[0001] Die vorliegende Erfindung betrifft eine Einrichtung zur Steuerung eines Elektromagneten
mit einem ortsfesten Kern, mit einer nach dem Einschalten vorübergehend stromdurchflossenen
Anzugswicklung und mit einer im Betriebszustand stromdurchflossenen Haltewicklung
und mit einem relativ zum Kern unter Veränderung eines Luftspaltes beweglichen Anker,
wobei eine mit der Anzugswicklung in Reihe geschaltete, magnetisch beeinflussbare
Schalteinrichtung die Stromversorgung der Anzugswicklung beim Verschwinden des Luftspaltes
unterbricht.
[0002] Aus der DE-A1-1921232 ist eine Einrichtung zur Steuerung eines Elektromagneten der
eingangs erwähnten Art bekannt. Der Elektromagnet ist mit einer Anzugswicklung und
mit einer Haltewicklung versehen. Zur Abschaltung der Anzugswicklung nach Verschwinden
des Luftspaltes zwischen dem Kern und dem Anker wird eine magnetisch beeinflussbare
Schalteinrichtung verwendet, die die Stromzufuhr zur Anzugswicklung bei angezogenem
Elektromagneten unterbricht. Die magnetisch beeinflussbare Schalteinrichtung nimmt
den Streufluss auf, der durch das Vorhandensein eines Luftspaltes zwischen dem Kern
und dem Anker des Elektromagneten entsteht. Die Schalteinrichtung enthält Zungenkontakte
aus einem magnetischen Material, von denen mindestens einer nachgiebig und geeignet
ist, von dem anderen Zungenkontakt angezogen zu werden, wenn ein magnetischer Fluss
die Kontakte umgibt. Dieser Elektromagnet weist beim Einschalten einen nicht vernachlässigbaren
Einschaltverzug auf, weil die an den Anschlussklemmen ständig angeschlossene und im
Einschaltmoment des Elektromagneten sofort stromdurchflossene Haltewicklung zuerst
das magnetische Streufeld aufbauen muss, um die auf das magnetische Streufeld ansprechende
Schalteinrichtung zu schliessen und dadurch die Anzugswicklung an der Speisespannung
anzuschliessen. Die auf das magnetische Streufeld ansprechende Schalteinrichtung ist
ausserdem auf magnetische Fremdfelder besonders empfindlich. Solche Fremdfelder können
vom Elektromagneten eines benachbarten Schützes oder von kurzschlusstromdurchflossenen,
benachbarten Leitungen stammen. Ein Fremdfeld kann die auf ein Magnetfeld ansprechende
Schalteinrichtung schliessen und die Anzugsspule ungewollt einschalten, wodurch im
schlimmsten Fall die Verbrennung der Anzugsspule verursacht werden kann. Im weiteren
bedarf diese auf ein Magnetfeld ansprechende Schalteinrichtung verhältnismässig viel
Platz, was zur Vergrösserung und Verteuerung des ganzen Elektromagneten führt. Noch
dazu weisen die mechanischen Kontakte eine durch Kontaktabbrand bedingte, verhältnismässig
kurze Lebensdauer auch auf.
[0003] Aus der DE-C2-2128651 ist eine weitere Einrichtung zur Steuerung eines Elektromagneten
mit einer Anzugswicklung und einer Haltewicklung bekannt. Bei dieser Einrichtung ist
eine Schaltelektronik vorgesehen, die nach Ablauf einer vorbestimmten Zeit die Anzugswicklung
abschaltet. Diese Einrichtung versagt mindestens dann, wenn der Elektromagnet aus
irgendeinem Grunde blockiert bleibt, oder die an den Wicklungen angelegte Spannung
von der vorgesehenen wesentlich abweicht.
[0004] Die DE-A1-3637133 beschreibt eine weitere Einrichtung zur Steuerung eines Elektromagneten.
Dieser Elektromagnet ist nur mit einer Wicklung versehen. Eine elektronische Schaltanordnung
verringert den Strom durch die einzige Wicklung bei geschlossenem Luftspalt des Elektromagneten.
