Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Silicium, wobei der wachsende Einkristall während einer bestimmten Verweildauer in einem bestimmten Temperaturbereich gehalten wird, das dadurch gekennzeichnet ist, daß als Temperaturbereich der Bereich von 850 bis 1100 °C gewählt wird und die Verweildauer des wachsenden Einkristalls in dem gewählten Temperaturbereich entweder größer als 250 min oder kleiner als 80 min ist. Die Erfindung betrifft auch eine Vorrichtung und ein Verfahren, bei dem die Abkühlgeschwindigkeit des wachsenden Einkristalls durch einen Hitzeschild beeinflußt wird, der zwischen einem unteren und einem oberen Rand in ringförmige Zonen untergliedert ist, wobei sich benachbarte Zonen in Bezug auf Wärmeleitung und Durchlässigkeit von Wärmestrahlung unterscheiden.
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung von Einkristallen aus Silicium mit einer bestimmten Defektdichte. Gegenstand der Erfindung ist auch eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens.
Die Herstellung von Einkristallen aus Silicium erfolgt in den überwiegend praktizierten Fällen in einem Tiegelzieh-Verfahren (Czochralski-Verfahren oder CZ-Methode genannt) oder einem tiegelfreien Ziehverfahren (Zonenschmelz-Verfahren oder FZ-Methode genannt). Die stangenförmigen Einkristalle mit Durchmessern von typischerweise 100 bis 300 mm dienen vornehmlich als Grundmaterial zur Herstellung von Scheiben ("wafer"), aus denen wiederum elektronische Bauelemente gefertigt werden. Bei einer genaueren Untersuchung der Einkristalle und der Scheiben findet man Defekte von unterschiedlicher Art und Größe und in unterschiedlicher Dichte (Anzahl pro Raum- oder Flächeneinheit), die beim Ziehen des Einkristalls entstanden sind.
Im Zusammenhang mit der vorliegenden Erfindung sind zunächst die Flow-Pattern-Defekte (nachfolgend mit "FPD" abgekürzt) zu nennen. Diese können als Ätzpunkte mit keilförmigen Ätzfahnen nach 30 min Secco-Ätze (H. Yamagishi, I.Fusegawa, N.Fujimaki and M.Katayama, Semicond. Sci. Technol.7 (1992) A 135) sichtbar gemacht werden. Die FPD-Dichte beeinflußt unmittelbar die Durchschlagsfestigkeit eines, auf einer Silicium-Scheibe erzeugten Oxid-Films. Ein wichtiger Kennwert für die Beurteilung der Durchschlagsfestigkeit ist die sogenannte GOI-Ausbeute ("gate oxide integrity"). Bei hohen FPD-Dichten sind die GOI-Ausbeuten niedrig. Scheiben, die für die Herstellung elektronischer Bauelemente vorgesehen sind ("prime-wafer"), sollten möglichst hohe GOI-Ausbeuten aufweisen, weil die Ausbeute an funktionstüchtigen Bauelementen auch von hohen GOI-Ausbeuten abhängt. Allerdings ist die GOI-Ausbeute für Test-Scheiben ("monitor-wafer"), die nicht zur Herstellung elektronischer Bauelemente, sondern nur zur Überprüfung der Prozesse der Bauelementherstellung verwendet werden, von eher untergeordneter Bedeutung.
In der EP-504 837 A2 ist offenbart, daß Verweilzeiten des wachsenden Einkristalls bei Temperaturen von über 1150 °C einen günstigen Einfluß auf die GOI-Ausbeute haben.
Zu einer anderen Defekt-Klasse gehören die Lichtpunktdefekte (nachfolgend mit "LPD" abgekürzt), die an polierten Scheibenoberflächen mit optischen Meßgeräten erfaßt werden können. Wenn sich Lichtpunktdefekte in hoher Dichte nachweisen lassen, so gelten die betroffenen Scheiben sowohl für eine Verwendung als prime-wafer als auch für eine Verwendung als monitor-wafer als minderwertig, es sei denn, die Größe der LPD liegt überwiegend in einem Bereich von unter 0,12µm. In diesem Fall ist eine Verwendung der Scheiben als monitor-wafer durchaus möglich, da die Defekte nicht schädlich sind, weil ihre Größe unter der derzeit üblichen Linienbreite von Bauelementstrukturen liegt. Darüber hinaus läßt sich die Zahl dieser LPD durch eine besondere Temperaturbehandlung (annealing) stark reduzieren und gleichzeitig die GOI-Ausbeute erhöhen, so daß sich derartig behandelte Scheiben auch als prime-wafer eignen.
