Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines Biaspotentials.

Bisher lagen Versorgungsspannungen für integrierte Logikschaltungen meist im Bereich um 5 Volt. So benötigen CMOS-Schaltungen und TTL-Schaltungen beispielsweise 5,0 Volt und ECL-Schaltungen entweder 4,5 Volt oder 5,2 Volt. Moderne CMOS-Bausteine benötigen dagegen nur noch 3,3 Volt als Versorgungsspannung und werden in Zukunft die bisherigen Schaltungen mit einer Versorgungsspannung von 5 Volt ersetzen. Es ist daher wünschenswert, auch künftige bipolare Schaltungen ebenfalls mit einer Versorgungsspannung von 3,3 Volt betreiben zu können. Noch günstiger ist es, wenn die bipolaren Schaltungen beispielsweise in einem Spannungsbereich von 3 bis 6 Volt ohne Änderung der Beschaltung einsetzbar wären, da damit die Schaltung an jede gerade zur Verfügung stehende Spannungsquelle angeschlossen werden kann.

Zu diesem Zweck sind Biaspotentiale notwendig, die einen Einfluß der Versorgungsspannung auf die Funktion der Schaltung verhindern. Die Biaspotentiale sollten im Hinblick auf die Anwendung in einer bipolaren Schaltung ebenfalls in bipolarer Schaltungstechnik erzeugt werden. Mit einem derart von der Versorgungsspannung unabhängigen Biaspotential ließen sich sowohl digitale als auch analoge Schaltungen realisieren, die bei höheren ebenso wie bei niedrigeren Versorgungsspannungen betrieben werden können.

Aufgabe der Erfindung ist es, eine Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines von der Versorgungsspannung unabhängigen Biaspotentials anzugeben, die auch bei niedrigen Versorgungsspannungen betrieben werden kann.

Die Aufgabe wird gelöst durch eine Schaltungsanordnung gemäß Patentanspruch 1. Ausgestaltungen und Weiterbildungen des Erfindungsgedankens sind Gegenstand von Unteransprüchen.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand der in den Figuren der Zeichnung dargestellten Ausführungs- und Anwendungsbeispiele näher erläutert. Es zeigt:

Figur 1

ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung,

Figur 2

eine Anwendung der Schaltungsanordnung nach Figur 1 bei einer Logikschaltung,

Figur 3

eine Anwendung der Schaltungsanordnung nach Figur 1 bei einer Treiberschaltung und

Figur 4

die Anwendung der Schaltungsanordnung nach Figur 1 bei einer Verstärkerschaltung.

Bei der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung nach Figur 1 ist ein Transistor 2 vorgesehen, dessen Kollektor an ein Versorgungspotential 1 angeschlossen ist. Zwischen Basis und Kollektor des Transistors 2 ist ein Widerstand 3 geschaltet. Die Basis des Transistors 2 ist zudem über eine Stromquelle 5 an ein Bezugspotential 4 angeschlossen. Eine Stromquelle 6 ist zwischen den Emitter des Transistors 2 und das Bezugspotential 4 geschaltet. Ein Transistor 7, dessen Kollektor an das Versorgungspotential 1 angeschlossen ist, ist basisseitig mit dem Emitter des Transistors 2 verbunden. Der Emitter des Transistors 7 ist über eine Stromquelle 8 mit dem Bezugspotential 4 gekoppelt. Weiterhin ist ein Transistor 9 vorgesehen, dessen Basis über einen Widerstand 10 mit dem Emitter des Transistors 7 und dessen Emitter über einen Widerstand 11 mit dem Versorgungspotential 1 verbunden ist. Die Basis des Transistors 9 ist zudem über einen Widerstand 27 sowie eine seriell dazu in Reihe geschaltete Diode 12 in Durchlaßrichtung mit dem Bezugspotential 4 gekoppelt. Der Transistor 9 weist zwei Emitter auf, die jeweils über einen Widerstand 13 bzw. 13' an das Bezugspotential 4 angeschlossen sind. Die Widerstände 10, 11, 13, 13' und 27 haben alle den gleichen Widerstandswert. Alternativ können die beiden Widerstände 13 und 13' auch durch einen einzigen Widerstand mit einem demgegenüber halben Widerstandswert ersetzt werden, wenn der Transistor 9 nur einen Emitter aufweist. Jedoch ist die Ausgestaltung mit zwei Emittern und den zugehörigen Widerständen günstiger hinsichtlich Exemplarstreuungen. In dem Fall weisen alle die Widerstände 10, 11, 13, 13' den gleichen Widerstandswert auf, was in integrierter Schaltungstechnik wesentlich einfacher und genauer zu realisieren ist als bestimmte Widerstandsverhältnisse. Der Widerstand 27 kann ebenfalls den gleichen Widerstandswert aufweisen, kann aber unter Umständen auch zur Anpassung der Diode 12 an die Basis-Emitter-Strecke des Transistors 9 verändert werden und gegebenenfalls ganz entfallen.

