[0001] La présente invention concerne généralement des circuits de commande pour des dispositifs
d'affichage notamment les circuits de commande permettant d'appliquer des signaux
de luminosité aux pixels d'un dispositif d'affichage tel qu'un afficheur à cristal
liquide. La présente invention concerne plus particulièrement un comparateur utilisé
dans les circuits de commande ainsi qu'un écran l'incorporant.
[0002] De nombreux dispositifs d'affichage, tels que les afficheurs à cristal liquide, sont
constitués par une matrice de pixels disposés horizontalement en rangées et verticalement
en colonnes. Les données destinées à être affichées sont appliquées sous forme de
signaux de luminosité (échelle de gris) à des lignes de données qui sont associées
individuellement à chacune des colonnes de pixels. Les rangées de pixels sont balayées
de manière séquentielle et les pixels à l'intérieure de la rangée activée sont chargés
aux différents niveaux de luminosité en fonction des niveaux des signaux de luminosité
appliqués à chaque colonne. Dans un affichage en couleur, chaque pixel est composé
d'au moins trois éléments pixels, dont chacun émet l'une des trois couleurs primaires
de la lumière, rouge, verte ou bleue. Dans un afficheur à matrice active, chaque élément
pixel est associé à un dispositif de commutation permettant d'activer ou de désactiver
chacun des éléments pixels. D'une manière typique, le dispositif de commutation est
un dispositif semiconducteur, par exemple un transistor en couches minces (TFT), qui
reçoit l'information de luminosité d'un ensemble de circuits de commande constitués
par des circuits semiconducteurs. Puisque aussi bien les dispositifs de commutation
que les ensembles de circuits sont constitués par des dispositifs semiconducteurs,
il est préférable de fabriquer les dispositifs de commutation et l'ensemble de circuits
par une technologie soit en silicium amorphe soit en silicium polycristallin. Les
afficheurs à cristal liquide sont constitués par un matériau en cristal liquide intercalé
entre deux substrats. Au moins un de ces substrats, et généralement les deux, sont
transparents à la lumière, et les surfaces des substrats avoisinant le matériau en
cristal liquide portent des configurations d'électrodes conductrices transparentes
disposées en une configuration permettant la formation des éléments pixels individuels.
Le but recherché dans l'industrie est de fabriquer les différents composants des circuits
de commande sur les substrats et autour de la périphérie de l'afficheur en même temps
que l'on fabrique les éléments de commutation semiconducteurs.
[0003] Des circuits de commande permettant de répondre à cette demande sont décrits notamment
dans la demande de brevet européen EP-A-0417578 qui concerne un système pour appliquer
des signaux de luminosité à chacune des colonnes de pixels dans un dispositif d'affichage
ayant une matrice de pixels disposés en colonnes et en rangées comportant une pluralité
de portes de transmission de signaux disposées de manière à appliquer les signaux
de luminosité individuellement aux colonnes de pixels. Chacune des portes de transmission
possède une électrode de commande pour rendre passantes et pour bloquer les portes
de transmission en réponse à un signal de commande dépassant un seuil. Le système
comporte des moyens de préchargement des électrodes de commande au niveau du seuil.
Les signaux de luminosité sont appliqués aux colonnes d'électrodes par moyen des portes
de transmission.
[0004] D'autre part, la demande brevet EP-A-0298255 concerne un mode réalisation d'un circuit
comparateur pour un dispositif d'affichage à cristal liquide du type ayant une matrice
d'éléments à cristal liquide et comparant une rampe de données pour charger lesdits
éléments pixels.
[0005] La présente invention concerne une nouvelle structure du circuit comparateur qui
permet l'utilisation de circuits de commande rapides pour écrans à cristaux liquides
aussi bien en technologie silicium amorphe qu'en technologie silicium polycristallin.
