| (84) |
Benannte Vertragsstaaten: |
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AT DE FR GB LU SE |
| (30) |
Priorität: |
15.02.1994 DE 4404747
|
| (43) |
Veröffentlichungstag der Anmeldung: |
|
16.08.1995 Patentblatt 1995/33 |
| (73) |
Patentinhaber: H.C. Starck GmbH & Co. KG |
|
38642 Goslar (DE) |
|
| (72) |
Erfinder: |
|
- Schloh, Dr. Martin
D-51061 Köln (DE)
|
| (74) |
Vertreter: Steiling, Lothar, Dr. et al |
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Bayer AG
Konzernbereich RP
Patente und Lizenzen 51368 Leverkusen 51368 Leverkusen (DE) |
| (56) |
Entgegenhaltungen: :
EP-A- 0 197 271
|
US-A- 4 582 696
|
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|
- PATENT ABSTRACTS OF JAPAN, unexamined applications, M Field, Band 14, Nr. 177, 9.
April 1990 THE PATENT OFFICE JAPANESE GOVERNMENT Seite 124 M 960; & JP-A-02 030 706
(CENTRAL GLASS CO)
- CHEMICAL ABSTRACTS, Band 98, Nr. 26, 27. Juni 1983 Columbus, Ohio, USA NGK INSULATORS,
LTD. "High- -purity aluminium silicate powder" Seite 311, Spalte 2, Nr. 220 771r;
& JP-A-57 175 724 (JPN. KOKAI TOKKYO KOHO)
- CHEMICAL ABSTRACTS, Band 112, Nr. 2, 8. Januar 1990 Columbus, Ohio, USA H. OONO et
al. "Preparation of silica-alumina powder for ceramics" Seite 222, Spalte 1, Nr. 11
077n; & JP-A-01 197 311 (JPN. KOKAI TOKKYO KOHO)
- CHEMICAL ABSTRACTS, Band 76, Nr. 16, 17. April 1972 Columbus, Ohio, USA M. KIYOMOTO
"Pure molyb- denum microparticles" Seite 219, Spalte 1, Nr. 88 962t; & JP-A-71 012
898
- CHEMICAL ABSTRACTS, Band 112, Nr. 26, 25. Juni 1990 Columbus, Ohio, USA M. UDA "Production
of ultra- fine metal powders by arc plasma" Seite 232, Spalte 1, Nr. 239 106g; & Nisshin
Seiko Giho 1989, 91, 90-9 (Japan)
- CHEMICAL ABSTRACTS, Band 113, Nr. 26, 24. Dezember 1990 Columbus, Ohio, USA T. ISHIBASHI
et al. "Manu- facture of tungsten powders" Seite 274, Spalte 1, Nr. 235 978r; & JP-A-02
008 304 (JPN. KOKAI TOKKYO KOHO)
- CHEMICAL ABSTRACTS, Band 94, Nr. 20, 18. Mai 1981 Columbus, Ohio, USA P. DUGLEUX et
al. "Prepara- tion of metal powders of Groups VI and VIII (iron, cobalt, nickel) by
the vapor phase reduction of their chlorides pure or in binary mixtures" Seite 224,
Spalte 2, Nr. 160 376w; & J. Powder Bulk Solids Technol. 1979, 3(3), 15-20 (Eng)
- CHEMICAL ABSTRACTS, Band 96, Nr. 16, 19. April 1982 Columbus, Ohio, USA G.S. BURKHANOV
et al. "Analysis of raw material for the production of highly pure molybdenum and
Mo alloys, free from interstitial impurities" Seite 266, Spalte 1, Nr. 126 905z; &
Redk. Met. Splavy Mono- krist. Strukt., (Mater. Vses. Soveshch. Monokrist. Tugoplavkikh
Redk. Met.), 9th 1978 (Pub. 1981), 25-30 (Russ)
- CHEMICAL ABSTRACTS, Band 106, Nr. 18, 4. Mai 1987 Columbus, Ohio, USA H. ENDO et al.
"Manufacture of high-purity molybdenum and tungsten powder" Seite 202, Spalte 2, Nr.
141 584n; & JP-A-61 201 707 (JPN. KOKAI TOKKYO KOHO)
- CHEMICAL ABSTRACTS, Band 111, Nr. 6, 7. August 1989 Columbus, Ohio, USA H. IZAWA et
al. "Highly pure tantalum or niobium powder preparation" Seite 183, Spalte 1, Nr.