Um die Schaltanordnung zu steuern, ist in der Nähe des Luftspaltes ein Halleffektsensor
angebracht, der mit der elektronischen Schaltanordnung über Kabel verbunden ist. Der
Halleffektsensor liefert vom Einschaltmoment an bis zum Schliessen des Luftspaltes
eine Spannung. Die zur Steuerung der elektronischen Schaltanordnung abgegebene Spannung
ist stark abhängig vom Einbauort des Halleffektsensors, deshalb muss der Halleffektsensor
in Bezug auf den Kern und auf den Anker genau positioniert sein. Im weiteren ist ein
Halleffektsensor durch magnetische Fremdfelder stark beeinflussbar. So kann ein magnetisches
Fremdfeld den durch die Wicklung des Elektromagneten fliessenden Strom verkleinern
oder vergrössern, wobei die Haltekraft des Elektromagneten bis zur ungewollten Trennung
des Ankers vom Kern abnehmen kann. Ein weiterer Nachteil ist bei dieser Anordnung,
dass die elktronische Schaltanordnung eine verhältnismässig hohe Verlustleistung abgibt,
weil der durch die Wicklung betriebsmässig fliessende Haltestrom ständig auch durch
die elektronische Schaltanordnung fliessen muss. Die notwendige Speisung des Halleffektsensors
wirkt sich auch nachteilig aus.
[0005] Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Einrichtung der eingangs erwähnten
Art zur Steuerung eines Elekrtomagneten zu entwickeln, die eine verhältnismässig hohe
Lebensdauer aufweist, in einem elektromagnetischen Schaltgerät platzsparend untergebracht
werden kann, bei allen vorkommenden Betriebsverhältnissen zuverlässig funktioniert,
auf magnetische Fremdfelder weitgehend unempfindlich ist, eine verhältnismässig kleine
Verlustleistung abgibt und wirtschaftlich vorteilhaft ist.
[0006] Die gestellte Aufgabe ist dadurch gelöst, dass die magnetisch beeinflussbare Schalteinrichtung
eine mindestens beim offenen Luftspalt mit mindestens einem Teil des Magnetfeldes
des Elektromagneten gekoppelte, mindestens eine Windung aufweisende Sensorspule enthält,
die mit der darin im Moment der Luftspaltschliessung induzierten Spannungsspitze über
eine elektronische Schaltanordnung einen mit der Anzugswicklung in Reihe geschalteten,
steuerbaren Halbleiter hochohmig schaltet. Diese Einrichtung weist keine mechanisch
bewegten Teile auf, die Lebensdauer ist daher verhältnismässig lang. Die Anordnung
ist auch platzsparend, weil sowohl die Sensorspule als auch der steuerbare Halbleiter
mit den dazugehörenden weiteren Schaltungselementen verhältnisässig klein sind. Die
magnetisch beeinflussbare Schalteinrichtung ist auf magnetische Fremdfelder auch weitgehend
unempfindlich, weil sie nicht auf das Verschwinden eines im Luftspaltbereich bis zum
Schliessen des Elektromagneten bestehenden magnetischen Streufeldes, sondern auf die
beim Schliessen des Luftspaltes entstehende, sehr steile Aenderung des magnetischen
Flusses im Elektromagneten und auf die in diesem Moment in der Sensorspule induzierte
deutliche Spannungsspitze anspricht. Diese magnetisch beeinflussbare Schlteinrichtung
nützt die Tatsache aus, dass im Schliessmoment des Luftspaltes eines Elektromagneten
eine sehr steile Aenderung des magnetischen Flusses auftritt. Die in diesem Moment
in der Sensorspule induzierte Spannungsspitze ist wesentlich höher als die durch eine
allfällige Wechselstromerregung oder durch ein anderes Fremdfeld induzierte Spannung.
Diese Schalteinrichtung funktioniert auch bei allen vorkommenden Betriebsverhältnissen,
wie bei zu niedriger oder zu hoher angelegter Spulenspannung, weil sie nur im tatsächlichen
Schliessmomnet des Elektromagneten anspricht. Nachdem der Stromkreis der Anzugsspule
beim angezogenen Elektromagneten hochohmig geschaltet ist, ist die Verlustleistung
der Schalteinrichtung auch vernachlässigbar klein. Die aus verhältnismässig wenig
Schaltungselementen gebildete Einrichtung zur Steuerung eines Elektromagneten ist
auch wirtschaftlich vorteilhaft.