[0006] Ainsi, la présente invention a pour objet un comparateur d'un circuit de commande
de colonnes d'un dispositif d'affichage, commandant une pluralité de portes permettant
la transmission simultanée à ces colonnes de données, caractérisé en ce qu'il est
constitué d'une pluralité d'étages comportant :
- une première porte de transfert d'entrée chargeant en un premier noeud un dispositif
de stockage de charge ;
- une seconde porte de transfert permettant la transmission de la charge du premier
noeud à un second noeud ;
- un troisième porte de transfert permettant la charge du second noeud à partir d'un
générateur de rampe de référence ;
- un dispositif de couplage entre le second noeud et un troisième noeud ;
- ce troisième noeud commandant une quatrième porte reliant la masse à un quatrième
noeud, et qui est aussi relié à ce quatrième noeud via une cinquième porte de transfert
avec remise à zéro automatique ;
- ce quatrième noeud commandant la porte de transmission aux colonnes de données issues
d'un générateur de rampe de données, qui est ainsi relié via une sixième porte à une
tension d'alimentation.
[0007] La présente invention peut être utilisée avec celle décrite dans la demande PCT WO-A-92
07352 déposée à la même date, ayant pour inventeurs Leopold A.Harwood et Dora Plus,
intitulée "Circuit de commande pour afficheur à cristal liquide et décodeur de signal
pour un tel circuit" et revendiquant la priorité de la demande américaine No.600050.
La figure 1 représente un mode réalisation préféré de l'invention ;
La figure 2 représente un mode de réalisation préféré d'un circuit comparateur destiné
à être utilisé dans le mode de réalisation préféré de la figure 1 ;
La figure 3 représente un mode de réalisation préféré d'un circuit comparateur utilisant
la technologie CMOS.
La figure 4 est un diagramme temporel du circuit comparateur de la figure 2.
[0008] Dans la figure 1, un ensemble de circuits analogiques 11 reçoit un signal d'information
analogique représentatif des données à afficher provenant d'une antenne 12. Lorsque
le signal d'entrée est un signal vidéo de télévision, l'ensemble de circuits analogiques
11 ressemble à celui d'un téléviseur classique de type connu. Toutefois, le tube est
remplacé par un dispositif d'affichage à cristal liquide tel que décrit ici. Le circuit
analogique 11 fournit un signal porteur de données analogiques sur une ligne 13 comme
signal d'entrée d'un convertisseur numérique-analogique (N/A) 14. Lorsque le signal
d'entrée est destiné à être utilisé pour un affichage graphique sur ordinateur, le
signal d'entrée sera probablement numérique, et le convertisseur N/A 14 n'est pas
nécessaire.
[0009] Le signal de télévision provenant de l'ensemble de circuits analogiques 11 est destiné
à être affiché sur un réseau de cristaux liquides 16 constitué d'un grand nombre d'éléments
pixels, tel que la cellule à cristal liquide 16a, disposés horizontalement en m rangées
et verticalement en n colonnes. Le réseau à cristaux liquides 16 comporte n colonnes
de lignes de données 17, soit une pour chacune des colonnes verticales des cellules
à cristal liquid, et m lignes de sélection 18, soit une pour chacune des rangées horizontales
de s cellules à cristal liquid. Le convertisseur A/N 14 comporte un bus de sortie
19 pour fournir des niveaux de luminosité, ou codes d'échelle de gris, à des moyens
de stockage numérique 21 ayant plusieurs lignes de sortie 22. Les lignes de sortie
22 des moyens de stockage numérique 21 commandent les tensions appliquées aux lignes
de données 17 pour les colonnes des cellules à cristal liquid 16a par des convertisseurs
numériques/analogiques (N/A) 23, des comparateurs 24 et des portes de transmission
26. Chacune des lignes de sortie 22 commande donc la tension appliquée à la cellule
à cristal liquid dans une colonne donnée lorsqu'une porte de transmission associée
26 est passante, ceçi selon le balayage des lignes de sélection 18. Un dispositif
d'affichage utilisant des compteurs et un mode de réalisation préférentiel des moyens
de stockage 21, sous forme d'un registre à décalage, sont décrits dans les brevets
américains nos. 4.766.430 et 4.742.346, dont les enseignements sont incorporés dans
la présente demande. Un générateur de rampe de référence 33 fournit un signal de tension
de rampe de reference sur une ligne de sortie 27. La ligne 27 est couplée, à travers
une ligne 32, aux comparateurs 24 dans chacune des colonnes de cellules à cristal
liquide. Un générateur de rampe de données 34 fournit une rampe de données aux colonnes
des éléments pixels en connectant la ligne de sortie 28 à chacune des portes de transmission
26. Dans le mode de réalisation préférentiel représenté, les portes de transmission
26 sont des transistors en couches minces, dont les électrodes de commande sont couplées
aux sorties des comparateurs 24 par des lignes 29.