Die vorliegende Erfindung löst die Aufgabe, die Herstellung von Einkristallen aus Silicium so zu verbessern, daß Scheiben, die von einem gezogenen Einkristall abgetrennt werden, entweder eine besonders hohe GOI-Ausbeute zeigen und sich daher besonders gut als prime-wafer eignen, oder LPD aufweisen, deren Größe überwiegend im Bereich von unter 0,12µm liegt, so daß eine Verwendung als monitor-wafer und gegebenenfalls auch eine Verwendung als prime-wafer besonders in Betracht kommt.
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Silicium, wobei der wachsende Einkristall während einer bestimmten Verweildauer in einem bestimmten Temperaturbereich gehalten wird, das dadurch gekennzeichnet ist, daß als Temperaturbereich der Bereich von 850 bis 1100 °C gewählt wird und die Verweildauer des wachsenden Einkristalls in dem gewählten Temperaturbereich entweder größer als 250 min oder kleiner als 80 min ist.
Besonders bevorzugt ist, daß als Temperaturbereich der Bereich von 900 bis 1050 °C gewählt wird und die Verweildauer in diesem Temperaturbereich entweder größer als 150 min oder kleiner als 50 min ist.
Ist die Verweildauer des wachsenden Einkristalls im Temperaturbereich von 850 bis 1100 °C größer als 250 min, weisen die vom Einkristall abgetrennten Silicium-Scheiben sehr geringe FPD-Dichten und sehr hohe GOI-Ausbeuten auf. Sie eignen sich daher bestens als prime-wafer. Wird die Verweildauer im genannten Temperaturbereich hingegen auf unter 80 min verkürzt, findet man bei den vom Einkristall abgetrennten Scheiben recht hohe LPD-Dichten. Diese Scheiben eignen sich bestens als monitor-wafer, weil die Größe der Defekte überwiegend unter 0,12 µm liegt. Ebenso ist eine Verwendung der Scheiben als prime-wafer möglich, sofern die Zahl der Defekte durch eine Temperaturbehandlung der Scheiben bei ca. 1100 bis 1200 °C in Argon- oder Wasserstoffatmosphäre reduziert wird.
Die Einstellung der Verweildauer ist maßgeblich durch die Ziehgeschwindigkeit und die thermische Abschirmung des wachsenden Einkristalls beeinflußbar. Je höher die Ziehgeschwindigkeit ist, desto kürzer wird die Verweildauer des wachsenden Einkristalls in einem bestimmten Temperaturbereich. Die Geschwindigkeit, mit der der wachsende Einkristall abkühlt, hängt maßgeblich von der thermischen Abschirmung des Einkristalls ab, wobei die Abschirmung von einer Heizungsquelle, beispielsweise einer Tiegelheizung, besonders zu beachten ist. Vom Ziehen von Einkristallen aus Silicium nach der CZ-Methode sind Hitzeschilde in verschiedenen Ausführungen bekannt, die verwendet werden, um den wachsenden Einkristall thermisch abzuschirmen. Je wärmedurchlässiger (transparenter) der Hitzeschild für Wärmestrahlung und Wärmeleitung ist, desto langsamer kühlt ein gewachsener Abschnitt des Einkristalls ab und desto länger bleibt die Temperatur dieses Abschnitts in einem bestimmten Temperaturbereich. Die geeignete Abstimmung von Ziehgeschwindigkeit und thermischer Abschirmung des Einkristalls zum Erzielen der vorgesehenen Verweildauer im vorgesehenen Temperaturbereich wird durch vorhergehende Computersimulationen und Vorversuche erleichtert. Ein geeignetes Simulationsprogramm läßt sich beispielsweise nach Modellrechnungen von Dupret et al. entwickeln. (Dupret et al., Int.J.Heat Mass Transfer, Vol.33, No.9, pp.1849-1871, 1990). Besonderes Augenmerk ist darauf zu legen, welche Werte der Hitzeschild in Bezug auf Wärmeleitfähigkeit und Durchlässigkeit von Wärmestrahlung aufweist. Bekannte Werkstoffe für Hitzeschilde sind beispielsweise Molybdänblech, Graphit und Graphitfilz. Einige Hitzeschilde sind schichtförmig aufgebaute Verbundkörper solcher Werkstoffe.
Die Erfinder haben nun eine Verbesserung des Hitzeschilds entwickelt, wobei der verbesserte Hitzeschild besonders zur Durchführung des genannten Verfahrens geeignet ist.
Gegenstand der Erfindung ist auch eine Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristalls aus Silicium mit einem, den wachsenden Einkristall umgebenden Hitzeschild, dadurch gekennzeichnet, daß der Hitzeschild zwischen einem unteren und einem oberen Rand in mindestens zwei ringförmige Zonen untergliedert ist, und benachbarte Zonen sich in Bezug auf Wärmeleitfähigkeit und Durchlässigkeit von Wärmestrahlung unterscheiden.
