[0001] La présente invention concerne la réalisation d'une cathode à micropointes. Elle
s'applique plus particulièrement à la réalisation d'une cathode à micropointes d'un
écran plat de visualisation.
[0002] La figure 1 représente la structure d'un écran plat à micropointes du type auquel
se rapporte l'invention.
[0003] Un tel écran à micropointes est essentiellement constitué d'une cathode 1 à micropointes
2 et d'une grille 3 pourvue de trous 4 correspondant aux emplacements des micropointes
2. La cathode 1 est placée en regard d'une anode cathodoluminescente 5 dont un substrat
de verre 6 constitue la surface d'écran.
[0004] Le principe de fonctionnement et le détail de la constitution d'un tel écran à micropointes
sont décrits dans le brevet américain 4 940 916 du Commissariat à l'Energie Atomique.
[0005] Les conducteurs de cathode sont disposés en colonnes sur un substrat de verre 10.
Les micropointes 2 sont réalisées sur une couche résistive 11 déposée sur les conducteurs
de cathode et sont classiquement disposées à l'intérieur de mailles définies par les
conducteurs de cathode. La figure 1 représentant partiellement l'intérieur d'une maille,
les conducteurs de cathode n'apparaissent pas sur cette figure. La cathode 1 est associée
à la grille 3 qui est elle organisée en lignes. L'intersection d'une ligne de la grille
3 et d'une colonne de la cathode 1 définit un pixel.
[0006] Ce dispositif utilise le champ électrique créé entre la cathode 1 et la grille 3
pour que des électrons soient extraits des micropointes 2 vers des éléments luminophores
7 de l'anode 5. Dans le cas d'un écran couleur, tel que représenté à la figure 1,
l'anode 5 est pourvue de bandes alternées d'éléments luminophores 7, correspondant
chacune à une couleur (Bleu, Rouge, Vert). Les bandes sont séparées les unes des autres
par un isolant 8. Les éléments luminophores 7 sont déposés sur des électrodes 9, constituées
de bandes correspondantes d'une couche conductrice transparente telle que de l'oxyde
d'indium et d'étain (ITO). Les ensembles de bandes bleues, rouges, vertes sont alternativement
polarisés par rapport à la cathode 1, pour que les électrons extraits des micropointes
2 d'un pixel de la cathode/grille soient alternativement dirigés vers les éléments
luminophores 7 en vis à vis de chacune des couleurs.
[0007] Les figures 2A à 2D illustrent un exemple d'une structure de ce type, les figures
2B et 2D étant respectivement des agrandissements de parties des figures 2A et 2C.
Plusieurs micropointes 2, par exemple seize, sont disposées dans chaque maille 12
définie par les conducteurs de cathode 13 (figure 2B). L'intersection, d'une ligne
14 de la grille 3 et d'une colonne 15 de la cathode 1, correspond ici, par exemple,
à soixante-quatre mailles 12 d'un pixel de cathode (figure 2A).
[0008] La cathode 1 est généralement constituée de couches déposées successivement sur le
substrat de verre 10. Les figures 2C et 2D représentent partiellement, une vue en
coupe selon la ligne A-A' de la figure 2B. Une couche conductrice 13, par exemple
constituée de niobium, est déposée sur le substrat 10. Cette couche 13 est gravée
selon un motif de colonnes 15, chaque colonne comportant des mailles 12 entourées
de conducteurs de cathode 13. Une couche résistive 11 est ensuite déposée sur ces
conducteurs de cathode 13. Cette couche résistive 11, constituée par exemple de silicium
amorphe dopé au phosphore, a pour objet de protéger chaque micropointe 2 contre un
excès de courant à l'amorçage d'une micropointe 2. L'apposition d'une telle couche
résistive 11 vise à homogénéiser l'émission électronique des micropointes 2 d'un pixel
de la cathode 1 et à accroître ainsi sa durée de vie. Une couche isolante 16, par
exemple d'oxyde de silicium (SiO₂), est déposée sur la couche résistive 11 pour isoler
les conducteurs de cathode 13 de la grille 3 (figure 2D). La grille 3 est formée d'une
couche conductrice, par exemple de niobium. Des trous 4 et des puits 17 sont respectivement
pratiqués dans les couches 3 et 16 pour recevoir les micropointes 2 qui sont par exemple
en molybdène.
[0009] Le dépôt des micropointes 2 dans les puits 17 est classiquement obtenu par une pulvérisation
de molybdène sur une couche d'élimination par soulèvement apposée sur la grille 3.
[0010] Un inconvénient des techniques classiques est que, si la couche résistive permet
de protéger les micropointes contre un excès de courant, elle ne parvient pas à homogénéiser
complètement l'émission électronique. De fait, les micropointes d'une maille ne sont
pas toutes équidistantes des conducteurs de cathode, ce qui entraîne une non-uniformité
de l'émission électronique.
[0011] Un autre inconvénient réside dans la nécessité de former dans chacune des colonnes
de la cathode, des mailles de conducteurs. Ce qui impose la réalisation d'un motif
complexe sur toute la surface de la cathode.