Die Stromquelle 6, deren Strom von der zwischen dem Bezugspotential 4 und dem Versorgungspotential 1 auftretenden Versorgungsspannung abhängig ist, weist bei einer Weiterbildung der Erfindung einen Transistor 14 auf, dessen Emitter mit dem Bezugspotential 4 und dessen Kollektor mit dem Emitter des Transistors 2 verbunden ist. An die Basis des Transistors 14 ist zum einen der Emitter eines Transistors 15, dessen Kollektor mit dem Versorgungspotential 1 verbunden ist, und zum anderen der Kollektor eines Transistors 16, dessen Emitter mit dem Bezugspotential 4 verbunden ist, angeschlossen. Die Basis des Transistors 15 ist einerseits über die Reihenschaltung zweier Dioden 17 und 18 in Durchlaßrichtung mit dem Bezugspotential 4 gekoppelt und andererseits über einen Widerstand 20 an ein Hilfspotential 19 angeschlossen. Schließlich ist die Basis des Transistors 16 mit dem Anschluß der Diode 12 verbunden, der dem Bezugspotential 4 abgewandt ist.

Wie die Stromquelle 6 ist auch die Stromquelle 8 -allerdings in unterschiedlicher Weise- von der Versorgungsspannung abhängig. Die Stromquelle 8 enthält in Weiterbildung der Erfindung einen Transistor 21, bei dem zwischen Kollektor und Emitter eine Diode 22 in Durchlaßrichtung geschaltet ist, wobei der Emitter des Transistors 21 an das Bezugspotential 4 und der Kollektor unter Zwischenschaltung eines Widerstandes 23 an das Hilfspotential 19 angeschlossen ist. Mit dem Kollektor des Transistors 21 ist zudem die Basis eines Transistors 24 verbunden, dessen Emitter mit dem Bezugspotential 4 und dessen Kollektor mit dem Emitter des Transistors 7 verschaltet ist. Die Basis des Transistors 21 ist in gleicher Weise wie die Basis des Transistors 16 an dem dem Bezugspotential 4 abgewandten Anschluß der Diode 12 angeschlossen.

Zur Erzeugung des Hilfspotentials 19 ist ein Transistor 26 vorgesehen, an dessen Emitter das Hilfspotential 19 abgreifbar ist. Die Basis des Transistors 26, dessen Kollektor an das Versorgungspotentials 1 angeschlossen ist, ist mit dem ein Biaspotential 25 führenden Kollektor des Transistors 9 verbunden.

Bevorzugt wird die Stromquelle 5 als Bandgap-Stromquelle ausgeführt. Diese besteht beim Ausführungsbeispiel aus einem Transistor 31, dessen Emitter mit dem Bezugspotential 4 und dessen Kollektor unter Zwischenschaltung einer Diode 29 in Durchlaßrichtung mit der Basis eines Transistors 30 verbunden ist. Die Basis des Transistors 30, dessen Kollektor mit der Basis des Transistors 2 verbunden ist, ist zudem über einen Widerstand 28 an das Versorgungspotential 1 angeschlossen. Der Emitter des Transistors 30 ist mit dem Kollektor eines mehrere, beispielsweise zwei miteinander gekoppelte Emitter aufweisenden Transistors 32 verschaltet, wobei die beiden miteinander gekoppelten Emitter des Transistors 32 über einen Widerstand 33 an das Bezugspotential 4 angeschlossen sind. Die Basen der Transistoren 31 und 32 sind dabei mit dem Kollektor des jeweils anderen Transistors verbunden.