42 324z; & JP-A-01 073 009 (JPN. KOKAI TOKKYO KOHO)
- CHEMICAL ABSTRACTS, Band 112, Nr. 18, 30. April 1990 Columbus, Ohio, USA K. SASAI
"High-purity chromium by reduction of oxide powder with hydrogen" Seite 256, Spalte
2, Nr. 162 546r; & JP-A-01 168 827 (JPN. KOKAI TOKKYO KOHO)
- CHEMICAL ABSTRACTS, Band 105, Nr. 22, 1. Dezember 1986 Columbus, Ohio, USA H. YAMAMOTO
"New tungsten powder of high purity" Seite 247, Spalte 1, Nr. 195 052k; & Nippon Tungsten
Rev. 1986, 19, 40 (Eng).
- CHEMICAL ABSTRACTS, Band 85, Nr. 19, 8. November 1976 Columbus, Ohio, USA M.H. CHISHOLM
et al. "New metallo-organic compounds of molybdenum and tungsten" Seite 538, Spalte
1, Nr. 143 242w; & Proc. Int. Conf. Coord. Chem., 16th 1974, 2,1b,2 pp. (Eng)
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[0001] Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von hochreinem Metallpulver.
[0002] Die Mikrofabrikation von hochintegrierten elektronischen Bauteilen stellt immer höhere
Anforderungen an die Reinheit der Interconnectmetalle, wie z.B. Titan, Niob, Tantal,
Molybdän oder Wolfram. Insbesondere die radioaktiven Elemente Thorium und Uran können
als α-Strahler folgenschwere Fehler in hochintegrierten Speicherchips verursachen.
[0003] In Semiconductor Materials and Process Technology Handbook for Very Large Scale Integration
(VLSI) and Ultra large Scale Integration (ULSI), Gary E. McGuire, Editor, Noyes Publications,
Seiten 575-609 und in Silicon Processing for the VLSI Era, Lattice Press, Seiten 384-406
wird ein Überblick über die konventionellen Anforderungen bezüglich elektrischer Leitfähigkeit
und Temperaturbeständigkeit der Interconnectmetalle gegeben. Da sich mit zunehmender
Integrationsdichte nicht nur die Anzahl der benötigten Verbindungen, sondern auch
die durchschnittliche Länge der Interconnects zwischen den aktiven Schaltelementen
erhöht, werden immer höhere Reinheitsanforderungen an die Interconnectmetalle, die
zumeist durch Sputtern oder Verdampfung aufgetragen werden, gestellt.
[0004] Nach N.N. Greenwood und A. Earnshaw, Chemistry of the Elements, Pergamon Press, 1984,
Seite 1113 ist zur Herstellung von hochreinem Titan der Prozeß nach van Arkel und
de Boer bekannt. In diesem Verfahren wird das zu reinigende Rohtitan zusammen mit
Jod in einem evakuierten Gefäß auf ∼500°C erwärmt, wobei sich gasförmiges Titanjodid
bildet, welches sich wiederum an einem elektrisch auf ∼1200°C beheizten Wolframdraht
an einer anderen Stelle in der Apparatur zu hochreinem Titan zersetzt. Ein Nachteil
des Verfahrens liegt darin, daß nur geringe Mengen auf diese Weise hergestellt werden
können und eine Reihe weiterer Elemente wie z.B. Zirkonium, Hafnium und vor allem
auch Thorium gleichfalls überführt werden können.
[0005] Nach dem in der Kirk-Othmer Encyclopedia of Chemical Technology, Volume 22, Third
Edition, Seiten 541-564 beschriebenen Stand der Technik zur Herstellung von Tantalmetall
kommen als alternative Verfahren zur Reinmetallherstellung die Reinigung durch fraktionierte
Kristallisation und die Reinigung durch Flüssigphasenextraktion in Frage. Das Prinzip
der Flüssigphasenextraktion beruht auf die unterschiedliche Löslichkeit der Metallfluoride
in einem Zwei-Phasen-System aus verdünnter Säure und einer organischen Phase, z.B.
Methylisobutylketon. In US-A 3 117 833 wird die Trennung von Tantal und Niob auf diesem
Wege beschrieben.