[0012] En outre, le faible diamètre des micropointes (de l'ordre de 1 à 2 µm) et la nécessité
de les reproduire avec une densité élevée par pixel de l'écran (plusieurs milliers
par pixel) entraîne que les procédés existant limitent la surface des écrans plats
pouvant être réalisés. Les disparités qui peuvent apparaître dans la régularité du
diamètre des trous et puits destinés à recevoir les micropointes nuisent également
à l'homogénéité de l'émission électronique, en entraînant des disparités dans le diamètre
et la hauteur des micropointes.
[0013] La présente invention a pour objet de pallier ces inconvénients en proposant une
cathode à micropointes fournissant un rayonnement électronique d'homogénéité optimisée.
L'invention vise également à éviter le recours à la formation de mailles de conducteurs
de cathode.
[0014] Pour atteindre ces objets, la présente invention prévoit une cathode à micropointes
pour écran plat de visualisation, du type comportant un substrat, au moins un conducteur
de cathode, et des micropointes disposées sur une couche résistive ; ledit conducteur
de cathode étant disposé au-dessus de la couche résistive, et présentant des ouvertures
circulaires au centre de chacune desquelles est disposée une micropointe.
[0015] Selon un mode de réalisation de l'invention, le diamètre des ouvertures circulaires
que présente le conducteur de cathode est supérieur au diamètre de l'embase d'une
micropointe.
[0016] Selon un mode de réalisation de l'invention, la cathode est associée à une grille,
séparée du conducteur de cathode par une couche d'isolement et pourvue d'un trou à
l'aplomb de chaque micropointe ; la couche d'isolement et le conducteur de cathode
présentant un puits de réception d'une micropointe à l'aplomb de chaque trou de la
grille ; et le diamètre des trous de la grille étant sensiblement inférieur au diamètre
des puits des couches d'isolement et de conducteur de cathode.
[0017] Selon un mode de réalisation de l'invention, la cathode comporte une couche isolante
auxiliaire, entre le conducteur de cathode et la couche d'isolement.
[0018] L'invention concerne également un procédé de réalisation d'une cathode à micropointes
qui consiste à réaliser, sur un empilement constitué au moins d'un substrat, d'une
couche résistive, d'une couche de conducteur de cathode, d'une couche d'isolement
et d'une couche de grille, une gravure anisotrope de trous dans la couche de grille,
et une gravure correspondante de puits de plus grande section, dans les couches d'isolement
et de conducteur de cathode.
[0019] Selon un mode de réalisation de l'invention, le procédé consiste à effectuer les
phases suivantes :
- réalisation de conducteurs de cathode organisés en colonnes sur une couche résistive
déposée sur un substrat ;
- préparation de motifs circulaires dans des lignes d'une grille par photolithogravure
;
- réalisation de trous dans les lignes de la grille, et de puits dans les couches d'isolement
et de conducteurs de cathode, et dépôt d'une micropointe au centre de chaque puits,
sur une couche résistive.
[0020] Selon un mode de réalisation de l'invention, la première phase de réalisation de
conducteurs de cathode comprend les étapes suivantes :
- dépôt pleine plaque d'une couche résistive sur le substrat ;
- dépôt pleine plaque d'une fine couche conductrice d'arrêt de gravure ;
- dépôt pleine plaque d'une couche conductrice de conducteurs de cathode ;
- oxydation électrolytique de la couche conductrice de conducteurs de cathode ;
- gravure simultanée, de la couche de conducteurs de cathode et de la couche isolante
auxiliaire obtenue par ladite oxydation, selon un motif de colonnes ; et
- élimination de la couche d'arrêt de gravure entre les colonnes définies par les conducteurs
de cathode.
[0021] Selon un mode de réalisation de l'invention, la deuxième phase de photolithogravure
de motifs circulaires est réalisée en déposant une couche de résine sur la couche
de grille, et en insolant cette couche de résine, postérieurement à un dépôt de microbilles
calibrées opaques pour le rayonnement d'insolation.
[0022] Selon un mode de réalisation de l'invention, une étape de pré-insolation de la couche
de résine est effectuée, préalablement à l'étape de dépôt des microbilles, par masquage
de lignes de la grille.
[0023] Selon un mode de réalisation de l'invention, la troisième phase de réalisation d'une
grille et de micropointes comprend les étapes suivantes :
- gravure anisotrope et simultanée de trous dans la couche de grille et d'ébauches de
puits dans les couches d'isolement et de conducteurs de cathode ;
- élargissement des puits par une gravure isotrope ;
- dépôt de micropointes au centre de chaque puits, sur la fine couche conductrice d'arrêt
de gravure ;
- élimination de la couche d'arrêt de gravure dans le fond des puits autour des micropointes.
[0024] Ainsi, selon un avantage de la présente invention, la résistance d'accès entre la
cathode et chacune des micropointes est constante puisqu'elle correspond à une région
résistive annulaire de dimensions constantes.
[0025] Ces objets, caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres de la présente invention
seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers
faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles
:
les figures 1 et 2 qui ont été décrites précédemment sont destinées à exposer l'état
de la technique et le problème posé ;
les figures 3A et 3B représentent partiellement, respectivement en coupe et en vue
de dessus, une cathode à micropointes selon l'invention ;
les figures 4A à 4H représentent, schématiquement et en coupe, différentes étapes
d'un mode de mise en oeuvre d'une première phase d'un procédé de réalisation d'une
cathode selon l'invention ;
les figures 5A à 5C représentent, schématiquement et en coupe, différentes étapes
d'un mode de mise en oeuvre d'une deuxième phase d'un procédé de réalisation d'une
cathode à micropointes selon l'invention ; et
les figures 6A à 6C représentent, schématiquement et en coupe, différentes étapes
d'un mode de mise en oeuvre d'une troisième phase d'un procédé de réalisation d'une
cathode à micropointes selon l'invention.