Zur Erzeugung eines von der Versorgungsspannung unabhängigen Biaspotentials 25 wird erfindungsgemäß ein von der Differenz des Versorgungspotentials 1 und des gewünschten Biaspotentials 25 abhängiger Strom gebildet, der den an das Versorgungspotential 1 angeschlossenen Widerstand 11 speisen soll. Der Wert I dieses Stroms, der durch den Kollektorstrom des Transistors 9 gegeben ist, ergibt sich aus dem Wert V des Versorgungspotentials 1 und den gewünschten Wert U des Biaspotentials 25 bei einem Widerstandswert R des Widerstands 11 wie folgt:$$\text{I = (V-U)/R.}$$ Der gewünschte Wert U für das Biaspotential 25 liegt dabei beispielsweise im Bereich um 3 Volt. Die Stromquelle 5 als Bandgap-Stromquelle liefert einen Strom mit positivem Temperaturgang. Dadurch wird zusammen mit der Basis-Emitter-Strecke des Transistors 2 zwischen dem Versorgungspotential 1 und dem Emitter des Transistors 2 eine temperaturunabhängige Bandgap-Spannung von etwa 1,2 Volt gebildet. Die nachfolgenden Transistoren 7 und 9 fügen dem zwei Basis-Emitter-Strecken von etwa 0,9 Volt hinzu, so daß in etwa 3 Volt erreicht werden. Da aber die Transistoren 7 und 9 je nach Versorgungsspannung einen unterschiedlichen Kollektorstrom führen, muß folglich die Wirkung der Versorgungsspannung auf diese Ströme noch eliminiert werden.

Der gewünschte Wert U des Biaspotentials ergibt sich aus dem Wert I₅ der Stromquelle 5, dem Wert R₃ des Widerstands 3, der Thermospannung U_T, dem Wert I₆ des von der Stromquelle 6 abgegebenen Stroms, dem Wert I₈ des von der Stromquelle 8 abgegebenen Stroms, dem Wert I_S des Transistorsperrstroms sowie den Wert I des als Ausgangsstrom vorgesehenen Kollektorstroms des Transistors 9:$${\text{U = I}}_{\text{5}}{\text{R}}_{\text{3}}{\text{+U}}_{\text{T}}\text{ln}\frac{{\mathit{\text{I}}}_{\text{6}}\text{(}{\mathit{\text{I}}}_{\text{8}}\text{+}\mathit{\text{I}}\text{/2)·}\mathit{\text{I}}}{\text{2}{\mathit{\text{I}}}_{\mathit{\text{S}}}{\text{}}^{\text{3}}}\text{.}$$

Bei einem konstanten Wert I₆ und einem Wert I₈ = 0 ist der Wert I abhängig von dem Wert V und damit auch von dem Wert U. Wählt man nun$$\begin{array}{c}\begin{array}{c}{\text{I}}_{\text{6}}{\text{= 2I}}_{\text{K}}{}^{\text{2}}\text{/I und}\\ {\text{I}}_{\text{8}}{\text{= I}}_{\text{K}}\text{-I/2,}\end{array}\end{array}$$ wobei I_K ein konstanter Wert ist, so wird$${\text{U = I}}_{\text{5}}{\text{R}}_{\text{3}}{\text{+3U}}_{\text{T}}{\text{ln(I}}_{\text{K}}{\text{/I}}_{\text{S}}\text{)}$$ und damit unabhängig von dem Wert V.

Die Anwendung einer erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung bei einer Logikschaltung, insbesondere einem Speicherelement, ist in Figur 2 dargestellt. Das von der Schaltungsanordnung 34 nach Figur 1 erzeugte Biaspotential 25 wird dabei an die Basis eines Transistors 35 angelegt, dessen Kollektor mit dem Versorgungspotential 1 und dessen Emitter unter Zwischenschaltung eines Widerstandes 36 an das Bezugspotential 4 angeschlossen ist. An dem Emitter des Transistors 35 ist die Basis eines Transistors 37 angeschlossen, dessen Kollektor mit dem Versorgungspotential 1 und dessen Emitter über einen Widerstand 38 mit dem Bezugspotential verbunden ist. An dem Widerstand 38 fällt eine Spannung ab, die gleich der Spannung zwischen Kollektor und Emitter des Transistors 2 aus Figur 1 ist. An den Emitter des Transistors 37 ist die Basis eines Transistors 39 angeschlossen, dessen Emitter unter Zwischenschaltung eines Widerstandes 40 mit dem Bezugspotential 4 gekoppelt ist. Der Kollektor des Transistors 39 ist mit den Emittern zweier Transistoren 41 und 42 verbunden, an deren Basen ein Taktsignal 43 bzw. ein invertiertes Taktsignal $\overline{\text{43}}$ angelegt sind. Der Kollektor des Transistors 41 ist mit den Emittern zweier Transistoren 44 und 45 verbunden, an deren Basen ein Datensignal 46 bzw. ein invertiertes Datensignal $\overline{\text{46}}$ angelegt sind. Der Kollektor des Transistors 42 ist in gleicher Weise mit den Emittern zweier Transistoren 47 und 48 verbunden, wobei die Basis des Transistors 47 mit dem Kollektor des Transistors 45 und die Basis des Transistors 48 mit dem Kollektor des Transistors 44 verschaltet ist. Außerdem sind die Kollektoren der Transistoren 44 und 47 ein invertiertes Ausgangssignal $\overline{\text{49}}$ führend miteinander sowie unter Zwischenschaltung eines Widerstands 50 mit dem Versorgungspotential 1 gekoppelt. Ebenso sind die Kollektoren der Transistoren 45 und 48 ein Ausgangssignal 49 führend miteinander verschaltet und über einen Widerstand 51 an das Versorgungspotential 1 angeschlossen.