Der verbesserte Hitzeschild ist immer dann von Vorteil, wenn der zeitliche Temperaturverlauf (die Temperatur-Historie) in einem bestimmten Abschnitt des wachsenden Einkristalls während des Ziehvorgangs beeinflußt werden soll.
Gegenstand der Erfindung ist daher auch ein Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Silicium, das dadurch gekennzeichnet ist, daß die Abkühlgeschwindigkeit des wachsenden Einkristalls durch einen Hitzeschild beeinflußt wird, der den wachsenden Einkristall umgibt, wobei der Hitzeschild zwischen einem unteren und einem oberen Rand in ringförmige Zonen untergliedert ist, und benachbarte Zonen sich in Bezug auf Wärmeleitung und Durchlässigkeit von Wärmestrahlung unterscheiden.
Bekannte Hitzeschilde bestehen aus gleichartigem Material mit in Bezug auf Wärmeleitung und Durchlässigkeit von Wärmestrahlung einheitlichen Eigenschaften. Der erfindungsgemäße Hitzeschild ist in mindestens 2, vorzugsweise 2 bis 5, ringförmige Zonen untergliedert. Vom unteren Rand des Hitzeschilds beginnend folgt eine Zone der nächsten bis zum oberen Rand des Hitzeschilds. Besonderes Kennzeichen der Zonen ist, daß sich zwei benachbarte Zonen in Bezug auf Wärmeleitung und Durchlässigkeit von Wärmestrahlung unterscheiden. So ist beispielsweise eine wiederholte Abfolge von stark wärmeisolierenden und weniger stark wärmeisolierenden Zonen möglich, um bei konstanter Ziehgeschwindigkeit die Abkühlgeschwindigkeit des wachsenden Einkristalls entsprechend einer gewünschten Defektverteilung und Defektdichte einzustellen. Der erfindungsgemäße Hitzeschild kann aus ringförmigen Segmenten, die übereinander angeordnet sind, aufgebaut sein. Benachbarte Segmente bestehen aus Materialien, die sich in Bezug auf Wärmeleitung und Durchlässigkeit von Wärmestrahlung unterscheiden. Es ist auch nicht ausgeschlossen, daß zwei Segmente nur über Streben in Verbindung stehen, so daß der offene Zwischenraum zwischen den Segmenten als Zone mit besonders hoher Durchlässigkeit von Wärmestrahlung wirkt. Gegebenenfalls kann ein Segment durch Verwendung einer Kühl- oder Heizvorrichtung auch aktiv gekühlt oder erwärmt werden und eine Steuerung vorgesehen sein, mit der die Kühl- oder Heizleistung der Vorrichtung an die Erfordernisse der gewünschten Abkühlgeschwindigkeit des Einkristalls angepaßt wird. Ein erfindungsgemäßer Hitzeschild entseht auch, wenn bei einem bekannten Hitzeschild durch aktive Kühlung oder Erwärmung entsprechende Zonen geschaffen werden. Voraussetzung dabei ist jedoch, daß die Kühlung oder Erwärmung im wesentlichen auf die jeweilige Zone des Hitzeschilds begrenzt bleibt und nicht sofort durch Wärmeleitung auf benachbarte Zonen übertragen wird.
Als besonders vorteilhaft hat sich der Hitzeschild für das Ziehen nach der CZ-Methode erwiesen, insbesondere, wenn mit Geschwindigkeiten von über 0,5 mm/min gezogen wird. Nach Feststellungen der Erfinder muß der radiale Temperaturgradient auf der Oberfläche der Schmelze um die Phasengrenze zwischen Einkristall und Schmelze herum möglichst hoch sein, damit der Einkristall zylindrisch wächst und sich keine, quer zur Wachstumsrichtung gerichteten, Auswölbungen bilden. Mit einer besonderen Ausführungsform des Hitzeschilds kann ein hoher radialer Temperaturgradient und damit ein stabiles Kristallwachstum auch bei Ziehgeschwindigkeiten gewährleistet werden, bei denen die Verwendung eines bekannten Hitzeschilds zu einem instabilen Kristallwachstum führen würde. Diese Ausführungsform ist dadurch gekennzeichnet, daß die Zone am unteren Rand des Hitzeschilds, die der Phasengrenze zwischen Einkristall und Schmelze am nächsten ist, einen Emissions-Koeffizienten von 0,3 bis 0,9 und einen Wärmeleitungs-Koeffizienten von 0,02 bis 5 Wm-1K-1 aufweist und daher besonders wärmeisolierend wirkt.
