufrechterhalten. Mittels einer Absenkvorrichtung für die Kühlplatte und die Gussform
kann die Erstarrungsfront von unten nach oben durch das Bauteil geführt werden. Die
Relativbewegung zwischen Gussform und Zusatzheizung kann auch durch Verschieben der
Heizelemente erreicht werden. Mit solchen Verfahren lassen sich der Temperaturgradient
G im Bereich der Erstarrungsfront und die Geschwindigkeit v, mit der die dendritischen
Kristalle wachsen, gut steuern. Die Dendritenstruktur, insbesondere der Abstand zwischen
benachbarten Dendriten, hängt von diesen Grössen G und v ab.
[0004] Bei anderen Verfahren, die in einfachen, für verschiedene Anwendungszwecke vorgesehenen
Vakuumgiessanlagen durchführbar sind, werden die Wärmequellen nicht mehr durch Heizelemente
erzeugt, sondern mittels überhitzter Schmelze und mittels besonderer Formgebung der
Gussform durch Hinzunahme zusätzlicher Hohlräume. Diese mit überhitzter Schmelze gefüllten
Hohlräumen haben die Funktion von Wärmereservoiren. Neben dem Vorteil, hinsichtlich
der Giessanlage kostengünstiger zu sein, weisen diese "Verfahren mit in der Formschale
integrierten Wärmereservoiren" den Nachteil auf, einen grössern Bedarf an Legierung
zu haben. Überdies muss muss man sich, um die Steuerung des Temperaturgradienten G
und der Erstarrungsgeschwindigkeit v möglich zu machen, mit einem eingeschränkten
Anwendungsbereich begnügen. Diese Parametersteuerung ist nur mit Erfolg hinsichtlich
der angestrebten Dendritenstruktur durchführbar, wenn die Bauteile nicht zu gross
sind, nämlich nicht mehr als rund 15 cm in ihrer Längserstreckung. Hingegen ein weiterer
und wichtiger Vorteil der zweiten Verfahrensart ist, dass die Belegungsdauer der Vakuumgiessanlage
für einen Guss rund fünfmal kürzer ist.
[0005] Aus der CH-PS-641985 ist ein Verfahren der zweiten oben genannten Art bekannt, bei
welchem das in die Formschale integrierte Wärmereservoir durch den Giesstrichter gebildet
wird. Bei diesem Verfahren wird die Gussform mit einer Hülle aus wärmedämmendem Material
ummantelt, wobei mit dieser isolierenden Hülle angestrebt wird, dass sich ein linearer
Wärmestrom in vertikaler Richtung ausbildet, damit sich die Erstarrungsfront parallel
zur Kühlplatte ausgerichtet nach oben bewegt. Als wesentliches kennzeichnendes Merkmal
der CH-PS-641985 wird angegeben, dass die Vorerhitzung der Gussform auf eine Temperatur
über der Liquidustemperatur, die zwischen 1300 und 1400 Grad Celsius liegt, zur Durchführung
der gerichteten Erstarrung nicht nötig ist; denn das abschliessende Aufheizen nach
einer Vorerhitzung auf rund 1200 Grad Celsius lässt sich mittels überhitzter Schmelze
durchführen. Dieses Verfahren hat jedoch den Nachteil, dass zusätzliche Schmelze für
die Formerhitzung zur Verfügung gestellt werden muss.
[0006] Das Verfahren mit in der Formschale integrierten Wärmequelle ist weiterentwickelt
worden: Statt der eindimensionalen Ausrichtung des Wärmestroms, die zu einem linearen
Erstarrungsverlauf führt, wird durch spezielle Formgebung und Anordnung der Hohlräume
für die Wärmereservoire ein Wärmestrom erzeugt, der einen mehrdimensionalen Verlauf
der Erstarrung ermöglicht.
[0007] Aufgabe der Erfindung ist, das Verfahren mit in der Formschale integrierten Wärmequelle
so weiterzuentwikkeln, dass die Menge an Schmelze, die für die Wärmereservoire benötigt
wird, reduziert werden kann. Diese Aufgabe wird durch das kennzeichnende Merkmal des
Anspruchs 1 gelöst.
[0008] Nachfolgend wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen in Zusammenhang mit
den Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig.1 den Aufbau einer Gussform mit vier gleichen Bauteilen, die in Form einer "Traube"
angeordnet sind,
Fig.2 eine vereinfachte Darstellung eines Längsschnittes durch einen "Selektor",
Fig.3a,b zwei Beispiele für den Verlauf der Erstarrungsfront und
Fig.4 Teil einer Anlage zur Durchführung des erfindungsgemässen Verfahrens.