Die Anwendung der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung 34 aus Figur 1 bei einer Treiberschaltung ist in Figur 3 dargestellt. Das von der Schaltungsanordnung 34 erzeugte Biaspotential 25 wird dabei an die Basis eines Transistors 52, dessen Kollektor mit dem Versorgungspotential 1 verbunden ist, angelegt. Der Emitter des Transistors 52 ist zum einen über einen Widerstand 53 mit der einen Signaleingang 54 bildenden Basis eines Transistors 55 und zum anderen über einen Widerstand 56 mit der einen invertierenden Signaleingang 57 bildenden Basis eines Transistors 58 verbunden. Die Emitter der Transistoren 55 und 58, deren Kollektoren an das Versorgungspotential 1 angeschlossen sind, sind unter Zwischenschaltung jeweils eines Widerstandes 59 bzw. 60 mit dem Bezugspotential 4 gekoppelt. An die Emitter der Transistoren 55 und 58 ist die Basis jeweils eines Transistors 61 bzw. 62 angeschlossen, deren Emitter miteinander gekoppelt und über einen Widerstand 63 mit dem Bezugspotential 4 verbunden sind. Die Kollektoren der Transistoren 61 und 62 sind ein Ausgangssignal 64 bzw. ein invertierendes Ausgangssignal $\overline{\text{64}}$ führend über jeweils einen Widerstand 65 bzw. 66 an das Versorgungspotential 1 angeschlossen.

Figur 4 zeigt die Anwendung einer erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung 34 bei einem linearen Verstärker. Das von der Schaltungsanordnung 34 erzeugte Biaspotential 25 wird dabei der Basis eines Transistors 67 sowie dem Kollektor eines Transistors 68 zugeführt. Die Basis des Transistors 68, dessen Emitter an das Bezugspotential 4 angeschlossen ist, bildet einen Signaleingang 69. Die Basis des Transistors 68 ist darüber hinaus zum Zwecke der Rückkopplung über eine Reihenschaltung zweier Widerstände 70 und 71 mit dem Emitter des kollektorseitig an das Versorgungspotential 1 angeschlossenen Transistors 67 gekoppelt. Der Abgriff zwischen den beiden Widerständen 70 und 71 ist über einen Kondensator 74 gegen das Bezugspotential 4 geführt. Schließlich ist ein Widerstand 72 zwischen den einen Ausgang 73 bildenden Emitter des Transistors 67 und das Bezugspotential 4 geschaltet. Die Verstärkung der Verstärkerschaltung ergibt sich dabei aus dem Verhältnis der über der Laststrecke des Transistors 2 Figur 1 abfallenden Spannung zur Thermospannung.

Sowohl bei dem Ausführungsbeispiel nach Figur 1 als auch bei dem Anwendungsbeispielen der Figuren 2 bis 4 werden ausschließlich npn-Transistoren verwendet, so daß in dem Fall das Versorgungspotential 1 positiv und das Bezugspotential 4 negativ ist. Eine Realisierung mit ausschließlich pnp-Transistoren oder gemischt mit npn- und pnp-Transistoren ist jedoch ebenfalls möglich. Die gezeigten Schaltungen arbeiten in einem Spannungsbereich von 3 Volt bis 6 Volt und weisen dabei mit gleichbleibenden Eigenschaften auf.