[0010] En cours de fonctionnement, les signaux de luminosité numérisés, provenant des moyens
de stockage numérique 21, sont appliqués par les lignes de sortie 22 aux convertisseurs
numériques/analogiques 23, dont la ligne de sortie 31 est reliée à une entrée d'un
comparateur 24. Le générateur 33 de rampe de référence fournit une rampe de référence
à l'autre entrée de chacun des comparateurs 24 par les lignes 32. La rampe de référence
peut être non linéaire afin de compenser les éventuelles cas de non-linéarité engendrée
dans toute partie du système émetteur/récepteur de télévision ou des comparateurs
24. Lorsque la tension de la rampe de référence est inférieure au signal de luminosité
appliqué à partir des convertisseurs A/N 23, les lignes de sortie 29 des comparateurs
24 sont en position haute, et les portes de transmission 26 sont passantes. Les tensions
sur les lignes de sortie 29 rendent les portes de transmission passantes et bloquées,
et servent ainsi de signaux de commande pour les portes de transmission. La rampe
de données sur la ligne 28, provenant du générateur 34 de rampe de données, se trouve
ainsi appliquée à chaque élément pixel qui est à l'intérieur de la rangée activée
et qui est associé à une porte de transmission 26 passante. Lorsque le niveau de la
tension de la rampe de référence atteint le niveau du signal de luminosité provenant
du convertisseur N/A 23, la ligne de sortie 29 du comparateur 24 passe au niveau bas,
bloquant la porte de transmission 26 associée. L'élément pixel associé à la porte
de transmission bloquée est ainsi chargé au niveau établi par le signal de luminosité
analogique provenant du convertisseur N/A 23.
[0011] La figure 2 représente un mode de réalisation préférentiel d'un comparateur analogique
24. Le comparateur analogique 24 comprend plusieurs portes de portes de transfert
36 à 41 qui, dans le mode de réalisation préférentiel représenté ici, sont des transistors
en couches minces (TFT). La ligne de sortie 31 du convertisseur N/A 23 fournit le
signal de luminosité en entrée à la porte de transfert 36 qui est donc le dispositif
d'entrée de données du comparateur 24. La porte de transfert d'entrée 36 est couplée
à une porte de transfert 37 qui fonctionne comme un commutateur d'entrée des données
pour le comparateur 24. Un condensateur de stockage 43 est couplé à un noeud D entre
la porte de transfert d'entrée 36 et le porte de transfert commutable 37, et à la
masse. L'entrée de données vers la porte de transfert 36 charge le condensateur 43
au niveau des données. Lorsque l'électrode de commande de la porte de transfert 37
est mise au niveau haut, la porte est rendue passante et transfert le signal du noeud
D au noeud A. Les portes de transfert commutables 37 pour toutes les colonnes de l'afficheur
sont rendues passantes de façon simultanée.