[0009] Die perspektivische Darstellung in Fig.1 zeigt die eine Hälfte der Gussform 10 mit
Formschale 11 und isolierender Hülle 12. Von der andern Hälfte sind die Hohlräume
der Formschale in Form des Wachsmodells dargestellt, das zur Herstellung der Formschale
dient. Es sind folgende Hohlräume, in körperlicher Darstellung, zu sehen: die Teilgiessform
1 für ein einzelnes Bauteil, das stark vereinfacht als Quader dargestellt ist; Hohlräume
2a und 2b für die durch überhitzte Schmelze gebildeten Wärmereservoire; der Starter
3 mit der scheibenförmigen Basiszone 3a und dem helixförmigen Selektor 3b; der Hohlraum
5, der beim Giessen von der Kühlplatte eingenommen wird; das Volumen 6 des Mittelstamms,
das nach dem Ausschmelzen des Wachses mit keramischem Material verschlossen wird;
und schliesslich der Giesstrichter 7.
[0010] Die Formschale 11 weist am Umfang des Hohlraums 5 einen Ring 15 auf, der auf der
Innenseite durch entsprechende Formgebung des Wachsmodells mit nicht dargestellten
Nuten versehen wird, mittels derer die Gussform 10 bajonettverschlussartig auf der
Kühlplatte befestigt werden kann. Die isolierende Hülle 12 lässt sich aus Keramikfasermatten
zusammensetzen. Der Zwischenraum 13 zwischen Formschale 11 und Hülle 12 wird vorzugsweise
mit wärmedämmendem Material, beispielsweise einer Keramikwatte, gefüllt.
[0011] In Fig.2 ist ein Längsschnitt durch den Starter 3 kurz nach dem Einsetzen der Erstarrung
der Schmelze 200 gezeigt, wobei der Schnitt bezüglich der zentralsymmetrischen Gussform
10 radial orientiert ist und das Zentrum auf der rechten Seite liegt. Der Übersichtlichkeit
halber ist der Selektor 3b schematisch als schlangenförmiges Gebilde dargestellt.
Bei der Formschale 11 ist ein geschichteter Aufbau angedeutet, wobei in Wirklichkeit
rund zehn dünne statt der dargestellten drei dicken Schichten vorliegen. Die Erstarrungsfront
205 befindet sich im Eingangsbereich der Teilgiessform 1. In der Basiszone 3a ist
die erstarrte Legierung polykristallin; sie geht in eine gerichtet kristalline Phase
über, die sich in den Mündungsbereich des Selektors 3b erstreckt. Ein Auftreten von
Stengelkristallen, wie in Fig.2 angedeutet, ist als Idealisierung der Wirklichkeit
anzusehen ist. Dank der Verengung des Querschnitts im Selektor 3b und wegen dessen
gewundenen Form ist es nur für einen einzigen der in der Basiszone 3a gebildeten Kristalle
möglich, den Selektor zu durchwachsen und auf diese Weise als Keim der Einkristallphase
210 zu wirken.
[0012] Durch die Pfeile in Fig.2 ist der Wärmefluss angedeutet. Die bei der Erstarrung frei
werdende latente Wärme und die Wärme aus der überhitzten Schmelze muss an der Erstarrungsfront
205 nach unten zur Kühlplatte 50 abgeführt werden: Pfeile 301. Ein Teil der Wärme
wird an die Umgebung der Gussform 10 abgegeben: Pfeile 304. Der Wärmestrom 304 an
die Umgebung ist, wie dargestellt, bei einem Traubenaufbau der Gussform 10 einseitig
gerichtet. An die Kühlplatte wird die Wärme einerseits über die Basiszone 3a (Pfeile
302) und andererseits über die Formschale 11 (Pfeile 303) abgeführt.
[0013] Da beim Erstarren und dem anschliessenden Abkühlen eine Kontraktion des gegossenen
Materials erfolgt, entsteht zwischen der Oberfläche der Kühlplatte 50 und dem Gusskörper
ein Spalt 56, der zu einer Beeinträchtigung des Wärmeabflusses 302 führt. Um die über
den Starter 3 abgegebene Wärmemenge trotz des Spalts 56 auch bei kleinem Temperaturgefälle
gross erhalten zu können, wählt man für die Basiszone 3a einen Durchmesser, der wesentlich
grösser als der Durchmesser des Selektors 3b ist. Die Höhe der Basiszone 3a wählt
man klein, damit die zur Höhe proportionale Spaltbreite auch klein ausfällt.
