Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines Referenzpotentials

Abstract

 Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines Referenzpotentials mit einem ersten Transistor (T1), dessen Emitter mit einem Bezugspotential (M) verbunden ist und dessen Basis und Kollektor miteinander verschaltet sind,
mit einem zweiten Transistor (T2), dessen Basis mit der Basis des ersten Transistors (T1) verbunden ist,
mit einem ersten Widerstand (R1), der zwischen den Kollektor des ersten Transistors (T1) und einen Ausgangsanschluß (U) zum Abgreifen des Referenzpotentials geschaltet ist,
mit einem zweiten Widerstand (R2), der zwischen den Kollektor des zweiten Transistors (T2) und den Ausgangsanschluß (U) geschaltet ist,
mit einem dritten Widerstand (R3), der zwischen den Emitter des zweiten Transistors (T2) und das Bezugspotential (M) geschaltet ist,

Beschreibung

[0001] Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines Referenzpotentials mit einem ersten Transistor, dessen Emitter mit einem Bezugspotential verbunden ist und dessen Basis und Kollektor miteinander verschaltet sind, mit einem zweiten Transistor, dessen Basis mit der Basis des ersten Transistors verbunden ist, mit einem ersten Widerstand, der zwischen den Kollektor des ersten Transistors und einen Ausgangsanschluß zum Abgreifen des Referenzpotentials geschaltet ist, mit einem zweiten Widerstand, der zwischen den Kollektor des zweiten Tranzistors und den Ausgangsanschluß geschaltet ist, mit einem dritten Widerstand, der zwischen den Emitter des zweiten Transistors und das Bezugspotential geschaltet ist, mit einem dritten Transistor, dessen Basis mit dem Kollektor des zweiten Transistors und dessen Emitter mit dem Bezugspotential verbunden ist, mit einem vierten Transistor, dessen Kollektor mit dem Versorgungspotential, dessen Emitter mit dem Ausgangsanschluß und dessen Basis mit dem Kollektor des dritten Transistors verbunden ist, wobei zwischen Basis und Kollektor des vierten Transistors eine erste Stromquelle geschaltet ist.

[0002] Eine derartige, auch Bandgap-Referenzspannungsquelle genannte Schaltungsanordnung ist beispielsweise aus Paul R. Gray, Robert G. Meyer, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, Second Edition 1984, Seiten 293 bis 296 bekannt und wird in einer Vielzahl von integrierten Schaltkreisen zur Versorgung anderer Schaltungsblöcke mit einem temperaturunabhängigen Referenzpotential und/oder mehreren Referenzströmen eingesetzt. In Zukunft wird es darüber hinaus zunehmend wichtiger, daß die integrierten Schaltkreise insbesondere für die Anwendung in batteriebetriebenen Geräten möglichst unabhängig von der Versorgungsspannung arbeiten. Bei jedem mit konstanter Basis-Emitter-Spannung oder konstantem Basisstrom angesteuerten, realen Transistor schwankt aufgrund des Early-Effekts der Kollektorstrom in Abhängigkeit von der Kollektor-Emitter-Spannung, die ihrerseits oft direkt mit der Versorgungsspannung verknüpft ist. Der Early-Effekt ist beispielsweise bei Paul R. Gray, Robert G. Meyer, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, Second Edition 1984, Seiten 17 bis 19 beschrieben. Kritisch ist dieses Problem gerade auch deshalb, da schnelle, moderne Transistoren hinsichtlich des Early-Effekts eher schlechte Eigenschaften aufweisen.

[0003] Aufgabe der Erfindung ist es, eine Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines Referenzpotentials anzugeben, bei der der Early-Effekt weitestgehend kompensiert ist.

[0004] Die Aufgabe wird durch eine Schaltungsanordnung gemäß Patentanspruch 1 gelöst. Ausgestaltungen und Weiterbildungen des Erfindungsgedankens sind Gegenstand von Unteransprüchen.

[0005] Vorteil der Erfindung ist es, daß eine Early-Kompensation mit geringem schaltungstechnischen Aufwand erzielt wird.

[0006] Dies wird insbesondere dadurch erreicht, daß der ersten Stromquelle eine zweite Stromquelle parallel geschaltet ist, die einen Kompensationsstrom zur Kompensation der Stromschwankungen der ersten Stromquelle erzeugt.

[0007] Bei einer Ausgestaltung kann vorgesehen werden, daß der von der zweiten Stromquelle erzeugte Kompensationsstrom gleich der mit einem Faktor multiplizierten Differenz eines ersten Early-abhängigen Stroms und eines zweiten weniger Early-abhängigen Stroms ist.