[0007] Die Sensorspule kann aus mindestens einer an einer beliebigen Stelle um den Kern
und/oder um den Anker gelegten Windung gebildet sein. Beim Schliessen des Lusftspaltes
zwischen dem Kern und dem Anker wird in der an einer beliebigen Stelle des Kernes
und/oder des Ankers gelegten Windung eine Spannungsspitze induziert, die die Umschaltung
des steuerbaren Halbleiters auf die hochohmige Stellung mit Sicherheit bewirkt und
so die Abschaltung der Anzugswicklung sicherstellt.
[0008] Die Sensorspule ist vorteilhafterweise im Bereich des Luftspaltes neben dem Kern
und/oder dem Anker angeordnet und mit dem Streufeld des Elektromagneten um den Luftspalt
gekoppelt. Die im Streufeld des Elektromagneten im Bereich des Luftspaltes angebrachte
Sensorspule gibt eine induzierte Spannungsspitze im Moment des Schliessens des Luftspaltes
ab. Diese eindeutige Spannungsspitze bringt den steuerbaren Halbleiter eindeutig in
die hochohmige Stellung. Die Anzugswicklung erhält über den hochohmig gewordenen Halbleiter
praktisch keinen Strom mehr, wonach nur noch die Haltewicklung stromversorgt und wirksam
bleibt.
[0009] Die magnetisch beeinflussbare Schalteinrichtung ist mit Vorteil als eine einstückige
Einheit ausgebildet. Diese Lösung ist besonders vorteilhaft, weil die einstückige
Einheit insbesondere im Luftspaltbereich sehr einfach untergebracht werden kann und
diese mit der Anzugsspule in Reihe zu schaltende Einheit sowohl Sensor- als auch Schaltungselemte
enthält. Ohne jegliche Positionierungsarbeit sichert diese Anordnung eine sichere
Hochohmigschaltung des steuerbarbaren Halbleiters. Diese magnetisch beeinflussbare
Schalteinrichtung ist mit Vorteil im luftspaltseitigen Flansch des Spulenkörpers der
Anzugs- und Haltewicklungen eingebaut. Die Unterbringung der magnetisch beeinflussbaren
Schalteinrichtung mit der Sensorspule im luftspaltseitigen Flansch des Spulenkörpers
der Anzugs und Haltewicklungen ist eine besonders vorteilhafte Lösung, weil der luftspaltsetige
Flansch des Spulenkörpers in der Regel direkt im Luftspaltbereich liegt, so dass die
das Streufeld um den Luftspalt erfassende Sensorspule keine besondere Positionierungsmassnahmen
bedarf.
[0010] Die magnetisch beeinflussbare Schalteinrichtung kann mit einer eine Anzugszeitbegrenzung
bewirkenden Schaltanordnung ausgerüstet sein, die bei nichtbetriebsmässigem Verhalten
des Ankers die Stromversorgung der Anzugswicklung nach Ablauf einer vorbestimmten
Begrenzungszeit unterbricht. Um die Anzugszeit Z.B. auch beim in der Offenstellung
blockierten Elektromagneten zu begrenzen, ist diese Schaltungsanordnung vorgesehen,
wobei eine allfällige Verbrennung der Anzugswicklung verhindert wird.
[0011] Die magnetisch beeinflussbare Schalteinrichtung kann eine das die Anzugswicklung
ein- und ausschaltende Halbleiter-Schaltelement steuernde Kippstufe enthalten, die
direkt durch die Sensorspule gesteuert ist. Die einfach aufgebaute Kippstufe bietet
eine vorteilhafte Lösung zur Steuerung des steuerbaren Halbleiters.
[0012] Im folgenden wird anhand der beiliegenden Zeichnungen ein Ausführungsbeispiel der
Erfindung näher beschrieben. Es zeigen:
- Fig.1
- das Schaltschema einer Halte- und Anzugswicklung mit einer magnetisch beeinflussbaren
Schalteinrichtung,
- Fig.2
- das Schaltschema der magnetisch beeinflussbaren Schalteinrichtung mit der Anzugswicklung,
- Fig.3
- eine schematische Darstellung einer Sensorspule um den Eisenkern,
- Fig.4
- eine schematische Darstellung einer im Bereich des Luftspaltes eines Elektromagneten
untergebrachten Sensorspule und
- Fig.5
- einen schematischen Querschnitt des Elektromagneten mit Wicklungen und Spulenkörper.