[0014] Wegen der einseitigen Wärmeabführung 304 an die Umgebung verläuft die Erstarrungsfront
205 nicht parallel zur Kühlplatte; sie ist geneigt. Die Neigung der Erstarrungsfront
205 muss bei der Ausrichtung der Teilgiessform 1 in der Traube berücksichtigt werden.
Es ist darauf zu achten, dass - siehe Fig.3b - nicht Inselbereiche 201 entstehen,
bei denen die Erstarrungsfront 205 ein Nachfliessen von Schmelze unterbinden. Beim
Erstarren eines solchen Inselbereichs 201 entsteht wegen der Kontraktion bei der Phasenumwandlung
eine erhöhte Mikroporosität, was eine lokale Schwächung des Gussstücks bedeutet. Durch
Verwendung von Speisern lässt sich das Entstehen von Inselbereichen verhindern. Dies
lässt sich aber unter Umständen viel einfacher durch eine andere Orientierung der
Teilgiessform 1 erreichen, wie es in Fig.3a illustriert ist.
[0015] Die Neigung der Erstarrungsfront 205 oder allgemeiner ihre Form, die nicht eben zu
sein braucht, kann durch besondere Formgebung und Anordnung der Hohlräume 2a und 2b
oder vielmehr der durch sie resultierenden Wärmereservoire gezielt beeinflusst werden,
um so dem Entstehen von Inselbereichen 201 zu begegnen. Die Erzeugung der Wärmereservoiren
bedeutet einen Mehrbedarf an Legierung, was ziemlich kostspielig sein kann. Zur Einsparung
an Schmelze wird die Gussform 10 erfindungsgemäss in einem Ofen auf eine Temperatur
aufgeheizt, die wesentlich höher als die Liquidustemperatur liegt. Dadurch erhält
zusätzlich auch die Gussform 10 die Eigenschaft einer Wärmequelle. Die Bedeutung als
zusätzliche Wärmequelle lässt sich steigern, indem man beispielsweise anstelle des
Hohlraums 2b in die Formschale 11 einen Keramikkörper mit hoher Wärmekapazität integriert.
Die in diesem Keramikkörper gespeicherte Wärme, die im Aufheizofen zugeführt wird,
erlaubt offensichtlich eine entsprechende Einsparung an Schmelze.
[0016] Die wesentlichen Merkmale des erfindungsgemässen Verfahrens werden nun anhand der
schematischen Darstellung der Fig.4 näher erläutert. Die Herstellung der isolierten
Gussform 10 wird nach bekannten Verfahrensschritten durchgeführt und muss hier nicht
beschrieben werden. Unmittelbar vor dem Giessen wird die Gussform 10 erfindungsgemäss
in einem separaten Aufheizofen 40 auf rund 1500 Grad Celsius erhitzt. In der Vakuumgiessanlage
100 wird die Legierung mit einem Induktionsofen 30 und in einem Tiegel 20 aufgeschmolzen
und rund 200 bis 350 K -je nach Legierung und Form des Bauteils - über die Liquidustemperatur
erhitzt. Mittels einem Bewegungsautomaten 60 auf einer Schiene 62 und einer Greifvorrichtung
65 wird die erhitzte Gussform 10 aus dem Ofen 40 in die Schleuse 120 der Giessanlage
100 transportiert.
[0017] In der Schleuse 120 mit den Schleusentoren 125 und 126 befindet sich die Kühlplatte
50 (nicht dargestellt). Die Greifvorrichtung 65 muss in der Lage sein, beim Aufsetzen
der Gussform 10 auf die Kühlplatte 50 eine Drehbewegung auszuführen, durch die klauenartige
Vorsprünge am Rand der kreisförmigen Kühlplatte bajonettverschlussartig in Eingriff
mit den Nuten gelangen, die sich im oben erwähnten Ring 15 der Gussform 10 befinden.
[0018] Nach dem Evakuieren der Schleuse 120 wird die Kühlplatte 50 mit der auf ihr befestigten
Gussform 10 in die Giesskammer 130 verschoben. Die Kühlung erfolgt vorzugsweise mittels
Wasser, für das die Anschlüsse 51 und 52 vorgesehen sind. Mittels einer nicht dargestellten
Vorrichtung kann nun die überhitzte Schmelze aus dem Schmelztiegel 20 in den Giesstrichter
7 gegossen werden. Die Schmelze füllt die Formschale und tritt in den Startern mit
der Kühlplatte 50 in Kontakt, wobei sich durch die schockartige Abkühlung spontan
Kristallkeime an der Grenzfläche und darauf die schon erwähnte polykristalline Phase
in den Basiszonen bilden.
