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(11) | EP 0 786 843 A1 |
| (12) | DEMANDE DE BREVET EUROPEEN |
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| (54) | Composant d'émission laser multilongueur d'onde |
| (57) Composant d'émission laser multi-longueur d'onde présentant une pluralité de sources
d'émission laser (S1, S2,..., Sn) à réseau de Bragg, caractérisé en ce que les réseaux de Bragg desdites sources correspondent
à un réseau de diffraction (R) commun aux différentes sources (S1, S2,..., Sn), dont le pas varie de façon continue d'une source à l'autre. |
[0002] Elle trouve en particulier avantageusement application au multiplexage en longueur d'onde pour les télécommunications optiques.
[0003] On connaît depuis plusieurs années des sources d'émission laser accordables en longueur d'onde, notamment des sources lasers à réflecteurs de Bragg distribués (lasers DBR selon la terminologie anglo-saxonne généralement utilisée par l'Homme du Métier).
[0004] On pourra par exemple à cet égard se référer à la publication :
[1] "High performance tunable 1.5 µm InGaAs/ InGaASP multiple quantum well distributed Bragg reflector lasers" - T.L. Koch, U. Koren, and B.I. Miller - Applied Physics Letters 53 (12), 1988, p. 1036, ainsi qu'à
[2] "Focused ion beam lithography of multiperiod gratings for a wavelength-division-multiplexed transmitter laser array", I.M. Templeton et al., Journal of Vacuum Science and Technology, Part B, Vol. 13, n° 6, Novembre 1995, pages 2722-2724.
[0005] La réalisation de ces composants nécessite toutefois la mise en oeuvre de -plusieurs reprises d'épitaxie et est donc complexe.
[0006] On connaît par ailleurs, notamment par US 4 993 036, des composants d'émission laser intégrant sur un même substrat une pluralité de sources d'émission laser présentant des réseaux de Bragg de périodes différentes.
[0007] Toutefois, la réalisation à l'échelle micrométrique d'une pluralité de réseaux de pas différents disposés les uns à côté des autres est technologiquement compliquée.
[0008] Plus récemment, il a été proposé, notamment dans la publication :
[3] "Control of lasing wavelength in distributed feedback lasers by angling the active stripe with respect to the grating" - W.T. Tsang, R.M. Kapre, R.A. Logan and T. Tanbun-Ek - IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS - Vol. 5, N° 9, 1993, pp. 978-980,
un composant comportant sur un même substrat d'une part un réseau de Bragg à pas constant et d'autre part une pluralité de rubans enterrés formant couches actives d'émission laser, ces différents rubans étant inclinés selon des angles différents par rapport au réseau de diffraction.
[0009] La longueur d'onde d'émission des différentes sources ainsi constituées varie avec l'angle d'inclinaison entre leur ruban formant couche active et le réseau de diffraction.
[0011] Les matériaux employés pour leur fabrication présentent en effet des indices de réfraction de l'ordre de 3,5. Etant donné que les différents rubans formant couches actives présentent des inclinaisons différentes par rapport au plan de clivage du substrat, il résulte de la réfraction des variations importantes des angles de sortie dans l'air des faisceaux émis par rapport à la normale au plan de clivage du composant.
[0012] Il est donc nécessaire de prévoir une inclinaison de fibre pour chaque longueur d'onde émise.
[0013] Un but de l'invention est de proposer un composant d'émission laser à plusieurs longueurs d'onde qui permet de s'affranchir de ces différents inconvénients.
[0014] Selon l'invention, ce but est atteint avec un composant d'émission laser multi-longueur d'onde présentant une pluralité de sources d'émission laser à réseau de Bragg, caractérisé en ce que les réseaux de Bragg desdites sources correspondent à un réseau de diffraction commun aux différentes sources, dont le pas varie de façon continue d'une source à l'autre.
[0018] D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront encore de la description qui suit. Cette description est purement illustrative et non limitative. Elle doit être lue en regard des dessins annexés sur lesquels :
- la figure 1 est une représentation schématique en vue de dessus d'un composant d'émission laser conforme à un mode de réalisation possible pour l'invention ;
- la figure 2 une représentation en perspective avec arraché du composant de la figure 1.
[0019] Le composant illustré sur les figures 1 et 2 présente une pluralité de sources S1, S2,...,Sn d'émission laser à contre-réaction distribuées (DFB ou Distributed Feedback selon la terminologie anglo-saxonne généralement utilisée), qui présentent un réseau de diffraction commun R, dont le pas varie de façon continue d'une source à l'autre.
[0020] Dans le mode de réalisation particulièrement avantageux qui est illustré sur les figures 1 et 2, ce réseau de diffraction commun est en éventail.
[0021] On a représenté sur la figure 1 les lignes L de ce réseau de diffraction commun R, ainsi que les différentes directions d'émission E1, E2 ,...., En des sources S1, S2,..., Sn.