[0026] Pour des raisons de clarté, les échelles n'ont pas été respectées pour la représentation
des figures.
[0027] La cathode 1, selon l'invention, telle que représentée aux figures 3A et 3B, comporte
à partir d'un substrat isolant 10, une couche résistive 11 supportant des micropointes
2. Des conducteurs de cathode 13 sont disposés sur la couche résistive 11 avec interposition
éventuelle d'une fine couche conductrice 19 d'adhérence et d'arrêt de gravure. Ces
conducteurs de cathode 13 sont organisés en colonnes dont chacune comporte dans sa
largeur et dans sa longueur un grand nombre de micropointes, la figure 3A ne représentant
qu'une petite portion d'une colonne. En d'autres termes, les conducteurs de cathode
13 sont continus sur toutes les colonnes 15.
[0028] Des micropointes 2 sont disposés sur la couche résistive 11 au centre d'ouvertures
circulaires 17 que présente chaque conducteur de cathode 13. Chaque ouverture circulaire
17 définit entre la micropointe 2 qu'elle reçoit et le conducteur de cathode 13, une
région résistive annulaire par l'intermédiaire de la couche 11. Ainsi, toutes les
micropointes 2 du conducteur de cathode 13 seront électriquement séparées de ce dernier,
par une région résistive de même valeur, pourvu que le diamètre des ouvertures circulaires
17 soit le même. Le diamètre de ces ouvertures circulaires 17 est supérieur au diamètre
que présentent les bases des micropointes 2.
[0029] Toutes les micropointes 2 sont donc électriquement séparées des conducteurs de cathode
13 par une résistance de même valeur. C'est là, une caractéristique essentielle de
la présente invention qui conduit à optimiser l'homogénéité du rayonnement cathodique,
en rendant homogène le courant dans les micropointes 2.
[0030] Selon un exemple de réalisation qu'illustre la figure 3A, la cathode 1 est associée
à une grille de commande 3. Les conducteurs de cathode 13 sont alors isolés de la
grille 3 au moyen d'une couche d'isolement 16, éventuellement associée à une couche
isolante auxiliaire 18. Cette couche isolante auxiliaire 18 est, lorsqu'elle est prévue,
disposée entre le conducteur de cathode 13 et la couche d'isolement 16. Elle permet
de supprimer les effets de "trous d'aiguilles" que peut présenter la couche isolante
16 perpendiculairement à la surface des conducteurs de cathode 13.
[0031] Des trous 4 et puits 17 sont pratiqués dans les couches de grille 3, d'isolement
16 et de conducteurs de cathode 13 (et le cas échéant dans la couche isolante auxiliaire
18) pour recevoir les micropointes 2. Une caractéristique de ces trous 4 et puits
17 est que les puits 17 dans les couches d'isolement 16 (et 18) et le conducteur de
cathode 13 présentent un diamètre sensiblement plus important que les trous 4 dans
la couche de grille 3.
[0032] Des micropointes 2 sont déposées, sur la fine couche conductrice 19, si elle existe,
à l'aplomb des trous 4, et cette couche 19 est ouverte autour de chaque micropointe
2, dans sa surface libre. Ainsi, chaque micropointe 2 est latéralement séparée de
la couche de conducteurs de cathode 13 par un anneau de largeur correspondant approximativement
à la différence entre le diamètre des puits 17 et des trous 4. Si la fine couche conductrice
19 n'est pas utilisée, les micropointes 2 se retrouvent directement sur la couche
résistive 11, et toujours séparées annulairement des conducteurs de cathode 13.
[0033] Selon un exemple particulier de réalisation, les conducteurs de cathode 13 présentent
une largeur d'environ 300 µm, correspondant à la largeur d'un pixel d'écran, défini
par l'intersection d'une ligne 14 de la grille 3 et d'une colonne 15 de la cathode
1. Le diamètre des trous 4 est de 1,3 µm, celui des puits 17 de 2,6 µm, et le diamètre
de chaque micropointe 2 est à la base de 1,1 µm.
[0034] On décrira ci-après un exemple de mode de mise en oeuvre d'un procédé de réalisation
d'une telle cathode selon l'invention.
[0035] Ce procédé peut être mis en oeuvre en trois phases correspondant respectivement,
à la réalisation de conducteurs de cathode 13, à la formation de motifs aux emplacements
futurs des micropointes dans des lignes de grille 3, et à la réalisation de la grille
3 et des micropointes 2.
[0036] Les figures 4A à 4H illustrent la mise en oeuvre de la première phase qui correspond
à la réalisation des conducteurs de cathode 13.
[0037] Au cours d'une première étape (figure 4A), on dépose sur le substrat 10 une couche
résistive 11.
[0038] Une deuxième étape (figure 4B) consiste à déposer une fine couche conductrice 19,
dite d'arrêt de gravure. Le rôle de cette couche 19 est double. D'une part, elle constitue
une surface d'accrochage de la couche suivante (figure 4C) et des micropointes. D'autre
part, elle assure un arrêt de gravure de la couche de conducteurs de cathode 13. Ce
second rôle sera mieux compris par la suite, en relation avec la description des figures
4E, et 6A à 6C.