[0006] Eine Trennung und Reinigung der gewünschten Metallspezies kann auch über Ionenaustauscherharze
erfolgen, wie in Metallurgy of the Rarer Metals, Volume 6, Tantalum and Niobium, Seite
129-133 beschrieben.
[0007] Eine destillative Trennung über die Metallhalogenide, z.B. Wolframhexafluorid, ist
prinzipiell auch möglich. Diese Methode ist Gegenstand der JP-A 02 30,706. Wolframhexafluorid
wird mit Wasserstoff bei 650-1400°C zu Wolframpulver reduziert, das sich zur Herstellung
von Sputtering Targets eignet. Nachteil dieses Verfahrens ist, daß bei der Reduktion
mit Wasserstoff große Menge Fluorwasserstoff anfallen.
[0008] Aufgabe dieser Erfindung war es daher, ein Verfahren zur Herstellung von hochreinem
Metallpulver zur Verfügung zu stellen, welches einfach und kostengünstig durchgeführt
werden kann. Diese Aufgabe wird gelöst durch Umsetzung von flüchtigen, also sublimierbaren
oder destillierbaren, Metallalkoxiden mit einem Reaktionsgas.
[0009] Dieses Verfahren ist Gegenstand dieser Erfindung.
[0010] Die Metallalkoxidverbindungen, die erfindungsgemäß zum Einsatz kommen haben die allgemeine
Formel M(OR)
x, wobei M ein Metall aus den Gruppe 3-14 (nach IUPAC 1985), R ein Alkyl-, Aryl-, Cycloalkyl-
oder Aralkylrest und M(OR)
x eine sublimierbare bzw. destillierbare Verbindung ist. In der nachfolgenden Tabelle
werden einige erfindungsgemäß in Frage kommende Alkoxidverbindungen beispielhaft aufgeführt.
| Metallalkoxid |
Siedepunkt |
| Aluminiumisopropylat |
128°C/5 mbar |
| Chrom(IV)-tert.-butylat |
66°C/3,6 mbar |
| Galliumethylat |
185°C/0,7 mbar |
| Niobmethylat |
153°C/0,13 mbar |
| Niobethylat |
156°C/0,07 mbar |
| Tantalmethylat |
130°C/0,3 mbar |
| Tantalethylat |
146°C/0,2 mbar |
| Titanethylat |
104°C/1,3 mbar |
| Wolframmethylat |
90°C/0,5 mbar |
[0011] Erfindungsgemäß besonders bevorzugt sind Chrom-tert.butoxid, Niobmethoxid, Niobethoxid,
Tantalmethoxid, Tantalethoxid, Wolframmethoxid und Wolframethoxid
[0012] Das Reaktionsgas bei der erfindungsgemäßen Reaktion ist bevorzugt Wasserstoff. Das
Reaktionsgas kann auch mit einem inerten Trägergas, insbesondere Argon verdünnt werden.
[0013] Das erfindungsgemäße Verfahren wird bevorzugt bei einer Temperatur zwischen 400°C
und 1400°C durchgeführt. Die besonders bevorzugte Reaktionstemperatur liegt zwischen
600°C und 1200°C.
[0014] Zur Herstellung hochreiner Metallpulver ist es zweckmäßig das Metallalkoxid durch
Destillation bzw. Sublimation in einer PVDF Apparatur zu reinigen und anschließend
im Wasserstoffstrom zu reduzieren. Auf diese Weise können auch die Verunreinigungen,
die durch die Handhabung in Glasapparaturen auftreten, wie z.B. Aluminium, Calcium,
Magnesium und Silizium auf unter 0,5 ppm geführt werden.
[0015] Zur Herstellung der Metallalkoxide ist zu beachten, daß die herkömmlichen Verfahren
der Alkoxidsynthese aus Metallchlorid und Alkohol in Gegenwart einer Base, wie sie
z.B. für die Herstellung von Tantalalkoxiden in J. Chem. Soc. 1955, Seite 726-728
beschrieben wird, immer zu chlorid-haltigen Verbindungen führt. Andere Alkoxide wie
z.B. die Wolframalkoxide sind auf diesem Syntheseweg gar nicht zugänglich.
