(19)
(11) EP 0 845 814 A3

(12) EUROPÄISCHE PATENTANMELDUNG

(88) Veröffentlichungstag A3:
20.10.1999  Patentblatt  1999/42

(43) Veröffentlichungstag A2:
03.06.1998  Patentblatt  1998/23

(21) Anmeldenummer: 97810843.9

(22) Anmeldetag:  10.11.1997
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC)6: H01L 29/744, H01L 29/08
(84) Benannte Vertragsstaaten:
AT BE CH DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE
Benannte Erstreckungsstaaten:
AL LT LV MK RO SI

(30) Priorität: 02.12.1996 DE 19649800

(71) Anmelder: Asea Brown Boveri AG
5401 Baden (CH)

(72) Erfinder:
  • Galster, Norbert
    79774 Albbruck (DE)
  • Klaka, Sven
    5415 Nussbaumen (CH)
  • Weber, André, Dr.
    4600 Olten (CH)

(74) Vertreter: Weibel, Beat et al
Asea Brown Boveri AG Immaterialgüterrecht(TEI) Haselstrasse 16/699 I
5401 Baden
5401 Baden (CH)

   


(54) Verfahren zur Herstellung eines GTO-Thyristors


(57) Zur Erzeugung eines hoch transparenten Anodenemitters (2) in einem GTO (1) wird ein zweistufiges Verfahren vorgeschlagen. In einem ersten Schritt wird ein Anodenemitter (2) eindiffundiert, dessen Dicke grösser 0.5 µm und dessen Dotierungskonzentration grösser 1017 cm-3 ist. Die Emittereffizienz des Anodenemitters (2) wird anschliessend in einem zweiten Schritt durch lokale Trägerlebensdauereinstellung auf ein gewünschtes Mass reduziert.






Recherchenbericht