[0008] Dabei kann die erste Stromquelle durch einen fünften Transistor gebildet werden, dessen Emitter über einen fünften Widerstand an dem Versorgungspotential angeschlossen ist, dessen Kollektor mit der Basis des vierten Transistors verbunden ist und dessen Basis über einen sechsten Widerstand mit dem Versorgungspotential gekoppelt ist. Des weiteren sind Ansteuermittel vorgesehen, die über dem sechsten Widerstand eine von dem am Anschluß anliegenden Potential abhängige Spannung erzeugen.

[0009] Eine Ausgestaltung der Erfindung enthält Ansteuermittel mit einem sechsten Transistor, dessen Basis mit der Basis des fünften Transistors und dessen Emitter unter Zwischenschaltung eines siebten Widerstands mit dem Versorgungspotential verbunden ist und mit einem siebten Transistor, dessen Basis an den Ausgangsanschluß, dessen Emitter über einen achten Widerstand an das Bezugspotential und dessen Kollektor an den Kollektor des sechsten Transistors angeschlossen ist. Weiterhin enthalten die Ansteuermittel einen achten Transistor, dessen Kollektor-Emitter-Strecke der Kollektor-Emitter-Strecke des siebten Transistors parallel geschaltet ist und dessen Basis zum einen über einen neunten Widerstand mit dem Versorgungspotential und zum anderen über eine Diodenstrecke und einen zehnten Widerstand in Reihe mit dem Bezugspotential verbunden ist, sowie einen neunten Transistor, dessen Kollektor mit dem Versorgungspotential, dessen Emitter über eine dritte Stromquelle mit dem Bezugspotential und dessen Basis mit dem Kollektor des siebten Transistors gekoppelt ist. Schließlich ist bei den Ansteuermitteln ein zehnter Transistor vorgesehen, dessen Emitter mit der Basis des fünften Transistors, dessen Kollektor mit dem Bezugspotential und dessen Basis mit dem Emitter des neunten Transistors verschaltet ist.

[0010] Bei einer weiteren Ausgestaltung wird die dritte Stromquelle durch einen elften Transistor gebildet, dessen Emitter über einen elften Widerstand mit dem Bezugspotential, dessen Kollektor mit dem Emitter des neunten Transistors und dessen Basis mit der Basis des achten Transistors verbunden ist.

[0011] Bei der zweiten Stromquelle können zwei miteinander gekoppelte Teilstromquellen zur Bildung des ersten Early-abhängigen Stromes und des zweiten weniger Early-abhängigen Stromes, die einerseits mit dem Versorgungspotential und andererseits mit dem Eingangskreis bzw. dem Ausgangskreis eines Stromspiegels verbunden sind, sowie eine mit den anderen beiden Teilstromquellen gekoppelte dritte Teilstromquelle, die der ersten Stromquelle parallel geschaltet ist, vorgesehen werden.

[0012] Der Knotenpunkt des Ausgangskreises des Stromspiegels und der zweiten Stromquelle kann dabei mit dem Eingang einer Stromverstärkerstufe verbunden sein, deren Ausgang wiederum mit der Basis des neunten Transistors gekoppelt ist.

[0013] Bei einer Ausgestaltung der Erfindung kann die Stromverstärkerstufe durch einen zweiten Stromspiegel gebildet werden.

[0014] Die Teilstromquellen können durch die Ausgangszweige einer Strombank gegeben sein, deren Eingangszweig durch den sechsten Widerstand realisiert ist.

[0015] Schließlich können die Teilstromquellen durch die Ausgangszweige einer Strombank gebildet werden, deren Eingangszweig durch einen zwölften Widerstand gegeben ist. Dabei ist dem zwölften Widerstand die Basis-Emitter-Strecke eines zwölften Transistors sowie ein in Reihe dazu liegender dreizehnter Widerstand parallel geschaltet. Die Basis eines dreizehnten Transistors, dessen Kollektor an das Versorgungspotential angeschlossen ist, und der Kollektor eines vierzehnten Transistors, dessen Basis mit der Basis des siebten Transistors und dessen Emitter über einen vierzehnten Widerstand mit dem Bezugspotential verbunden ist, sind dabei mit dem Kollektor des zwölften Transistors gekoppelt. Die Basis eines fünfzehnten Transistors, dessen Kollektor mit dem Bezugspotential und dessen Emitter mit der Basis des zwölften Transistors verbunden ist, ist an den Emitter eines dreizehnten Transistors angeschlossen. Die Basis eines sechzehnten Transistors, dessen Kollektor mit der Basis des fünfzehnten Transistors und desse Emitter über einen fünfzehnten Widerstand mit dem Bezugspotential verbunden ist, ist dabei mit der Basis des achten Transistors gekoppelt.