[0012] Les lignes 32 qui dans la figure 1 sont représentées comme reliant la ligne de sortie
27 du générateur 33 de la rampe de référence aux comparateurs 24, sont reliées à une
porte de transfert de rampe de référence 38, elle-même reliée au noeud A. La porte
de transfert de rampe de référence 38 commande la temporisation de la rampe de reference
et la temporisation du préchargement du noeud A. Un condensateur de couplage 44 relie
le noeud A au noeud B. Le noeud B est couplé à l'électrode de commande d'une porte
de transfert de détection 39, qui est reliée entre le noeud C et la masse. La porte
de transfert 39 sert de détecteur de la tension sur le noeud B pour contrôler le tension
de sortie du comparateur sur le noeud C. Toutefois, le noeud B étant couplé au noeud
A à travers du condensateur de couplage 44, la porte de transfert détecte effectivement
la tension sur le noeud A.
[0013] Une porte de transfert avec mise à zéro automatique 41 est disposée entre les noeuds
B and C. Lorsque la porte de transfert 41 est rendue passante, l'électrode de commande
et le drain de la porte de transfert 39 sont reliées et les tensions sur les noeuds
B et C deviennent les mêmes. Une charge commutable 40 est reliée entre une tension
d'alimentation V+ et le noeud de sortie C. La charge commutable 40 peut aussi être
un transistor en couches minces (TFT). L'électrode de commande de la charge commutable
40 est reliée à une borne d'entrée de commande de charge 49.
[0014] Le fonctionnement et la temporisation du comparateur 24 sont expliqués avec référence
aux figures 2 et 4. Le fonctionnement est expliqué en supposant que le dispositif
d'affichage a été éteint pendant une période prolongée et qu'il vient juste d'être
allumé. Sur la figure 4, un premier temps-ligne 51 débute à l'instant T
0 et dure 65 microsecondes. Pendant une première période 55, qui dure 10 microsecondes,
la porte de transfert d'entrée 36 est bloquée et la porte de transfert commutable
37 est rendue passante pour transférer des données du noeud D au noeud A. Toutefois,
lorsque l'affichage est activé au départ, il n'y a aucune donnée disponible au noeud
D pour engendrer une ligne d'affichage et par conséquent, pendant le premier temps-ligne,
la tension transferée du noeud D au noeud A a la valeur quelconque qu'elle possède
à ce moment même, et elle est sans effet. Egalement, pendant le premier temps-ligne,
les phénomènes qui se produisent avec les portes de transfert 38, 39, 40 et 41 n'ont
aucune importance en raison de la non-disponibilité de données à ce moment-là. Pendant
une période 56 de cinq microsecondes, la porte de transfert commutable 37 est bloquée
et la porte de transfert d'entrée 36 est rendue passante. Pendant cette période, le
noeud D est préchargé à la tension de données maximum, par exemple à + 12 volts. A
un moment donné pendant les 50 microsecondes qui restent, la période 57 sur la figure
4, du temps-ligne, la porte de transfert d'entrée 36 est rendue passante pour une
période 54 de deux microsecondes, et le noeud D est tiré vers le bas, du niveau +12
volts jusqu'à la tension de données disponible sur la ligne 31. Cet état du noeud
D persiste jusqu'au debut du deuxième temps-ligne T
1, lorsque la porte de transfert commutable 37 est rendue passante afin de transférer
des données du noeud D au noeud A.
[0015] Le second temps-ligne débute à T
1 et est représenté comme étant reparti en deux ensembles de périodes de temps 52 et
53 qui se déroulent, évidemment, de façon simultanée. Les périodes de temps-ligne
52 sont les mêmes que celles du premier temps-ligne 51, comme indiqué par les mêmes
repères, et se réfèrent à la porte de transfert d'entrée 36 et la porte de transfert
commutable 37. Les périodes de temps-ligne 53 se réfèrent aux dispositifs 37 à 41.
