[0001] La présente invention concerne une source de courant qui supporte des variations
rapides de tension sur sa sortie sans les repercuter sur le courant débité. Cette
source doit cette caractéristique en partie à sa structure et en partie à sa réalisation
en transistors de type NPN.
[0002] Une source de courant est par définition un circuit qui doit fournir un courant stable
à un autre circuit électronique. Mais en fait, au cours du fonctionnement, il arrive
que ce second circuit, par des changements d'états, subisse des variations rapides
en courant, qui se répercutent sur la sortie de la source de courant.
[0003] Si la source de courant a une basse impédance, elle peut fournir le courant nécessaire,
mais en raison de la faible impédance il y a une réaction qui déstabilise le courant
de sortie. Si au contraire la source de courant est à haute impédance, elle est plus
stable mais ne peut pas répondre aux variations rapides.
[0004] Le schéma d'une source de courant selon l'art connu est donné en figure 1. Il est
très simple et comprend un miroir de courant formé par les transistors Q1 et Q2 et
par la source de courant Q3 : celle-ci est pilotée à partir d'une tension de référence
qui s'établit aux bornes d'une résistance Rref, et contrôlée en température par l'étalon
V
BG et par le transistor Q
ref Le transistor Q4 est monté en miroir avec le transistor Q3.
[0005] Si R3 = R4 et si les transistors Q3 et Q4 ont mêmes géométries, ils débitent les
mêmes courants et en particulier Q3 débite un courant égal à I
ref. Si au contraire, le transistor Q1 a une géométrie "n" fois plus importante que celle
de Q2, il débite "n" fois plus : par exemple si n = 5, le courant de sortie I
S est 6 fois plus important que le courant de référence I
ref (1I
ref à travers Q2+5I
ref à travers Q1).
[0006] Cette architecture a l'avantage d'être très simple, de ne nécessiter que peu de transistors
et d'avoir une consommation faible. Elle est améliorée en ce sens que le miroir de
courant Q1 + Q2, en transistors NPN, qui assure l'amplification permet de s'affranchir
des variations de gain en courant en transistor Q3, qui est un PNP.
[0007] En effet, en technologie bipolaire rapide, les transistors PNP ont, de façon générale,
plus de dispersion. du gain que les transistors NPN.
[0008] En outre, les transistors PNP tels que Q3 et Q4 ont des performances dynamiques très
inférieures à celles des transistors NPN tels que Q1 et Q2, parce que les capacités
parasites d'un PNP sont plus importantes que celles d'un NPN. Dans ces conditions,
une variation rapide du courant de sortie I
S (ou de la tension V
S en sortie) n'est pas transmise instantanément sur la base du PNP Q3, à cause de sa
capacité parasite collecteur base, et Q3 ne réagit pas assez vite pour corriger cette
variation.
[0009] Enfin, la modulation du courant collecteur I
C en fonction de la tension collecteur-émetteur, connu sous l'appellation de tension
"d" 'Early", est très faible pour un PNP, ce qui se traduit par une dépendance du
courant de sortie I
S avec la tension de sortie V
S d'où une imprécision statique.
[0010] Pour remédier à ces inconvénients, l'invention propose :
- de réaliser une source de courant en utilisant exclusivement des transistors NPN
- de modifier l'architecture de cette source de courant, notamment en remplaçant le
miroir de courant par un amplificateur différentiel, qui fonctionne de telle façon
qu'il maintient une différence de potentiel constante aux bornes d'une résistance,
ce qui assure un courant débité constant, quel que soit le potentiel sur la sortie
La conséquence en est que la source de courant selon l'invention peut supporter des
variations rapides de tension sur sa section : elle ne les repercute pas et continue
de fournir un courant de sortie IS stable.
[0011] De façon plus précise l'invention concerne une source de courant adaptée à des variations
rapides de tension sur sa sortie, comportant une branche génératrice du courant de
sortie formée par un premier transistor en série avec une première résistance cette
source de courant étant caractérisée en ce qu'elle comporte des moyens maintenant
constante la différence de potentiel aux bornes de ladite résistance.
[0012] L'invention sera mieux comprise par la description plus détaillée qui suit maintenant,
en liaison avec les figures jointes en annexe, qui représentent :
- figure 1 : schéma électrique d'une source de courant selon l'art connu, exposé précédemment
;
- figure 2 : schéma électrique d'lune source de courant selon l'invention ;
- figures 3 à 5 : courbes de comparaison, pour une variation imposée (figure 3), entre
la réponse de la source selon l'art connu (figure 4) et la réponse de la .source selon
l'invention (figure 5).
