Elektrisches Schichtkontaktelement und Verfahren zu seiner Herstellung

(19)

(11)

EP 0 788 124 A3

(12)	EUROPÄISCHE PATENTANMELDUNG

(88)	Veröffentlichungstag A3:
	05.11.1997 Patentblatt 1997/45

(43)	Veröffentlichungstag A2:
	06.08.1997 Patentblatt 1997/32

(21)	Anmeldenummer: 96111280.2

(22)	Anmeldetag: 12.07.1996

(51)	Internationale Patentklassifikation (IPC)⁶: H01H 11/04

(84)	Benannte Vertragsstaaten:
	AT CH DE FR GB LI

(30)

Priorität:

18.08.1995 DE 19530512

(71)	Anmelder: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
	80333 München (DE)

(72)	Erfinder:
	De Vogelaere, Marc 08021 Zedelgem (BE) Henning, Günther 12277 Berlin (DE) Michelsen-Mohammadein, Ursula 13505 Berlin (DE) Weiser, Josef, Dr. 82069 Hohenschäftlarn (DE)

(54)	Elektrisches Schichtkontaktelement und Verfahren zu seiner Herstellung

(57) Auf einem Basismetall, vorzugsweise in Form einer Drahtes, werden galvanisch eine erste Schicht (2) aus einem Silber-Metalloxid in einer Dicke von 20 bis 70 µm, danach eine zweite Schicht (3) aus Gold oder einer Goldlegierung in einer Dicke von 1 bis 3 µm und schließlich eine dritte Schicht (4) aus Rhodium oder Ruthenium in einer Schichtdicke von weniger als 1 µm erzeugt. Durch eine Wärmebehandlung bei einer Temperatur zwischen 300° und 900° C wird die Goldlegierung teilweise in die Silber-Metalloxid-Schicht hineindiffundiert.
Auf diese Weise erhält man eine niederohmige und abbrandfeste Kontaktbeschichtung, vorzugsweise für die Anwendung in Schwachstromrelais.

Recherchenbericht