[0013] Wie Fig.1 zeigt, sind eine Anzugswicklung 1 und eine Haltewicklung 2 eines nicht
näher dargestellten elektromagnetischen Schaltgerätes an den Spulenanschlussklemmen
3, 4 parallelgeschaltet. Zwischen den Klemmen 4 und 6 liegt eine mit der Anzugswicklung
1 in Reihe geschaltete, magnetisch beeinflussbare Schalteinrichtung 5 zur Steuerung
der Stromversorgung der Anzugswicklung 1. Der durch die Anzugs- und Haltewicklungsn
1, 2 erregbare Elektromagnet enthält einen ortsfesten Kern 7 (Fig.3, 4 und 5) und
einen relativ zum Kern 7 unter Veränderung des dazwischenliegenden Luftspaltes beweglichen
Anker 8.
[0014] Aus Fig.2 ist das Schaltschema der zwischen den in Fig.1 gezeigten Klemmen 4 und
6 vorhandenen, magnetisch beeinflussbaren Schalteinrichtung 5 ersichtlich. Zwischen
den Klemmen 4 und 6 ist ein Transil 9 als Ueberspannungsschutz vorhanden. Hinter der
Eingangsklemme 6 ist eine Diode 10 als Verpolungsschutz für die hier gezeigte Gleichstromvariante
der Schalteinrichtung 5 vorgesehen. Zwischen den mit der Anzugswicklung 1 in Reihe
liegenden Klemmen 4 und 6 sind ein steuerbarer Halbleite, in diesem Ausführungsbeispiel
ein MOS-FET 11, ein über eine Diode 12 angeschlossene Speisungskondensator 13, sowie
ein über einen Ladewiderstand 14 angeschlossener Sperrkondensator 15 parallel geschaltet.
An den Klemmen des Speisungskondensators 13 sind über einen Einschaltladewiderstand
16 die Gate-Klemme 17 und die Source-Klemme 18 des MOS-FET 11, eine Gate-Source-Kondensator
19, eine Zener-Diode 20 und ein npn-Transistor 21 parallelgeschaltet. Eine Sensorspule
22 ist über eine Diode 23 mit der Basis des npn-Transistors 21 verbunden. Die Basis
des npn-Transistors 21 ist einerseits über einen für die Sensorspule 22 bestimmten
Lastwiderstand 24 mit dem Emitter dieses Transistors 21 und anderseits über einen
Widerstand 25 mit der Klemme des Sperrkondensators 15 verbunden.
[0015] Diese in Fig.2 anhand des Schaltschemas gezeigte, magnetisch beeinflussbare Schalteinrichtung
5 funktioniert wie folgt. Beim Einschalten des Schützes wird die Spulenspannung an
den Spulenanschlussklemmen 3, 4 angelegt. Die volle Spulenspannung erscheint dabei
an den offenen Klemmen 4, 6 der Schalteinrichtung 5. Der Speisungskondensator 13 wird
über die Diode 12 mit einer Zeitkonstante von T
s auf die volle Spannung aufgeladen. Der Gate-Source-Kondensator 19 wird über den Einschaltladewiderstand
16 mit einer Einschaltzeitkonstante T
e aufgeladen. Nach Ablauf von mindestens einer Einschaltzeitkonstante T
e schaltet der MOS-FET 11 durch und wird niederohmig. In diesem Moment fliesst der
Strom über den MOS-FET 11 zur Anzugswicklung 1, der Schützmagnet wird erregt, der
Anker 8 bewegt sich unter Verminderung des Luftspaltes in Richtung Kern 7. Zum Zeitpunkt
des Auftreffens des Ankers 8 auf den Kern 7 verschwindet der dazwischen gelegene Luftspalt.