[0016] Die Erfindung wird nachfolgend anhand der in den beiden Figuren der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiele näher erläutert, wobei gleiche Elemente mit gleichen Bezugszeichen versehen sind. Es zeigt:

Figur 1

eine erste Ausführungsform und

Figur 2

eine zweite Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung.

[0017] Bei dem in Figur 1 gezeigten Ausführungsbeispiel ist ein npn-Transistor T1 vorgesehen, dessen Emitter mit dem Bezugspotential M verbunden ist und dessen Basis und Kollektor miteinander verschaltet und über einen gemeinsamen Widerstand R1 mit einem ein Referenzpotential führenden Ausgangsanschluß U gekoppelt sind. An Basis und Kollektor des Transistors T1 ist die Basis eines npn-Transistors T2 angeschlossen, dessen Emitter über einen Widerstand R3 mit dem Bezugspotential M und dessen Kollektor über einen Widerstand R2 mit dem Ausgangsanschluß U gekoppelt ist.

[0018] An dem Ausgangsanschluß U ist darüber hinaus der Emitter eines npn-Transistors T4 angeschlossen, dessen Kollektor mit einem Versorgungspotential V verbunden ist. Die Basis des Transistors T4 ist mit dem Kollektor eines npn-Transistors T3 verbunden, dessen Emitter an das Bezugspotential M und dessen Basis an den Kollektor des Transistors T2 angeschlossen ist.

[0019] Die Basis des Transistors T4 ist darüber hinaus über eine Stromquellenschaltung an das Versorgungspotential V angeschlossen. Die Stromquellenschaltung weist einen pnp-Transistor T5 auf, dessen Emitter über einen Widerstand R5 mit dem Versorgungspotential V und dessen Kollektor mit der Basis des Transistors T4 bzw. dem Kollektor des Transistors T3 verbunden ist. Die Basis des Transistors T5 ist mit der Basis eines pnp-Transistors T6 verschaltet, dessen Emitter über einen Widerstand R6 mit dem Versorgungspotential V gekoppelt ist, dessen Emitter über einen Widerstand R6 mit dem Versorgungspotential V gekoppelt ist. Der Kollektor des Transistors T6 ist darüber hinaus mit dem Kollektor eines npn-Transistors T7 verbunden, dessen Emitter über einen Widerstand R4 an das Bezugspotential M angeschlossen ist und dessen Basis mit dem Ausgangsanschluß U verbunden ist. Weiterhin ist der Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors T7 die Kollektor-Emitter-Strecke eines npn-Transistors T8 parallel geschaltet. Die Basis des Transistors T8 ist unter Zwischenschaltung eines Widerstandes R8 an das Versorgungspotential V angeschlossen. Die Basis des Transistors T8 ist zudem mit dem Eingangszweig eines Stromspiegels verbunden. Der Eingangszweig wird durch einen npn-Transistor T11 gebildet, dessen Basis und Kollektor miteinander sowie mit der Basis des Transistors T8 verschaltet sind und dessen Emitter unter Zwischenschaltung eines Widerstandes R10 an das Bezugspotential M angeschlossen ist. Die Basen der Transistoren T7 und T8 sind zudem über einen Widerstand R7 miteinander gekoppelt.

[0020] Der Ausgangszweig des Stromspiegels wird durch einen npn-Transistor T12 gebildet, dessen Basis mit der Basis des Transistors T11 verbunden ist und dessen Emitter unter Zwischenschaltung eines Widerstandes R9 an das Bezugspotential M angeschlossen ist. Der Kollektor des Transistors T12 ist aus die Basis eines pnp-Transistors T10, dessen Kollektor mit dem Bezugspotential M und dessen Emitter mit den Basen der Transistoren T5 und T6 verbunden ist sowie auf den Emitter eines npn-Transistors T9, dessen Kollektor mit dem Versorgungspotential V und dessen Basis mit dem Kollektor des Transistors T6 verschaltet ist, geführt. Schließlich ist ein Widerstand R11 zwischen die Basen der Transistoren T5 und T6 einerseits und das Versorgungspotential V andererseits geschaltet.