[0016] Nach Z. Anorg. Chem. 1932, 206, 423 ist das herkömmliche Verfahren zur Alkoxidsynthese
aus Metallchlorid und Alkohol in Anwesenheit von Ammoniak ungeeignet für Wolfram(VI)-alkoxide,
denn WCl
6 reagiert direkt mit Ammoniak zu einem Wolfrannitrid.
[0017] Nach Angew. Chem. Int. Ed. Engl. 1982, 94, 146-147 wird WF
6 in einer Gleichgewichtsreaktion mit flüchtigem Si(OCH
3)
4 als Ligandenüberträger zu W(OCH
3)
6 umgesetzt. Die vollständige Methoxylierung gelingt aber nur durch Behandlung des
noch teilweise fluorierten Produkts mit einer methanolischer NaOCH
3 Lösung.
[0018] Aus Inorg. Chem. 1977, 16, 1794-1801 ist bekannt, daß Wolfram(VI)-alkoxide aus der
Reaktion von Wolfram(VI)-hexakis(dimethylamid) und dem entsprechenden Alkohol hergestellt
werden können. Allerdings ist die Synthese der Wolframamidverbindung nach Inorg. Chem.
1977, 16, 1791-1794 sehr aufwendig und scheidet daher für ein großtechnisches Verfahren
aus.
[0019] Am besten geeignet zur Herstellung von Wolframalkoxiden insbesondere, aber auch der
Alkoxide anderer Metalle aus den Gruppen 3 bis 14 (nach IUPAC 1985) sind, nach unseren
Erfahrungen, elektrochemische Verfahren nach US-A 3,730,857 und Journal of General
Chemistry of the USSR (Übersetzung von Zhurnal Obshchei Khimii) 1985, 55, 2130-2131.
In diesen Verfahren wird eine Anode aus Wolfram durch anodische Oxidation in einer
alkoholischen Elektrolytlösung gemäß Reaktionsgleichung (1) aufgelöst.

[0020] Geeignete Reaktoren zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens können Öfen
mit einstellbarer Atmosphäre oder auch Gasphasenreaktoren sein. Da die erfindungsgemäßen
Metallalkoxidverbindungen alle in einfacher Weise in Gasphase zu bringen sind, ist
auch ein Gasphasenreaktor nach DE-A 4 214 720 geeignet. Die Wahl des Reaktors wird
bestimmt durch die jeweils gestellten Anforderungen bezüglich Feinteiligkeit und Teilchengrößenverteilung
des Metallpulvers.
[0021] Die vorliegende Erfindung soll im folgenden anhand einiger Beispiele näher erläutert
werden, ohne Einschränkungen für naheliegende Variationen der Prozeßführung. Zunächst
wird die Synthese einiger Wolframalkoxide, die sich zur Durchführung der vorliegenden
Erfindung eignen, beschrieben (Vorversuch 1 und 2).
Vorversuch 1
Elektrochemische Herstellung von Wolfram(VI)methoxid
[0022] Eine 0,5 molare Lösung von LiCl in Methanol wurde unter Argon Schutzgas in einem
Planschliffreaktionsgefäß elektrolysiert, das mit einer Stahlkathode, einer Anode
aus Wolfram und einem Rückflußkühler versehen war. Es wurde mit Gleichstrom und einer
Stromdichte von 200 mA/cm
2 elektrolysiert. Die Elektrolytlösung färbte sich gelborange und begann kurz nach
Beginn der Elektrolyse zu sieden.
[0023] Nach der Elektrolyse wurde das überschüssige Methanol bei Raumtemperatur im Vakuum
abgezogen. Der trockene Rückstand wurde in Hexan aufgenommen, kurz unter Rückfluß
zum Sieden gebracht, und über eine Umkehrfritte vom nicht gelösten Anteil getrennt.
Das Filtrat wird destilliert. Nach Entfernung des Hexans, siedet W(OCH
3)
6 bei ∼90°C/0,5 mbar. Die Verbindung ist farblos und erstarrt bei 50°C. Elementanalyse:
W, gefunden 48.3%, berechnet 49,7%; C, gefunden 19,6%, berechnet 19,5%; H, gefunden
4,7%, berechnet 4,9%; Cl gefunden 22 ppm.
