(19)
(11) EP 0 715 237 A3

(12) EUROPÄISCHE PATENTANMELDUNG

(88) Veröffentlichungstag A3:
04.06.1997  Patentblatt  1997/23

(43) Veröffentlichungstag A2:
05.06.1996  Patentblatt  1996/23

(21) Anmeldenummer: 95118311.0

(22) Anmeldetag:  21.11.1995
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC)6: G05F 1/56
(84) Benannte Vertragsstaaten:
DE ES FR GB IT NL

(30) Priorität: 29.11.1994 DE 4442466

(71) Anmelder: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
D-80333 München (DE)

(72) Erfinder:
  • Feldtkeller, Martin, Dipl.-Ing.
    D-81543 München (DE)

   


(54) Schaltungsanordung zur Erzeugung einer geregelten Ausgangsspannung


(57) Eine Schaltungsanordnung zur Erzeugung einer geregelten Ausgangsspannung aus einer ungeregelten Eingangsspannung enthält einen mit seiner Laststrecke zwischen den Eingangs- und Ausgangsanschluß (1, 2) geschalteten MOS-Transistor (3). Der Ausgang eines Regelverstärkers (4) ist über eine Kapazität (8) mit dem Gateanschluß des MOS-Transistors (3) verbunden. Eine vom Regelverstärkerausgang invers angesteuerte Stromquelle (7) dient zur Entladung der Kapazität (8). Dadurch werden Schwankungen der geregelten Ausgangsspannung (VDD) dynamisch ausgeregelt. Eine vom Regelverstärkerausgang gleichsinnig angesteuert Ladungspumpe (5) sorgt für eine statische Ansteuerung des Gateanschlusses des MOS-Transistors (3). Die Schaltung kann monolithisch integriert werden. Sie weist eine geringe Verlustleistung und einen geringen Flächenverbrauch auf.






Recherchenbericht