[0001] Die nachstehend beschriebene Erfindung betrifft ein Heizelement, das zum Beheizen
von Schmelztiegeln verwendet wird.
[0002] Figur 1a zeigt einen Längsschnitt, Figur 1b den Querschnitt durch ein bekanntes Heizelement
dieser Gattung. Es hat die Form eines zylinderförmigen Hohlkörpers (1). Das Heizelement
ist in der Regel aus Graphit gefertigt und wird beispielsweise zur Herstellung von
tiegelgezogenen Einkristallen aus Halbleitermaterial benötigt. Der zylinderförmige
Hohlkörper ist in Abständen durch Schlitze (2) eingeschnitten, die alternierend vom
oberen oder unteren Rand des Hohlkörpers ausgehen und zum jeweils gegenüberliegenden
Rand führen, ohne diesen jedoch zu erreichen. Die Schlitze teilen den Hohlkörper in
einzelne, miteinander verbundene Segmente auf, die als Meander (3) bezeichnet werden.
Jeder Meander ist durch einen Schlitz teilweise in eine linke und eine rechte Meanderhälfte
(3a) getrennt. Im Bereich des unteren Randes des Heizelementes sind mindestens zwei
Stromzuführungen (4) angebracht, an die eine elektrische Stromquelle angeschlossen
werden kann.
[0003] Der Durchmesser des Heizelementes kann zum unteren Rand des Hohlkörpers hin verringert
sein, so daß das Heizelement wie ein an die Form des zu beheizenden Schmelztiegels
angepaßtes Gefäß ausgebildet ist. In den Figuren sind Ausführungsformen mit gleichbleibendem
Durchmesser gezeigt.
[0004] Üblicherweise ragt der obere Rand des Heizelementes über den oberen Rand des Schmelztiegels
hinaus, damit der Tiegelinhalt möglichst gleichmäßig durch die vom Heizelement abgegebene
Wärmestrahlung aufgeheizt wird. Bei der Züchtung von Einkristallen aus Halbleitermaterial,
insbesondere aus Silicium, ist häufig zu beobachten, daß geschmolzenes Halbleitermaterial
aus dem Tiegel an die Oberläche des Heizelementes gelangt. Der über den Tiegelrand
hinausragende Rand des Heizelementes ist davon besonders betroffen, da unter bestimmten
Dotierungs-Bedingungen schmelzflüssiges Material aus dem Tiegel spritzen kann. Darüber
hinaus kondensiert Halbleitermaterial, das den Tiegel in gasförmigem Zustand verläßt,
bevorzugt auf den Rändern des Heizelementes wieder aus. Diese Ablagerungen können,
wie im Fall von Silicium, mit dem Graphit des Heizelementes zu carbidischen Phasen
reagieren, die wegen unterschiedlicher Wärmeausdehnungs-Koeffizienten Spannungen im
Heizelement erzeugen. Diese Spannungen losen sich häufig dadurch, daß Teile vom Heizelement
absplittern und während der Kristallzucht in den Schmelztiegel fallen. Dort stören
sie das versetzungsfreie Wachstum des Einkristalls erheblich. In besonders ungünstigen
Fällen muß sogar die Kristallzüchtung wegen eines solchen Vorfalles abgebrochen werden.
Durch das wiederholte Absplittern von Teilen des Heizelementes wird auch dessen Betriebsdauer
stark herabgesetzt, so daß es früher gegen ein Neues ausgetauscht werden muß. Eine
weitere Beeinträchtigung der störungsfreien Kristallzucht und der Betriebsdauer des
Heizelementes resultiert durch elektrische Überschläge, die sich häufen, weil Halbleitermaterial
auch besonders im Bereich des unteren Randes des Heizelementes auskondensiert und
dabei die Schlitzbreite zwischen den Meandern und/oder den Abstand des Heizelementes
zu benachbarten Anlagenteilen verringert.
[0005] Es bestand deshalb die Aufgabe, ein verbessertes Heizelement zu entwickeln, das weniger
verschleißanfällig ist und das zur Zucht von Einkristallen geeigneter ist.
[0006] Gelöst wird die Aufgabe durch ein Heizelement zum Beheizen von Schmelztiegeln, bestehend
aus einem zylinderförmigen Hohlkörper (5), der durch Schlitze (6) in meanderförmige
Segmente geteilt ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Übergänge zwischen den Seitenflächen
der Meander (7) gerundet sind.
[0007] Ein Heizelement gemäß der vorliegenden Erfindung ist in den Figuren 2a (im Längsschnitt)
und 2b (im Querschnitt) dargestellt. In Figur 2c ist ein Ausschnitt aus Figur 2b vergrößert
wiedergegeben.