Vorversuch 2
Elektrochemische Herstellung von Tantalmethoxid
[0024] Eine Lösung von 50 g NH
4Cl in 2000 ml Methanol wurde unter Argon Schutzgas in einem Planschliffreaktionsgefäß
elektrolysiert, das mit einer Stahlkathode, einer Anode aus Tantal und einem Rückflußkühler
versehen war. Es wurde mit Gleichstrom und einer Stromdichte von 200 mA/cm
2 elektrolysiert. Die Elektrolytlösung färbte sich gelblich und begann kurz nach Beginn
der Elektrolyse zu sieden.
[0025] Nach der Elektrolyse wurde das überschüssige Methanol bei Raumtemperatur im Vakuum
abgezogen. Der trockene Rückstand wurde in Hexan aufgenommen, kurz unter Rückfluß
zum Sieden gebracht, und über eine Umkehrfritte vom nicht gelösten Anteil getrennt.
Das Filtrat wird destilliert. Nach Entfernung des Hexans, siedet Ta(OCH
3)
5 bei ∼130°C und 0.3 mbar in Vakuum. Die Verbindung ist farblos und erstarrt bei ∼50°C.
Elementanalyse: Ta, gefunden 50,2%, berechnet 53,8%; C, gefunden 17,9%, berechnet
17,9%; H, gefunden 4,6%, berechnet 4,5%; Cl gefunden 19 ppm.
Beispiel 1
Herstellung von Wolframpulver
[0026] Elektrochemisch hergestelltes Wolframmethoxid wird durch Sublimation in einer Glasapparatur
gereinigt und anschließend in einem Rohrofen bei 1000°C mit Wasserstoff umgesetzt,
Gleichung (2).

[0027] Das Wolframmetallpulver wurde mit GDMS (glow-discharge mass spectroscopy) auf Verunreinigungen
analysiert.
Tabelle 1
| Analyse des Wolframmetallpulvers, Werte in ppm. |
| Al |
1 |
B |
<0,05 |
Ba |
0,09 |
Bi |
<0,02 |
Ca |
0,34 |
| Cd |
<0,05 |
Co |
0,08 |
Cr |
0,26 |
Cu |
0,06 |
Fe |
0,31 |
| K |
<0,05 |
Mg |
5 |
Mn |
0,015 |
Mo |
6 |
Na |
0,2 |
| Ni |
0,12 |
P |
0,19 |
Pb |
0,03 |
Sb |
<0,05 |
Si |
9 |
| Sn |
<0,05 |
Sr |
<0,02 |
Th |
<0,0005 |
Ti |
0,48 |
U |
<0,0005 |
| V |
<0,02 |
Zn |
<0,02 |
Zr |
<0,05 |
|
|
|
|
Beispiel 2
Herstellung von Tantalpulver
[0028] Elektrochemisch hergestelltes Tantalmethoxid wird durch Destillation bei 130°C im
Vakuum (0,3 mbar) in einer Glasapparatur gereinigt und anschließend in einem Rohrofen
bei 1000°C mit Wasserstoff umgesetzt, Gleichung (3).

Das Tantalmetallpulver wurde mit GDMS (glow-discharge mass spectroscopy) auf Verunreinigungen
analysiert.
Tabelle 2
| Analyse des Tantalmetallpulvers, Werte in ppm. |
| Al |
0,5 |
B |
<0,05 |
Ba |
0,09 |
Bi |
<0,02 |
Ca |
0,4 |
| Cd |
<0,05 |
Co |
0,05 |
Cr |
0,04 |
Cu |
0,06 |
Fe |
0,2 |
| K |
<0,05 |
Mg |
3 |
Mn |
0,015 |
Mo |
0,9 |
Na |
0,4 |
| Nb |
8 |
Ni |
0,15 |
P |
0,1 |
Pb |
0,03 |
Sb |
<0,05 |
| Si |
7 |
Sn |
<0,05 |
Sr |
<0,02 |
Th |
<0,0005 |
Ti |
0,6 |
| U |
<0,0005 |
V |
<0,02 |
Zn |
<0,02 |
Zr |
<0,05 |
|
|
Beispiel 3
Herstellung von Titanpulver
[0029] Elektrochemisch hergestelltes Titanethoxid wird durch Destillation bei 104°C im Vakuum
(0,3 mbar) in einer Glasapparatur gereinigt und anschließend in einem Rohrofen bei
1000°C mit Wasserstoff umgesetzt, Gleichung (4).