[0021] Mit dem Kollektor des Transistors T6 ist der Kollektor eines pnp-Transistors T13 verbunden, dessen Emitter über einen Widerstand R12 mit dem Versorgungspotential V verschaltet ist und dessen Basis mit Basis und Kollektor eines pnp-Transistors T14, mit dem Kollektor eines pnp-Transistors T15 sowie mit dem Kollektor eines npn-Transistors T18 gekoppelt ist. Die Emitter der beiden Transistoren T14 und T15 sind über jeweils einen Widerstand R13 bzw. R14 an das Versorgungspotential V angeschlossen. Der Emitter des Transistors T18 ist über einen Widerstand R17 mit dem Bezugspotential M verbunden. Der Transistor T15 bildet ebenso wie pnp-Transistoren T16 und T17, deren Emitter über jeweils einen Widerstand R15 bzw. R16 mit dem Versorgungspotential V verbunden sind, Ausgangszweige eines Stromspiegels, dessen Eingangszweig durch den Widerstand R11 gebildet wird. Dazu sind die Basen der Transistoren T15, T16 und T17 mit den Basen der Transistoren T5 und T6 gekoppelt. Der Kollektor des Transistors T16 ist mit Basis und Kollektor eines npn-Transistors T19 sowie mit der Basis des Transistors T18 verschaltet. Der Emitter des Transistors T19 ist über einen Widerstand R18 mit dem Bezugspotential M gekoppelt. Der Kollektor des Transistors T17 schließlich ist mit der Basis des Transistors T4 verbunden.

[0022] Gegenüber dem in Figur 1 gezeigten Ausführungsbeispiel ist die Ausführungsform nach Figur 2 dahingehend geändert, daß die Basen der Transistoren T15, T16 und T17 nicht über den Widerstand R11 sondern über einen Widerstand R17 mit dem Versorgungspotential V verbunden sind. Die Basen der Transistoren T15, T16, T17 sind zudem mit dem Emitter eines pnp-Transistors T18 sowie mit der Basis eines pnp-Transistors T20 verschaltet. Der Kollektor des Transistors T18 ist dabei an das Bezugspotential M angeschlossen. Der Kollektor des Transistors T20 ist zum einen mit der Basis eines npn-Transistors T19 verbunden, dessen Kollektor an das Versorgungspotential V angeschlossen ist, und zum anderen mit dem Kollektor eines Transistors T21 verschaltet, dessen Basis mit dem Anschluß U und dessen Emitter unter Zwischenschaltung eines Widerstandes R19 mit dem Bezugspotential M gekoppelt ist. Die Basis des Transistors T18 und der Emitter des Transistors T19 sind zusammen an dem Kollektor eines npn-Transistors T22 angeschlossen, dessen Emitter über einen Widerstand R20 mit dem Bezugspotential M verbunden ist und dessen Basis mit den Basen der Transistoren T11 und T12 gekoppelt ist.

[0023] Um schließlich auch einen Referenzausgangsstrom erzeugen zu können, ist ein pnp-Transistor T23 vorgesehen, dessen Basis mit der Basis des Transistors T5 verschaltet ist und dessen Emitter über einen Widerstand R21 an das Versorgungspotential V angeschlossen ist. Der Kollektor ist mit einem Ausgangsanschluß I verschaltet, an dem der Referenzstrom abgreifbar ist.

[0024] Die getrennte Optimierung der Betriebsspannungsunterdrückung sowohl im Hinblick auf das Bandgap-Referenzpotential am Ausgang U sowie auf den Referenzausgangsstrom am Anschluß I kann getrennt erfolgen durch Einstellen der Emitterfläche des Transistors T14 im Verhältnis zur Emitterfläche des Transistors T13 sowie durch Anpassung der Widerstände R17 und R18. Ein kleinerer Widerstandswert der beiden Widerstände R17 und R18 bewirkt eine schwächere Stromgegenkopplung, so daß die Early-Spannungskorrektur entsprechend stärker ist. Es kann auch ein Absinken beispielsweise des Ausgangsstromes eingestellt werden, wenn es gilt, einen Vorhalt zu realisieren. Zudem können eigene, ggf. abschaltbare Stromausgangsstufen vorgesehen werden, die durch weitere Stromausgänge der aus den Transistoren T13 und T14 in Verbindung mit den Widerständen R12 und R13 gebildeten Strombank zur Early-Kompensation der Ausgangsstufen herangezogen werden.