[0039] Une troisième étape (figure 4C) consiste à déposer une couche conductrice 13. L'accrochage
de cette couche 13 est favorisé par la couche 19.
[0040] Une quatrième étape éventuelle consiste (figure 4D) à réaliser une oxydation de la
couche conductrice 13, pour obtenir, dans l'épaisseur de cette couche 13, une couche
isolante auxiliaire 18. La couche 13 déposée précédemment est alors choisie pour avoir
la caractéristique d'être oxydable. On veillera également à ce que l'épaisseur de
la couche 13, déposée lors de la troisième étape, soit suffisante pour permettre l'obtention
d'une couche isolante auxiliaire 18 tout en conservant une épaisseur suffisante pour
les conducteurs de cathode 13.
[0041] Les quatre étapes décrites ci-dessus sont réalisées sur toute une surface du substrat
10.
[0042] Au cours d'une cinquième étape (figure 4E), on grave en colonnes les conducteurs
de cathode 13. La couche 19 assure, durant cette étape, un arrêt de la gravure qui
évite d'attaquer la couche résistive 11. Les conducteurs de cathode 13 présentent,
par exemple, une largeur de l'ordre de 300 µm.
[0043] Puis, dans une sixième étape (figure 4F), on élimine la couche 19 aux endroits où
les couches 13 et 18 ont été gravées, c'est-à-dire entre les colonnes 15 de conducteurs
de cathode 13.
[0044] Lors d'une septième étape (figure 4G), on dépose sur la structure issue de la première
phase, un isolant 16.
[0045] Au cours d'une huitième étape (figure 4H), on dépose une couche conductrice de grille
3. Ce dépôt est par exemple obtenu de la même manière que le dépôt de la couche des
conducteurs de cathode 13.
[0046] Comme on peut le constater, la structure ainsi obtenue selon l'invention se distingue
des techniques antérieures, notamment par le fait que la couche conductrice 13 n'est
plus gravée selon un motif de colonnes maillées, mais que les conducteurs de cathode
13 sont continus sur toute une colonne 15.
[0047] De plus, la couche résistive 11 est apposée avant la couche conductrice 13, ce qui
autorise la formation d'une couche isolante auxiliaire 18 par oxydation de cette couche
conductrice 13.
[0048] Les figures 5A à 5C illustrent une deuxième phase du procédé de réalisation d'une
cathode à micropointes selon l'invention, correspondant à une phase de délimitation
de lignes de grille et de formation de motifs aux emplacements futurs des micropointes
dans des lignes de grille 3. Pour des raisons de clarté, les couches 13, 18, et 19
de l'empilement issu de la première phase ont été désignées, aux figures 5A à 5C,
par la référence commune 15 correspondant à leur tracé en colonne.
[0049] Cette deuxième phase fait appel à une photolithogravure de motifs circulaires pour
définir les emplacements futurs des micropointes, c'est-à-dire des trous 4 dans des
lignes de grille 3.
[0050] Dans une première étape (figure 5A), une couche de résine photosensible 20 de type
négatif est appliquée sur la couche conductrice 3.
[0051] On peut mettre en oeuvre tout procédé classique de photolithogravure pour définir
dans la couche 20 les motifs circulaires ainsi que les lignes de la grille 3. La largeur
des lignes de la grille est, par exemple, de l'ordre de 300 µm. Le diamètre d'un motif
circulaire a une valeur donnée comprise, par exemple entre 1 et 2 µm, et le nombre
de motifs est de plusieurs milliers par pixel d'écran.
[0052] On préfèrera cependant mettre en oeuvre une phase particulière de photolithogravure
de motifs circulaires qui assure l'obtention de motifs de diamètre régulier avec une
densité régulière, quelle que soit la taille de l'écran. Ceci afin d'optimiser encore
l'homogénéité du rayonnement électronique.
[0053] Au cours d'une deuxième étape (figure 5B), on pré-insole la couche de résine 20 à
travers un masque classique 21 de définition des lignes 14 de la grille 3.
[0054] Puis, dans une troisième étape (non représentée), des microbilles 22 sont déposées
sur la couche de résine 20. Ces microbilles 22 sont par exemple des microbilles de
verre ou de plastique. Elles sont opaques au rayonnement d'insolation pour obtenir
un effet de masquage maximal des zones sur lesquelles elles sont déposées. La répartition
des microbilles 22 sur la couche de résine 20 est aléatoire. On a en effet pu constater
que la qualité d'un écran était liée à la régularité de la densité des micropointes
2 d'un pixel de l'écran à un autre et à la régularité du diamètre des micropointes
2. Par contre, l'écart entre deux micropointes 2 n'a pas d'influence sur la qualité
de l'écran pourvu que la densité de micropointes soit élevée. Ainsi, la répartition
aléatoire des motifs dans la couche de grille 3 n'a pas de conséquence sur la qualité
de l'écran. On a ainsi constaté que l'on obtenait un écran plat de bonne qualité avec
un nombre et un diamètre de motifs circulaires dans chaque pixel de l'écran qui sont
les mêmes à cinq pour cent près, la densité de motifs d'un pixel étant élevée pour
ne pas nuire à la brillance de l'écran. Un dépôt de microbilles calibrées 22 d'un
diamètre donné d'une valeur comprise entre 1 et 5 µm avec une tolérance de 10 pour
cent pour le diamètre des microbilles 22 permet d'atteindre ce résultat.