Die Erfindung wird nachfolgend an zwei Figuren näher erläutert. Figur 1 zeigt den schematischen Aufbau einer Ziehanlage zum Ziehen eines Einkristalls nach der CZ-Methode in Längsschnitt-Darstellung. Die Erfindung ist jedoch ebenso beim Einsatz der FZ-Methode verwertbar. Es sind nur die zum Verständnis der Erfindung wesentlichen Merkmale dargestellt, da der grundsätzliche Aufbau von Ziehanlagen zur Herstellung von Einkristallen sowohl nach der CZ-Mehtode als auch nach der FZ-Methode aus vielen Veröffentlichungen seit langem bekannt ist.
Die Figur 2 bezieht sich auf Ergebnisse eines später beschriebenen Beispiels und zeigt ein Diagramm, in dem die Dichte der GOI-Defekte in Abhängigkeit der Verweildauer des wachsenden Einkristalls im Temperaturbereich von 900 bis 1050 °C aufgetragen ist.
In Figur 1 kann man den wachsenden Einkristall 1 erkennen, der aus einer Schmelze 2 gezogen wird. Als besondere Merkmale der Vorrichtung sind nur ein Hitzeschild 3, eine Abdeckung 7 und eine Zusatzisolierung 8 dargestellt. Der Einkristall ist vom Hitzeschild 3 umgeben. An seinem oberen Rand 6 wird der Hitzeschild von der Abdeckung 7 gehalten, die den umgebenden Raum der Ziehanlage in einen unteren und in einen oberen Teil aufteilt. Mit dem Hitzeschild 3 und gegebenenfalls der Zusatzisolierung 8 im oberen Teil der Ziehanlage wird der Einkristall thermisch abgeschirmt. Mit der Zusatzisolierung kann, wie mit dem Hitzeschild, Einfluß auf die Temperatur-Historie beim Abkühlen des Einkristalls genommen werden. Gemäß der Erfindung ist der Hitzeschild zwischen dem unteren Rand 5 und dem oberen Rand 6 in ringförmige Zonen untergliedert, wobei benachbarte Zonen sich in Bezug auf Wärmeleitung und Durchlässigkeit von Wärmestrahlung unterscheiden. Der dargestellte Hitzeschild besteht aus fünf ringförmigen Segmenten 4a-4e, die übereinander angeordnet sind. Jedes Segment bildet gleichzeitig eine Zone mit bestimmter Wärmeleitfähigkeit und Durchlässsigkeit von Wärmestrahlung. Die Materialien für die Segmente werden vorzugsweise aus einer Gruppe ausgewählt, die Graphit, Graphitfilz, Quarz, Silicium, CFC, Molybdän, Silber und schichtförmige Verbundstrukturen zweier oder mehrerer der genannten Werkstoffe umfaßt.
Bevorzugt ist, daß das Segment am unteren Rand 5 des Hitzeschilds besonders wärmeisolierend wirkt, damit der als "DTrad" gekennzeichnete radiale Temperaturgradient auf der Oberfläche der Schmelze um die Phasengrenze zwischen Einkristall und Schmelze herum möglichst hoch ist.
Es wurden Einkristalle aus Silicium mit Durchmessern von 150 mm bis 300 mm nach der CZ-Methode gezogen und zu Scheiben geteilt. Die Ziehgeschwindigkeit blieb während eines Ziehvorgangs nahezu unverändert. Die Verweildauern der Einkristalle im Temperaturbereich von 900 bis 1050 °C waren unterschiedlich. Bei den erhaltenen Scheiben wurde die Dichte der GOI-Defekte untersucht.
Die Ergebnisse der Untersuchung sind in Figur 2 dargestellt. Jedem dargestellten Meßwert ist eine Ziffer vorangestellt, die den Durchmesser des gezogenen Einkristalls beschreibt. Die Ziffern 6, 8 und 12 stehen für einen Durchmesser von 150 mm, 200 mm und 300 mm. Der einer Ziffer nachfolgende Buchstabe (A bis E) bedeutet eine bestimmte thermische Abschirmung des Einkristalls. Defektdichten und Verweildauern sind in normierten Einheiten angegeben.
Es ist deutlich zu erkennen, daß die Defekt-Dichte von der Verweildauer des Einkristalls im genannten Temperaturbereich abhängt. Bei einer kurzen Verweildauer war die Defekt-Dichte sehr hoch und demzufolge die GOI-Ausbeute niedrig. Allerdings blieb die Größe der Defekte im wesentlichen unter 0,12 µm, so daß sich diese Scheiben als monitor-wafer und, nach einer Wärmebehandlung bei ca. 1100 °C in einer Wasserstoffatmosphäre, auch bestens als prime-wafer eigneten. Die niedrigsten Defekt-Dichten und höchsten GOI-Ausbeuten wurden bei Scheiben gefunden, die aus Einkristallen stammten, deren Verweildauer im Temperaturbereich von 900 bis 1050 °C länger als 150 min betragen hatte. Diese Scheiben eigneten sich bestens als prime-wafer.