La période de temps initiale 55 est de 10 microsecondes et, comme il a été indiqué
ci-dessus, cette période est celle du transfert de données pendant laquelle des données
sont transferées du noeud D au noeud A. Le noeud B est couplé au noeud A à travers
le condensateur de couplage 44 et la porte de transfert 41 avec remise à zéro automatique
est rendue passante pendant cette période. Le noeud A se charge à la tension de données
tandis que les noeuds B et C se rétablissent à la tension de seuil de la porte de
transfert 39. Ceçi constitue une caractéristique très importante car avec du silicium
amorphe la tension de seuil subit de fortes variations dues à des contraintes de tension
différentes. Chaque dispositif de détection 39 est donc amené à se rétablir automatiquement
et pallie aux effets de variations de seuil. Pendant la période de temps suivante
58, qui est de 10 microsecondes, la porte de transfert avec remise à zéro automatique
41 est bloquée. Le noeud B subit alors une chute de quelques volts du fait de la capacité
parasite de la porte de transfert 41. La porte de transfert de détection 39 est bloquée
pendant cette période. La charge commutable 40 est activée pour précharger le noeud
C à la tension +V disponible sur la borne 48. Ceci rend passante la porte de transmission
26 pour remettre la ligne de données 17 sur la tension de demarrage de la rampe pilote
en déchargeant la ligne de données 17 par le générateur de données 34 (Fig 1). Pendant
la période suivante 59, de 32 microsecondes, la porte de transfert de la rampe de
référence 38 est rendue passante pour appliquer la tension de rampe de reference au
noeud A. Dans un premier temps, le noeud A est tiré vers le bas par la rampe de référence
et, par conséquent, le noeud B est lui aussi tiré vers le bas. Au fur et à mésure
que la tension de rampe de référence augmente, les tensions sur les noeuds A et B
augmentent également et lorsque le noeud B atteint la tension de seuil de la porte
de transfert de détection 39 la porte se met à conduire. La tension sur le noeud B
continue à augmenter et tire, progressivement, la tension sur le noeud C vers le bas
et bloque la porte de transmission 26 lorsque la tension de référence atteint la tension
de seuil de la porte de transmission 26. L'élément pixel associé à la porte de tranmission
bloquée est donc chargé au niveau établi par le signal de luminosité appliqué au comparateur
24. Une période supplementaire 60 de dix microsecondes permet de donner au dispositif
de sélection de ligne le temps de désélectionner la ligne horizontal 18 et de préparer
l'affichage pour la ligne suivante.
[0016] La dernière période 61 du temps-ligne 53 est de trois microsecondes. Pendant cette
période, la porte de transfert 38 du générateur de rampe de référence est rendue passante
pour préconditionner le noeud A à -3 volts. Cette opération remet à zéro la tension
sur le noeud A et élimine l'information d'entrée du temps-ligne précédent. Au début
de la période 54 de trois microsecondes, la charge commutable 40 est également activée
pour un court laps de temps, qui est de préférence plus court que la période de trois
microsecondes, pour élever le noeud C à un niveau de tension supérieure à la tension
de seuil de la porte de transfert 39. Pendant la période 54 de trois microsecondes,
la porte de transfert avec remise à zéro automatique 41 est également rendue passante
et reste passante jusqu'a ce qu'elle soit bloquée ulterieurement. Lorsque la porte
de transfert avec remise à zéro automatique 41 est rendue passante, le noeud B est
directement relié au noeud C et la porte de transfert de détection 39 se rétablit
à sa tension de seuil après la désactivation de la charge commutable.
[0017] Le préchargement des noeuds C et D constitue une caractéristique importante, car
il conduit à une opération de type "tirage vers le bas" et permet un fonctionnement
rapide nécessaire au circuit comparateur tout en utilisant soit une technologie en
silicium amorphe à faible mobilité or bien une technologie en silicium polycristallin.
[0018] Un mode de réalisation d'un comparateur susceptible d'être fabriqué par une technologie
CMOS est représenté sur la figure 3. Dans le comparateur CMOS 24', la porte de transfert
de détection 39 et la charge commutable 40 du mode de réalisation de la figure 2 sont
remplacées par un inverseur CMOS 54. On peut égablement envisager qu'une porte de
transmission CMOS soit utilisée à la place de la porte de transfert 41 avec remise
à zéro automatique. Les autres portes de transfert 36, 37, 38 et 26 du mode de réalisation
représenté sur la figure 2 peuvent egalement être remplacées par des portes de transmission
CMOS, et le fonctionnement de base est fort semblable à celui du mode de réalisation
en silicium amorphe de la figure 2. L'inverseur 54 fonctionne comme le détecteur de
tension sur le noeud B.