[0008] Der zylinderförmige Hohlkörper (5) ist durch senkrechte Schlitze (6), die alternierend
vom oberen und unteren Rand ausgehen und in Richtung zum jeweils gegenüberliegenden
Rand führen, eingeschnitten, so daß die typische Form von nebeneinander angeordneten
Meandern (7) entsteht (Fig.2a). Im unteren Randbereich des Hohlkörpers sind an mindestens
zwei Stellen Stromzuführungen (8) an die Meander herangeführt. Die Stromzuführungen
sind während des Betriebes des Heizelementes an eine elektrische Stromquelle angeschlossen.
[0009] Die Übergänge zwischen zwei Seitenflächen jedes Meanders sind mit dem Radius r gerundet,
so daß die Meander frei von Kanten und Ecken sind (Fig. 2c). Im Längsschnitt durch
die Meander (7) sind die Umfangslinien (9) der Schnittflächen im Bereich des oberen,
beziehungsweise unteren Randes des Hohlkörpers (5) bogenförmig gerundet (Fig.2a).
Dies verleiht den Randkonturen ein rosettenförmiges Aussehen. Der Krümmungsradius
R der Rundung ist vorzugsweise gleich oder annähernd gleich der Querschnittslänge
L einer Meanderhälfte (7a). Im Querschnitt durch die Meander weisen die Umfangslinien
(10) der Schnittflächen ausschließlich gerade oder gekrümmte Anteile auf (Fig.2b).
[0010] Zur Herstellung des erfindungsgemäßen Heizelementes wird ein Formkörper geeigneter
Größe, beispielsweise ein Graphitblock oder ein Graphitzylinder einer mechanischen
Formgebung, beispielsweise durch Stechen, Schneiden, Schleifen, Fräsen oder dergleichen,
unterworfen. Zunächst wird aus einem massiven Formkörper ein zylinderförmiger Hohlkörper
hergestellt. Der Hohlkörper wird anschließend mit den entsprechenden Schlitzen versehen
und auf diese Weise in meanderförmige Segmente unterteilt. Schließlich werden die
kantigen Übergänge zwischen aneinanderstoßenden Seitenflächen der Meander gerundet
und im Bereich des oberen, beziehungsweise unteren Randes des Hohlkörpers soviel Material
entfernt, daß die Längsschnittflächen durch die Meander die vorgesehene, gerundete
Form erhalten. Eine Kante gilt im Sinne der Erfindung auch dann als gerundet, wenn
die mechanische Bearbeitung durch ein rechnergesteuertes Bearbeitungswerkzeug erfolgt,
das gekrümmte Flächen erzeugt, die, bei genügend hoher Auflösung, als stufenförmige
Niveauänderungen erkannt werden können.
[0011] Mit den notwendigen Stromzuführungen versehen wird das erfindungsgemäße Heizelement
mit besonderem Vorteil als elektrische Widerstandsheizung zum Beheizen von Schmelztiegeln
bei der Herstellung von Einkristallen aus Halbleitermaterial, vorzugsweise Silicium,
verwendet.
[0012] Heizelemente mit den erfindungsgemäßen Merkmalen zeichnen sich dadurch aus, daß sie
eine Heizzone mit besonders gleichmäßigem Temperaturprofil erzeugen. Durch ihre Verwendung
beim Ziehen von Einkristallen aus Halbleitermaterial kommt es seltener zu Störungen
des Kristallwachstums, die direkt oder indirekt auf Fehlfunktionen des Heizelementes
zurückzuführen sind. Durch ihre Verwendung steigen die Ausbeuten, bezogen auf die
erzielbare Länge an versetzungsfreiem Einkristall, an. Darüber hinaus sind auch die
mittleren Betriebszeiten, nach denen ein Heizelement im Durchschnitt ausgewechselt
werden muß, ersten Versuchen zufolge mehr als doppelt so lange, als bei herkömmlichen
Heizelementen.
1. Heizelement zum Beheizen von Schmelztiegeln, bestehend aus einem zylinderförmigen
Hohlkörper (5), der durch Schlitze (6) in meanderförmige Segmente geteilt ist, dadurch
gekennzeichnet, daß die Übergänge zwischen den Seitenflächen der Meander (7) gerundet
sind.
2. Heizelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Umfangslinien (9) der
Schnittflächen durch die Meander (7) im Längsschnitt im Bereich des oberen, beziehungsweise
unteren Randes des Hohlkörpers (5) mit einem Krümmungsradius R gerundet sind, der
gleich oder annähernd gleich der Querschnittslänge L einer Meanderhälfte (7a) ist.
3. Heizelement nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Umfangslinien
(10) der Schnittflächen durch die Meander (7) im Querschnitt ausschließlich gerade
oder gekrümmte Anteile aufweisen.
4. Heizelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Meander
(7) aus Graphit gefertigt sind.
5. Verwendung des Heizelementes nach einem der Ansprüche 1 bis 4 zum Beheizen eines Schmelztiegels
bei der Züchtung von Einkristallen aus Halbleitermaterial, insbesondere Silicium.