Dies führt zu einer sehr steilen Aenderung des magnetischen Flusses im Kern 7 und
im Anker 8, so dass in einer um den Kern 7 angebrachten Sensorspule 22 (Fig.3) eine
Sensorspannung induziert wird. Die Sensorspule 22 muss nicht um den Kern 7 gewickelt
sein, sie kann auch im Bereich des Luftspaltes, neben dem Kern 7 und dem Anker 8 liegen,
wie in Fig.4 schematisch angedeutet ist. Beim sehr raschen Verschwinden des Streuflusses
im Luftspaltbereich wird in der Sensorspule 22 eine spitzenförmige Sensorspannung
mit sehr steilen Flanken induziert. Die Sensorspannung wird über die Diode 23 der
Basis des npn-Transistors 21 zugeführt, wodurch im npn-Transistor 21 ein Basisstrom
auftritt. Ueber den Widerstand 25 wird durch die Sensorspannung auch der Sperrkondensator
15 mindestens teilweise aufgeladen, wodurch nach Verschwinden der Sensorspannung der
npn-Transistor 21 leitend bleibt, bis die weitere Aufladung des Sperrkondensators
15 über den Ladewiderstand 14 erfolgt ist. Der npn-Transistor 21 wird also leitend,
sobald die Sensorspannung der Basis zugeführt ist und entlädt den Gate-Source-Kondensator
19, worauf der MOS-FET 11 hochohmig wird. Somit ist der Strom über die Anzugswicklung
1 unterbrochen, der Schützmagnet wird nur noch durch die an den Spulenanschlussklemmen
3, 4 direkt angeschlossene Haltewicklung 2 in der angezogenen Stellung gehalten.
[0016] Sobald der MOS-FET 11 hochohmig geworden ist, wird der Sperrkondensator 15 über den
Ladewiderstand 14 mit einer Zeitkonstante von T
v aufgeladen, wonach der npn-Transistor 21 über den Widerstand 25 weiterhin mit Basisstrom
versorgt bleibt. Der npn-Transistor 21 bleibt somit nach Verschwinden der Sensorspannung
leitend und verhindert, dass der MOS-FET 11 wieder niederohmig wird. Die durch den
Widerstand 14 und den Sperrkondensator 15 gegebene Zeitkonstante T
v ist wesentlich grösser gewählt als die durch den Einschaltladewiderstand 16 und durch
den Gate-Source-Kondensator 19 gegebene Einschaltzeitkonstante T
e, wodurch verhindert wird, dass der npn-Transistor 21 während der Einschaltzeit leitend
wird.
[0017] Sollte der Anker 8 des elektromagnetischen Schaltgerätes aus irgendeinem Grunde blockiert
und unbeweglich sein, so dass ein Einschalten des Gerätes nicht möglich ist, verläuft
das Einschalten wie vorher beschrieben bis zum Moment, wo die Sensorspule 22 wegen
Verschwinden des Luftspaltes eine Sensorspannung abgeben sollte. Weil in diesem Fall
der Anker 8 blockiert ist, kann der Luftspalt trotz erregter Anzugsspule 1 nicht verschwinden.
In diesem Fall wird der Gate-Source-Kondensator 19 über die Zener-Diode 20, über den
npn-Transistor 21 und über den MOS-FET 11 durch Leckströme mit einer Zeitkonstante
von T
n teilweise entladen. Sobald die Spannung an der Gate-Klemme 17 des MOS-FET 11 unter
den Schwellenwert abgesunken ist, wird der MOS-FET 11 wieder hochohmig, wonach der
Stromzufuhr zur Anzugswicklung 1 unterbrochen wird. Durch den Spannungsanstieg an
der Drain-Klemme 26 des MOS-FET 11 wird der Sperrkondensator 15 über den Ladewiderstand
14 aufgeladen. Dadurch wird der npn-Transistor 21 über den Widerstand 25 mit Basisstrom
versorgt und wird leitend. Ueber den leitend gewordenen npn-Transisitor 21 entlädt
sich der Gate-Source-Kondensator 19 vollständig.
[0018] Beim Ausschalten des Schützes wird die Spannung an den Spulenanschlussklemmen 3,
4 unterbrochen. Die Ladung des Speisungskondensators 13 fliesst über den Einschaltladewiderstand
16 und über den npn-Transistor 21 ab. Während dieser Zeit erhält der npn-Transistor
21 den Basisstrom vom Sperrkondensator 15 über den Widerstand 25, so dass er für die
Entladung des Speisungskondensators 13 leitend bleibt.