[0019] Pendant la remise à zéro automatique, le noeud de sortie C et le noeud d'entrée B
sont court-circuités afin de positioner le point de déclenchement de l'inverseur sur
son propre point de transition, typiquement de l'ordre du demi-volt VDD. Ceçi reduit
la sensibilité du détecteur 54 aux variations de paramètres du dispositif, tels que
la tension de seuil et la mobilité, ce qui augmente la précision du dispositif.
[0020] L'invention représente un progrès remarquable par rapport a l'art antérieur parce
qu'elle permet l'emploi de toutes les technologies en silicium afin d'intégrer les
ensembles de circuits de commande sur le même substrat que les cristaux liquides dans
un dispositif d'affichage ayant une vitesse de fonctionnement utile pour l'affichage
en télévision couleur. L'invention a également l'avantage de fournir un circuit convertisseur
qui convertit un signal analogique dépendant de l'amplitude en un signal numérique
à base temporelle, en se servant uniquement de sept composants actifs et de deux condensateurs.
1. Comparateur d'un circuit de commande de colonnes (17) d'un dispositif d'affichage
(16), commandant une pluralité de portes (26) permettant la transmission simultanée
à ces colonnes (17) de données, caractérisé en ce qu'il est constitué d'une pluralité
d'étages (24) comportant :
- une première porte de transfert d'entrée (36) chargeant en un premier noeud (D)
un dispositif de stockage de charge (43) ;
- une seconde porte de transfert (37) permettant la transmission de la charge du premier
noeud (D) à un second noeud (A) ;
- une troisième porte de transfert (38) permettant la charge du second noeud (A) à
partir d'un générateur de rampe de référence (33) ;
- un dispositif de couplage (44) entre le second noeud (A) et un troisième noeud (B)
;
- ce troisième noeud (B) commandant une quatrième porte (39) reliant la masse à un
quatrième noeud (C), et qui est aussi relié à ce quatrième noeud (C) via une cinquième
porte de transfert avec remise à zéro automatique (41) ;
- ce quatrième noeud (C) commandant la porte de transmission (26) aux colonnes (17)
de données issues d'un générateur de rampe de données (34), qui est ainsi relié via
une sixième porte (40) à une tension d'alimentation (48).
2. Comparateur selon la revendication précédente, caractérisé en ce que le dispositif
de stockage de charge (43) est une capacité.
3. Comparateur selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le dispositif
de couplage (44) est une capacité.
4. Comparateur selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en
ce que les portes (26, 36-41) sont des dispositifs semiconducteurs.
5. Comparateur selon la revendication précédente, caractérisé en ce que les dispositifs
semiconducteurs (26, 36-41) sont des transistors en couches minces.
6. Comparateur selon la revendication précédente, caractérisé en ce que les transistors
en couches minces (26, 36-41) sont fabriqués par une technologie en silicium amorphe.
7. Comparateur selon la revendication 5, caractérisé en ce que les transistors en couches
minces (26, 36-41) sont fabriqués par une technologie en silicium polycristallin.
8. Comparateur selon la revendication 4, caractérisé en ce que les dispositifs semiconducteurs
(26, 36-41) sont fabriqués par une technologie CMOS.
9. Ecran à cristaux liquides comportant un comparateur selon l'une quelconque des revendications
précédentes.