[0055] Pour assurer que la densité des microbilles 22 déposées sur la couche 20 est suffisante
et régulière, on peut utiliser, selon l'invention, plusieurs méthodes de dépôt des
microbilles 22.
[0056] Une première méthode consiste à immerger l'empilement issu de la première phase,
revêtu de la couche de résine 20, dans un bain contenant des microbilles 22 en solution.
La densité des microbilles 22 dans le bain est fixée en fonction de la densité de
motifs souhaitée. Le dépôt des microbilles 22 s' effectue par décantation, les microbilles
utilisées étant dans ce cas en verre. Il est de plus possible d'effectuer l'étape
d'insolation à travers le bain dès que les microbilles 22 ont décanté, ce qui accélère
l'exécution du procédé. L'évacuation des microbilles 22, après insolation, s'effectue
ici simplement en retirant l'empilement et son éventuel support du bain.
[0057] Une seconde méthode consiste à pulvériser, sur la couche de résine 20, un mélange
de solvant et de microbilles 22 contenu dans un réservoir. Le solvant est à base d'alcool,
ce qui permet son évaporation pendant la pulvérisation. La distribution des microbilles
22 sur la couche de résine 20 présente une bonne homogénéité, la densité de microbilles
22 étant fixée par la durée de la pulvérisation réalisée. Ici, les microbilles 22
tiennent sur la couche de résine 20 par effet électrostatique, résultant de charges
acquises lors de leur traversée de l'air entre une buse du pulvérisateur et la couche
de résine 20. L'évacuation des microbilles 22 après insolation peut être effectué
par soufflage ou tout autre moyen. Un avantage de cette technique est qu'il se crée
entre les microbilles 22, du fait de leur charge, une force répulsive qui tend à améliorer
la régularité de leur répartition.
[0058] Une troisième méthode consiste à noyer des microbilles 22 dans un matériau visqueux,
par exemple du polyvinylalcool. On couvre la couche de résine 20 d'une couche de ce
matériau par exemple par raclage ou par sérigraphie sans motif. On sèche ensuite le
polyvinylalcool puis on insole de la manière qui sera décrite ci-dessous. Par la suite,
le polyvinylalcool est dissous, par exemple dans de l'eau et les microbilles 22 sont
évacuées en même temps.
[0059] Une fois que les microbilles 22 ont été déposées sur la couche de résine 20, cette
couche de résine 20 est insolée au moyen d'un insolateur à lumière quasi-parallèle
au cours d'une quatrième étape (non représentée). La longueur d'onde du rayonnement
de l'insolateur est choisie en fonction de la résine utilisée et de la précision visée,
par exemple dans le domaine des ultraviolets. Les microbilles 22 sont ensuite évacuées
de la couche de résine 20 au cours d'une cinquième étape (non représentée).
[0060] L'insolation n'est efficace que dans les surfaces qui étaient masquées au cours de
la deuxième étape, de pré-insolation, soit à l'intérieur des lignes 14 de la grille
3 qui ont été formées. Ainsi, lors du développement de la résine au moyen d'un procédé
classique (figure 5C), on obtient des motifs 23 dans la couche de résine 20 uniquement
dans la surface des lignes 14 de grille 3. Cela permet de positionner les zones de
micropointes 2 de la cathode 1, en limitant la formation des motifs 23 à des surfaces
qui correspondent à des zones devant recevoir des micropointes 2. A la figure 5C,
le tracé des colonnes 15 de conducteurs de cathode 13, a été représenté en traits
mixtes, et celui des surfaces pré-insolées 14, correspondant aux lignes 14 de la grille
3, a été représenté en pointillés.
[0061] Dans une sixième étape (figure 5C), on développe la résine par la mise en oeuvre
d'un procédé classique dans des conditions compatibles avec le type de résine utilisé.
Des motifs circulaires 23 sont ainsi formés dans la couche de résine 20 aux emplacements
des microbilles 22. Ces motifs 23 sont ensuite utilisés pour graver des trous 4 et
des ébauches de puits 17 correspondantes dans les couches 3, 16, 18, et 13, de l'empilement
issu de la première phase, comme on le verra par la suite en relation avec les figures
6A à 6C.
[0062] Une variante de l'étape d'insolation consiste à insoler la couche de résine 20, toujours
au moyen d'un insolateur à lumière quasi-parallèle, mais en inclinant la couche 20
par rapport à l'axe du faisceau, et en la faisant tourner autour de cet axe. Pour
ce faire, on pose par exemple l'empilement issu de la première phase, revêtu de la
couche de résine 20 sur laquelle ont été déposées les microbilles 22, sur un support
rotatif incliné d'un angle donné par rapport à l'axe du faisceau. Ainsi, le diamètre
effectivement insolé à l'aplomb de chaque microbille 22 se trouve être inférieur au
diamètre des microbilles 22. On obtient ainsi des motifs 23 de diamètre inférieur
au diamètre des microbilles 22. Le rapport entre le diamètre des microbilles 22 et
le diamètre des motifs 23 obtenus dépend de l'angle d'inclinaison du support par rapport
à l'axe du faisceau quasi-parallèle de rayonnement de l'insolateur. Cette variante
améliore encore la résolution obtenue par la mise en oeuvre du procédé selon l'invention.