Das Titanmetallpulver wurde mit GDMS (glow-discharge mass sprectroscopy) auf Verunreinigungen
analysiert.
Tabelle 3
| Analyse des Titanmetallpulvers, Werte in ppm. |
| Al |
2 |
B |
<0,05 |
Ba |
0,5 |
Bi |
<0,02 |
Ca |
0,2 |
| Cd |
<0,05 |
Co |
0,25 |
Cr |
0,15 |
Cu |
0,06 |
Fe |
0,4 |
| K |
<0,05 |
Mg |
3 |
Mn |
0,01 |
Mo |
0,4 |
Na |
0,3 |
| Nb |
0,25 |
Ni |
0,15 |
P |
0,2 |
Pb |
0,02 |
Sb |
<0,05 |
| Si |
6,5 |
Sn |
<0,05 |
Sr |
<0,02 |
Th |
<0,000 5 |
U |
<0,0005 |
| V |
<0,02 |
Zn |
<0,02 |
Zr |
6 |
|
|
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1. Verfahren zur Herstellung von hochreinem Metallpulver, dadurch gekennzeichnet, daß
die Herstellung durch Reaktion einer oder von mehreren flüchtigen Metallalkoxidverbindungen
mit einem Reduktionsgas erfolgt.
2. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Reduktionsgas Wasserstoff
eingesetzt wird.
3. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Reduktionsgas
mit einem inerten Trägergas aus der Gruppe der Edelgase verdünnt ist.
4. Verfahren gemäß Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägergas Argon ist.
5. Verfahren gemäß einem oder mehreren der Ansrüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet,
daß das Metallalkoxid ein Alkoxid eines Elementes der Gruppe 3 bis 14 des Periodensystems
der Elemente ist.
6. Verfahren gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet,
daß die Alkoxidverbindungen bevorzugt Methoxide sind.
7. Verfahren gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet,
daß die Alkoxidverbindung Wolframmethoxid und/oder Tantalmethoxid sind.
8. Verfahren gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet,
daß die Reaktion bei einer Temperatur zwischen 400°C und 1400°C, besonders bevorzugt
zwischen 600°C und 1200°C, durchgeführt werden.
1. Method for the preparation of high-purity metal powder, characterised in that the
preparation is carried out by the reaction of one or more volatile metal alkoxide
compounds with a reducing gas.
2. Method according to claim 1, characterized in that hydrogen is used as the reducing
gas.
3. Method according to one of claims 1 or 2, characterised in that the reducing gas is
diluted with an inert carrier gas from among the rare gases.
4. Method according to claim 3, characterised in that the carrier gas is argon.
5. Method according to one or more of claims 1 to 4, characterized in that the metal
alkoxide is an alkoxide of an element of the groups 3 to 14 of the periodic system
of elements.
6. Method according to one or more of claims 1 to 5, characterized in that the alkoxide
compounds are preferably methoxides.
7. Method according to one or more of claims 1 to 6, characterized in that the alkoxide
compound is tungsten methoxide and/or tantalum methoxide.
8. Method according to one or more of claims 1 to 7, characterized in that the reaction
is carried out at a temperature between 400°C and 1400°C and particularly preferably
between 600°C and 1200°C.
1. Procédé pour la préparation de poudres métalliques à haute pureté, caractérisé en
ce que l'on fait réagir un ou plusieurs alcoolates métalliques volatils avec un gaz
réducteur.
2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le gaz réducteur utilisé est
l'hydrogène.
3. Procédé selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que le gaz réducteur
est dilué par un gaz véhicule inerte du groupe des gaz rares.
4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que le gaz véhicule est l'argon.
5. Procédé selon l'une ou plusieurs des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que l'alcoolate
métallique est un alcoolate d'un élément des groupes 3 à 14 de la Classification Périodique
6. Procédé selon l'une ou plusieurs des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que les
alcoolates sont de préférence des méthylates.
7. Procédé selon l'une ou plusieurs des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que l'alcoolate
est le méthylate de tungstène et/ou le méthylate de tantale.
8. Procédé selon l'une ou plusieurs des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que la
réaction est réalisée à des températures de 400 à 1 400°C, de préférence de 600 à
1 200°C.