1. Komparator eines Steuerkreises für die Spalten (17) einer Sichtanzeige (16), der eine
Vielzahl von Gattern (26) steuert, die die gleichzeitige Übertragung von Daten an
diese Spalten (17) erlauben, dadurch gekennzeichnet, daß er aus mehreren Stufen (24)
besteht, die folgendes enthalten:
- ein erstes Eingangstransfergatter (36), das in einem ersten Knoten (D) ein Ladungsspeichergerät
(43) auflädt;
- ein zweites Transfergatter (37), das die Übertragung der Ladung vom ersten Knoten
(D) zu einem zweiten Knoten (A) erlaubt;
- ein drittes Transfergatter (38), das die Aufladung des zweiten Knotens (A) von einem
Bezugsrampengenerator (33) aus erlaubt;
- ein Kopplungsgerät (44) zwischen dem zweiten Knoten (A) und einem dritten Knoten
(B);
- ein von diesem dritten Knoten (B) angesteuertes viertes Gatter (39), das die Masse
mit einem vierten Knoten (C) verbindet, und das auch über ein fünftes Transfergatter
mit automatischer Nullung (41) mit diesem vierten Knoten (C) verbunden ist;
- ein von diesem vierten Knoten (C) angesteuertes Übertragungsgatter (26), das die
aus einem Datenrampengenerator (34) kommenden Daten an die Spalten (17) überträgt,
und das auch über ein sechstes Gatter (40) an eine Versorgungsspannung (48) angeschlossen
ist.
2. Komparator nach dem vorstehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, daß das Ladungsspeichergerät
(43) eine Kapazität ist.
3. Komparator nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das
Kopplungsgerät (44) eine Kapazität ist.
4. Komparator nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die
Tore (26, 36-41) Halbleitergeräte sind.
5. Komparator nach dem vorstehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleitergeräte
(26, 36-41) Dünnschichttransistoren sind.
6. Komparator nach dem vorstehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, daß die Dünnschichttransistoren
(26, 36-41) durch eine Technologie auf der Basis von amorphem Silicium hergestellt
sind.
7. Komparator nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Dünnschichttransistoren
(26, 36-41) durch eine Technologie auf der Basis von polykristallinem Silicium hergestellt
sind.
8. Komparator nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleitergeräte (26,
36-41) durch eine CMOS-Technologie hergestellt sind.
9. Flüssigkristallanzeige, die einen Komparator nach einem der obigen Ansprüche enthält.
1. Comparator of a column control circuit (17) of a display device (16), controlling
a plurality of gates (26) allowing the simultaneous transmission of data to these
columns (17), which is characterized in that it consists of a plurality of stages
(24) including:
- a first input transfer gate (36) charging a charge storage device (43) at a first
node (D);
- a second transfer gate (37) allowing the transmission of the charge from the first
node (D) to a second node (A);
- a third transfer gate (38) allowing the charging of the second node (A) from a reference
ramp generator (33);
- a coupling device (44) between the second node (A) and a third node (B);
- this third node (B) controlling a fourth gate (39) earthing a fourth node (C), and
this third node also being connected to this fourth node (C) via a fifth transfer
gate (41) with automatic reset to zero;
- this fourth node (C) controlling the gate (26) for transmitting to the columns (17)
data emanating from a data ramp generator (34) which is then connected via a sixth
gate (40) to a supply voltage (48).
2. Comparator according to the preceding claim, characterized in that the charge storage
device (43) is a capacitor.
3. Comparator according to one of the preceding claims, characterized in that the coupling
device (44) is a capacitor.
4. Comparator according to one of the preceding claims, characterized in that the gates
(26, 36-41) are semiconductor devices.
5. Comparator according to the preceding claim, characterized in that the semiconductor
devices (26, 36-41) are thin-film transistors.
6. Comparator according to the preceding claim, characterized in that the thin-film transistors
(26, 36-41) are fabricated using an amorphous silicon technology.
7. Comparator according to Claim 5, characterized in that the thin-film transistors (26,
36-41) are fabricated using a polycrystalline silicon technology.
8. Comparator according to Claim 4, characterized in that the semiconductor devices (26,
36-41) are fabricated using a CMOS technology.
9. Liquid crystal screen including a comparator according to any one of the preceding
claims.