On peut en effet utiliser des microbilles 22 de taille plus importante qui présenteront
une meilleure uniformité entre elles. On peut par exemple réaliser des motifs 23 de
diamètre 2 µm au moyen de microbilles 22 présentant un diamètre de 5 µm.
[0063] Les figures 6A à 6C illustrent un exemple de mise en oeuvre d'une troisième phase
du procédé selon l'invention. Cette troisième phase correspond à la formation de trous
4 dans des lignes 14 de grille 3, et de dépôt de micropointes 2 dans des puits 17
à l'aplomb de ces trous 4. Pour des raisons de clarté, les coupes des figures 6A à
6C représentent une partie d'un pixel défini par l'intersection d'une ligne 14 de
la grille 3 et d'une colonne 15 de la cathode 1.
[0064] Dans une première étape (non représentée), on grave dans la couche de grille 3, des
lignes 14 de grille ainsi que des trous 4 aux emplacements futurs des micropointes
2, c'est-à-dire aux emplacements des motifs 23. La gravure de cette première étape
est effectuée de manière telle qu'elle attaque le matériau de la grille 3 sans attaquer
le matériau de la couche isolante 16. De plus, il s'agit préférentiellement d'une
gravure anisotrope.
[0065] Lors d'une deuxième étape (figure 6A), on effectue une gravure ionique réactive jusqu'à
la couche d'arrêt de gravure 19. On grave ainsi des ébauches de puits 17 dans les
couches d'isolement 16 (et éventuellement 18) et de conducteurs de cathode 13. Cette
gravure est anisotrope de sorte que les ébauches de puits 17 sont alignés avec les
motifs circulaires 23. Les ébauches de puits 17 présentent, par exemple, un diamètre
de 1,3 µm comme les trous 4.
[0066] Au cours d'une troisième étape (figure 6B), on élargit le diamètre des puits 17 dans
les couches d'isolement 16 (et éventuellement 18) et de conducteurs 13. Pour ce faire,
on effectue une gravure humide isotrope.
[0067] Les gravures des deuxièmes et troisième étapes sont arrêtées par la couche d'arrêt
de gravure 19 de façon à ne pas attaquer la couche résistive 11 sur laquelle doivent
être déposées les micropointes 2. La gravure des lignes 14 de la grille 3 (première
étape) pourrait également être réalisée antérieurement à la deuxième phase. Dans ce
cas, la gravure ionique réactive de la deuxième étape (figure 6A) peut être effectuée,
aux emplacements des motifs 23, simultanément dans les couches 3, 16 (et le cas échéant
18), et 13. De la sorte les trous 4 et les ébauches de puits 17 sont formés simultanément.
De plus, l'étape de pré-insolation (figure 5B) de la deuxième phase n'est alors plus
nécessaire dans la mesure où les lignes de grille sont déjà formées. On pourrait par
contre utiliser cette étape de pré-insolation pour limiter la formation des motifs
23 à l'aplomb des conducteurs de cathode 13, soit à l'intérieur des colonnes 15.
[0068] Le dépôt des micropointes 2 s'effectue durant une quatrième étape (non représentée),
de manière classique. On utilise, par exemple, une couche d'élimination par soulèvement
(communément appelée couche "de lift-off") sur laquelle on réalise une évaporation
d'un matériau conducteur. Cette évaporation conduit d'une part à la formation d'une
couche résiduelle sur la couche d'élimination par soulèvement et d'autre part à la
formation des micropointes 2 dans les puits 17. Ces micropointes 2 présentent, par
exemple, un diamètre à la base de 1,1 µm et une hauteur de l'ordre de 1,2 µm. Puis,
on élimine la couche résiduelle, à l'aide de la couche d'élimination par soulèvement.
On obtient alors une structure telle que représentée à la figure 6C.
[0069] Enfin, dans une cinquième et dernière étape, on élimine la couche d'arrêt de gravure
19 entourant les micropointes 2. Cette élimination conduit à former entre chaque micropointe
2 et un conducteur de cathode 13, par l'intermédiaire de la couche résistive 11, une
résistance annulaire de même valeur pour toutes les micropointes 2.
[0070] On obtient alors une cathode telle que représentée aux figures 3A et 3B.
[0071] On indiquera ci-dessous un exemple particulier de réalisation d'une cathode à micropointes
en spécifiant les matériaux et les types de gravure utilisés.
Phase 1:
[0072]
Etape 1 : dépôt pleine plaque d'une couche résistive 11, par pulvérisation de silicium
amorphe dopé au phosphore sur le substrat de verre 10. Cette couche résistive 11 présente,
par exemple, une épaisseur de 0,3 µm.
Etape 2 : dépôt pleine plaque, par évaporation de chrome, d'une fine couche conductrice
19. L'épaisseur de cette couche 19 est par exemple de 0,025 µm.
Etape 3 : dépôt pleine plaque, par évaporation de niobium, d'une couche de conducteurs
de cathode 13. L'accrochage de cette couche 13 est favorisé par la couche 19, le niobium
s'accrochant difficilement sur le silicium amorphe. La couche conductrice 13 présente,
par exemple, une épaisseur de 0,2 à 0,4 µm.