[0022] Ces différentes lignes L du réseau R sont réparties de telle façon qu'elles définissent au niveau de chaque source S1, S2,..., Sn, un réseau périodique.
[0023] On notera en effet que, par application du théorème de Thalès, si au droit de la direction d'émission de l'une des sources, deux lignes L successives sont espacées d'une distance constante, il en est de même au droit des directions d'émission des autres sources, dès lors que les différentes directions d'émission E1, E2,..., En des sources S1, S2,.., Sn du composant sont parallèles entre elles. Sur la figure 1, deux lignes successives du réseau sont espacées d'une distance constante a dans la direction d'émission E1. Par conséquent, dans la direction d'émission En parallèle à la direction E1, la distance entre deux lignes successives est également constante.
[0024] Les pas Λ des réseaux de diffraction périodiques ainsi définis par le réseau commun R au niveau de chaque source S1, S2,.., Sn sont bien entendu différents d'une source à l'autre.
[0025] L'angle entre deux lignes successives du réseau R, ainsi que les directions d'émission E1, E2,..., En sont choisis en fonction des longueurs d'onde de Bragg λb1, λb2,.., λbn souhaitées pour les différentes sources du composant.
[0026] On rappelle que la longueur d'onde de Bragg λb d'une source d'émission laser DFB est reliée au pas Λ de son réseau périodique par la relation
où neff est l'indice effectif du guide d'onde et m l'ordre de diffraction du réseau.
[0027] Pour une source donnée, la contre-réaction est sélective en longueur d'onde au voisinage de sa longueur d'onde de Bragg.
[0028] A titre d'exemple de réalisation, le composant selon l'invention peut être un composant du type de celui décrit dans US-4 993 036, dont les différents réseaux de Bragg sont constitués par un réseau de Bragg commun du type du réseau R qui vient d'être décrit.
[0030] Il comporte un substrat 1 de GaAs dopé n+ d'épaisseur de l'ordre de 100 µm sur lequel est déposée une couche de confinement 2 en Al0,5Ga0,5As, une couche active 3 de 0,1 µm d'épaisseur, ainsi qu'une couche guide 4, également de 0,1 µm d'épaisseur.
[0031] Le réseau de diffraction R en éventail est réalisé par insolation sur la face supérieure entière de la couche 4, en prenant comme référence d'orientation pour les lignes du réseau les plans de clivage (O, 1, -1) et (0, 1, 1) du substrat 1 lorsque celui-ci est orienté selon le plan (1, 0, 0) (voir figure 1).
[0032] Le réseau est par exemple gravé ligne par ligne, l'échantillon étant pour chaque ligne déplacé en translation sous un faisceau d'insolation. A cet effet, l'échantillon est monté sur un porte échantillon qui est mobile, d'une part en translation sous le faisceau d'insolation, et d'autre part en rotation autour du point de jonction des différentes lignes du réseau.
[0033] Pour chaque gravure d'une ligne, le porte échantillon est fixe en rotation et se translate sous le faisceau. A l'issue d'une gravure, le porte échantillon est déplacé angulairement sur la position permettant la gravure de la ligne suivante, et ainsi de suite.
[0034] Sur la couche guide 4 ainsi gravée, une nouvelle couche de confinement 5 de Al0,5Ga0,5As (confinement supérieur de type p) est déposée, puis une couche 6 de GaAs de type p dite de contact est à son tour déposée. L'empilement des couches 5 et 6 est taillé sous forme de ruban jusqu'au réseau. Une couche 7 isolante électriquement est déposée de part et d'autre de chaque ruban. Enfin, chaque ruban reçoit une électrode 81, 82,..., 8n: ces électrodes sont isolées électriquement les unes des autres.
[0035] Un contact ohimique 9 est réalisé sur la semelle. Après clivage selon des plans perpendiculaires aux rubans, on délimite des barrettes de diodes.
1. Composant d'émission laser multi-longueur d'onde présentant une pluralité de sources
d'émission laser (S1, S2,..., Sn) à réseau de Bragg, caractérisé en ce que les réseaux de Bragg desdites sources correspondent
à un réseau de diffraction (R) commun aux différentes sources (S1, S2,..., Sn), dont le pas varie de façon continue d'une source à l'autre.
2. Composant selon la revendication 1, caractérisé en ce que le réseau de diffraction
(R) est en éventail, les directions d'émission (E1, E2,..., En) des différentes sources étant parallèles entre elles et sécantes aux lignes (L)
du réseau de diffraction.
3. Composant selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que les sources
d'émission laser (S1, S2,..., Sn) sont du type à contre-réaction distribuée.
4. Application du composant selon l'une des revendications précédentes au multiplexage
en longueur d'onde pour les télécommunications optiques.