[0025] Wie zu ersehen ist, wird dem Ausgangsstrom der durch den Transistor T5 in Verbindung mit dem Widerstand R5 gebildeten Stromquelle ein Kompensationsstrom überlagert, indem der Ausgangsstrom der durch den Transistor T17 in Verbindung mit dem Widerstand R16 gebildeten Stromquelle ebenfalls in die Basis des Transistors T4 eingespeist wird und der Eingangskreis des Transistors T15 über die Transistoren T9 bis T14 beinflußt wird. Mit steigender Versorgungsspannung steigt nämlich auch der durch den Kollektorstrom des Transistors T5 gegebene Ausgangsstrom an. Ursache hierfür ist in erster Linie die Early-Spannungsabhängigkeit der Kollektorströme der Transistoren T5 bis T12. Über den Transistor T4 wirkt sich diese Abhängigkeit direkt auf den Ausgangsanschluß U aus. Der diesen überlagerte Kompensationsstrom wird nun aus der Differenz eines ersten Early-abhängigen Stroms der Stromquelle mit dem Transistor T16 in Verbindung mit dem Widerstand R15 und eines weniger Early-abhängigen Stroms der Stromquelle mit dem Transistor T15 in Verbindung mit dem Widerstand R14 gebildet und mit einem Faktor multipliziert, der durch das Stromverhältnis der Transistoren T13 und T14 sowie das Verhältnis der Widerstände R17 und R18 gegeben ist. Dabei wird die Dimensionierung so gewählt, daß eine lineare Abhängigkeit des Kompensationsstroms erzielt wird und damit insgesamt eine Unabhängigkeit von der Versorgungsspannung erreicht wird.

Ansprüche

1. Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines Referenzpotentials mit einem ersten Transistor (T1), dessen Emitter mit einem Bezugspotential (M) verbunden ist und dessen Basis und Kollektor miteinander verschaltet sind,
mit einem zweiten Transistor (T2), dessen Basis mit der Basis des ersten Transistors (T1) verbunden ist,
mit einem ersten Widerstand (R1), der zwischen den Kollektor des ersten Transistors (T1) und einen Ausgangsanschluß (U) zum Abgreifen des Referenzpotentials geschaltet ist,
mit einem zweiten Widerstand (R2), der zwischen den Kollektor des zweiten Transistors (T2) und den Ausgangsanschluß (U) geschaltet ist,
mit einem dritten Widerstand (R3), der zwischen den Emitter des zweiten Transistors (T2) und das Bezugspotential (M) geschaltet ist,
mit einem dritten Transistor (T3), dessen Basis mit dem Kollektor des zweiten Transistors (T2) und dessen Emitter mit dem Bezugspotential (M) verbunden ist,
mit einem vierten Transistor (T4), dessen Kollektor mit dem Versorgungspotential (V), dessen Emitter mit dem Ausgangsanschluß (U) und dessen Basis mit dem Kollektor des dritten Transistors (T3) verbunden ist, wobei zwischen Basis und Kollektor des vierten Transistors (T4) eine erste Stromquelle (R5, T5) geschaltet ist,
gekennzeichnet durch eine der ersten Stromquelle (R5, T5) parallel geschaltete zweite Stromquelle (T17, R16), die einen Kompensationsstrom zur Kompensation der Stromschwankungen der ersten Stromquelle (R5, T5) erzeugt.

2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß der von der zweiten Stromquelle (T17, R16) erzeugte Kompensationsstrom gleich der mit einem Faktor multiplizierten Differenz eines ersten Early-abhängigen Stroms und eines zweiten weniger Early-abhängigen Stroms ist.

3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß die erste Stromquelle durch einen fünften Transistor (T5) gebildet wird, dessen Emitter über einen fünften Widerstand (R5) an dem Versorgungspotential (V) angeschlossen ist, dessen Kollektor mit der Basis des vierten Transistors (T4) verbunden ist, und dessen Basis über einen sechsten Widerstand (R11) mit dem Versorgungspotential (V) gekoppelt ist, und daß Ansteuermittel vorgesehen sind, die über den sechsten Widerstand (R11) eine von dem Anschluß (U) anliegendem Potential abhängige Spannung erzeugen.