[0013] La figure 2 donne le schéma électrique de la source, de courant selon l'invention.
[0014] Alimentée entre une tension +V
CC positive et une tension - V
EE négative, la branche qui fournit un courant de référence I
ref est sensiblement la même que celle de la figure 1 : un transistor Q
ref et une résistance R
ref, asservis en température par une source de tension V
BG, contrôlent le courant qui traverse un transistor Q6, en série avec une résistance
R6 située entre l'émetteur de Q6 et le collecteur de Q
ref.
[0015] La branche qui constitue la source de courant à proprement parler comprend un transistor
Q5, connecté à l'alimentation + V
CC , en série avec une résistance R5, dont l'extrémité libre constitue la borne de sortie
du circuit. Les bases des transistors Q5 et Q6 sont réunies entre elles, et polarisées
à partir de V
CC par une résistance R8.
[0016] Le fondement de l'invention est de maintenir une différence de potentiel constante
aux bornes de la résistance R5, ce qui assure un courant débité I
S constant quel quel soit le potentiel de sortie V
S. Ceci est obtenu au moyen d'un amplificateur différentiel, formé par les transistors
Q7 et Q8 Le transistor Q7 a sa base réunie au point bas V
S, extrémité libre de la résistance R5 et son collecteur branché sur l'alimentation.
Le transistor Q8 a sa base réunie au point bas V
B de la résistance R6, et son collecteur réuni au point V
H commun à la résistance R8 et aux bases des transistors Q5 et Q6.
[0017] Les émetteurs de l'amplificateur différentiel Q7 + Q8 sont branchés sur une source
de polarisation, qui tire un courant I
pol vers l'alimentation -V
EE.
[0018] On peut observer la symétrie du schéma, mise à part la référence Q
ref + R
ref, ainsi que l'alimentation de Q7 à partir de V
CC et celle de Q8 à partir de V
H. Mais la tension au point V
H correspond, à une jonction émetteur/base de Q5 près, à la tension à une première
extrémité "haute" de R5, et la tension au point V
B correspond, à travers l'amplificateur différentiel, à la tension à une deuxième extrémité
"basse" de R5, qui est en outre la tension de sortie V
S.
[0019] Ce schéma pourrait fonctionner, avec adaptation, avec des transistors de type PNP,
mais, pour atteindre l'objectif qui est que le courant I
S reste constant si la tension V
S fluctue, il est impératif de le réaliser exclusivement avec des transistors NPN,
qui ont moins de capacité parasite de base.
[0020] En fonctionnement, la source de courant de référence Q
ref + R
ref assure une différence de potentiel constante V
H - V
B aux bornes de la résistance R6 (à une jonction près), et, à l'équilibre, la tension
au point V
B est asservie à la tension de sortie au point V
S, ou tension au point "bas" de R5.
[0021] Mais simultanément, la tension au point "haut' V
H de R5 (à une jonction près) est asservie au potentiel de sortie V
S, à travers l'amplificateur différentiel rebouclé en gain unité. Ainsi, si la tension
de sortie V
S fluctue, par suite du fonctionnement, la tension en V
H l'accompagne dans sa fluctuation, et comme la différence V
H - V
B est constante, la différence V
H - V
S est également constante, et le courant de sortie I
S est constant.
[0022] L'amplification en courant est obtenue par la géométrie des composants symétriques
Q5 + R5 et Q6 + R6. Si le courant I
S doit être égal à "n" fois le courant I
ref les dimensions géométriques du transistor Q5 sont égales à "n" fois celles du transistor
Q6, et la valeur de la résistance R5 est égale à "1/n" fois celle de la résistance
R6. Ainsi, à titre purement explicatif, pour débiter 3 mA avec un courant de référence
de 500 A, comme dans l'exemple de la figure 1, il faut que Q5 ait une géométrie égale
à 6 fois celle de Q6, et que R5 = R6/6.