[0019] Das separate Aufheizen der Gussform 10 wird mit Vorteil in zwei Stufen durchgeführt:
In einem ersten Ofen wird auf eine Temperatur zwischen rund 1000 und 1200 Grad Celsius
vorerhitzt und in einem zweiten Ofen 40 wird die weitere Aufheizung auf rund 1500
Grad vorgenommen. Die Verweilzeiten dauern in beiden öfen je rund eine Stunde. Für
den Ofen 40 kann ein Keramikbrandofen verwendet werden, der den Zwecken des Verfahrens
angepasst worden ist. Geheizt kann beispielsweise mit gasförmigen Kohlenwasserstoffen
45, insbesondere Propan, werden. Selbstverständlich kann das Heizen auch mittels Elektroöfen,
insbesondere bei der ersten Stufe, durchgeführt werden.
[0020] Damit die Wärmeverluste während des Transports der Gussform 10 in die Vakuumgiessanlage
100 tolerierbar bleiben, muss die Handhabung durch den Bewegungsautomaten 60 und das
Einschleusen innert maximal zwei Minuten durchgeführt sein. Es ist nicht nötig, dass
die Gussform 10 gleich heiss ist wie die überhitzte Schmelze. Es genügt, wenn zu Beginn
des Giessens die Temperaturdifferenz zwischen Schmelze und Gussform die Grössenordnung
von rund 50 K aufweist, wobei selbstverständlich die Temperatur der Formschale 11
grösser als die Liquidustemperatur sein soll.
[0021] Da das Aufheizen der Gussform 10 separat und nicht in der Vakuumgiessanlage wie bei
den Verfahren mit Zusatzheizungen erfolgt, sind die Taktzeiten wesentlich kürzer:
Sie liegen bei 10 bis 30 Minuten gegenüber 60 bis 150 Minuten bei den anderen Verfahren.
[0022] Das beschriebene Ausführungsbeispiel bezieht sich auf die Herstellung von Gussstücken
durch einkristalline Erstarrung. Die Herstellung von gerichtet erstarrter Gussstücke
kann nach dem gleichen Verfahren durchgeführt werden; der Unterschied liegt einzig
darin, dass in der Gussform die Selektoren 3b fehlen.
1. Verfahren zur Herstellung von Gussstücken durch gerichtete oder einkristalline Erstarrung
in einer Vakuumgiessanlage, wobei mittels Wärmequellen, die teilweise aus überhitzter
Schmelze gebildet werden, und mittels Wärmesenken, die aus mindestens einer Kühlplatte
sowie der Umgebung der Gussform bestehen, ein kontrollierter Wärmestrom zur Lenkung
der Erstarrungsfront erzeugt wird,
dadurch gekennzeichnet, dass zusätzlich zur Schmelze das Material der Gussform zur
Wärmequelle beiträgt, indem die Gussform vor dem Giessen auf eine Temperatur, die
mindestens 50 K höher als die Liquidustemperatur der Schmelze ist, erhitzt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Gussform vor dem Einschleusen
in die Giesskammer in mindestens einem separaten Aufheizofen erhitzt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Aufheizen in einem Gasofen
mit Kohlenwasserstoff, insbesondere Propan, ausgeführt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Gussform in einem ersten
Ofen auf eine Temperatur zwischen rund 1000 und 1200 Grad Celsius vorerhitzt wird
und dass in einem zweiten Ofen das weitere Aufheizen auf rund 1500 Grad vorgenommen
wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Stufe des Aufheizens
in einem modifizierten Keramikbrandofen durchgeführt wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Gussform
beim Einschleusen in die Giessanlage auf eine Kühlplatte aufgesetzt wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass mittels einer
Greifvorrichtung und einem Bewegungsautomaten die Gussform in die Giessanlage eingeschleust
wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Gussform
auf eine Temperatur gebracht wird, die tiefer als die Temperatur der überhitzten Schmelze
ist.
9. Gussform (10) zum Durchführen des Verfahrens nach einem der Ansprüche 2 bis 8, gekennzeichnet
durch Mittel, die ein bajonettverschlussartiges Verbinden mit einer Kühlplatte (50)
ermöglichen.
10. Gussform (10) nach Anspruch 9, gekennzeichnet durch Körper (2b) mit hoher Wärmekapazität,
die in die Formschale (11) integriert sind.
11. Gussstück, hergestellt aus einer Nickelbasislegierung nach einem der Verfahren 1 bis
8.
12. Gussstück nach Anspruch 11 zur Verwendung als Turbinenschaufel von Flugzeugtriebwerken.