4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet, durch Ansteuermittel mit einem sechsten Transistor (T6) dessen Basis mit der Basis des fünften Transistors (T5) und dessen Emitter unter Zwischenschaltung eines siebten Widerstands (R6) mit dem Versorgungspotential (V) verbunden ist, mit einem siebten Transistor (T7), dessen Basis an den Ausgangsanschluß (U),
dessen Emitter über einen achten Widerstand (R4) an das Bezugspotential (M) und dessen Kollektor an den Kollektor des sechsten Transistors (T6) angeschlossen ist,
mit einem achten Transistor (T8), dessen Kollektor-Emitter-Strecke der Kollektor-Emitter-Strecke des siebten Transistors (T7) parallel geschaltet ist und dessen Basis zum einen über einen neunten Widerstand (R8) mit dem Versorgungspotential (V) und zum anderen über eine Diodenstrecke (T11) und einen zehnten Widerstand (R10) in Reihe mit dem Bezugspotential (M) verbunden ist,
mit einem neunten Transistor (T9), dessen Kollektor mit dem Versorgungspotential (V), dessen Emitter über eine dritte Stromquelle (T12, R9) mit dem Bezugspotential (M) und dessen Basis mit dem Kollektor des siebten Transistors (T7) gekoppelt ist, und
mit einem zehnten Transistor (T10), dessen Emitter mit der Basis des fünften Transistors (T5), dessen Kollektor mit dem Bezugspotential (M) und dessen Basis mit dem Emitter des neunten Transistors (T9) verschaltet ist.

5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet, daß die dritte Stromquelle durch einen elften Transistor (T12) gebildet wird, dessen Emitter über einen elften Widerstand (R9) mit dem Bezugspotential (M), dessen Kollektor mit dem Emitter des neunten Transistors (T9) und dessen Basis mit der Basis des achten Transistors (T8) verbunden ist.

6. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß bei der zweiten Stromquelle zwei miteinander gekoppelte Teilstromquellen (R14, R15, T15, T16) zur Bildung des ersten Early-abhängigen Stromes und des zweiten weniger Early-abhängigen Stromes, die einerseits mit dem Versorgungspotential (V) und andererseits mit dem Eingangskreis bzw. Ausgangskreis eines Stromspiegels (T18a, T19a, R17a, R18a) verbunden sind, sowie eine mit den anderen beiden Teilstromquellen eingangsseitig gekoppelte dritte Teilstromquelle (T17, R16), die der ersten Stromquelle (T5, R5) parallel geschaltet ist, vorgesehen ist.

7. Schaltungsanordnung nach Anspruch 6,
dadurch gekennzeichnet, daß der Knotenpunkt des Ausgangskreises des Stromspiegels (T18a, T19a, R17a, R18a) und der zweiten Stromquelle (R14, R15, T15, T16) mit dem Eingang einer Stromverstärkerstufe (T13, T14, R12, R13) verbunden sind, deren Ausgang mit der Basis des neunten Transistors (T9) gekoppelt ist.

8. Schaltungsanordnung nach Anspruch 6 oder 7,
dadurch gekennzeichnet, daß die Stromverstärkerstufe durch einen zweiten Stromspiegel (T13, T14, R12, R13) gebildet wird.

9. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 6 bis 8,
dadurch gekennzeichnet, daß die Teilstromquellen durch die Ausgangszweige einer Strombank gebildet werden, deren Eingangszweig durch den sechsten Widerstand (R11) gegeben ist.

10. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 6 bis 8,
dadurch gekennzeichnet, daß die Teilstromquellen durch die Ausgangszweige einer Strombank gebildet werden, deren Eingangszweig durch einen zwölften Widerstand (R17) gegeben ist, daß dem zwölften Widerstand (R17) die Basis-Emitter-Strecke eines zwölften Transistors (T20) in Reihe mit einem dreizehnten Widerstand (R18) parallel geschaltet ist,
daß die Basis eines dreizehnten Transistors (T19), dessen Kollektor an das Versorgungspotential (V) angeschlossen ist, und der Kollektor eines vierzehnten Transistors (T21), dessen Basis mit der Basis des siebten Transistors (T7) und dessen Emitter über einen vierzehnten Widerstand (R19) mit dem Bezugspotential (M) verbunden ist, mit dem Kollektor des zwölften Transistors (T20) gekoppelt ist,
daß die Basis eines fünfzehnten Transistors (T18), dessen Kollektor mit dem Bezugspotential (M) und dessen Emitter mit der Basis des zwölften Transistors (T20) verbunden ist, an den Emitter des dreizehnten Transistors (T19) angeschlossen ist, und daß die Basis eines sechzehnten Transistors (T22), dessen Kollektor mit der Basis des fünfzehnten Transistors (T18) und dessen Emitter über einen fünfzehnten Widerstand (R20) mit dem Bezugspotential (M) verbunden ist, mit der Basis des achten Transistors (T8) gekoppelt ist.

Zeichnung