Etape 4 : oxydation pleine plaque de la couche 13. Cette oxydation est par exemple
obtenue en soumettant la couche de niobium 13 à une oxydation anodique dans une solution
à base de pentaborate d'ammonium et d'éthylène glycol. Pour ce faire, l'empilement
est placé en anode dans un bain électrolytique à base de pentaborate d'ammonium et
d'éthylène glycol. L'épaisseur d'oxydation dépend pratiquement uniquement du potentiel
auquel est réalisée l'électrolyse. Pour un potentiel de 40 V, par exemple, on obtient
une épaisseur de pentoxyde de niobium (Nb₂O₅) de 0,12 µm, constituant une couche isolante
auxiliaire 18.
Etape 5 : gravure au plasma d'hexafluorure de soufre (SF₆) des couches isolante 18
et conductrice 13, selon un motif de colonnes 15. On préfère réaliser cette gravure
par plasma dans la mesure où une gravure chimique (humide) du pentoxyde de niobium
(Nb₂O₅) qui constitue la couche 18 est délicate à contrôler. Par contre, cet oxyde
se grave avec le même plasma de gravure que celui utilisé classiquement pour graver
du niobium. Le plasma employé grave également le silicium amorphe, c'est pourquoi
la couche 19 est dite d'arrêt de gravure et est dans un matériau choisi pour être
difficilement attaquable par le plasma d'hexafluorure de soufre.
Etape 6 : élimination de la couche 19, entre les colonnes 15, par masquage et gravure
chimique à base de permanganate de potassium (KMnO₄) et d'hydroxyde de potassium (KOH)
qui attaque le chrome évaporé sans endommager les autres couches environnantes.
Etape 7 : dépôt pleine plaque d'une couche isolante 16, par dépôt chimique en phase
vapeur (CVD) à pression ordinaire d'oxyde de silicium (SiO₂). L'épaisseur de cette
couche isolante 16 est par exemple de 1,3 µm.
Etape 8 : dépôt pleine plaque d'une couche conductrice de grille 3, par évaporation
de niobium. L'épaisseur de cette couche de grille qui correspond à l'épaisseur de
la grille 3 est par exemple de 0,2 à 0,4 µm.
Phase 2 :
[0073]
Etape 1 : dépôt pleine plaque d'une couche de résine photosensible 20.
Etape 2 : pré-insolement à travers un masque d'obturation de lignes 14 de la grille
3.
Etape 3 : dépôt aléatoire de microbilles calibrées 22, sur la couche de résine 20.
Etape 4 : insolation de la couche de résine 20, revêtue des microbilles 22.
Etape 5 : évacuation des microbilles 22.
Etape 6 : développement de la résine 20, et obtention de motifs 23 aux emplacements
futurs des micropointes 2 dans les lignes 14 de la grille 3.
Phase 3 :
[0074]
Etape 1 : gravure par plasma d'hexafluorure de soufre (SF₆) de la couche 3, selon
le motif de lignes 14, et de trous 4 aux endroits des motifs 23. Ce plasma est choisi
pour attaquer le niobium de la couche 3 sans attaquer le dioxyde de silicium (SiO₂)
constituant la couche isolante 16.
Etape 2 : gravure ionique résistive d'ébauches de puits 17 dans les couches d'isolement
16 et 18, et de conducteurs de cathode 13, en regard des trous 4 de la grille 3. Cette
gravure est choisie pour être anisotrope.
Etape 3 : gravure chimique isotrope des puits 17 dans les couches d'isolement 16 et
18, et de conducteurs de cathode 13.
Etape 4 : dépôt d'une couche d'élimination par soulèvement, par dépôt électrolytique
de nickel sur les surfaces restantes de la couche de grille 3. Réalisation de micropointes
2, par évaporation de molybdène. Puis, élimination par soulèvement des résidus de
molybdène.
Etape 5 : gravure de la couche 19 dans sa surface libre, par exemple par masquage
et gravure chimique à base de permanganate de potassium (KMnO₄) et d'hydroxyde de
potassium (KOH).
[0075] Bien entendu, la présente invention est susceptible de diverses variantes et modifications
qui apparaîtront à l'homme de l'art. En particulier, chacun des constituants décrits
pour les couches pourra être remplacé par un ou plusieurs constituants présentant
les mêmes caractéristiques et/ou remplissant la même fonction. De plus, les moyens
de gravure décrits à titre d'exemple pourront être remplacés par d'autres moyens de
gravure, sèche ou humide, permettant d'atteindre le même résultat.
[0076] De même, la succession des étapes donnée à titre d'exemple peut être modifiée selon
les matériaux et moyens de gravure utilisés. Par exemple, l'étape d'obtention de la
couche isolante auxiliaire 18 (phase 1, étape 4) pourrait être reportée après la gravure
des conducteurs de cathode 13, les conducteurs de cathode 13 se trouvant alors également
oxydés sur leurs bords.
[0077] La formation des lignes de grille 14 pourrait être reportée à la fin du procédé.
Dans ce cas, on maintiendrait la deuxième étape de la deuxième phase, en pré-insolant
des surfaces qui correspondent aux lignes de grille. Ceci afin d'éviter la formation
de motifs 23 entre les lignes 14, qui conduirait à une suppression de la couche d'isolement
16 aux endroits de ces motifs. Les première et deuxième étapes de la troisième phase
sont dans ce cas simultanées.