[0019] Beim vorangehend beschriebenen Ausführungsbeispiel handelte es sich um einen gleichstromerregten
Elektromagneten. Bei Wechselstromerregung schliesst man vorteilhafterweise vor den
Klemmen 4 und 6 der Schalteinrichtung 5 einen Gleichrichter an. Die Sensorspule 22
gibt bei dieser Anordnung nach dem Einschalten des Elektromagneten eine der Frequenz
des Wechselstromes entsprechend induzierte Wechselspannung ab. Diese induzierte Wechselspannung
ist aber wesentlich kleiner als die durch die beim Schliessen des Luftspaltes durch
die steile Flussänderung induzierte Spannungsspitze, so dass die vor dem Schliessen
des Luftspaltes induzierte Wechselspannung als "Rauschen" vernachlässigt werden kann.
Der durch die induzierte Wechselspannung verursachte Basisstrom reicht nicht aus,
um den npn-Transistor 21 leitend zu machen.
[0020] Die magnetisch beeinflussbare Schalteinrichtung 5 mit der Sensorspule 22 ist vorteilhafterweise
als eine einstückige Einheit, in Form einer gedruckten Schaltplatte 26 ausgebildet.
Diese Schaltplatte 26 ist wie Fig.5 zeigt, im luftspaltseitigen Flansch des Spulenkörpers
27 der Anzugs- und Haltewicklungen 1, 2 eingebaut. Die in die Schaltungsplatte 26
integrierte Sensorspule 22 liegt so automatisch im Luftspaltbereich und erfasst dort
den Streufluss.
1. Einrichtung zur Steuerung eines Elektromagneten mit einem ortsfesten Kern, mit einer
nach dem Einschalten vorübergehend stromdurchflossenen Anzugswicklung und mit einer
im Betriebszustand stromdurchflossenen Haltewicklung und mit einem relativ zum Kern
unter Veränderung eines Luftspaltes beweglichen Anker, wobei eine mit der Anzugswicklung
in Reihe geschaltete, magnetisch beeinflussbare Schalteinrichtung die Stromversorgung
der Anzugswicklung beim Verschwinden des Luftspaltes unterbricht, dadurch gekennzeichnet, dass die magnetisch beeinflussbare Schalteinrichtung (5) eine mindestens beim offenen
Luftspalt mit mindestens einem Teil des Magnetfeldes des Elektromagneten gekoppelte,
mindestens eine Windung aufweisende Sensorspule (22) enthält, die mit der darin im
Moment der Luftspaltschliessung induzierten Spannungsspitze über eine elektronische
Schaltanordnung einen mit der Anzugswicklung (1) in Reihe geschalteten, steuerbaren
Halbleiter (11) hochohmig schaltet.
2. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Sensorspule (22) aus mindestens einer an einer beliebigen Stelle um den Kern
(7) und/oder um den Anker (8) gelegten Windung gebildet ist.
3. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Sensorspule (22) im Bereich des Luftspaltes neben dem Kern (7) und/oder dem Anker
(8) angeordnet und mit dem Streufeld des Elektromagneten um den Luftspalt gekoppelt
ist.
4. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die magnetisch beeinflussbare Schalteinrichtung (5) als eine einstückige Einheit
ausgebildet ist.
5. Einrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die magnetisch beeinflussbare Schalteinrichtung (5) im luftspaltseitigen Flansch
des Spulenkörpers (27) der Anzugs- und Haltewicklungen (1, 2) eingebaut ist.
6. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die magnetisch beeinflussbare Schalteinrichtung (5) mit einer eine Anzugszeitbegrenzung
bewirkenden Schaltanordnung (11, 19, 20, 21) ausgerüstet ist, die bei nichtbetriebsmässigem
Verhalten des Ankers (8) die Stronversorgung der Anzugswicklung (1) nach Ablauf einer
vorbestimmten Begrenzungszeit unterbricht.
7. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die magnetisch beeinflussbare Schalteinrichtung (5) eine das die Anzugwicklung (1)
ein- und ausschaltende Halbleiter-Schaltelement (11) steuernde Kippstufe (19, 21)
enthält, die direkt durch die Sensorspule (22) gesteuert ist.