[0023] L'utilisation exclusive de transistors NPN qui ont moins de capacité parasite de
base, entraîne deux types d'avantages :
- en dynamique, on s'affranchit des effets capacitifs de la base de Q7 sur la sortie
VS. Seul subsiste un effet capacitif sur le transistor Qref, mais il n'intervient pas sur la sortie et il peut être réduit en diminuant la géométrie
de Qref ;
- en statique, la variation de IS en fonction de VS depend de l'effet early du transistor Qref, qui est réduite parce qu'un transistor NPN a une tension d'early plus grande qu'un
PNP, ainsi que de l'offset de l'amplificateur utilisé.
[0024] Les courbes des figures 3 à 5 illustrent l'intérêt des transistors NPN, et du circuit
selon l'invention, par rapport à l'art connu.
[0025] La courbe de la figure 3 représente la forme de tension qu'on force sur la sortie
V
S : elle varie de 2 V en 1 ns, soit une variation de 2000 V/ µS, mieux connue sous
le nom de "slew-rate" On observe comment réagit la source de courant dans les deux
cas de variation, front montant et front descendant.
[0026] Dans le cas de l'art connu, en figure 4, la quasi-droite 1 donne la réaction du courant
de référence I
ref, amplifié pour être amené au niveau du courant de sortie I
S. Le courant I
ref est très constant, mais le courant de sortie en courbe 2 subit deux rebonds, mieux
connus sous le nom d"overshoot", l'un au front montant, l'autre au front descendant.
Pour une impulsion à 2000 V/ µS, l'overshoot atteint 115 %, et il faut 4,8 ns pour
que le circuit revienne à l'équilibre + 5 %.
[0027] Les courbes 3 et 4 de la figure 5 donnent les correspondants des courbes précédentes,
mais pour la source de courant selon l'invention. Pour une même impulsion de 2 V,
avec un slew-rate de 2000 V/ µS, on voit que le courant de référence (courbe 3) subit
une très légère perturbation, mais le courant de sortie (courbe 4) est de beaucoup
moins perturbé que dans l'art connu. L'overshoot est limité à 9 % et la perturbation
ne dure que 1,5 ns.
[0028] Cette très sensible amélioration est due à l'emploi exclusif dans la source de courant
selon l'invention de transistors de type NPN, qui ont moins de capacités parasites.
Une source de courant peut être modèlisée, sous la forme d'un générateur de courant
(I
d), en parallèle avec une résistance (R
S) et avec une capacité (C
d). Pour un même courant généré I
d = 3 mA, la source de courant de la figure 1 (art connu) a une résistance R
S = 10 k ohm et une capacité parasite C
d = 2,3pF, tandis que la source de courant selon l'invention a :


ce qui revient à diviser par 15, 3 la capacité de la source, et donc à améliorer son
temps de réponse, permettant ainsi que le courant débité soit indépendant des variations
de la tension de sortie.
1. Source de courant adaptée à des variations rapides de tension (VS) sur sa sortie, comportant une branche génératrice du courant de sortie (IS) formée par un premier transistor (Q5) en série avec une première résistance (R5),
cette source de courant étant caractérisé en ce qu'elle comporte des moyens maintenant
constante la différence de potentiel aux bornes de ladite résistance (R5).
2. Source de courant selon la revendication 1, comportant en outre une branche de référence
formée par une source de tension de référence (Qref + Rref + VBG) en série avec une seconde résistance (R6) et avec un second transistor (Q6), les
bases des premier et second transistors (Q5, Q6) étant réunies et polarisées à travers
une résistance (R8) réunie à une alimentation (+VCC), cette source de courant étant caractérisée en ce que lesdits moyens sont constitués
par un troisième et un quatrième transistor (Q7, Q8) montés en amplificateur différentiel,
le troisième transistor (Q7) ayant son collecteur branché sur l'alimentation positive
(+VCC) et sa base branchée sur la sortie (VS), tandis que le quatrième transistor (Q8) a son collecteur branché au point commun
"haut" (VH) aux bases des premier et second transistors (Q5, Q6) et a sa base branchée au point
commun "bas" (VB) entre la deuxième résistance (R6) et ladite source de tension de référence.
3. Source de courant selon la revendication 2, caractérisé en ce que les transistors
sont de type NPN.
4. Source de courant selon la revendication 2, caractérisée en ce que les variations
de la tension de sortie (VS) sont recopiées par l'amplificateur différentiel (Q7, Q8) au point commun "bas" (VB) de la branche de référence ainsi qu'au point commun "haut" (VH), maintenant constante la différence de potentiel aux bornes de la première résistance
(R5).