[0078] En outre, les indications dimensionnelles données à titre d'exemple peuvent être
modifiées en fonction des caractéristiques recherchées pour l'écran, des matériaux
utilisés, ou autres. En particulier, le diamètre des microbilles 22 utilisées dépend
du diamètre souhaité pour les trous 4 de la grille 3 et de la technique d'insolation
employée (verticale ou oblique).
1. Cathode (1) à micropointes pour écran plat de visualisation, du type comportant un
substrat (10), au moins un conducteur de cathode (13), et des micropointes (2) disposées
sur une couche résistive (11) ; caractérisée en ce que ledit conducteur de cathode
(13) est disposé au-dessus de la couche résistive (11), et présente des ouvertures
circulaires (17) au centre de chacune desquelles est disposée une micropointe (2).
2. Cathode à micropointes selon la revendication 1, caractérisée en ce que le diamètre
des ouvertures circulaires (17) que présente le conducteur de cathode (13) est supérieur
au diamètre de l'embase d'une micropointe (2).
3. Cathode à micropointes selon la revendication 1 ou 2, caractérisée en ce qu'elle est
associée à une grille (3), séparée du conducteur de cathode (13) par une couche d'isolement
(16) et pourvue d'un trou (4) à l'aplomb de chaque micropointe (2) ; la couche d'isolement
(16) et le conducteur de cathode (13) présentant un puits (17) de réception d'une
micropointe (2) à l'aplomb de chaque trou (4) de la grille (3) ; et le diamètre des
trous (4) de la grille (3) étant sensiblement inférieur au diamètre des puits (17)
des couches d'isolement (16) et de conducteur de cathode (13).
4. Cathode à micropointes selon la revendication 3, caractérisée en ce qu'elle comporte
une couche isolante auxiliaire (18), entre le conducteur de cathode (13) et la couche
d'isolement (16).
5. Procédé de réalisation d'une cathode à micropointes, caractérisé en ce qu'il consiste
à réaliser, sur un empilement constitué au moins d'un substrat (10), d'une couche
résistive (11), d'une couche de conducteur de cathode (13), d'une couche d'isolement
(16) et d'une couche de grille (3), une gravure anisotrope de trous (4) dans la couche
de grille (3), et une gravure correspondante de puits (17) de plus grande section,
dans les couches d'isolement (16) et de conducteur de cathode (13).
6. Procédé de réalisation d'une cathode à micropointes selon la revendication 5, caractérisé
en ce qu'il consiste à effectuer les phases suivantes :
- réalisation de conducteurs de cathode (13) organisés en colonnes (15) sur une couche
résistive (11) déposée sur un substrat (10) ;
- préparation de motifs circulaires (23) dans des lignes (14) d'une grille (3) par
photolithogravure ;
- réalisation de trous (4) dans les lignes (14) de la grille (3), et de puits (17)
dans les couches d'isolement (16) et de conducteurs de cathode (13), et dépôt d'une
micropointe (2) au centre de chaque puits (17), sur une couche résistive (11).
7. Procédé de réalisation d'une cathode à micropointes selon la revendication 6, caractérisé
en ce que la première phase de réalisation de conducteurs de cathode (13) comprend
les étapes suivantes :
- dépôt pleine plaque d'une couche résistive (11) sur le substrat (10) ;
- dépôt pleine plaque d'une fine couche conductrice d'arrêt de gravure (19) ;
- dépôt pleine plaque d'une couche conductrice de conducteurs de cathode (13) ;
- oxydation électrolytique de la couche conductrice de conducteurs de cathode (13)
;
- gravure simultanée, de la couche de conducteurs de cathode (13) et de la couche
isolante auxiliaire (18) obtenue par ladite oxydation, selon un motif de colonnes
(15) ; et
- élimination de la couche d'arrêt de gravure (19) entre les colonnes (15) définies
par les conducteurs de cathode (13).
8. Procédé de réalisation d'une cathode à micropointes selon la revendication 6 ou 7,
caractérisé en ce que la deuxième phase de photolithogravure de motifs circulaires
(23) est réalisée en déposant une couche de résine (20) sur la couche de grille (3),
et en insolant cette couche de résine (20), postérieurement à un dépôt de microbilles
calibrées (22) opaques pour le rayonnement d'insolation.
9. Procédé de réalisation d'une cathode à micropointes selon la revendication 8, caractérisée
en ce qu'une étape de pré-insolation de la couche de résine (20) est effectuée, préalablement
à l'étape de dépôt des microbilles (22), par masquage (21) de lignes (14) de la grille
(3).
10. Procédé de réalisation d'une cathode à micropointes selon l'une quelconque des revendications
6 à 9, caractérisé en ce que la troisième phase de réalisation d'une grille (3) et
de micropointes (2) comprend les étapes suivantes :
- gravure anisotrope et simultanée de trous (4) dans la couche de grille (3) et d'ébauches
de puits (17) dans les couches d'isolement (16, 18) et de conducteurs de cathode (13)
;
- élargissement des puits (17) par une gravure isotrope ;
- dépôt de micropointes (2) au centre de chaque puits (17), sur la fine couche conductrice
d'arrêt de gravure (19) ;
- élimination de la couche d'arrêt de gravure (19) dans le fond des puits (17) autour
des micropointes (2).